JPH0469830A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0469830A JPH0469830A JP18059290A JP18059290A JPH0469830A JP H0469830 A JPH0469830 A JP H0469830A JP 18059290 A JP18059290 A JP 18059290A JP 18059290 A JP18059290 A JP 18059290A JP H0469830 A JPH0469830 A JP H0469830A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、磁性多層膜と初期補助磁界を用いるオーバラ
イト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関する。
イト可能な光磁気記録媒体の製造方法に関する。
［従来の技術］
近年、初期補助磁界と磁性多層膜を用いることにより、
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、（Ｃ）初期補助
磁界を印加することによって、記録前に前記記録補助層
の磁化のみを上向きまたは下向きのいずれか一方に揃え
ておくこと、（ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射
すること、（ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき
２値化情報に従って、パルス状に変調すること、（ｆ）
前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に記録磁
界を印加すること、 （Ｃ１）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が
高レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化
を有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レ
ーザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成
させること、からなることを特徴とする重ね書き（オー
バライト）可能な記録方法である（例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報参照）。
情報の重ね書きを可能にする光磁気記録方式が注目され
ている。この方式は、 （ａ）記録媒体として、垂直異方性を有する第１層を記
録再生層とし、垂直異方性を有する第２層を記録補助層
とする多層光磁気記録媒体を使用すること、 （ｂ）前記記録媒体を移動させること、（Ｃ）初期補助
磁界を印加することによって、記録前に前記記録補助層
の磁化のみを上向きまたは下向きのいずれか一方に揃え
ておくこと、（ｄ）レーザビームを前記記録媒体に照射
すること、（ｅ）前記レーザビームの強度を記録すべき
２値化情報に従って、パルス状に変調すること、（ｆ）
前記レーザビームを照射した前記記録媒体部分に記録磁
界を印加すること、 （Ｃ１）前記パルス状に変調したレーザビームの強度が
高レベルの時に上向き磁化を有するビットと下向き磁化
を有するビットのいずれか一方のビットを形成させ、レ
ーザビームの強度が低レベルの時に他方のビットを形成
させること、からなることを特徴とする重ね書き（オー
バライト）可能な記録方法である（例えば特開昭６２−
１７５９４８号公報参照）。
オーバライト可能な２層膜媒体のＭ−Ｈループは、環境
温度において、第２図の２１に示すようなものでなけれ
ばならない。
温度において、第２図の２１に示すようなものでなけれ
ばならない。
例えば、第１１ｉ性層の磁化と第２磁性層の磁化が反対
方向の時にエネルギー的に安定なアンチパラレルタイプ
の２層媒体において、第２図に示すようなＭ−Ｈループ
が得られる条件は、Ｈｃ２−σｗ／２Ｍ、ｔ２＞０ Ｈｃ２’記録補助層の保磁力 Ｍ、２；記録補助層の飽和磁化 ｔ２ ：記録補助層の膜厚 を満たすことであるが、２層間の交換結合力が強すぎる
とσ が大きくなりすぎるため、上式を満たさなくなり
、Ｍ−１−（ループは第３図の３１に示したようなルー
プになってしまう。
方向の時にエネルギー的に安定なアンチパラレルタイプ
の２層媒体において、第２図に示すようなＭ−Ｈループ
が得られる条件は、Ｈｃ２−σｗ／２Ｍ、ｔ２＞０ Ｈｃ２’記録補助層の保磁力 Ｍ、２；記録補助層の飽和磁化 ｔ２ ：記録補助層の膜厚 を満たすことであるが、２層間の交換結合力が強すぎる
とσ が大きくなりすぎるため、上式を満たさなくなり
、Ｍ−１−（ループは第３図の３１に示したようなルー
プになってしまう。
第２図のようなＭ−１−１ループを得るためには、記録
層と記録補助層の間の交換結合力を弱めることが必要で
ある。交換力を弱める方法としては、２層間にＧｄＦｅ
Ｃｏ層を挟む方法が知られている（に、 Ａｒａｔａｎ
ｉ ｅｔ、ａｌ、、 ５ＰＩＥ Ｖｏｌ、１０７８゜
Ｌ２５Ｂ 、 ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒ
ａｇｅ Ｍｅｅｔｉｎｇ 。
層と記録補助層の間の交換結合力を弱めることが必要で
ある。交換力を弱める方法としては、２層間にＧｄＦｅ
Ｃｏ層を挟む方法が知られている（に、 Ａｒａｔａｎ
ｉ ｅｔ、ａｌ、、 ５ＰＩＥ Ｖｏｌ、１０７８゜
Ｌ２５Ｂ 、 ０ｐｔｉｃａｌ Ｄａｔａ Ｓｔｏｒ
ａｇｅ Ｍｅｅｔｉｎｇ 。
１９８９）。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、従来のように２層間の交換結合力を調節
するためにＧｄＦｅＣｏ制御層を２層間に挟んだ場合、
２層間の結合力を弱めるにはこの制御層をかなり厚くす
る必要があり、２層間に制御層を余り厚く挟むとオーバ
ライト特性が悪くなるという問題があった。
するためにＧｄＦｅＣｏ制御層を２層間に挟んだ場合、
２層間の結合力を弱めるにはこの制御層をかなり厚くす
る必要があり、２層間に制御層を余り厚く挟むとオーバ
ライト特性が悪くなるという問題があった。
本発明の目的は、光磁気記録膜を構成している各磁性層
間に薄い交換結合力制ｍ＋層を挟むことにより、交換結
合力が適当な値を有し、記録層と記録補助層の間の結合
力が弱い光磁気記録媒体の製造方法を提供することにあ
る。
間に薄い交換結合力制ｍ＋層を挟むことにより、交換結
合力が適当な値を有し、記録層と記録補助層の間の結合
力が弱い光磁気記録媒体の製造方法を提供することにあ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明は、基板上に第１．第２および第３の磁性膜が順
次形成され、レーザ光によって情報の記録、再生、消去
を行うオーバライト可能な光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、第１の磁性膜をスパッタにより成膜する際のＡ
ｒガス圧を１．０Ｘ１０−１〜１．０Ｐａの範囲にする
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法である。
次形成され、レーザ光によって情報の記録、再生、消去
を行うオーバライト可能な光磁気記録媒体の製造方法に
おいて、第１の磁性膜をスパッタにより成膜する際のＡ
ｒガス圧を１．０Ｘ１０−１〜１．０Ｐａの範囲にする
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法である。
［実施例］
次に本発明の実施例について、図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明の一実施例により得られる光磁気記録媒
体の部分断面図である。媒体構成は、基板１／スペ一サ
層２／第１の磁性層３／第２の磁性層４／第３の磁性層
５／保護層６である。
体の部分断面図である。媒体構成は、基板１／スペ一サ
層２／第１の磁性層３／第２の磁性層４／第３の磁性層
５／保護層６である。
ここで、基板１としては、ポリカーボネート樹脂、エポ
キシ樹脂またはガラス等を用いた基板を使用する。基板
はガラスの上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成させ
たものでもよい。スペーサ層２および保護層６としては
、珪素の窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、ア
ルミニウムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用で
きる。
キシ樹脂またはガラス等を用いた基板を使用する。基板
はガラスの上に紫外線硬化樹脂等でグループを形成させ
たものでもよい。スペーサ層２および保護層６としては
、珪素の窒化物、珪素の酸化物、タンタルの酸化物、ア
ルミニウムの窒化物、アルミニウムの酸化物等が使用で
きる。
また、第１の磁性層３および第３の磁性層５は、希土類
と遷移金属の組み合わせからなるアモルファス合金薄膜
である。この場合、希土類としては、例えばＴｂ、Ｇｄ
、ＤＶ、Ｎｄ、、Ｈｏ等の中から単独または複数の元素
、遷移金属としては、Ｆｅ。
と遷移金属の組み合わせからなるアモルファス合金薄膜
である。この場合、希土類としては、例えばＴｂ、Ｇｄ
、ＤＶ、Ｎｄ、、Ｈｏ等の中から単独または複数の元素
、遷移金属としては、Ｆｅ。
Ｃｏ、Ｎｉ等の中から単独または複数の元素を用いる。
また、少量のＴｒ、Ｏｒ、ＭＯ等を添加することも可能
である。
である。
比較例（記録層作成時のＡｒ圧が、０．２Ｘ １０−１
。
。
０６５ｘｌＯ−１および０．８ｘｌＯ−Ｉ Ｐａの場合
）はじめに、比較例としてポリカーボネート（グループ
付き）基板／窒化珪素（８００人）／Ｔ、ｂＦｅＣＯ合
金（１８０人＞／ＮｄＦｅＣｏ合金（４０人） ／Ｇｄ
Ｔ、ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ合金（６００人）／窒化珪素（
８００人）という膜構成の媒体を、ＴｂＦｅＣ０合金層
成膜時のアルゴンガス圧、０．２Ｘ１０−１ 、 ０．
５ｘ １０−１および０．８Ｘ１０−Ｉ Ｐａで作成し
た。成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続
スパッタによる。
）はじめに、比較例としてポリカーボネート（グループ
付き）基板／窒化珪素（８００人）／Ｔ、ｂＦｅＣＯ合
金（１８０人＞／ＮｄＦｅＣｏ合金（４０人） ／Ｇｄ
Ｔ、ｂ Ｆ ｅ Ｃｏ合金（６００人）／窒化珪素（
８００人）という膜構成の媒体を、ＴｂＦｅＣ０合金層
成膜時のアルゴンガス圧、０．２Ｘ１０−１ 、 ０．
５ｘ １０−１および０．８Ｘ１０−Ｉ Ｐａで作成し
た。成膜はすべてＲＦマグネトロンスパッタ装置の連続
スパッタによる。
第１表に成膜時のＡｒ圧を変えた場合の、ＮｄＦｅＣｏ
層の単層における諸特性を、第２表に成膜時のＡｒ圧を
変えた場合のＧｄＴｂＦｅＣｏ層の単層における諸特性
を、第３表に成膜時のＡｒ圧を１．０Ｘ１０−Ｉ Ｐａ
未満の範囲で変えた場合のＴｂＦｅＣｏ合金層の諸特性
を示した。
層の単層における諸特性を、第２表に成膜時のＡｒ圧を
変えた場合のＧｄＴｂＦｅＣｏ層の単層における諸特性
を、第３表に成膜時のＡｒ圧を１．０Ｘ１０−Ｉ Ｐａ
未満の範囲で変えた場合のＴｂＦｅＣｏ合金層の諸特性
を示した。
第１表から第３表に示したＮｄＦｅＣｏ制御層、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ記録補助層およびＴｂＦｅＣ０記録層を組み
合わせて種々の３層媒体を作成したところ、いずれのカ
ーループも、第３図に示すようなループとなった。Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結
合力が強すぎるためである。これらの媒体は、オーバラ
イトができなかった。
ｂＦｅＣｏ記録補助層およびＴｂＦｅＣ０記録層を組み
合わせて種々の３層媒体を作成したところ、いずれのカ
ーループも、第３図に示すようなループとなった。Ｔｂ
ＦｅＣｏ合金層とＧｄＴｂＦｅＣｏ合金層間の磁気的結
合力が強すぎるためである。これらの媒体は、オーバラ
イトができなかった。
（以下余白）
第１表 Ａｒ圧を変えた場合のＮｄＦｅＣ。
制御層の特性
第２表 Ａｒ圧を変えた場合のＧｄＴｂＦｅＣ０記録補
助層の特性 第３表 各Ａｒガス圧におけるＴｂＦｅＣ。
助層の特性 第３表 各Ａｒガス圧におけるＴｂＦｅＣ。
記録層の特性
実施例
（１）記録層作成時のＡｒ圧が１．０ｘｌＯ−Ｉ Ｐａ
の場合 ＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第４表に示すとおり
であった。
の場合 ＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第４表に示すとおり
であった。
第４表
（１−１）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞｎ ａ、 ｏｘ １０−２ Ｐａおよび８．０
Ｘ１０−２Ｐａの時 第４表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞｎ ａ、 ｏｘ １０−２ Ｐａおよび８．０
Ｘ１０−２Ｐａの時 第４表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
５．０ ｋｏｅおよび２．０ｋＯｅであった。
５．０ ｋｏｅおよび２．０ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍｉｓ 、記録周波数３．７
ＭＨｚ。
ＭＨｚ。
ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録
磁界４０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４、
ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５４ｄ８
が得られた。この上に、線速度１１．３ ｍｉｓ 。
磁界４０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４、
ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５４ｄ８
が得られた。この上に、線速度１１．３ ｍｉｓ 。
記録周波数７．４ ＭＢ２． ＤＵＴＶ比５０％、初期
補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界４０００ｅ 、低レ
ベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高レベル
のレーザビームのパワー１３．０ｍΔの条件でオーバラ
イトしたところ、４８ ｄＢの再生信号が得られた。エ
ラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このとき３
．７８Ｈ２の信号（前の情報）は全く現れなかった。
補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界４０００ｅ 、低レ
ベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高レベル
のレーザビームのパワー１３．０ｍΔの条件でオーバラ
イトしたところ、４８ ｄＢの再生信号が得られた。エ
ラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このとき３
．７８Ｈ２の信号（前の情報）は全く現れなかった。
（１−２）制ａ層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ４．０Ｘ１０−２ Ｐａおよび３．０Ｘｉｏ
−＋ ｐａの時 第４表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ４．０Ｘ１０−２ Ｐａおよび３．０Ｘｉｏ
−＋ ｐａの時 第４表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
５．０ ｋＯｅおよび２．４ ｋＯｅであった。
５．０ ｋＯｅおよび２．４ ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍｉｓ 、記録周波数３．７
ＭＨｚ。
ＭＨｚ。
ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録
磁界３０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４．
０ ｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワ１３、Ｏｍ
Ｗの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５３ ｄＢ
が得られた。この上に、線速度１１．３ ｍｉｓ 。
