JPH03194829A - 微小真空三極管とその製造方法 - Google Patents
微小真空三極管とその製造方法Info
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- JPH03194829A JPH03194829A JP1333526A JP33352689A JPH03194829A JP H03194829 A JPH03194829 A JP H03194829A JP 1333526 A JP1333526 A JP 1333526A JP 33352689 A JP33352689 A JP 33352689A JP H03194829 A JPH03194829 A JP H03194829A
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Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体に比べて放射線損傷や絶縁耐圧に優れ
ている微小真空三極管の構造とその製造方法に関するも
のである。
ている微小真空三極管の構造とその製造方法に関するも
のである。
微小真空三極管の構造と形成方法としては、例えば、第
３６回応用物理学関係連合講演会予稿集第２分冊ｐ５８
５２ｐ−に−１記載の方法が知られている。第３図（ａ
）〜（ｅ）は、そのような構造および製造方法の一例を
示すものである。第３図（ａ）に示すように、窒化珪素
（ＳｉＮ）膜４１を珪素（Ｓｉ）基板４２上にマスクと
して形成し、ついで、第３図（ｂ）に示すようにＳｉＮ
［４１をマスクとしてＳｉ基板４２の異方性エツチング
を行なう、ついで、第３図（ｃ）に示すように、絶縁膜
（酸化珪素５ｉｎ）４Ｂと電極層（タンタリウムＴａ）
４４を連続的に蒸着した後、第３図（ｄ）に示すように
ＳｉＮ膜４１を除去した後、第３図（ｅ）に示すように
絶縁膜４３を軽くエツチングする。
３６回応用物理学関係連合講演会予稿集第２分冊ｐ５８
５２ｐ−に−１記載の方法が知られている。第３図（ａ
）〜（ｅ）は、そのような構造および製造方法の一例を
示すものである。第３図（ａ）に示すように、窒化珪素
（ＳｉＮ）膜４１を珪素（Ｓｉ）基板４２上にマスクと
して形成し、ついで、第３図（ｂ）に示すようにＳｉＮ
［４１をマスクとしてＳｉ基板４２の異方性エツチング
を行なう、ついで、第３図（ｃ）に示すように、絶縁膜
（酸化珪素５ｉｎ）４Ｂと電極層（タンタリウムＴａ）
４４を連続的に蒸着した後、第３図（ｄ）に示すように
ＳｉＮ膜４１を除去した後、第３図（ｅ）に示すように
絶縁膜４３を軽くエツチングする。
以上述べた形成方法は、電界放射エミッタを単結晶によ
り形成して自己整合によりグリッド、コレクタを形成し
ているものの、マスクを用いて異方性エツチングを行な
っているため、エミッタの先端径が余り小さくできない
こと、又、エミッタは、大気に露呈しているため、実際
の動作時には、真空中に封入する必要があり、このまま
では動作させることが出来ない。又、実際の動作時にお
いても、エミッタ先端から周皿の絶縁膜を見込むことが
出来るので、エミッタからの放出電子あるいは散乱電子
が、周囲の絶縁膜に飛び込みチャージアップを生じさせ
、動作を不安定なものにする問題があった。
り形成して自己整合によりグリッド、コレクタを形成し
ているものの、マスクを用いて異方性エツチングを行な
っているため、エミッタの先端径が余り小さくできない
こと、又、エミッタは、大気に露呈しているため、実際
の動作時には、真空中に封入する必要があり、このまま
では動作させることが出来ない。又、実際の動作時にお
いても、エミッタ先端から周皿の絶縁膜を見込むことが
出来るので、エミッタからの放出電子あるいは散乱電子
が、周囲の絶縁膜に飛び込みチャージアップを生じさせ
、動作を不安定なものにする問題があった。
本発明の目的は、この様な従来の欠点を除去せしめて、
チャージアップの影響を受けにくい微小真空三極管の構
造と自己整合的に真空封入可能な微小真空三極管を形成
する方法を提供することにある。
チャージアップの影響を受けにくい微小真空三極管の構
造と自己整合的に真空封入可能な微小真空三極管を形成
する方法を提供することにある。
本発明の微小真空三極管は、エミッタとグリッド、グリ
ッドとコレクタを絶縁する絶縁膜がエミッタ先端から直
接見込めない構造を有している。
