JPH03193694A - 結晶成長装置 - Google Patents
結晶成長装置Info
- Publication number
- JPH03193694A JPH03193694A JP1334101A JP33410189A JPH03193694A JP H03193694 A JPH03193694 A JP H03193694A JP 1334101 A JP1334101 A JP 1334101A JP 33410189 A JP33410189 A JP 33410189A JP H03193694 A JPH03193694 A JP H03193694A
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- JP
- Japan
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- crucible
- crystal
- chamber
- pulling
- melting
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、主に半導体材料として用いられているシリコ
ン単結晶等の結晶成長装置に関する。
ン単結晶等の結晶成長装置に関する。
一般にこの種の結晶の成長装置としては、チゴクラルス
キー法（ＣＺ法）が広く用いられている。
キー法（ＣＺ法）が広く用いられている。
第４図はＣＺ法を用いる結晶成長装置を示す模式図であ
り、図中１は水冷されているチャンバ内等に配設された
坩堝を示している。坩堝１は有底円筒状をなす黒鉛製の
外層容器１ａと石英製の内層容器１ｈとを同心状に配し
て構成されており、ここに結晶用原料を装入し、軸１ｃ
にて坩堝１を回転させつつ坩堝１の周囲に配したヒータ
２にて加熱溶融せしめた後、この溶融液り中に引上げ軸
６にて吊り下げた種結晶７を浸し、これを回転させつつ
上方に引上げ、種結晶７の下端に単結晶８を成長せしめ
るようになっている。
り、図中１は水冷されているチャンバ内等に配設された
坩堝を示している。坩堝１は有底円筒状をなす黒鉛製の
外層容器１ａと石英製の内層容器１ｈとを同心状に配し
て構成されており、ここに結晶用原料を装入し、軸１ｃ
にて坩堝１を回転させつつ坩堝１の周囲に配したヒータ
２にて加熱溶融せしめた後、この溶融液り中に引上げ軸
６にて吊り下げた種結晶７を浸し、これを回転させつつ
上方に引上げ、種結晶７の下端に単結晶８を成長せしめ
るようになっている。
ところで通常単結晶を半導体基板等として用いる場合は
、単結晶の電気抵抗率、導電型を調節するために、坩堝
１内の溶融液中には不純物元素を添加するが、このよう
な不純物は単結晶８の引上げ方向に偏析し、単結晶８の
成長方向全長にわたって均一な濃度分布を維持すること
は極めて難しい。
、単結晶の電気抵抗率、導電型を調節するために、坩堝
１内の溶融液中には不純物元素を添加するが、このよう
な不純物は単結晶８の引上げ方向に偏析し、単結晶８の
成長方向全長にわたって均一な濃度分布を維持すること
は極めて難しい。
不純物の偏析は、溶融液と単結晶との成長界面における
単結晶中の不純物濃度Ｃ３と溶融液中の不純物濃度ＣＬ
との比Ｃｓ／Ｃｔ、即ち実効偏析係数ｋｅが１とならな
いことに起因して、単結晶の成長に伴う溶融液中の不純
物濃度が結晶引上げ這中で変化することによる。
単結晶中の不純物濃度Ｃ３と溶融液中の不純物濃度ＣＬ
との比Ｃｓ／Ｃｔ、即ち実効偏析係数ｋｅが１とならな
いことに起因して、単結晶の成長に伴う溶融液中の不純
物濃度が結晶引上げ這中で変化することによる。
このような偏析を抑制する方法として溶融Ｎ注が知られ
ている。第５図は一般的な溶融層法による結晶成長装置
の模式図であり、ヒータ２の制樹によって坩堝ｌの底部
に結晶用原料の固体層Ｓをまたその上方に結晶用原料の
溶融層１．を共存さゼた状態で第４図に示す過程と同様
に単結晶８を惑長させるようになっている。
ている。第５図は一般的な溶融層法による結晶成長装置
の模式図であり、ヒータ２の制樹によって坩堝ｌの底部
に結晶用原料の固体層Ｓをまたその上方に結晶用原料の
溶融層１．を共存さゼた状態で第４図に示す過程と同様
