JPH03193659A - 酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体の製造方法Info
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- JPH03193659A JPH03193659A JP1333799A JP33379989A JPH03193659A JP H03193659 A JPH03193659 A JP H03193659A JP 1333799 A JP1333799 A JP 1333799A JP 33379989 A JP33379989 A JP 33379989A JP H03193659 A JPH03193659 A JP H03193659A
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- Japan
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- powder
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- tetragonal
- oxide superconductor
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、例えば磁気浮上列車及び粒子加速器などの超
電導コイル部分や電子デバイス等に使用される高臨界電
流密度を有する酸化物超電導体の製造方法に関するもの
である。
電導コイル部分や電子デバイス等に使用される高臨界電
流密度を有する酸化物超電導体の製造方法に関するもの
である。
［先行技術１
現在、超電導体はＮｂＴｉ、 Ｎｂ、Ｓｎ等に代表され
る金属系超電導体が実用化されているが、その臨界温度
（Ｔｃ）はたかだか２０に程度である。
る金属系超電導体が実用化されているが、その臨界温度
（Ｔｃ）はたかだか２０に程度である。
しかし乍ら、近年、希土類元素、アルカリ土類元素及び
酸化銅の混合物から成る複合酸化物系超電導体はそのＴ
ｃが従来の超電導体と比べ著しく高いものであることが
Ｐｂｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５
８（１９７８）第９０８〜９１０頁などにおいて発表さ
れ、冷媒として高価で極低温（４，２Ｋ）の液体ヘリウ
ムよりも比較的安価で高温（７７Ｋ）の液体窒素の使用
が充分使用可能となった。それゆえ、この酸化物超電導
体の各種利用分野における実用化の百度に大きな前進が
見られた。この酸化物超電導体の実用化には、その用途
に応じ材料の性能、特に臨界温度（Ｔｃ）と臨界電流密
度（Ｊｃ）の向上が要求される。
酸化銅の混合物から成る複合酸化物系超電導体はそのＴ
ｃが従来の超電導体と比べ著しく高いものであることが
Ｐｂｙｓｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗ Ｌｅｔｔｅｒｓ ５
８（１９７８）第９０８〜９１０頁などにおいて発表さ
れ、冷媒として高価で極低温（４，２Ｋ）の液体ヘリウ
ムよりも比較的安価で高温（７７Ｋ）の液体窒素の使用
が充分使用可能となった。それゆえ、この酸化物超電導
体の各種利用分野における実用化の百度に大きな前進が
見られた。この酸化物超電導体の実用化には、その用途
に応じ材料の性能、特に臨界温度（Ｔｃ）と臨界電流密
度（Ｊｃ）の向上が要求される。
そのため、これらの発表に伴い上記利用分野におけるバ
ルク状又は薄膜状の酸化物超電導体において、そのＴｃ
をさらに常温まで高めようとする研究と平行して、７７
ｋにおける臨界電流密度（Ｊｃ）を向上させる研究が盛
んに行われている。
ルク状又は薄膜状の酸化物超電導体において、そのＴｃ
をさらに常温まで高めようとする研究と平行して、７７
ｋにおける臨界電流密度（Ｊｃ）を向上させる研究が盛
んに行われている。
酸化物超電導体として最も一般的に知られているＲＥＢ