磁界３０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４．
０ ｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワ１３、Ｏｍ
Ｗの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５３ ｄＢ
が得られた。この上に、線速度１１．３ ｍｉｓ 。
記録周波数７．４８Ｈ２，Ｄ ｕ Ｔ ｙ比５０％、初
期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界３５００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４．０１１１Ｗ、高レベ
ルのレーザビームのパワー１３．０＋ｎＷの条件でオー
バライトしたところ、４８ ｄＢの再生信号が得られた
。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このと
き３．７）ＩＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかっ
た。
期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界３５００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４．０１１１Ｗ、高レベ
ルのレーザビームのパワー１３．０＋ｎＷの条件でオー
バライトしたところ、４８ ｄＢの再生信号が得られた
。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このと
き３．７）ＩＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかっ
た。
（１−３）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ６．０ｘ１０−Ｉ Ｐａおよび６．０ｘ１０
−Ｉ Ｐａの時 第４表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ６．０ｘ１０−Ｉ Ｐａおよび６．０ｘ１０
−Ｉ Ｐａの時 第４表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
５．０ ｋＯｅおよび３．０ ｋＯｅｒあった。
５．０ ｋＯｅおよび３．０ ｋＯｅｒあった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍｉｓ 、記録周波数３．７８
Ｈ２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ
、記録磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパ
ワ４．０ ｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１
３、ＯｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５
３ （１Ｂが得られた。この上に、線速度月、３ ｍｉ
ｓ 。
Ｈ２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ
、記録磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパ
ワ４．０ ｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１
３、ＯｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５
３ （１Ｂが得られた。この上に、線速度月、３ ｍｉ
ｓ 。
記録周波数７．４ ＭＨｚ、 Ｄ ｕ Ｔ ｙ比５０％
、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界３５００ｅ
、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高
レベルのレーザビームのパワー１３．ＯｍＷの条件でオ
ーバライトしたところ、４８ｄＢの再生信号が得られた
。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このと
き３．７ＭＨｚの信＠（前の情報）は全く現れなかった
。
、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界３５００ｅ
、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高
レベルのレーザビームのパワー１３．ＯｍＷの条件でオ
ーバライトしたところ、４８ｄＢの再生信号が得られた
。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このと
き３．７ＭＨｚの信＠（前の情報）は全く現れなかった
。
（２）記録層作成時のＡｒ圧が３．０Ｘ１０−Ｉ Ｐａ
の場合 ＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第５表に示すとおり
であった。
の場合 ＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第５表に示すとおり
であった。
第５表
（２−１）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ４、ＯＸ １０−２ Ｐａおよび８．０ｘ１
０−２Ｐａの時 第５表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層Ｉ層およびＧｄＴｂＦｅＣ０
記録補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカ
ーループは、第２図に示すようなループになった。この
ときの、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ４、ＯＸ １０−２ Ｐａおよび８．０ｘ１
０−２Ｐａの時 第５表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層Ｉ層およびＧｄＴｂＦｅＣ０
記録補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカ
ーループは、第２図に示すようなループになった。この
ときの、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣ０層の反転磁界は、それぞれ２
６．０ ｋＯｅおよび２．２ ｋＯｅであった。
６．０ ｋＯｅおよび２．２ ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／ｓ 、記録周波数３．７
ＭＨｚ。
ＭＨｚ。
ＤＬＪＴＶ比５０％、初期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記
録磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４
、ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５４
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１；３ ｍ／ｓ
。
録磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４
、ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１３．０
ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５４
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１；３ ｍ／ｓ
。
記録周波数７．４ ＨＮ３． Ｄ ｕ Ｔ ￥比５０％
、初期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界３０００ｅ
、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高
レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷの条件でオ
ーバライトしたところ、４７ ｄＢの再生信号が得られ
た。エラ発生率は１叶５〜１叶６であった。このとき３