に単結晶８を惑長させるようになっている。
この単結晶８の引上げに際し、途中ヒータ２Ｃ制御によ
って単結晶８の引上げに伴う溶融層の厚さの減少を固体
層Ｓの溶融によって補充し、溶片層Ｉ５の体積を一定に
保持しく溶融層厚一定法という）、不純物元素は結晶引
上げ中連続的に添加し溶融液中の不純物濃度を一定に維
持して結晶を成長させる装置（特公昭３４−８２４２号
公報）、或いは意図的に溶融液層の体積を変化させ、（
溶融層厚変化法という）、結晶引上げ中は不純物元素を
標加することなく溶融液中の不純物濃度を一定に維持し
て結晶を成長させる装置等がある。
って単結晶８の引上げに伴う溶融層の厚さの減少を固体
層Ｓの溶融によって補充し、溶片層Ｉ５の体積を一定に
保持しく溶融層厚一定法という）、不純物元素は結晶引
上げ中連続的に添加し溶融液中の不純物濃度を一定に維
持して結晶を成長させる装置（特公昭３４−８２４２号
公報）、或いは意図的に溶融液層の体積を変化させ、（
溶融層厚変化法という）、結晶引上げ中は不純物元素を
標加することなく溶融液中の不純物濃度を一定に維持し
て結晶を成長させる装置等がある。
ところで上述した如きＣＺ法、溶融層法のいずれを採用
する場合にも原料としては多結晶を破砕して得た径が１
００ｍｍ程度の比較的大きいもの（ランプと称す）、径
が１０ｍｍ程度の比較的小さいもの（チップと称す）を
混合して用いるが、坩堝に対する原料の仕込み量、即ち
チャージ量は固体層Ｓと溶融液層りとを併存させる必要
のある溶融層法ではＣＺ法に比較して１．５〜２倍程度
必要とされるのが普通であり、坩堝１自体もＣＺ法用に
比較して溶融層法用の方が大きくなっている。
する場合にも原料としては多結晶を破砕して得た径が１
００ｍｍ程度の比較的大きいもの（ランプと称す）、径
が１０ｍｍ程度の比較的小さいもの（チップと称す）を
混合して用いるが、坩堝に対する原料の仕込み量、即ち
チャージ量は固体層Ｓと溶融液層りとを併存させる必要
のある溶融層法ではＣＺ法に比較して１．５〜２倍程度
必要とされるのが普通であり、坩堝１自体もＣＺ法用に
比較して溶融層法用の方が大きくなっている。
第６図は溶融層法を用いた単結晶成長装置における原料
溶解時の状態を示す模式的縦断面であり、チャンバ１０
内の中央に坩堝１が軸１ｃにて回転並びに昇降可能に配
設され、その周囲にヒータ２及び保温筒３が同心状に配
設され、また上部には真空シャッタ４を介在させてプル
チャンバ１１が設けられている。
溶解時の状態を示す模式的縦断面であり、チャンバ１０
内の中央に坩堝１が軸１ｃにて回転並びに昇降可能に配
設され、その周囲にヒータ２及び保温筒３が同心状に配
設され、また上部には真空シャッタ４を介在させてプル
チャンバ１１が設けられている。
ところで上述した如き従来装置にあっては、ヒータ２の
長さは溶融液層りと固体層Ｓとを併存させるために短く
設定しているがら、原料溶解時には坩堝の下側過半部は
ヒータ２と対向しない状態となるため、伝導、放熱損失
がＣＺ法用坩堝に比較して大きくなり、原料の溶融に長
い時間を要し、多大の電力を必要とするという問題があ
った。
長さは溶融液層りと固体層Ｓとを併存させるために短く
設定しているがら、原料溶解時には坩堝の下側過半部は
ヒータ２と対向しない状態となるため、伝導、放熱損失
がＣＺ法用坩堝に比較して大きくなり、原料の溶融に長
い時間を要し、多大の電力を必要とするという問題があ
った。
本発明者等は原料溶解時の熱摸失を低減し、効率的な原
料の加熱溶解を行うべく実験、研究を行った結果、次の
ような事実を知見した。
料の加熱溶解を行うべく実験、研究を行った結果、次の
ような事実を知見した。
原料溶解時にヒータから供給すべき熱量は、原料溶解の
ための溶解熱Ｑ、と、原料表面がらの熱輻射等で上方に
放散される熱量Ｑｕと、原料層、坩堝軸（ペデスタル）
を通じて熱伝導により下方へ放散される熱量Ｑｔ＋と、
坩堝下部から熱輻射等により下方に放散される熱ＩＱ、
２との和で与えられる。
ための溶解熱Ｑ、と、原料表面がらの熱輻射等で上方に
放散される熱量Ｑｕと、原料層、坩堝軸（ペデスタル）
を通じて熱伝導により下方へ放散される熱量Ｑｔ＋と、
坩堝下部から熱輻射等により下方に放散される熱ＩＱ、
２との和で与えられる。