ａｚＣｕｓＯｙ−／ （ＲＥ：希土類元素）系組成の酸
化物超電導体は、その結晶形態が斜方晶系又は正方晶系
に属し、その単位の格子パラメータはａ軸長に対しＣ軸
長が３倍の長さであり、物理的な特性も大きな異方性を
有することが知られている。そのため、５ｒＴｉＯ，、
ＭｇＯなどの単結晶基板上に前記酸化物超電導体をエピ
タキシャル成長させて、Ｃ軸配向させた薄膜の場合、そ
のＪｃは磁場が０１０時かつ７７ＫにおいてＩ Ｘ １
０’Ａ／ｃｍ”に達している。
ａｚＣｕｓＯｙ−／ （ＲＥ：希土類元素）系組成の酸
化物超電導体は、その結晶形態が斜方晶系又は正方晶系
に属し、その単位の格子パラメータはａ軸長に対しＣ軸
長が３倍の長さであり、物理的な特性も大きな異方性を
有することが知られている。そのため、５ｒＴｉＯ，、
ＭｇＯなどの単結晶基板上に前記酸化物超電導体をエピ
タキシャル成長させて、Ｃ軸配向させた薄膜の場合、そ
のＪｃは磁場が０１０時かつ７７ＫにおいてＩ Ｘ １
０’Ａ／ｃｍ”に達している。
［発明が解決しようとする問題点１
しかし乍ら、これに比べ通常の粉体固体反応で製造した
焼結体については同様な条件でｌＸ１０３Ａ／ｃｍ”程
度とかなり小さい。
焼結体については同様な条件でｌＸ１０３Ａ／ｃｍ”程
度とかなり小さい。
この値は、磁場を印加することによりさらに下がりＩＴ
の時、Ｉ Ｘ１０”Ａ／ｃが程度となる。
の時、Ｉ Ｘ１０”Ａ／ｃが程度となる。
このように、従来の酸化物超電導体の臨界電流密度は金
属系超電導体に比べ低く、実用的レベルに達していない
のが現状である。
属系超電導体に比べ低く、実用的レベルに達していない
のが現状である。
一方、ＲＥＢａｔＣｕｚＯｔ−ｌ系結晶はそれ自体ａ−
ｂ面でへき関する性質をもち、電気的特性も結晶軸方向
により異なることが知られている。
ｂ面でへき関する性質をもち、電気的特性も結晶軸方向
により異なることが知られている。
よって、焼結体のような等軸的な結晶組織からなる多結
晶体では各結晶の向きがまちまちであるため、電気的特
性も最も低い特性の結晶の向きに支配されることになる
。
晶体では各結晶の向きがまちまちであるため、電気的特
性も最も低い特性の結晶の向きに支配されることになる
。
そこで、最近に至り、粉体固体反応で製造する焼結体を
Ｃ軸配向させることにより、Ｊｃを高めることができる
ことが見出され、焼成前の粉体を形成する段階でその結
晶粒の方位をＣ軸方向に揃える試みが検討されている。
Ｃ軸配向させることにより、Ｊｃを高めることができる
ことが見出され、焼成前の粉体を形成する段階でその結
晶粒の方位をＣ軸方向に揃える試みが検討されている。
具体的には、酸化物超電導体を形成する金属の酸化物粉
末を所定の割合で秤量後、仮焼し、該仮焼粉末をドクタ
ーブレード法や、圧延法等で強制的に配向させ、その後
焼成する方法が一般に採用されている。
末を所定の割合で秤量後、仮焼し、該仮焼粉末をドクタ
ーブレード法や、圧延法等で強制的に配向させ、その後
焼成する方法が一般に採用されている。
このような方法によれば、ある程度の配向は可能である
が、すべての結晶粒を配向させるには至らず、特性上に
もＪｃ値は、２ Ｘ １０３Ａ／ｃｍ”以下であり実用
的な特性にはほど遠いのが現状であった。
が、すべての結晶粒を配向させるには至らず、特性上に
もＪｃ値は、２ Ｘ １０３Ａ／ｃｍ”以下であり実用
的な特性にはほど遠いのが現状であった。
［問題点を解決するための手段１
本発明者等は成形体の方位をＣ軸方向に揃える為の方法
について考察したところ、成形する結晶粒（粉末）の形
状が偏平もしくは柱状である事、また線材など産業への
応用を考えるとその結晶粒の長手方向が０面と一致する
事がＣ軸配向した成形体を得る為に有利であるという見
地から研究を行った結果、従来から原料として用いられ
ていた斜方晶ＲＥＢａｚＣｕｓＯｔ−ｌ（ＲＥ：希土類
）粉末よりもδが０．８以上の正方晶系粉末のほうがこ
れを微粉砕した時に偏平で且つその結晶粒の長手方向が
０面と一致した粒子が得られやすく、これを従来法によ