．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかった。
、初期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界３０００ｅ
、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高
レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍＷの条件でオ
ーバライトしたところ、４７ ｄＢの再生信号が得られ
た。エラ発生率は１叶５〜１叶６であった。このとき３
．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかった。
（２−２）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ６．０ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび８．０×１０
−２ Ｐａの時 第５表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ０層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁
界は、それぞれ２５．０ ｋＯｅおよび２．３ ｋＯｅ
であった。
がそれぞれ６．０ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび８．０×１０
−２ Ｐａの時 第５表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ０層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁
界は、それぞれ２５．０ ｋＯｅおよび２．３ ｋＯｅ
であった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／ｓ 、記録周波数３．７
ＭＨｚ。
ＭＨｚ。
ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録
磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４、
ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍ
−の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５４ ｄＢ
が得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／ｓ 。
磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４、
ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１３．０ｍ
−の条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５４ ｄＢ
が得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／ｓ 。
記録周波数７．４８Ｈ２，Ｄ ｕ Ｔ ｙ比５０％、初
期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界３５００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４、ＯｍＷ 、高レベル
のレーザビームのパワー１３．０ｍＷの条件でオーバラ
イトしたところ、４８ ｄＢの再生信号が得られた。エ
ラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このとき３
．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかった。
期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界３５００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４、ＯｍＷ 、高レベル
のレーザビームのパワー１３．０ｍＷの条件でオーバラ
イトしたところ、４８ ｄＢの再生信号が得られた。エ
ラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このとき３
．７ＭＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかった。
（２−３）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ３．０ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび３．０×１０
−Ｉ Ｐａの時 第５表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣ０制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ３．０ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび３．０×１０
−Ｉ Ｐａの時 第５表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣ０制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
６．０ ｋＯｅおよび３．０ｋＯｅであった。
６．０ ｋＯｅおよび３．０ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／Ｓ 、記録周波数３．７聞
２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、
記録磁界３５０． Ｏｅ 、低レベルのレーザビームの
パワ４、ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１
３．０ ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８
５３ ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ
／ｓ 。
２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、
記録磁界３５０． Ｏｅ 、低レベルのレーザビームの
パワ４、ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１
３．０ ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８
５３ ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ
／ｓ 。
記録周波数７．４８Ｈ２，Ｄ ｕ Ｔ Ｖ比５０％、初
期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界３５００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４゜ＯｍＷ 、高レベル
のレーザビームのパワー１３．０１１１Ｈの条件でオー
バライトしたところ、４７ ｄＢの再生信号が得られた
。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このと
き３．７ＭＨｚの信＠（前の情報）は全く現れなかった
。
期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界３５００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４゜ＯｍＷ 、高レベル
のレーザビームのパワー１３．０１１１Ｈの条件でオー
バライトしたところ、４７ ｄＢの再生信号が得られた
。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このと
き３．７ＭＨｚの信＠（前の情報）は全く現れなかった
。
（３）記録層作成時のＡｒ圧が５．０Ｘ１０−Ｉ Ｐａ
の場ＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第６表に示すと
おりであった。
の場ＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第６表に示すと
おりであった。
第６表