ところがＱｚｌ、 Ｑｔ□は坩堝底に下部固体層を形成
維持する必要上、小さくすることが出来ず、むしろ大き
くする必要がある。またＱｌは溶解すべき原料量によっ
て決定される。従ってこれらとは無関係のＱｕが熱量低
減の可能な対象である。
維持する必要上、小さくすることが出来ず、むしろ大き
くする必要がある。またＱｌは溶解すべき原料量によっ
て決定される。従ってこれらとは無関係のＱｕが熱量低
減の可能な対象である。
本発明はかかる知見に基づきなされたものであって、そ
の目的とすることろは原料溶解に必要な熱量を低減し、
結晶製造コストを低減し得る結晶成長装置を捉供するに
ある。
の目的とすることろは原料溶解に必要な熱量を低減し、
結晶製造コストを低減し得る結晶成長装置を捉供するに
ある。
本発明に係る結晶成長装置は、装入した結晶用原料を溶
解して溶融液層を形成する坩堝と、前記坩堝の溶融液層
に種結晶を浸してこれを引上げ、結晶を成長させる結晶
引上げ手段とを具備する結晶成長装置において、結晶用
原料の溶解時に坩堝上を覆うよう保持される熱遮蔽板を
具備することを特徴とする。
解して溶融液層を形成する坩堝と、前記坩堝の溶融液層
に種結晶を浸してこれを引上げ、結晶を成長させる結晶
引上げ手段とを具備する結晶成長装置において、結晶用
原料の溶解時に坩堝上を覆うよう保持される熱遮蔽板を
具備することを特徴とする。
本発明はこれによって、原料溶解時に坩堝上方への熱の
放散が熱遮蔽板によって抑制されることとなる。
放散が熱遮蔽板によって抑制されることとなる。
〔実施例）
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき具体的に説
明する。第１図は本発明装置の模式的縦断面図であり、
図中１０は水冷されているチャンバ、１１はプルチャン
バ、１は坩堝、２はヒータ、３は保温筒を示している。
明する。第１図は本発明装置の模式的縦断面図であり、
図中１０は水冷されているチャンバ、１１はプルチャン
バ、１は坩堝、２はヒータ、３は保温筒を示している。
水冷されているチャンバ１０の内部中央に坩堝１が配設
され、この坩堝１の周囲にヒータ２が、またこのヒータ
２の周囲に保温筒３が配設されている。チャンバ１の上
部壁には坩堝１上に面してシャッタ４にて開閉されるプ
ルチャンバ１１が立設してあり、このプルチャンバ１１
上から昇、降並びに回転可能な引上げ軸６が吊り下げら
れている。
され、この坩堝１の周囲にヒータ２が、またこのヒータ
２の周囲に保温筒３が配設されている。チャンバ１の上
部壁には坩堝１上に面してシャッタ４にて開閉されるプ
ルチャンバ１１が立設してあり、このプルチャンバ１１
上から昇、降並びに回転可能な引上げ軸６が吊り下げら
れている。
坩堝１は、外周にグラファイト類の外層容器１ａを、ま
た内側に石英製の内層容器１ｂを配した二重構造に構成
されており、その底部中央にはチャンバ１の底壁を貫通
させた軸１ｃの上端が連結され、該軸１ｃにて回転させ
つつ昇降せしめられるようになっている。保温筒３は熱
伝導率の低い材料、例えばカーボンファイバー成形材等
を用いて円筒形に形成されており、坩堝１、ヒータ２の
外周を囲う態様でこれらと同心状に配設されている。
た内側に石英製の内層容器１ｂを配した二重構造に構成
されており、その底部中央にはチャンバ１の底壁を貫通
させた軸１ｃの上端が連結され、該軸１ｃにて回転させ
つつ昇降せしめられるようになっている。保温筒３は熱
伝導率の低い材料、例えばカーボンファイバー成形材等
を用いて円筒形に形成されており、坩堝１、ヒータ２の
外周を囲う態様でこれらと同心状に配設されている。
プルチャンバ４の上方から回転、昇降機構（図示せず）
に連繋された引上げ軸６の上端が導入され、その下端に
は結晶成長時には第５図に示す場合と同様にチャックに
掴持させた種結晶が吊設され、この種結晶を坩堝１内の
溶融液になじませた後、回転させつつ上昇させることに
よって、種結晶の下端にシリコンの単結晶を成長せしめ
、また原料溶解時には第１図に示す如く熱遮蔽体２１が
装着されるようになっている。
に連繋された引上げ軸６の上端が導入され、その下端に
は結晶成長時には第５図に示す場合と同様にチャックに