り成形後、焼成することによって高配向性を有し且つ高
い臨界電流密度を有する超電導体が得られることを知見
したものである。
について考察したところ、成形する結晶粒（粉末）の形
状が偏平もしくは柱状である事、また線材など産業への
応用を考えるとその結晶粒の長手方向が０面と一致する
事がＣ軸配向した成形体を得る為に有利であるという見
地から研究を行った結果、従来から原料として用いられ
ていた斜方晶ＲＥＢａｚＣｕｓＯｔ−ｌ（ＲＥ：希土類
）粉末よりもδが０．８以上の正方晶系粉末のほうがこ
れを微粉砕した時に偏平で且つその結晶粒の長手方向が
０面と一致した粒子が得られやすく、これを従来法によ
り成形後、焼成することによって高配向性を有し且つ高
い臨界電流密度を有する超電導体が得られることを知見
したものである。
以下、発明を詳述する。
本発明によれば、原料粉末として正方晶系のＲＥＢａｚ
Ｃｕｓ（ｌｖ−７（ＲＥ：希土類）粉末を得る。このよ
うな原料粉末は例えばＹＢａ、Ｃｕ、０７４超電導体を
得る場合、まず超電導体を形成し得る組成の酸化物の混
合粉末或いは合成原料を作成する。具体的には混合粉末
は０．５モルのＹ２Ｏ１，２モルのＢａＣ０＋および３
モルのＣｕＯとを混合するか、或いは１モルのＹｔＢａ
ＣｕＯｓ、３モルのＢａＣｕ０ｚおよび２モルのＣｕＯ
とを混合したものである。一方、合成原料は固相反応法
、共沈法、ゾル−ゲル法、気相合成法等により合成され
たもので、これらいずれでも用いることができる。なお
、これらの粉末の平均粒径は０．５〜３．０μｍである
ことが望ましい。
Ｃｕｓ（ｌｖ−７（ＲＥ：希土類）粉末を得る。このよ
うな原料粉末は例えばＹＢａ、Ｃｕ、０７４超電導体を
得る場合、まず超電導体を形成し得る組成の酸化物の混
合粉末或いは合成原料を作成する。具体的には混合粉末
は０．５モルのＹ２Ｏ１，２モルのＢａＣ０＋および３
モルのＣｕＯとを混合するか、或いは１モルのＹｔＢａ
ＣｕＯｓ、３モルのＢａＣｕ０ｚおよび２モルのＣｕＯ
とを混合したものである。一方、合成原料は固相反応法
、共沈法、ゾル−ゲル法、気相合成法等により合成され
たもので、これらいずれでも用いることができる。なお
、これらの粉末の平均粒径は０．５〜３．０μｍである
ことが望ましい。
上記の原料粉末は、次に９００〜９７０°Ｃ１特に９２
０〜９５０°Ｃの酸化性雰囲気で仮焼される。
０〜９５０°Ｃの酸化性雰囲気で仮焼される。
この仮焼工程は、主に原料粉末中に含まれる未反応生成
物、例えばＢａＣ０ｚ 、ＲＥＪａＣｕ０５ 、ＢａＣ
ｕＯ，、ＣｕＯ等の単体が残存しなくなるまで行われ、
通常３００〜１２００分間行われる。得られる仮焼粉末
は高純度のＲＥｚＢａＣｕｓＯｔ−結晶粉末であること
が望まれ、具体的にはＸ線回折において、ＲＥＪａＣｕ
ｚ（ｌｙ−ｊの主ピークである（１１０）面と（０１３
）面の合成ピーク強度をＸｏとし、未反応生成物である
ＢａＣＯ３の（６００）面のピーク強度、Ｙ、ＢａＣｕ
Ｏ，の（１３１）面のピーク強度、Ｙ２Ｏ，（２２２）
面のピーク強度、ＣｕＯの（，１１１）面のピーク強度
のうち最も大きいピーク強度をＸとした時、Ｘ／Ｘｏで
表わされる強度比が０．１以下、特に０．０５以下であ
ることが望ましい。仮焼粉末中に未反応生成物が多量に
残存し、強度比で０．１を越える量で含まれると最終的
焼結体中の粒界に未反応生成物が析出し、粒界ポテンシ
ャルが高くなり臨界電流密度を低下させる要因となる。
物、例えばＢａＣ０ｚ 、ＲＥＪａＣｕ０５ 、ＢａＣ
ｕＯ，、ＣｕＯ等の単体が残存しなくなるまで行われ、
通常３００〜１２００分間行われる。得られる仮焼粉末
は高純度のＲＥｚＢａＣｕｓＯｔ−結晶粉末であること
が望まれ、具体的にはＸ線回折において、ＲＥＪａＣｕ
ｚ（ｌｙ−ｊの主ピークである（１１０）面と（０１３
）面の合成ピーク強度をＸｏとし、未反応生成物である
ＢａＣＯ３の（６００）面のピーク強度、Ｙ、ＢａＣｕ
Ｏ，の（１３１）面のピーク強度、Ｙ２Ｏ，（２２２）
面のピーク強度、ＣｕＯの（，１１１）面のピーク強度