（３−１）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ４． Ｏｘ １０−２ Ｐａおよび４．ＯＸ
１０−２ Ｐａの時 第６表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ４． Ｏｘ １０−２ Ｐａおよび４．ＯＸ
１０−２ Ｐａの時 第６表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
６．０ ｋＯｅおよび２．２ ｋＯｅであった。
６．０ ｋＯｅおよび２．２ ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／Ｓ 、記録周波数３．７８
Ｈ２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．、Ｏｋｏｅ
、記録層ＰｉＬ３５００ｅ 、低レベルのレーザビーム
のパワ４、Ｏｉｎ 、高レベルのレーザビームのパワー
１２．０ ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／
Ｎ５３ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ
ｉｓ 。
Ｈ２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．、Ｏｋｏｅ
、記録層ＰｉＬ３５００ｅ 、低レベルのレーザビーム
のパワ４、Ｏｉｎ 、高レベルのレーザビームのパワー
１２．０ ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／
Ｎ５３ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ
ｉｓ 。
記録周波数７．４ ）ＩＨｚ、 Ｄ ｕ Ｔ ｙ比５０
％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界３０００ｅ
、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、
高レベルのレザビームのパワー１２．０ ｍ−の条件で
オーバライトしたところ、４７ ｄＢの再生信号が得ら
れた。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。こ
のとき３．７８Ｈ２の信号（前の情報）は全く現れなか
った。
％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界３０００ｅ
、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、
高レベルのレザビームのパワー１２．０ ｍ−の条件で
オーバライトしたところ、４７ ｄＢの再生信号が得ら
れた。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。こ
のとき３．７８Ｈ２の信号（前の情報）は全く現れなか
った。
（３−２）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ１．５ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび１．５×１０
−ｆ Ｐａの時 第６表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ０層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁
界は、それぞれ２６、ＯｋＯｅおよび２．４ ｋＯｅテ
あった。
がそれぞれ１．５ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび１．５×１０
−ｆ Ｐａの時 第６表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ０層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁
界は、それぞれ２６、ＯｋＯｅおよび２．４ ｋＯｅテ
あった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍｉｓ 、記録周波数３．７
ＭＨｚ。
ＭＨｚ。
ＤｕＴ’ｉ／比５０％、初期補助磁界４゜Ｏｋｏｅ、記
録磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４
、ＯｍＷ 、高レベルのし〜ザビームのパワー１２．０
ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５３
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍｉｓ
。
録磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４
、ＯｍＷ 、高レベルのし〜ザビームのパワー１２．０
ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５３
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍｉｓ
。
記録周波数７．４８Ｈ２，Ｄ ｕ Ｔ Ｖ比５０％、初
期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界３０００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高レベ
ルのレーザビームのパワー１３．０ｍ−の条件でオーバ
ライトしたところ、４７ｄＢの再生信号が得られた。エ
ラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このとき３
，７）ｆＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかった。
期補助磁界２．９ ｋＯｅ、記録磁界３０００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高レベ
ルのレーザビームのパワー１３．０ｍ−の条件でオーバ
ライトしたところ、４７ｄＢの再生信号が得られた。エ
ラー発生率は１０−５〜１０−６であった。このとき３
，７）ｆＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかった。
（３−３）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ３．０ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび３．０×１叶
Ｉ Ｐａの時 第６表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ！ＩＪｗＪ層および（３ｄＴｂＦｅ
Ｃｏ記録補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜
のカーループは、第２図に示すようなループになった。
がそれぞれ３．０ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび３．０×１叶
Ｉ Ｐａの時 第６表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ！ＩＪｗＪ層および（３ｄＴｂＦｅ
Ｃｏ記録補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜
のカーループは、第２図に示すようなループになった。
このときの、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
６．０ ｋｏｅおよび２．７ｋＯｅであった。
６．０ ｋｏｅおよび２．７ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍｉｓ 、記録周波数３．７間
Ｚ。
Ｚ。
ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録
磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４、
Ｏｍｌ＋ｌ 、高レベルのレーザビームのパワー１２．
０ ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５２
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３１１１／
Ｓ 。
