JPH0319216A - ウェット処理装置 - Google Patents
ウェット処理装置Info
- Publication number
- JPH0319216A JPH0319216A JP1153087A JP15308789A JPH0319216A JP H0319216 A JPH0319216 A JP H0319216A JP 1153087 A JP1153087 A JP 1153087A JP 15308789 A JP15308789 A JP 15308789A JP H0319216 A JPH0319216 A JP H0319216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- pure water
- water
- photoresist
- spray nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハあるいはホトマスク板のスピン
ナ一方式のウェット処理において、エッチング後の水洗
，乾燥処理を行う装置に関する．〔従来の技術〕 半導体ウエーハのケミカルウェットエッチング処理を目
的とする枚葉型のウエット処理装置を第２図に示す．ロ
ーダー１１ｌｌに載置したキャリア２に収納している半
導体ウェーハ・３（以下、ウエーハと略称する）は、１
枚ずつチェンバ４のスピンチャック５に搬送され、例え
ば回転数１０００ｒｐｌｌで回転しながらスプレーノズ
ル６より吐出したエッチング液７により所望のエッチン
グを行う．次に、チェンバ８にて５００ｒｐｍの低速回
転数にて純水９を一定時間吹きつけ置換，水洗し、続い
て５０ＧＯｒｐｍまで回転数を上げウェーハ３上の付着
水を振り切り乾燥する． 乾燥したウェーハ３はアンローダ−１０ｌＩｌのキャリ
ア２に搬送．収納される． 従来、この種の装置に用いるスピンチャック５は第３図
（ａ）に示すように、ウェーハ３の載置面に同心円状の
消１１が形威され、これが真空経路１２につながる、い
わゆるバキュームチャック１３方式であった．しかしな
がら、ウェーハ３裏面への薬液の回り込みなどにより、
第３図（ｂ）に示すようにウェーハ３裏面では、バキュ
ームチャック１３状の汚れ１３ａを生じやすい問題があ
り、近年では第３図（Ｃ）に示すメカニカルチャック１
４が採用されている．これは、ウェーハ３を４本から６
本の爪１５で機械的に掴む方式であり、前述のバキュー
ムチャック１３の如き裏面への汚染はなく、ウエーハ３
のクリーン度を維持できるという利点がある．〔発明が
解決しようとする課題〕 上述した従来のメカニカルチャックは、爪１５の開閉機
構（図示しない）を有するため、回転軸の長さが第２図
（ａ）のバキュームチャック１３に比べ長くなり、回転
時に起こる機械的なぶれから、高速側の回転数は３０Ｇ
Ｏｒｐｍに制限される．このため、ウェーハ３乾燥時の
付着水の振り切りが悪く、特に、ホトレジスト表面のウ
エーハ３は第３図（ｄ）に示すように水玉１６が残ると
いう不具合が生じる． つまり、第４図（ａ）に示す親水性表面のウエーハ３の
場合、表面付着水１７は円滑に流動して飛沫をつくらず
に除去されるが、第４図（ｂ）のエッチングマスクとし
てホトレジストを用いたウエーハ３は疎水性で表面付着
水１７は水玉１６になり易く、回転を加速していくと、
水玉１６はころがり、はね飛ばされ、爪１５に衝突して
ミスト１８となり、ウエーハ３上に再付着して残る．ま
た、この水玉１６は回転時に摩擦，帯電しており、静電
気力による吸着であるから、再付着後は遠心力のみでは
振りきれない． 本発明の目的は前記課題を解決したウエット処理装置を
提供することにある． 〔発明の従来技術に対する相違点〕 上述した従来の水洗，乾燥を行う装置に対し、本発明は
これらの中間工程に希釈アルコール含有の純水でリンス
するという相違点を有する。
ナ一方式のウェット処理において、エッチング後の水洗
，乾燥処理を行う装置に関する．〔従来の技術〕 半導体ウエーハのケミカルウェットエッチング処理を目
的とする枚葉型のウエット処理装置を第２図に示す．ロ
ーダー１１ｌｌに載置したキャリア２に収納している半
導体ウェーハ・３（以下、ウエーハと略称する）は、１
枚ずつチェンバ４のスピンチャック５に搬送され、例え
ば回転数１０００ｒｐｌｌで回転しながらスプレーノズ
ル６より吐出したエッチング液７により所望のエッチン
グを行う．次に、チェンバ８にて５００ｒｐｍの低速回
転数にて純水９を一定時間吹きつけ置換，水洗し、続い
て５０ＧＯｒｐｍまで回転数を上げウェーハ３上の付着