ッドとコレクタを絶縁する絶縁膜がエミッタ先端から直
接見込めない構造を有している。
又、本発明の微小真空三極管の製造方法は、基板上に第
１の金属膜を形成し、ついで、第１の絶縁膜を形成した
後、第１のレジストを第１の絶縁膜上に塗布形成し、つ
いで該第１のレジストをパターニングして所望の寸法に
該第１のレジストのマスクを形成した後、該レジストを
マスクに露呈した前記第１の絶縁膜を途中までエツチン
グした後、残余のレジストを除去する工程と、ついで露
呈した絶縁膜を覆うように第２のレジストを塗布形成し
た後、前記第１のレジストマスク下の絶縁膜上に絶縁膜
の幅より小さく該第２のレジストが残るように該第２の
レジストをパターニングする工程と、ついで残余の第２
のレジストをマスクとして、露呈された前記第１の絶縁
膜を前記第１の金属膜が露呈しないようにエツチングし
、ついで第２の金ＲＭを蒸着した後、有機洗浄あるいは
酸素（Ｏ□）プラズマによって、前記第２のレジストと
第２のレジスト上の不要の蒸着金属を除去した後、前記
金属膜上に第１の金メッキ層を形成してグリッドを形成
する工程と、ついで前記第１の金メッキ層と一部露呈し
ている第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し
た後、該第２の絶縁膜上に第２のレジストを塗布形成し
、ついで、前記第１の金メッキ層に覆われていない第１
の絶縁膜の真上に前記第２のレジストを残すようにパタ
ーニングした後、残余の第２のレジストをマスクとして
第２の絶縁膜を第１の金メッキ層が露呈しないように一
部エッチングし、ついで第３の金属膜を蒸着した後、残
余の第２のレジストと第２のレジスト上の不要の金属膜
を有機洗浄あるいは酸素（Ｏ２）プラズマによって除去
した後、第２の金メッキ層を形成する工程と、ついで第
２の金メッキ層の開口を通して露呈している第２の絶縁
膜をエツチングしたのち、第１の絶縁膜を露呈させ、つ
いで第１の絶縁膜をエツチングして第１の金属膜を露呈
させた後、第４の金属膜を蒸着してエミッタを形成する
と共に第２の金メッキ層に存在する開口を閉じさせてコ
レクタを形成する工程とを有している。
１の金属膜を形成し、ついで、第１の絶縁膜を形成した
後、第１のレジストを第１の絶縁膜上に塗布形成し、つ
いで該第１のレジストをパターニングして所望の寸法に
該第１のレジストのマスクを形成した後、該レジストを
マスクに露呈した前記第１の絶縁膜を途中までエツチン
グした後、残余のレジストを除去する工程と、ついで露
呈した絶縁膜を覆うように第２のレジストを塗布形成し
た後、前記第１のレジストマスク下の絶縁膜上に絶縁膜
の幅より小さく該第２のレジストが残るように該第２の
レジストをパターニングする工程と、ついで残余の第２
のレジストをマスクとして、露呈された前記第１の絶縁
膜を前記第１の金属膜が露呈しないようにエツチングし
、ついで第２の金ＲＭを蒸着した後、有機洗浄あるいは
酸素（Ｏ□）プラズマによって、前記第２のレジストと
第２のレジスト上の不要の蒸着金属を除去した後、前記
金属膜上に第１の金メッキ層を形成してグリッドを形成
する工程と、ついで前記第１の金メッキ層と一部露呈し
ている第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し
た後、該第２の絶縁膜上に第２のレジストを塗布形成し
、ついで、前記第１の金メッキ層に覆われていない第１
の絶縁膜の真上に前記第２のレジストを残すようにパタ
ーニングした後、残余の第２のレジストをマスクとして
第２の絶縁膜を第１の金メッキ層が露呈しないように一
部エッチングし、ついで第３の金属膜を蒸着した後、残
余の第２のレジストと第２のレジスト上の不要の金属膜
を有機洗浄あるいは酸素（Ｏ２）プラズマによって除去
した後、第２の金メッキ層を形成する工程と、ついで第
２の金メッキ層の開口を通して露呈している第２の絶縁
膜をエツチングしたのち、第１の絶縁膜を露呈させ、つ
いで第１の絶縁膜をエツチングして第１の金属膜を露呈
させた後、第４の金属膜を蒸着してエミッタを形成する
と共に第２の金メッキ層に存在する開口を閉じさせてコ
レクタを形成する工程とを有している。
上記方法に於て、蒸着法によりエミッタを形成している
ため、エミッタの先端径を充分に小さくできる。また、
真空中で蒸着しながら開口を閉じさせるので、素子を封