磁界３５００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４、
Ｏｍｌ＋ｌ 、高レベルのレーザビームのパワー１２．
０ ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５２
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３１１１／
Ｓ 。
記録周波数７．４ ＭＨｚ、 ＤｕＴｙ比５０％、初期
補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録磁界３０００ｅ 、低レ
ベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高レベル
のレーザビームのパワー１２．０ ｍｗの条件でオーバ
ライトしたところ、４６ ｄＢの再生信号が得られた。
補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録磁界３０００ｅ 、低レ
ベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高レベル
のレーザビームのパワー１２．０ ｍｗの条件でオーバ
ライトしたところ、４６ ｄＢの再生信号が得られた。
エラ発生率は１０−５〜１叶６であった。このとき３，
７ＨＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかった。
７ＨＨｚの信号（前の情報）は全く現れなかった。
（４）記録層作成時のＡｒ圧が８．０ｘｌＯ−Ｉ Ｐ
ａの場合 ＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第７表に示すとあり
であった。
ａの場合 ＴｂＦｅＣｏ層の単層での諸特性は第７表に示すとあり
であった。
第７表
（４−１）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ４．Ｏｘ １０−２ Ｐａおよび１．５Ｘ
１０−１ Ｐａの時 第７表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣ○制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ４．Ｏｘ １０−２ Ｐａおよび１．５Ｘ
１０−１ Ｐａの時 第７表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣ○制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣ０層の反転磁界は、それぞれ２
８．０ ｋＯｅおよび２．４ ｋＯｅであった。
８．０ ｋＯｅおよび２．４ ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．．３ ｍ／ｓ 、記録周波数３．７
ＭＨｚ。
ＭＨｚ。
ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録
磁界３０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４、
、ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１１．０
ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５２
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／Ｓ
。
磁界３０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパワ４、
、ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１１．０
ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５２
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／Ｓ
。
記録周波数７．４ ＭＩＩＺ、 Ｄ ＬＪ Ｔ Ｖ比５
０％、初期補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録磁界３０００
ｅ 、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ
、高レベルのレーザビームのパワー１１．０ ｍＷの条
件でオーバライトしたところ、４６ｄＢの再生信号が得
られた。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。
０％、初期補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録磁界３０００
ｅ 、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ
、高レベルのレーザビームのパワー１１．０ ｍＷの条
件でオーバライトしたところ、４６ｄＢの再生信号が得
られた。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。
このとき３．７ＨＨｚの信号（前の情報）は全く現れな
かった。
かった。
（４−２）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれｅ、ｏｘｉｏ−ｔ ｐａおよび４．０Ｘ１０
−２ Ｐａの時 第７表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ１ＶｉｌＩ御層およびＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ記録補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜
のカーループは、第２図に示すようなループになった。
がそれぞれｅ、ｏｘｉｏ−ｔ ｐａおよび４．０Ｘ１０
−２ Ｐａの時 第７表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ１ＶｉｌＩ御層およびＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ記録補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜
のカーループは、第２図に示すようなループになった。
このときの、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
８．０ ｋｏｅおよび２．４ｋＯｅであった。
８．０ ｋｏｅおよび２．４ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／ｓ 、記録周波数３．７８
Ｈ２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ
、記録磁界３０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパ
ワ４、ＯｔＷ 、高レベルのレーザビームのパワ１１、
ＯｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５３
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／ｓ
。
Ｈ２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ
、記録磁界３０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパ
ワ４、ＯｔＷ 、高レベルのレーザビームのパワ１１、
ＯｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／８５３
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／ｓ
。
記録周波数７．４ ＭＨｚ、 ［）ｕＴｙ比５０％、初
期補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録磁界３０００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高レベ
ルのレザビームのパワー１１．０ ｍＷの条件でオーバ
ライトしたところ、４６ｄ８の再生信号が得られた。エ
ラー発生率は１叶５〜１０−６であった。このとき３．
１）ｔＨｚの信＠（前の情報）は全く現れなかった。