水を振り切り乾燥する． 乾燥したウェーハ３はアンローダ−１０ｌＩｌのキャリ
ア２に搬送．収納される． 従来、この種の装置に用いるスピンチャック５は第３図
（ａ）に示すように、ウェーハ３の載置面に同心円状の
消１１が形威され、これが真空経路１２につながる、い
わゆるバキュームチャック１３方式であった．しかしな
がら、ウェーハ３裏面への薬液の回り込みなどにより、
第３図（ｂ）に示すようにウェーハ３裏面では、バキュ
ームチャック１３状の汚れ１３ａを生じやすい問題があ
り、近年では第３図（Ｃ）に示すメカニカルチャック１
４が採用されている．これは、ウェーハ３を４本から６
本の爪１５で機械的に掴む方式であり、前述のバキュー
ムチャック１３の如き裏面への汚染はなく、ウエーハ３
のクリーン度を維持できるという利点がある．〔発明が
解決しようとする課題〕 上述した従来のメカニカルチャックは、爪１５の開閉機
構（図示しない）を有するため、回転軸の長さが第２図
（ａ）のバキュームチャック１３に比べ長くなり、回転
時に起こる機械的なぶれから、高速側の回転数は３０Ｇ
Ｏｒｐｍに制限される．このため、ウェーハ３乾燥時の
付着水の振り切りが悪く、特に、ホトレジスト表面のウ
エーハ３は第３図（ｄ）に示すように水玉１６が残ると
いう不具合が生じる． つまり、第４図（ａ）に示す親水性表面のウエーハ３の
場合、表面付着水１７は円滑に流動して飛沫をつくらず
に除去されるが、第４図（ｂ）のエッチングマスクとし
てホトレジストを用いたウエーハ３は疎水性で表面付着
水１７は水玉１６になり易く、回転を加速していくと、
水玉１６はころがり、はね飛ばされ、爪１５に衝突して
ミスト１８となり、ウエーハ３上に再付着して残る．ま
た、この水玉１６は回転時に摩擦，帯電しており、静電
気力による吸着であるから、再付着後は遠心力のみでは
振りきれない． 本発明の目的は前記課題を解決したウエット処理装置を
提供することにある． 〔発明の従来技術に対する相違点〕 上述した従来の水洗，乾燥を行う装置に対し、本発明は
これらの中間工程に希釈アルコール含有の純水でリンス
するという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明のウエット処理装置に
おいては、スピンナ一方式の枚葉型ウエット処理装置に
おいて、純水を被処理物に吹き付けるスプレーノズルと
、希釈アルコールを含有する純水を被処理物に吹き付け
るスプレーノズルとを有するものである． 〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する．第１図
［ａ）は本発明の一実施例に係る装置を示す構成図、第
１図（ｂ）は水洗から乾燥までのプロダラムシーケンス
を示す図である． 第１図（ａ）における本発明の装置は純水９用のスプレ
ーノズル６ａとは別にリンス液１９用のスプレーノズル
６ｂを設ける．リンス液１９は、例えば１０Ｑ容量のタ
ンク２０に一定量の純水９を投入したのち、エタノール
２１を秤量ボンプ２２にて、１．０％濃度になるように
タンク２０に送り込み、タンク２０室内は窒素ガス２３
に置換し、リンス液１９が劣化しないようにする．次に
、電磁弁２４ｂを閉じ、電磁弁２４ａを開け、循環ボン
プ２５とフィルター２６にて循環枦過を行う．以上の装
置構成のもとて第１図（ｂ）の水洗．乾燥シーケンスに
従って説明する．所定のエッチング処理を終えたウェー
ハ３は、カップ２７内のメカニカルチャック１４へ搬送
され、純水９が吹きつけられる．同時に立ち上がり時間
１．０秒、回転数（ Ｎ ｒ ） ５００ｒＤＩｌで回
転し、６０秒（Ｔ１）後に純水９を止め、続いてリンス
１９を５秒《Ｔ２》間吹きつける．リンス液１９は、１
．０％エタノールであるため、通常のホトレジストを溶
解することはなく、ホトレジスト上の表面張力について
は純水９の７０ｄｙｎｅ／ ａｍに対し、このリンス液
１９を用いることにより３０ｄｙｎｅ／ ａｍ前後に低
下でき、親水性に富んでいる．次に、リンス液１９を止
め、回転数（ Ｎ ２ ） ３０００ｒｐｎに加速させ
、６０秒間乾燥させる．ホトレジスト表面であってもこ
のリンス液１９の処理により前述の第４図（ａ）に示す
ようにスムーズに付着水を振り切ることができ、水玉を
なくすことができる． 尚、本発明は半導体ウェーハ以外にホトマスク板など他
の材料の乾燥においても同様な効果がある。
おいては、スピンナ一方式の枚葉型ウエット処理装置に
おいて、純水を被処理物に吹き付けるスプレーノズルと
、希釈アルコールを含有する純水を被処理物に吹き付け