入する必要がなくチップとして切り出してそのまま実装
することが出来る。
ため、エミッタの先端径を充分に小さくできる。また、
真空中で蒸着しながら開口を閉じさせるので、素子を封
入する必要がなくチップとして切り出してそのまま実装
することが出来る。
又、エミッタの先端から直接絶縁膜を見込まないので、
チャージアップの問題がなく、動作が不安定とならない
。
チャージアップの問題がなく、動作が不安定とならない
。
次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図に本発明の微小真空三極管の断面を示している。
即ち、本発明では、エミッタ先端からグリッド、コレク
タを絶縁する絶縁膜を見込むことはできず、動作時にチ
ャージアップを起こさず、安定な動作をすることが出来
る。又、エミッタ電極部が真空封止される。
タを絶縁する絶縁膜を見込むことはできず、動作時にチ
ャージアップを起こさず、安定な動作をすることが出来
る。又、エミッタ電極部が真空封止される。
第２図（ａ＞に示すように、基板２１上に第１の金属膜
（例えば、金（Ａｕ））２２を形成し、ついで、金属膜
２２の上に第１の絶縁膜（例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２
））２３を形成した後、第１のレジスト（例えばシブレ
イ−社製ＡＺ−１３５０）２４を第１の絶縁膜２３上に
塗布形成する。ついで、第２図（ｂ）に示すように、第
１のレジスト２４をパターニングして、所望の寸法に第
１のレジストのマスク２５を形成した後、レジスト２５
をマスクに露呈した前記第１の絶縁膜２３を途中までエ
ツチングした後１、残余のレジスト２５を除去する。つ
いで、第２図（ｃ）に示すように、露呈した絶縁膜２３
を覆うように第２のレジスト（例えば、東洋曹達社製Ｃ
ＭＳ）２６を塗布形成した後、第２図（ｄ）に示すよう
に前記第１のレジストマスク２５下の絶縁膜上に絶縁膜
の幅より小さく該第２のレジスト２６が残るように、該
第２のレジスト２６をパターニングし、ついで、残余の
第２のレジストをマスク２７として、露呈された前記第
１の絶縁Ｍ２３を前記第１の金属膜２２が露呈しないよ
うにエツチングし、ついで、第２図（ｅ）に示すように
第２の金属膜（例えば金（Ａｕ）＞２８を蒸着する。次
に、第２図（ｆ）に示すように有機洗浄あるいは酸素（
Ｏ２）プラズマによって、前記第２のレジストマスク２
７と第２のレジストマスク２７上の不要の蒸着金属２８
を除去した後、前記金属膜２８上に第１の金メッキ層２
つを形成してグリッド４０を形成する。この時、一部露
呈していた第１の絶縁膜２３が金メッキ層２つで覆われ
ないようにする。ついで、第２図（ｇ）に示すように、
前記第１の金メッキ層２９と一部露呈している第１の絶
縁Ｍ２３を覆うように第２の絶縁膜（例えば、二酸化珪
素（ＳｉＯｚ））３０を形成した後、この第２の絶縁膜
３０上に第２のレジスト（例えば東洋曹達社製ＣＭＳ）
３１を塗布形成する。ついで、第２図（ｈ）に示すよう
に前記第１の金メッキ層２つに覆われていない第１の絶
縁膜２３の真上に前記第２のレジスト３１を残すように
パターニングした後、残余の第２のレジスト３１をマス
ク３２として第２の絶縁膜３０を第１の金メッキ層２つ
が露呈しないように一部エッチングし、ついで、第３の
金属膜３３を蒸着した後、第２図（ｉ）に示すように残
余の第２のレジストマスク３２と第２のレジストマスク
３２上の不要の金属膜３３を、有機洗浄あるいは酸素（
Ｏ２）プラズマによって除去した後、第２の金メッキ層
３４を形成する。この時、一部露呈している第２の絶縁
ＪＩＩ３０が金メッキ層３４によって完全におおわれな
いようにする、ついで、第２図（ｊ）に示すように、第
２の金メッキ層３４の開口３５を通して露呈している第
２の絶縁膜３０をエツチングする。この時、第１の絶縁
膜２３が後程形成するエミッタ３７から見込めないよう
に充分にサイドエッチを入れる。第１の金メッキ層２つ
に挟まれている第１の絶縁膜２３を露呈させ、ついで、
第１の絶縁Ｍ２３をエツチングして、第１の金属膜２２
を露呈させる。ついで、第２図（ｋ＞に示すように、第
４の金属膜（例えばタングステン（Ｗ））３６を蒸着し
て、エミッタ３７を形成すると共に第２の金メッキ層３
４を存在する開口３５を閉じさせてコレクタ３８を形成
する。
（例えば、金（Ａｕ））２２を形成し、ついで、金属膜
