JPH0319404A - 結合構造 - Google Patents
結合構造Info
- Publication number
- JPH0319404A JPH0319404A JP15519289A JP15519289A JPH0319404A JP H0319404 A JPH0319404 A JP H0319404A JP 15519289 A JP15519289 A JP 15519289A JP 15519289 A JP15519289 A JP 15519289A JP H0319404 A JPH0319404 A JP H0319404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microstrip line
- mirror image
- circuit board
- conductor
- dielectric resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要]
マイクロ波回路のマイクロストリップ線路と鏡像型誘電
体共振器との結合構造に関し、立体的構成法を避け、鏡
像型誘電体共振器とマイクロストリップ線路との結合構
造を小形化することを目的とし、 マイクロストリップ線路の平面状の回路i1ffの上面
直接に、鏡像型誘電体共振器の半円形誘電体を配置し、
該回路基板の上面のマイクロストリップ線路のストリッ
プ導体から引き出しループ状にした導体ループにより、
該半円形誘電体の外周を囲むように構成する. 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ波回路のマイクロストリップ線路と鏡
像型誘電体共振器との結合構造に関する。
体共振器との結合構造に関し、立体的構成法を避け、鏡
像型誘電体共振器とマイクロストリップ線路との結合構
造を小形化することを目的とし、 マイクロストリップ線路の平面状の回路i1ffの上面
直接に、鏡像型誘電体共振器の半円形誘電体を配置し、
該回路基板の上面のマイクロストリップ線路のストリッ
プ導体から引き出しループ状にした導体ループにより、
該半円形誘電体の外周を囲むように構成する. 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ波回路のマイクロストリップ線路と鏡
像型誘電体共振器との結合構造に関する。
マイクロ波領域で低損失の共振器として近年、誘電体共
振器が実用化されている。誘電体共振器は空洞共振器等
に比して小形であるが更に小形化を図る為に、半円形の
誘電体を導体面に固着して該導体面を鏡像面として等価
的にTEo+δモードで共振する鏡像型誘電体共振器が
考案されている.マイクロ波回路としては、この鏡像型
誘電体共振器とマイクロ波領域で多く用いられれるマイ
クロストリップ線路との結合構造が小形であることが望
まれている。
振器が実用化されている。誘電体共振器は空洞共振器等
に比して小形であるが更に小形化を図る為に、半円形の
誘電体を導体面に固着して該導体面を鏡像面として等価
的にTEo+δモードで共振する鏡像型誘電体共振器が
考案されている.マイクロ波回路としては、この鏡像型
誘電体共振器とマイクロ波領域で多く用いられれるマイ
クロストリップ線路との結合構造が小形であることが望
まれている。
この結合構造は従来、第3図の如く、鏡像型誘電体共振
器IAの半円形誘電体11Aを、マイクロストリップ線
路2Aの平面状の回路基板10Aを含め回路全体を収容
する金属筐体30Aの内面30Bに固着し、該半円形誘
電体IAの磁界Hがマイクロストリップm路2Aのスト
リップ導体21Aと交叉して結合するように立体的に構
戒する構造であった。
器IAの半円形誘電体11Aを、マイクロストリップ線
路2Aの平面状の回路基板10Aを含め回路全体を収容
する金属筐体30Aの内面30Bに固着し、該半円形誘
電体IAの磁界Hがマイクロストリップm路2Aのスト
リップ導体21Aと交叉して結合するように立体的に構
戒する構造であった。
従来の結合構造は、上述の如く、立体的構造であった為
、マイクロ波回路の全体を収容する金属筐体30Aの大
きさが大きくなり、マイクロ波回路を小形化する上で問
題であった.本発明は上記の立体的横戒法を避け、鏡像
型誘電体共振器とマイクロストリップ線路との結合構造
を小形化することを課題とする。
、マイクロ波回路の全体を収容する金属筐体30Aの大
きさが大きくなり、マイクロ波回路を小形化する上で問
題であった.本発明は上記の立体的横戒法を避け、鏡像
型誘電体共振器とマイクロストリップ線路との結合構造
を小形化することを課題とする。
〔課題を解決するための手段]
この課題は、第1図の如く、マイクロストリップ線路2
の平面状の回路基板10の上面に直接に、鏡像型誘電体
共振器1の半円形誘電体11を配置し、該回路基板10
の上面のマイクロストリップ線路2のストリップ導体2
lから引き出しループ状にした導体ループ3により、半