掴持させた種結晶が吊設され、この種結晶を坩堝１内の
溶融液になじませた後、回転させつつ上昇させることに
よって、種結晶の下端にシリコンの単結晶を成長せしめ
、また原料溶解時には第１図に示す如く熱遮蔽体２１が
装着されるようになっている。
第２図は熱遮蔽体２１の拡大断面図であり、熱遮蔽体２
１はプルチャンバ１１の内径よりも若干小さい２枚のグ
ラファイト類の円板２２．２３間にグラファイト類のフ
ェルト２４を挟んだ３層構造に形成されており、周縁部
の複数個所をグラファイト類のボルト・ナツト２５を用
いて一体的に結合せしめである。このボルト・ナツト２
５にはＭｏ製のワイヤ２６の各一端が連結されており、
その各他端は治具２７を介して単結晶引上げ軸６の下端
に連結せしめられ、該引上げ軸６の昇降操作によって第
１図に示す如く坩堝１の上端部直上に臨む位置とプルチ
ャンバ１１内とに移動されるようになっている。治具２
７は側面視で逆子字形に形成され、支持部２７ａ、連結
部２７ｂを備えており、各ワイヤ２６の他端は支持部２
７ａに連結され、また自らは連結部２７ｂを介して引上
げ軸６に着脱可能に吊垂されている。
１はプルチャンバ１１の内径よりも若干小さい２枚のグ
ラファイト類の円板２２．２３間にグラファイト類のフ
ェルト２４を挟んだ３層構造に形成されており、周縁部
の複数個所をグラファイト類のボルト・ナツト２５を用
いて一体的に結合せしめである。このボルト・ナツト２
５にはＭｏ製のワイヤ２６の各一端が連結されており、
その各他端は治具２７を介して単結晶引上げ軸６の下端
に連結せしめられ、該引上げ軸６の昇降操作によって第
１図に示す如く坩堝１の上端部直上に臨む位置とプルチ
ャンバ１１内とに移動されるようになっている。治具２
７は側面視で逆子字形に形成され、支持部２７ａ、連結
部２７ｂを備えており、各ワイヤ２６の他端は支持部２
７ａに連結され、また自らは連結部２７ｂを介して引上
げ軸６に着脱可能に吊垂されている。
熱遮蔽体２１の材質、構造については特に限定するもの
ではなく、融点が高く、しかも熱伝導性の低い材料であ
れば何でもよい。
ではなく、融点が高く、しかも熱伝導性の低い材料であ
れば何でもよい。
而してこのような本発明装置にあっては、図示しない原
料供給器を通じて坩堝１内に結晶用の固体原料、例えば
高純度の多結晶シリコンを装入する。チャンバ１０内の
雰囲気ガスを不活性ガス等と置換した後、ヒータ２の電
力を溶解条件に設定し、充填された固体原料の溶解を行
いつつ溶融液中に図示しない不純物供給器から不純物を
添加する。
料供給器を通じて坩堝１内に結晶用の固体原料、例えば
高純度の多結晶シリコンを装入する。チャンバ１０内の
雰囲気ガスを不活性ガス等と置換した後、ヒータ２の電
力を溶解条件に設定し、充填された固体原料の溶解を行
いつつ溶融液中に図示しない不純物供給器から不純物を
添加する。
次に引上げ軸６の下端部に治具２７を介して熱遮蔽体２
１を吊垂し、プルチャンバ】１からシャッタ４を通して
チャンバ１０内に下降し、坩堝１の上部を覆う態様で熱
遮蔽体２１を配置する。この状態で装入した固体原料は
予め定めた初期融液率が得られる迄溶解し、溶融層りと
、その下部の固体層Ｓとが共存する状態に設定する。
１を吊垂し、プルチャンバ】１からシャッタ４を通して
チャンバ１０内に下降し、坩堝１の上部を覆う態様で熱
遮蔽体２１を配置する。この状態で装入した固体原料は
予め定めた初期融液率が得られる迄溶解し、溶融層りと
、その下部の固体層Ｓとが共存する状態に設定する。
初期溶解が終了すると、引上げ軸６を引き上げ、熱遮蔽
体２１をシャッタ４を通してプルチャンバｌｌ内に引出
し、シャッタ４を閉じてプルチャンバ１１を取り外し、
引上げ軸６の下端にチャックを介して種結晶を吊垂し、
これをシャッタ４を通してチャンバエ０内に垂下し、種
結晶の下端を溶融液層Ｓにひたした後、回転させつつ引
上げ、種結晶の下端に単結晶を成長せしめる。単結晶の
成長に伴う溶融層Ｉ５の厚さの減少はヒータ２により固
体層Ｓを溶融することによって補充する。
体２１をシャッタ４を通してプルチャンバｌｌ内に引出
し、シャッタ４を閉じてプルチャンバ１１を取り外し、
引上げ軸６の下端にチャックを介して種結晶を吊垂し、
これをシャッタ４を通してチャンバエ０内に垂下し、種