期補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録磁界３０００ｅ 、低
レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ 、高レベ
ルのレザビームのパワー１１．０ ｍＷの条件でオーバ
ライトしたところ、４６ｄ８の再生信号が得られた。エ
ラー発生率は１叶５〜１０−６であった。このとき３．
１）ｔＨｚの信＠（前の情報）は全く現れなかった。
（４−３）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ６．０Ｘ１０−嘗Ｐａおよび３．０×１０−
ｆ Ｐａの時 第７表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅ’ＣＯＩＩＪｍ層およびＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ記録補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜の
カーループは、第２図に示すようなループになった。こ
のときの、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ６．０Ｘ１０−嘗Ｐａおよび３．０×１０−
ｆ Ｐａの時 第７表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅ’ＣＯＩＩＪｍ層およびＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ記録補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜の
カーループは、第２図に示すようなループになった。こ
のときの、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
８．０ ｋＯｅおよび２．７ ｋＯｅであった。
８．０ ｋＯｅおよび２．７ ｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／ｓ 、記録周波数３．７
Ｍｎ２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯ
ｅ、記録磁界３０００ｅ 、低レベルのレーザビームの
パワ４、ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１
１゜ＯｍＨの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５
１ ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３１１／
Ｓ 。
Ｍｎ２゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯ
ｅ、記録磁界３０００ｅ 、低レベルのレーザビームの
パワ４、ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー１
１゜ＯｍＨの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ５
１ ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３１１／
Ｓ 。
記録周波数７．４ ＭＨ７，Ｄ ｕ Ｔ Ｖ比５０％、
初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界３０００ｅ 、
低レベルのレーザビームのパワー４．０１１１Ｗ 、高
レベルのレーザビームのパワー１１．０ ｍＷの条件で
オーバライトしたところ、４６ ｄＢの再生信号が得ら
れた。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。こ
のとき３．７８Ｈ２の信号（前の情報）は全く現れなか
った。
初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界３０００ｅ 、
低レベルのレーザビームのパワー４．０１１１Ｗ 、高
レベルのレーザビームのパワー１１．０ ｍＷの条件で
オーバライトしたところ、４６ ｄＢの再生信号が得ら
れた。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。こ
のとき３．７８Ｈ２の信号（前の情報）は全く現れなか
った。
（５）記録層作成時のＡｒ圧が１．０Ｐａの場合ＴｂＦ
ｅＣ０層の単層での諸特性は第８表に示すとおりであっ
た。
ｅＣ０層の単層での諸特性は第８表に示すとおりであっ
た。
第８表
（５−１）制御層および記録補助層作成時のＡｒカス圧
がそれぞれ３． Ｏｘ １０−１ Ｐａおよび４、ＯＸ
１０−２ Ｐａの時 第８表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ３． Ｏｘ １０−１ Ｐａおよび４、ＯＸ
１０−２ Ｐａの時 第８表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
８．０ ｋＯｅおよび２．５ ｋｏｅであった。
８．０ ｋＯｅおよび２．５ ｋｏｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／ｓ 、記録周波数３．７
）ＩＨｚ。
）ＩＨｚ。
ＤｕＴｙｔＬ５ｏ％、初期補助磁界４．０ ｋｏｅ、記
録磁界２Ｃ）ＯＯｅ 、低レベルのレーザビームのパワ
４．０１１１Ｗ 、高レベルのレーザビームのパワー９
．０ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ ５
０ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／ｓ
、記録周波数７．４．８Ｈ２，Ｄ ＬＪ Ｔ Ｖ比５
０％、初期補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録磁界２０００
ｅ 、低レベルのレーザビ−ムのパワー４．０ ｍＷ
、高レベルのレーザビームのパワー９．０ＩＩＩＷの条
件でオーバライトしたところ、４５ｄ８の再生信号が得
られた。エラ発生率は１叶５〜１０−６であった。この
とき３．７８Ｈ２の信号（前の情報〉は全く現れなかっ
た。
録磁界２Ｃ）ＯＯｅ 、低レベルのレーザビームのパワ
４．０１１１Ｗ 、高レベルのレーザビームのパワー９
．０ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ ５
０ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／ｓ
、記録周波数７．４．８Ｈ２，Ｄ ＬＪ Ｔ Ｖ比５
０％、初期補助磁界４．０ ｋｏｅ、記録磁界２０００
ｅ 、低レベルのレーザビ−ムのパワー４．０ ｍＷ
、高レベルのレーザビームのパワー９．０ＩＩＩＷの条
件でオーバライトしたところ、４５ｄ８の再生信号が得
られた。エラ発生率は１叶５〜１０−６であった。この
とき３．７８Ｈ２の信号（前の情報〉は全く現れなかっ
た。
（５−２）制御層および記録補助層作成時のＡｒガス圧
がそれぞれ３．０ｘ１０−Ｉ Ｐａおよび１．５×１０
−２ Ｐａの時 第８表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ０層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁
界は、それぞれ２８．０ ｋｏｅおよび２．７ ｋｏｅ
であった。
がそれぞれ３．０ｘ１０−Ｉ Ｐａおよび１．５×１０
−２ Ｐａの時 第８表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣｏ制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ０層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁
界は、それぞれ２８．０ ｋｏｅおよび２．７ ｋｏｅ
であった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／ｓ 、記録周波数３．７
ＭＨｚ。
ＭＨｚ。
ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録
磁界２０００ｅ 、低レベルのレーザご−ムのパワ４、
ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー９．０Ｉｌ