るスプレーノズルとを有するものである． 〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する．第１図
［ａ）は本発明の一実施例に係る装置を示す構成図、第
１図（ｂ）は水洗から乾燥までのプロダラムシーケンス
を示す図である． 第１図（ａ）における本発明の装置は純水９用のスプレ
ーノズル６ａとは別にリンス液１９用のスプレーノズル
６ｂを設ける．リンス液１９は、例えば１０Ｑ容量のタ
ンク２０に一定量の純水９を投入したのち、エタノール
２１を秤量ボンプ２２にて、１．０％濃度になるように
タンク２０に送り込み、タンク２０室内は窒素ガス２３
に置換し、リンス液１９が劣化しないようにする．次に
、電磁弁２４ｂを閉じ、電磁弁２４ａを開け、循環ボン
プ２５とフィルター２６にて循環枦過を行う．以上の装
置構成のもとて第１図（ｂ）の水洗．乾燥シーケンスに
従って説明する．所定のエッチング処理を終えたウェー
ハ３は、カップ２７内のメカニカルチャック１４へ搬送
され、純水９が吹きつけられる．同時に立ち上がり時間
１．０秒、回転数（ Ｎ ｒ ） ５００ｒＤＩｌで回
転し、６０秒（Ｔ１）後に純水９を止め、続いてリンス
１９を５秒《Ｔ２》間吹きつける．リンス液１９は、１
．０％エタノールであるため、通常のホトレジストを溶
解することはなく、ホトレジスト上の表面張力について
は純水９の７０ｄｙｎｅ／ ａｍに対し、このリンス液
１９を用いることにより３０ｄｙｎｅ／ ａｍ前後に低
下でき、親水性に富んでいる．次に、リンス液１９を止
め、回転数（ Ｎ ２ ） ３０００ｒｐｎに加速させ
、６０秒間乾燥させる．ホトレジスト表面であってもこ
のリンス液１９の処理により前述の第４図（ａ）に示す
ようにスムーズに付着水を振り切ることができ、水玉を
なくすことができる． 尚、本発明は半導体ウェーハ以外にホトマスク板など他
の材料の乾燥においても同様な効果がある。
以上説明したように本発明は、高速回転でのスピン乾燥
前に極希釈アルコール含有の純水リンス液をウェーハに
拭きつけることにより、ホトレジストのように疎水面で
あっても、水玉残りのない乾燥ができる効果がある．
前に極希釈アルコール含有の純水リンス液をウェーハに
拭きつけることにより、ホトレジストのように疎水面で
あっても、水玉残りのない乾燥ができる効果がある．
第１図（ａ）は本発明の一実施例における装置を示す構
成図、第１図（ｂ）は水洗から乾燥までのプログラムシ
ーケンスを示す図、第２図は枚葉型ゲミカルウエットエ
ッチング処理装置を示す構成図、第３図（ａ） ， （
Ｃ）はスピンチャックを示す断面図、第３図（ｂ）はウ
エーハ裏面汚れを示す図、第３図（ｄ）は水玉分布図、
第４図（ａ） ， （ｂ）はスピン乾燥時の付着水の除
去モデル図である． １・・・ローダー ２・・・キャリア３・・・
ウエーハ ４・・・チェンバ５・・・スピンチ
ャック ６ａ，６ｂ・・・スプレーノズル ７・・・エッチング液 ８・・・チェンバ９・・・
純水 １０・・・アンローダー１１・・・
溝 １２・・・真空経路１３・・・汚れ １４・・・メカニカルチャック １５・・・爪 １７・・・付着水 １９・・・リンス液 ２１・・・アルコール ２３・・・窒素ガス １６・・・水玉 １８・・・ミスト ２０・・・タンク ２２・・・秤量ボンプ ２４・・・電磁弁 ２５・・・循環ポンプ ２６・・・フィルター （αノ 一９１ 、３ （１ 第３図 （．ｂ）
成図、第１図（ｂ）は水洗から乾燥までのプログラムシ
ーケンスを示す図、第２図は枚葉型ゲミカルウエットエ
ッチング処理装置を示す構成図、第３図（ａ） ， （
Ｃ）はスピンチャックを示す断面図、第３図（ｂ）はウ
エーハ裏面汚れを示す図、第３図（ｄ）は水玉分布図、
第４図（ａ） ， （ｂ）はスピン乾燥時の付着水の除
去モデル図である． １・・・ローダー ２・・・キャリア３・・・
ウエーハ ４・・・チェンバ５・・・スピンチ
ャック ６ａ，６ｂ・・・スプレーノズル ７・・・エッチング液 ８・・・チェンバ９・・・
純水 １０・・・アンローダー１１・・・
溝 １２・・・真空経路１３・・・汚れ １４・・・メカニカルチャック １５・・・爪 １７・・・付着水 １９・・・リンス液 ２１・・・アルコール ２３・・・窒素ガス １６・・・水玉 １８・・・ミスト ２０・・・タンク ２２・・・秤量ボンプ ２４・・・電磁弁 ２５・・・循環ポンプ ２６・・・フィルター （αノ 一９１ 、３ （１ 第３図 （．ｂ）
Claims (1)
- （１）スピンナー方式の枚葉型ウェット処理装置におい
て、純水を被処理物に吹き付けるスプレーノズルと、希