円形誘電体11の外周を囲むようにした本発明によって
解決される。
の平面状の回路基板10の上面に直接に、鏡像型誘電体
共振器1の半円形誘電体11を配置し、該回路基板10
の上面のマイクロストリップ線路2のストリップ導体2
lから引き出しループ状にした導体ループ3により、半
円形誘電体11の外周を囲むようにした本発明によって
解決される。
本発明の結合構造の基本構威を示す第1図の原理図にお
いて、 lは、半円形誘電体11をマイクロストリップ線路2の
平面状の回路基板10の上に直接配置し、該回路基板1
0の下の接地用の導体面22を鏡像面として、等価的に
TE*lδモードで共振する鏡像型誘電体共振器である
゜。
いて、 lは、半円形誘電体11をマイクロストリップ線路2の
平面状の回路基板10の上に直接配置し、該回路基板1
0の下の接地用の導体面22を鏡像面として、等価的に
TE*lδモードで共振する鏡像型誘電体共振器である
゜。
2は、下に接地用の導体面22を持つ平面状の回路基板
10の上面に回路用のストリップ導体21を持つマイク
ロストリップ線路である。
10の上面に回路用のストリップ導体21を持つマイク
ロストリップ線路である。
3は、マイクロストリップ線路2の平面状の回路基板1
0の上面のストリップ導体21から引き出しループ状に
した導体ループである。
0の上面のストリップ導体21から引き出しループ状に
した導体ループである。
そして導体ループ3により半円形誘電体11の外周を囲
むように構成する。
むように構成する。
鏡像型誘電体共振器lは、その半円形誘電体11を、マ
イクロストリップ線路2の平面状の回路基板10の上に
直接配置し、該回路基板10の下の接地用の導体面22
を鏡像面として、等価的にTE,.δモードで共振する
。
イクロストリップ線路2の平面状の回路基板10の上に
直接配置し、該回路基板10の下の接地用の導体面22
を鏡像面として、等価的にTE,.δモードで共振する
。
マイクロストリップ線路2は、平面状の回路基板10の
下に、接地用の導体面22を持ち、その上面に、回路用
のストリ・冫プ導体21を持つ。
下に、接地用の導体面22を持ち、その上面に、回路用
のストリ・冫プ導体21を持つ。
導体ループ3は、マイクロストリップ線路2の平面状の
回路基板10の上面のストリップ導体21から引き出さ
れたループ状の導体であって、半円形誘電体11の外周
を囲むように配置される。
回路基板10の上面のストリップ導体21から引き出さ
れたループ状の導体であって、半円形誘電体11の外周
を囲むように配置される。
従って鏡像型誘電体共振器1の半円形誘電体11の磁界
■は導体ループ3と交叉するので、鏡像型誘電体共振器
1とマイクロストリップ線路2とは結合し、その結合構
造は平面的であって従来の如く立体的でないので、鏡像
型誘電体共振器lとマイクロストリップ線路2の全体を
収容するマイクロ波回路の筐体30の大きさは小さくて
済むことになり、マイクロ波回路の小形化が達戒されて
問題は解決される。
■は導体ループ3と交叉するので、鏡像型誘電体共振器
1とマイクロストリップ線路2とは結合し、その結合構
造は平面的であって従来の如く立体的でないので、鏡像
型誘電体共振器lとマイクロストリップ線路2の全体を
収容するマイクロ波回路の筐体30の大きさは小さくて
済むことになり、マイクロ波回路の小形化が達戒されて
問題は解決される。
第1図の原理図は、その侭、本発明の実施例の結合構造
を示し、その動作は既に説明した。
を示し、その動作は既に説明した。
第2図は本発明の別の実施例の結合構造の構造図である
。
。
第2図の実施例では、導体ループ3が、その導体の先端
が開放された構造の結合導体片である場合であって、そ
の先端の開放端でストリップ導体21による電界が高く
なり、その電界が、半円形誘電体11の電界Eの分布に
影響を与え、鏡像型誘電体共振器lとマイクロストリン
プ線路2が、電界により結合される。この場合、結合導
体片3の開放端は低誘電率のサポートで支持される。
が開放された構造の結合導体片である場合であって、そ
の先端の開放端でストリップ導体21による電界が高く
なり、その電界が、半円形誘電体11の電界Eの分布に
影響を与え、鏡像型誘電体共振器lとマイクロストリン
プ線路2が、電界により結合される。この場合、結合導
体片3の開放端は低誘電率のサポートで支持される。
第2図の実施例でも、鏡像型誘電体共振器1とマイクロ
ストリップ線路2の結合構造は平面的であって立体的で
ないので、鏡像型誘電体共振器lとマイクロストリップ
線路2の全体を収容する筐体30の大きさは小さくて済
むことになり、マイクロ波回路の小形化が達威されるの
で問題は無い。
ストリップ線路2の結合構造は平面的であって立体的で
ないので、鏡像型誘電体共振器lとマイクロストリップ
線路2の全体を収容する筐体30の大きさは小さくて済
むことになり、マイクロ波回路の小形化が達威されるの
で問題は無い。
くなり、性能を向上できる効果もある.