ｌＩｌの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ ５１
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３１１１／Ｓ
、記録周波数７．４ ＭＨｚ、 Ｄ ｕ Ｔ Ｖ比５
０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界２０００
ｅ 、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ
、高レベルのレーザビームのパワー９．０ｍＷの条件で
オーバライトしたところ、４５ｄＢの再生信号が得られ
た。エラ発生率は１０−５〜１０−６であった。このと
き３．７）ＩＨ７の信号（前の情報）は全く現れなかっ
た。
磁界２０００ｅ 、低レベルのレーザご−ムのパワ４、
ＯｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー９．０Ｉｌ
ｌＩｌの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ ５１
ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３１１１／Ｓ
、記録周波数７．４ ＭＨｚ、 Ｄ ｕ Ｔ Ｖ比５
０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界２０００
ｅ 、低レベルのレーザビームのパワー４．０ ｍＷ
、高レベルのレーザビームのパワー９．０ｍＷの条件で
オーバライトしたところ、４５ｄＢの再生信号が得られ
た。エラ発生率は１０−５〜１０−６であった。このと
き３．７）ＩＨ７の信号（前の情報）は全く現れなかっ
た。
（５−３）制御層および記録補助層作成時のＡｒカス圧
がそれぞれ６．（）ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび６．０×１
０−ｆ Ｐａの時 第８表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣ０制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
がそれぞれ６．（）ｘｌＯ−Ｉ Ｐａおよび６．０×１
０−ｆ Ｐａの時 第８表に特性を示した記録層、第１表、第２表に特性を
示したＮｄＦｅＣ０制御層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ記録
補助層を用いて３層膜を作成した。この３層膜のカール
ープは、第２図に示すようなループになった。このとき
の、ＴｂＦｅＣ。
層およびＧｄＴｂＦｅＣｏ層の反転磁界は、それぞれ２
９．０ ｋＯｅおよび３、ＯｋＯｅであった。
９．０ ｋＯｅおよび３、ＯｋＯｅであった。
次にこの媒体に対し、オーバライトを実施した。
まず、線速度１１．３ ｍ／ｓ 、記録周波数３．７８
Ｈ７゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ
、記録磁界２０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパ
ワー４．０ ｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー
９．０ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ
５０ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／
ｓ 、記録周波数７．４ ＭＨ２，Ｄ ｕ Ｔ Ｖ比５
０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界２０００
ｅ 、低レベルのレザビームのパワー４．０ ｍＷ 、
高レベルのレーザビームのパワー９．０ｍＷの条件でオ
ーバライトしたところ、４５ ｄＢの再生信号が１ｑら
れた。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。こ
のとき３．７ＭＨ２の信号（前の情報）は全く現れなか
った。
Ｈ７゜ＤｕＴｙ比５０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ
、記録磁界２０００ｅ 、低レベルのレーザビームのパ
ワー４．０ ｍＷ 、高レベルのレーザビームのパワー
９．０ｍＷの条件で記録し、再生したところ、Ｃ／Ｎ
５０ｄＢが得られた。この上に、線速度１１．３ ｍ／
ｓ 、記録周波数７．４ ＭＨ２，Ｄ ｕ Ｔ Ｖ比５
０％、初期補助磁界４．０ ｋＯｅ、記録磁界２０００
ｅ 、低レベルのレザビームのパワー４．０ ｍＷ 、
高レベルのレーザビームのパワー９．０ｍＷの条件でオ
ーバライトしたところ、４５ ｄＢの再生信号が１ｑら
れた。エラー発生率は１０−５〜１０−６であった。こ
のとき３．７ＭＨ２の信号（前の情報）は全く現れなか
った。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の方法によれば磁性層間の
磁気的結合力を調節することが可能になり、その結果、
オーバライト特性の良好な光磁気記録媒体を得ることが
できる。
磁気的結合力を調節することが可能になり、その結果、
オーバライト特性の良好な光磁気記録媒体を得ることが
できる。
第１図は本発明の方法によって得られた光磁気記録媒体
の一例の部分断面図、第２図は本発明の方法により得ら
れた光磁気記録媒体の一例のＭ−Ｈループを示す特性図
、第３図は本発明の方法を適用しない時の光磁気記録媒
体のＭ−１−１ループを示す特性図である。
の一例の部分断面図、第２図は本発明の方法により得ら
れた光磁気記録媒体の一例のＭ−Ｈループを示す特性図
、第３図は本発明の方法を適用しない時の光磁気記録媒
体のＭ−１−１ループを示す特性図である。
Claims (1)
- （１）基板上に第１、第２および第３の磁性膜が順次形
成され、レーザ光によつて情報の記録、再生、消去を行
うオーバライト可能な光磁気記録媒体の製造方法におい
て、第１の磁性膜をスパッタにより成膜する際のＡｒガ
ス圧を１．０×１０＾−＾１〜１．０Ｐａの範囲にする
ことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18059290A JPH0469830A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18059290A JPH0469830A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0469830A true JPH0469830A (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=16085959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18059290A Pending JPH0469830A (ja) | 1990-07-10 | 1990-07-10 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0469830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978174A (en) * | 1994-10-31 | 1999-11-02 | Sullivan; Thomas Milton | Magnetic recording component |
| JP2009176687A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 表示付スイッチ |
-
1990
- 1990-07-10 JP JP18059290A patent/JPH0469830A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5978174A (en) * | 1994-10-31 | 1999-11-02 | Sullivan; Thomas Milton | Magnetic recording component |
| JP2009176687A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 表示付スイッチ |
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