のうち最も大きいピーク強度をＸとした時、Ｘ／Ｘｏで
表わされる強度比が０．１以下、特に０．０５以下であ
ることが望ましい。仮焼粉末中に未反応生成物が多量に
残存し、強度比で０．１を越える量で含まれると最終的
焼結体中の粒界に未反応生成物が析出し、粒界ポテンシ
ャルが高くなり臨界電流密度を低下させる要因となる。
上記の仮焼により得られる粉末は斜方晶型からなる。本
発明によれば、この仮焼粉末をアルゴン等の不活性雰囲
気中で６００〜８００°Ｃの熱処理を行う。この熱処理
により粉末中の酸素が系外に放出され、そのδ値はおよ
そ０．８以下となるとともに結晶形態は斜方晶から正方
晶に変換される。
発明によれば、この仮焼粉末をアルゴン等の不活性雰囲
気中で６００〜８００°Ｃの熱処理を行う。この熱処理
により粉末中の酸素が系外に放出され、そのδ値はおよ
そ０．８以下となるとともに結晶形態は斜方晶から正方
晶に変換される。
次に、上記熱処理によって得られた正方品系の粉末を粉
砕する。粉砕手段としては粉末に対し衝撃的な例えばジ
ェットミル等によって粉砕を行うことにより、ＲＥＢａ
ｚＣｕａｌ）ｒ−Ｉ粉末がへき開面で粉砕されるため、
粉末表面にａ−ｂ面が露出した偏平粒子を多量に含む粉
末を得ることができる。
砕する。粉砕手段としては粉末に対し衝撃的な例えばジ
ェットミル等によって粉砕を行うことにより、ＲＥＢａ
ｚＣｕａｌ）ｒ−Ｉ粉末がへき開面で粉砕されるため、
粉末表面にａ−ｂ面が露出した偏平粒子を多量に含む粉
末を得ることができる。
これに対し、従来から一般的に採用されている乾式、湿
式でのボールミル粉砕では長時間混合により、粒子のへ
き開性が無視され、単純に球状化されるため、偏平度の
高い粒子を得ることは困難である。しかも、長時間の混
合では用いる粉砕用メディアから不純物が混入し、超電
導特性は劣化する。よってボールミルで粉砕処理した仮
焼粉体から得られる超電導体の臨界電流密度は低くなる
傾向にある。
式でのボールミル粉砕では長時間混合により、粒子のへ
き開性が無視され、単純に球状化されるため、偏平度の
高い粒子を得ることは困難である。しかも、長時間の混
合では用いる粉砕用メディアから不純物が混入し、超電
導特性は劣化する。よってボールミルで粉砕処理した仮
焼粉体から得られる超電導体の臨界電流密度は低くなる
傾向にある。
一方、斜方晶系の仮焼粉末をジェットミル等によって粉
砕した粉末は電子顕微鏡による観察より、正方晶系の場
合よりも偏平粒子が少なく、等方的な形状の粒子が多く
見られる。
砕した粉末は電子顕微鏡による観察より、正方晶系の場
合よりも偏平粒子が少なく、等方的な形状の粒子が多く
見られる。
次に、この粉砕物を用いて成形する。この特待られる成
形体はその配向度が高いことが望まれ、具体的にはＸ線
回折チャートにおいて、次式（１）％式％（１） 式中、 Ｐ（配向試料）＝ΣＩ（００１）／［）： Ｉ（ｈｋｌ
）＋ΣＩ（００１）］Ｐｏ （未配向試料）＝ΣＩ“（
００１）／ ［ΣＩ’（ｈｋｌ） ＋ΣＩ’ （００１
）］ で表される配向度ｆ値が０．３以上、特に０．５以上で
あることが望ましい。前述した従来の成形法ではｆ値は
せいぜい０．１〜０．２レベルである。成形体の配向度
ｆ値を高める成形方法としては、前述した偏平な粉末に
対して連続的に加圧しながら成形を行うと、前述した粉
末は一方向に配向するようになる。具体的には、ドクタ
ーブレード法等によって得られた膜状成形体を所望によ
り複数枚重ね合わせ、これを圧延ロール等の加圧された
一対のロール間に通すか、または粉末を直接ロール間に
通すことにより配向度を高めることができる。
形体はその配向度が高いことが望まれ、具体的にはＸ線
回折チャートにおいて、次式（１）％式％（１） 式中、 Ｐ（配向試料）＝ΣＩ（００１）／［）： Ｉ（ｈｋｌ
）＋ΣＩ（００１）］Ｐｏ （未配向試料）＝ΣＩ“（
００１）／ ［ΣＩ’（ｈｋｌ） ＋ΣＩ’ （００１
）］ で表される配向度ｆ値が０．３以上、特に０．５以上で
あることが望ましい。前述した従来の成形法ではｆ値は