釈アルコールを含有する純水を被処理物に吹き付けるス
プレーノズルとを有することを特徴とするウェット処理
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153087A JPH0319216A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | ウェット処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153087A JPH0319216A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | ウェット処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319216A true JPH0319216A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15554693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1153087A Pending JPH0319216A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | ウェット処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319216A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028268A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 基板の乾燥方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325809Y2 (ja) * | 1972-11-15 | 1978-07-01 | ||
| JPS6129066A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-08 | Japan Storage Battery Co Ltd | アルカリ蓄電池用ストラツプの製造方法 |
| JPS6322049B2 (ja) * | 1980-04-11 | 1988-05-10 | Nichikon Kk | |
| JPS6325694B2 (ja) * | 1982-09-14 | 1988-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS63299052A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 鉛蓄電池用極板の連結方法 |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1153087A patent/JPH0319216A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325809Y2 (ja) * | 1972-11-15 | 1978-07-01 | ||
| JPS6322049B2 (ja) * | 1980-04-11 | 1988-05-10 | Nichikon Kk | |
| JPS6325694B2 (ja) * | 1982-09-14 | 1988-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | |
| JPS6129066A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-08 | Japan Storage Battery Co Ltd | アルカリ蓄電池用ストラツプの製造方法 |
| JPS63299052A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-06 | Shin Kobe Electric Mach Co Ltd | 鉛蓄電池用極板の連結方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008028268A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 基板の乾燥方法 |
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