２２の上に第１の絶縁膜（例えば二酸化珪素（ＳｉＯ２
））２３を形成した後、第１のレジスト（例えばシブレ
イ−社製ＡＺ−１３５０）２４を第１の絶縁膜２３上に
塗布形成する。ついで、第２図（ｂ）に示すように、第
１のレジスト２４をパターニングして、所望の寸法に第
１のレジストのマスク２５を形成した後、レジスト２５
をマスクに露呈した前記第１の絶縁膜２３を途中までエ
ツチングした後１、残余のレジスト２５を除去する。つ
いで、第２図（ｃ）に示すように、露呈した絶縁膜２３
を覆うように第２のレジスト（例えば、東洋曹達社製Ｃ
ＭＳ）２６を塗布形成した後、第２図（ｄ）に示すよう
に前記第１のレジストマスク２５下の絶縁膜上に絶縁膜
の幅より小さく該第２のレジスト２６が残るように、該
第２のレジスト２６をパターニングし、ついで、残余の
第２のレジストをマスク２７として、露呈された前記第
１の絶縁Ｍ２３を前記第１の金属膜２２が露呈しないよ
うにエツチングし、ついで、第２図（ｅ）に示すように
第２の金属膜（例えば金（Ａｕ）＞２８を蒸着する。次
に、第２図（ｆ）に示すように有機洗浄あるいは酸素（
Ｏ２）プラズマによって、前記第２のレジストマスク２
７と第２のレジストマスク２７上の不要の蒸着金属２８
を除去した後、前記金属膜２８上に第１の金メッキ層２
つを形成してグリッド４０を形成する。この時、一部露
呈していた第１の絶縁膜２３が金メッキ層２つで覆われ
ないようにする。ついで、第２図（ｇ）に示すように、
前記第１の金メッキ層２９と一部露呈している第１の絶
縁Ｍ２３を覆うように第２の絶縁膜（例えば、二酸化珪
素（ＳｉＯｚ））３０を形成した後、この第２の絶縁膜
３０上に第２のレジスト（例えば東洋曹達社製ＣＭＳ）
３１を塗布形成する。ついで、第２図（ｈ）に示すよう
に前記第１の金メッキ層２つに覆われていない第１の絶
縁膜２３の真上に前記第２のレジスト３１を残すように
パターニングした後、残余の第２のレジスト３１をマス
ク３２として第２の絶縁膜３０を第１の金メッキ層２つ
が露呈しないように一部エッチングし、ついで、第３の
金属膜３３を蒸着した後、第２図（ｉ）に示すように残
余の第２のレジストマスク３２と第２のレジストマスク
３２上の不要の金属膜３３を、有機洗浄あるいは酸素（
Ｏ２）プラズマによって除去した後、第２の金メッキ層
３４を形成する。この時、一部露呈している第２の絶縁
ＪＩＩ３０が金メッキ層３４によって完全におおわれな
いようにする、ついで、第２図（ｊ）に示すように、第
２の金メッキ層３４の開口３５を通して露呈している第
２の絶縁膜３０をエツチングする。この時、第１の絶縁
膜２３が後程形成するエミッタ３７から見込めないよう
に充分にサイドエッチを入れる。第１の金メッキ層２つ
に挟まれている第１の絶縁膜２３を露呈させ、ついで、
第１の絶縁Ｍ２３をエツチングして、第１の金属膜２２
を露呈させる。ついで、第２図（ｋ＞に示すように、第
４の金属膜（例えばタングステン（Ｗ））３６を蒸着し
て、エミッタ３７を形成すると共に第２の金メッキ層３
４を存在する開口３５を閉じさせてコレクタ３８を形成
する。
以上の工程により、第１図に示したような微小真空三極
管が形成される。以上の実施例において、使用された金
属、レジスト、絶縁膜は、これらに限定されるものでは
なく、プロセス上不都合を生じないものであれば使用で
きる。
管が形成される。以上の実施例において、使用された金
属、レジスト、絶縁膜は、これらに限定されるものでは
なく、プロセス上不都合を生じないものであれば使用で
きる。
本発明によれば、エミッタ先端が周囲の絶縁膜を見込む
ことが無いので、チャージアップが生ぜず、動作が不安
定になることが無い、また、素子自身をガラス等により
真空封止する必要が無いため、極めて微小な真空三極管
を形成することが出来る。又、エミッタ自体の先端半径
が１０ｎｍ以下と極めて小さくできるので先端への電界
集中が大きく電子銃として使用されるエミッタなどと比
べて、低電圧で電流を放出させることが出来る。
ことが無いので、チャージアップが生ぜず、動作が不安
定になることが無い、また、素子自身をガラス等により
真空封止する必要が無いため、極めて微小な真空三極管
を形成することが出来る。又、エミッタ自体の先端半径
が１０ｎｍ以下と極めて小さくできるので先端への電界
集中が大きく電子銃として使用されるエミッタなどと比
べて、低電圧で電流を放出させることが出来る。