結晶の下端を溶融液層Ｓにひたした後、回転させつつ引
上げ、種結晶の下端に単結晶を成長せしめる。単結晶の
成長に伴う溶融層Ｉ５の厚さの減少はヒータ２により固
体層Ｓを溶融することによって補充する。
引上げた単結晶はシャッタ４を通してプルチャンバｌｌ
内に引き込んだ後、シャッタ４を閉じ、プルチャンバ１
１と共に取り外して別の種結晶を取り付け、前述した過
程を反復する。
内に引き込んだ後、シャッタ４を閉じ、プルチャンバ１
１と共に取り外して別の種結晶を取り付け、前述した過
程を反復する。
第３図は本発明の他の実施例を示す部分断面図であり、
この実施例では熱遮蔽体２８は円板部２８ａとその上面
中央に突設したＭｏ製の雨垂部２８ｂとを備えており、
円板部２８ａは熱伝導性の小さい材料を用いてプルチャ
ンバ１１の内径よりも若干小さい直径に設定されており
、雨垂部２８ｂを介して引上げ軸６に着脱可能に連結せ
しめられている。
この実施例では熱遮蔽体２８は円板部２８ａとその上面
中央に突設したＭｏ製の雨垂部２８ｂとを備えており、
円板部２８ａは熱伝導性の小さい材料を用いてプルチャ
ンバ１１の内径よりも若干小さい直径に設定されており
、雨垂部２８ｂを介して引上げ軸６に着脱可能に連結せ
しめられている。
他の構成及び作用は実質的に第１回に示す実施例と同じ
であり、対応する部分には同じ番号を付して説明を省略
する。このような実施例にあっては第１，２図に示す実
施例に比較して構成が簡略化される利点がある。
であり、対応する部分には同じ番号を付して説明を省略
する。このような実施例にあっては第１，２図に示す実
施例に比較して構成が簡略化される利点がある。
次に本発明装置と従来装置とを用いた比較試験結果につ
いて説明する。試験は表１に示す如き寸法諸元の溶融層
法用坩堝において、熱遮蔽体を使用した場合と使用しな
い場合とについてその消費電力及び溶解時間を測定した
。結果は表２に示す通りである。
いて説明する。試験は表１に示す如き寸法諸元の溶融層
法用坩堝において、熱遮蔽体を使用した場合と使用しな
い場合とについてその消費電力及び溶解時間を測定した
。結果は表２に示す通りである。
表 １
表
表２から明らかなように本発明装置に依った場合にはヒ
ータ電力（ｋＷ）、溶解時間が共に大幅に低減されてい
ることが解る。なお上述の実施例は溶融層法を用いる結
晶成長装置に適用した場合について説明したが、ＣＺ法
を用いる結晶成長装置その他の結晶成長装置にも適用し
得ることは勿論である。また熱遮蔽体２１．２８は単結
晶引上げ軸６に雨垂する構成について説明したが、何ら
これに限らず他のワイヤ等を用いてもよい。
ータ電力（ｋＷ）、溶解時間が共に大幅に低減されてい
ることが解る。なお上述の実施例は溶融層法を用いる結
晶成長装置に適用した場合について説明したが、ＣＺ法
を用いる結晶成長装置その他の結晶成長装置にも適用し
得ることは勿論である。また熱遮蔽体２１．２８は単結
晶引上げ軸６に雨垂する構成について説明したが、何ら
これに限らず他のワイヤ等を用いてもよい。
以上の如く本発明装置にあっては原料溶解時における坩
堝上方への熱放散を抑制して熱損失を低減出来、熱効率
の大幅な向上が図れ、溶解時間も短縮されて結晶成長の
能率向上も図れる等本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
堝上方への熱放散を抑制して熱損失を低減出来、熱効率
の大幅な向上が図れ、溶解時間も短縮されて結晶成長の
能率向上も図れる等本発明は優れた効果を奏するもので
ある。
第１図は本発明装置の原料溶解時の状態を示す模式的縦
断面図、第２図は熱遮蔽体の拡大断面図、第３図は本発
明の他の実施例を示す模式的部分断面図、第４．５図は
一般的なＣＺ法、溶融層法の実施状態を示す模式的縦断
面図、第６図は溶融層法を用いた従来の結晶成長装置に
おける原料溶解時の状態を示す模式的縦断面図である。 １・・・坩堝 ２・・・ヒータ ３・・・保温筒 ４・
・・シャッタ １０・・・チャンバ １１・・・プルチ
ャンバ ２１．２８・・・熱遮蔽体
断面図、第２図は熱遮蔽体の拡大断面図、第３図は本発
明の他の実施例を示す模式的部分断面図、第４．５図は