せいぜい０．１〜０．２レベルである。成形体の配向度
ｆ値を高める成形方法としては、前述した偏平な粉末に
対して連続的に加圧しながら成形を行うと、前述した粉
末は一方向に配向するようになる。具体的には、ドクタ
ーブレード法等によって得られた膜状成形体を所望によ
り複数枚重ね合わせ、これを圧延ロール等の加圧された
一対のロール間に通すか、または粉末を直接ロール間に
通すことにより配向度を高めることができる。
このようにして得られた成形体は大気中又は酸素中の酸
化性雰囲気下で焼成される。
化性雰囲気下で焼成される。
焼成条件は０□等の酸化性雰囲気中で８８０〜９６０°
Ｃの温度で１〜３００時間焼成される。
Ｃの温度で１〜３００時間焼成される。
この焼成によって、偏平粒子の偏平面にそって焼成中の
粒成長が進行し、高配向性の超電導体の焼結体を得るこ
とができる。結晶形態はこの焼成により正方晶から斜方
晶に変わる。
粒成長が進行し、高配向性の超電導体の焼結体を得るこ
とができる。結晶形態はこの焼成により正方晶から斜方
晶に変わる。
以下、本発明を次の例で説明する。
（実施例１）
モル比でＹｚ０３：ＢａＣＯ５：Ｃｕ０＝０．５： １
：３の割合で混合した混合粉末を大気中で９００℃で５
時間仮焼し、その後、粉砕し、再び同条件で仮焼した。
：３の割合で混合した混合粉末を大気中で９００℃で５
時間仮焼し、その後、粉砕し、再び同条件で仮焼した。
この仮焼後の粉末はＸ線回折の結果、斜方晶ＹＢａｚＣ
ｕｓＯｔ−ｒであることが確認された。また、この粉末
のＸ線回折曲線から前述した不純物ピーク強度Ｘと、Ｒ
ＥＢａｚＣｕｚＯｌ−１の主ピークである（１１０）面
と（０１３）面との合成ピーク強度Ｘ０との強度比Ｘ／
Ｘ、を求めたところ約０．Ｏｌであった。
ｕｓＯｔ−ｒであることが確認された。また、この粉末
のＸ線回折曲線から前述した不純物ピーク強度Ｘと、Ｒ
ＥＢａｚＣｕｚＯｌ−１の主ピークである（１１０）面
と（０１３）面との合成ピーク強度Ｘ０との強度比Ｘ／
Ｘ、を求めたところ約０．Ｏｌであった。
この仮焼粉末の一部をアルゴンガスの雰囲気で６００〜
８００℃で熱処理したところ処理後の粉末はＸ線回折測
定による酸素量測定の結果、δ＝ ０．８５の正方晶系
であることが確認された。そのＸ線回折曲線を第１図に
示した。
８００℃で熱処理したところ処理後の粉末はＸ線回折測
定による酸素量測定の結果、δ＝ ０．８５の正方晶系
であることが確認された。そのＸ線回折曲線を第１図に
示した。
上記のようにして得た斜方晶系、正方晶系の粉末をそれ
ぞれジェットミルで５μｍ以下に粉砕した。ジェットミ
ルは旋回式のものでノズル元圧６〜９ｋｇ／ｄＧで行っ
た。
ぞれジェットミルで５μｍ以下に粉砕した。ジェットミ
ルは旋回式のものでノズル元圧６〜９ｋｇ／ｄＧで行っ
た。
次にそれぞれ粉砕した粉末を圧延法を用いて成形した。
成形するにあたり、粉末を１００重量％に対し、バイン
ダーとしてアクリル系共重合体を８重量部に加え、媒体
としてトルエンを用いて混合した。それらのスラリー状
態のものを乾燥して４０メツシユのフルイに通し、成形
用粉末とし、これをロール間隙間０．３■朧に通し、〜
２０００ｋｇ／Ｃ１１の圧力でシート状成形体を作成し
た。
ダーとしてアクリル系共重合体を８重量部に加え、媒体
としてトルエンを用いて混合した。それらのスラリー状
態のものを乾燥して４０メツシユのフルイに通し、成形
用粉末とし、これをロール間隙間０．３■朧に通し、〜
２０００ｋｇ／Ｃ１１の圧力でシート状成形体を作成し
た。
次に成形体から、２０ｍ層×１量朧及び１軸■×１軸臘
の２種の試料を切り出し、酸素雰囲気で９００℃で１０
時間焼成した。前者の試料については抵抗法に基づき試
料を液体窒素につけた状態で電流を徐々に高め、高圧端
子間に１μＶ／ａ＋＋の電圧が生じた時の電流値を臨界
電流密度Ｊｃとして求めた。なお、測定は常電導コイル
を用いて０．５（Ｔ）の磁場を試料表面に垂直な方向に
かけた状態で行った。一方、後者についてはＸ線回折を
測定し、チャートより前述した配向度算出式（１）から