更に、エミッタ形成時にはレジストフリーの状態である
ため、レジストからのアウトガスの影響がなく、蒸着装
置の真空度で、素子の真空封止が可能である。
ため、レジストからのアウトガスの影響がなく、蒸着装
置の真空度で、素子の真空封止が可能である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例の微小真空三極管の断面図
、第２図（ａ）〜（ｋ）は、本発明の製造工程を示す断
面図、第３図（ａ）〜（ｅ）は、従来の製造工程例を示
す断面図である。 ２１・・・基板、２２・・・第１の金属膜、２３・・・
第１の絶縁膜、２４・・・第１のレジスト、２５・・・
第１のレジストマスク、２６・・・第２のレジスト、２
７・・・第２のレジストマスク、２８・・・第２の金属
膜、２９・・・第１の金メッキ層、３０・・・第２の絶
縁膜、３１・・・第２のレジスト、３２・・・第２のレ
ジストマスク、３３・・・第３の金属膜、３４・・・第
２の金メ・ツキ層、３５・・・開口、３６・・・第４の
金属膜、３７・・・エミッタ、３８・・・コレクタ、４
０・・・グリ・ンド、４１・・・窒化珪素（ＳｉＮ）
４２・・・珪素（Ｓｉ）基板、４３・・・酸化珪素（
Ｓｉｎ）膜、４４・・・タンタリウム（Ｔａ）膜。
、第２図（ａ）〜（ｋ）は、本発明の製造工程を示す断
面図、第３図（ａ）〜（ｅ）は、従来の製造工程例を示
す断面図である。 ２１・・・基板、２２・・・第１の金属膜、２３・・・
第１の絶縁膜、２４・・・第１のレジスト、２５・・・
第１のレジストマスク、２６・・・第２のレジスト、２
７・・・第２のレジストマスク、２８・・・第２の金属
膜、２９・・・第１の金メッキ層、３０・・・第２の絶
縁膜、３１・・・第２のレジスト、３２・・・第２のレ
ジストマスク、３３・・・第３の金属膜、３４・・・第
２の金メ・ツキ層、３５・・・開口、３６・・・第４の
金属膜、３７・・・エミッタ、３８・・・コレクタ、４
０・・・グリ・ンド、４１・・・窒化珪素（ＳｉＮ）
４２・・・珪素（Ｓｉ）基板、４３・・・酸化珪素（
Ｓｉｎ）膜、４４・・・タンタリウム（Ｔａ）膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、エミッタとグリッド、グリッドとコレクタを絶縁す
る絶縁膜がエミッタ先端から直接見込めないように形成
されていることを特徴とする微小真空三極管。 ２、基板上に第１の金属膜を形成し、ついで第１の絶縁
膜を形成した後、第１のレジストを第１、の絶縁膜上に
塗布形成し、ついで該第１のレジストをパターニングし
て所望の寸法に該第１のレジストのマスクを形成した後
、該レジストをマスクに露呈した前記第１の絶縁膜を途
中までエッチングした後、残余のレジストを除去する工
程と、ついで露呈した絶縁膜を覆うように第２のレジス
トを塗布形成した後、前記第１のレジストマスク下の絶
縁膜上に絶縁膜の幅より小さく該第２のレジストが残る
ように、該第２のレジストをパターニングする工程と、
ついで残余の第２のレジストをマスクとして、露呈され
た前記第１の絶縁膜を前記第１の金属膜が露呈しないよ
うにエッチングし、ついで第２の金属膜を蒸着した後、
有機洗浄あるいは酸素（Ｏ＿２）プラズマによって前記
第２のレジストと第２のレジスト上の不要の蒸着金属を
除去した後、前記金属膜上に第１の金メッキ層を形成し
てグリッドを形成する工程と、ついで前記第１の金メッ
キ層と一部露呈している第１の絶縁膜を覆うように第２
の絶縁膜を形成した後、該第２の絶縁膜上に第２のレジ
ストを塗布形成し、ついで前記第１の金メッキ層に覆わ
れていない第１の絶縁膜の真上に前記第２のレジストを
残すようにパターニングした後、残余の第２のレジスト
をマスクとして第２の絶縁膜を第１の金メッキ層が露呈
しないように一部エッチングし、ついで第３の金属膜を
蒸着した後、残余の第２のレジストと第２のレジスト上
の不要の金属膜を有機洗浄あるいは酸素（Ｏ＿２）プラ
ズマによって除去した後、第２の金メッキ層を形成する
工程と、ついで第２の金メッキ層の開口を通して露呈し
ている第２の絶縁膜をエッチングしたのち、第１の絶縁
膜を露呈させ、ついで第１の絶縁膜をエッチングして第
１の金属膜を露呈させた後、第４の金属膜を蒸着してエ
ミッタを形成すると共に第２の金メッキ層に存在する開
口を閉じさせてコレクタを形成する工程とを含むことを