第1図は本発明の結合構造の基本構成を示す原理図、
第2図は本発明の実施例の結合構造の構造図、第3図は
従来の結合構造の構造図である。 図において、 lは鏡像型誘電体共振器、2はマイクロストリップ線路
、3は導体ループ、11は半円形誘電体、21はストリ
ップ導体、22は接地用の導体面である。 (発明の効果〕 以上説明した如く、本発明によれば、マイクロ波回路を
構戒する基板上に、鏡像型誘電体共振器とマイクロスト
リップ線路とその結合構造の全てを構威する事が出来る
ので、その収容筐体の小形化、組立ての平易化が可能と
なりコストを低減できる。また従来例に比べて製造のバ
ラツキが少な第 1 図 第 2 図
従来の結合構造の構造図である。 図において、 lは鏡像型誘電体共振器、2はマイクロストリップ線路
、3は導体ループ、11は半円形誘電体、21はストリ
ップ導体、22は接地用の導体面である。 (発明の効果〕 以上説明した如く、本発明によれば、マイクロ波回路を
構戒する基板上に、鏡像型誘電体共振器とマイクロスト
リップ線路とその結合構造の全てを構威する事が出来る
ので、その収容筐体の小形化、組立ての平易化が可能と
なりコストを低減できる。また従来例に比べて製造のバ
ラツキが少な第 1 図 第 2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半円形の誘電体を導体面上に配置し該導体面を鏡像面
として等価的にTE_0_1δモードで共振する鏡像型
誘電体共振器(1)と、平面状の回路基板(10)の下
に接地用の導体面(22)を持ち該回路基板の上面に回
路用のストリップ導体(21)を持つマイクロストリッ
プ線路(2)とを互に結合する結合構造において、 マイクロストリップ線路(2)の平面状の回路基板(1
0)の上面直接に、鏡像型誘電体共振器(1)の半円形
誘電体(11)を配置し、該回路基板の上面のマイクロ
ストリップ線路のストリップ導体(21)から引き出し
ループ状にした導体ループ(3)により該半円形誘電体
(11)の外周を囲むことを特徴とした結合構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15519289A JPH0319404A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 結合構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15519289A JPH0319404A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 結合構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319404A true JPH0319404A (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=15600504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15519289A Pending JPH0319404A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | 結合構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0319404A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000016432A1 (en) * | 1998-09-15 | 2000-03-23 | New Jersey Institute Of Technology | Metal dielectric composite resonator |
| US6052041A (en) * | 1996-08-29 | 2000-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | TM mode dielectric resonator and TM mode dielectric filter and duplexer using the resonator |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP15519289A patent/JPH0319404A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6052041A (en) * | 1996-08-29 | 2000-04-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | TM mode dielectric resonator and TM mode dielectric filter and duplexer using the resonator |
| WO2000016432A1 (en) * | 1998-09-15 | 2000-03-23 | New Jersey Institute Of Technology | Metal dielectric composite resonator |
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