（００１）面配向度ｆ値を求めた。結果は第１表に示し
た。
の２種の試料を切り出し、酸素雰囲気で９００℃で１０
時間焼成した。前者の試料については抵抗法に基づき試
料を液体窒素につけた状態で電流を徐々に高め、高圧端
子間に１μＶ／ａ＋＋の電圧が生じた時の電流値を臨界
電流密度Ｊｃとして求めた。なお、測定は常電導コイル
を用いて０．５（Ｔ）の磁場を試料表面に垂直な方向に
かけた状態で行った。一方、後者についてはＸ線回折を
測定し、チャートより前述した配向度算出式（１）から
（００１）面配向度ｆ値を求めた。結果は第１表に示し
た。
（以下余白）
第
表
第１表により両者を比較すると、斜方晶粉末は正方晶粉
末に比較して酸素量が多い。また最終的に得られる焼結
体の配向度も正方晶粉末を用いた方が高い配向度を示し
ている。これにより特性上、臨界温度に変化はないが臨
界電流密度を向上させることができた。
末に比較して酸素量が多い。また最終的に得られる焼結
体の配向度も正方晶粉末を用いた方が高い配向度を示し
ている。これにより特性上、臨界温度に変化はないが臨
界電流密度を向上させることができた。
［発明の効果１
以上詳述した通り、本発明の酸化物超を導体の製造方法
によれば、原料粉末として正方晶のＲＥＢａ、Ｃｕ、０
．イ粉末を作成し、これを粉砕後、成形焼成することに
よって、成形体の配向度を高めるとともに最終的に得ら
れる焼結体の配向度を高めることができ、それにより臨
界温度を低下させることなく、焼結体の臨界電流密度を
向上することができる。
によれば、原料粉末として正方晶のＲＥＢａ、Ｃｕ、０
．イ粉末を作成し、これを粉砕後、成形焼成することに
よって、成形体の配向度を高めるとともに最終的に得ら
れる焼結体の配向度を高めることができ、それにより臨
界温度を低下させることなく、焼結体の臨界電流密度を
向上することができる。
これにより、固体粉末反応系による酸化物超電導体の実
用化をより促進することができる。
用化をより促進することができる。
第１図は、本発明において用いられる正方晶のＹＢａ、
Ｃｕ、０フーｌ粉末のＸ線回折曲線である。
Ｃｕ、０フーｌ粉末のＸ線回折曲線である。
Claims (1)
- 正方晶型ＲＥＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７＿−＿δ（ＲＥ
：Ｙおよび希土類元素）系粉末を粉砕する工程と、該粉
砕物を連続的に加圧成形する工程と、該成形体を酸化性
雰囲気中で焼成する工程とを具備する酸化物超電導体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333799A JPH03193659A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333799A JPH03193659A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03193659A true JPH03193659A (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=18270086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333799A Pending JPH03193659A (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 酸化物超電導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03193659A (ja) |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP1333799A patent/JPH03193659A/ja active Pending
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