一般的なＣＺ法、溶融層法の実施状態を示す模式的縦断
面図、第６図は溶融層法を用いた従来の結晶成長装置に
おける原料溶解時の状態を示す模式的縦断面図である。 １・・・坩堝 ２・・・ヒータ ３・・・保温筒 ４・
・・シャッタ １０・・・チャンバ １１・・・プルチ
ャンバ ２１．２８・・・熱遮蔽体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、装入した結晶用原料を溶解して溶融液層を形成する
坩堝と、前記坩堝の溶融液層に種結晶を浸してこれを引
上げ、結晶を成長させる結晶引上げ手段とを具備する結
晶成長装置において、 結晶用原料の溶解時に坩堝上を覆うよう保 持される熱遮蔽板を具備することを特徴とする結晶成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334101A JPH03193694A (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1334101A JPH03193694A (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03193694A true JPH03193694A (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=18273538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1334101A Pending JPH03193694A (ja) | 1989-12-21 | 1989-12-21 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03193694A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5814148A (en) * | 1996-02-01 | 1998-09-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for preparing molten silicon melt from polycrystalline silicon charge |
| EP0921213A1 (de) * | 1997-12-02 | 1999-06-09 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren und Heizvorrichtung zum Aufschmelzen von Halbleitermaterial |
| JP2008297186A (ja) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Covalent Materials Corp | ルツボハンドリング装置及びルツボ交換方法 |
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| JP2023539379A (ja) * | 2020-09-01 | 2023-09-13 | グローバルウェーハズ カンパニー リミテッド | シリコン充填物を覆うためのカバー部材を有する結晶引上げシステム、及びシリコン溶融物をるつぼアセンブリ内で成長させるための方法 |
Citations (1)
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| JPH02283693A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-21 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法および装置 |
-
1989
- 1989-12-21 JP JP1334101A patent/JPH03193694A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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