特徴とする微小真空三極管の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33352689A JPH0711937B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 微小真空三極管とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33352689A JPH0711937B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 微小真空三極管とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194829A true JPH03194829A (ja) | 1991-08-26 |
| JPH0711937B2 JPH0711937B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=18267028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33352689A Expired - Lifetime JPH0711937B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 微小真空三極管とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0711937B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594761A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Sharp Corp | 電界放出型真空管及びその製造方法 |
| JPH0684454A (ja) * | 1992-02-14 | 1994-03-25 | Micron Technol Inc | 化学・機械研磨法を用いた冷陰極エミッタ先端部の周囲にセルフアライン型のゲート構造体を形成する方法 |
| JPH06275189A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-30 | Micron Technol Inc | セルフアラインゲート構造および集束リングの形成法 |
| US5653619A (en) * | 1992-03-02 | 1997-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method to form self-aligned gate structures and focus rings |
| US5696028A (en) * | 1992-02-14 | 1997-12-09 | Micron Technology, Inc. | Method to form an insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage |
| US6022256A (en) * | 1996-11-06 | 2000-02-08 | Micron Display Technology, Inc. | Field emission display and method of making same |
-
1989
- 1989-12-22 JP JP33352689A patent/JPH0711937B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0594761A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Sharp Corp | 電界放出型真空管及びその製造方法 |
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| US5696028A (en) * | 1992-02-14 | 1997-12-09 | Micron Technology, Inc. | Method to form an insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage |
| US5831378A (en) * | 1992-02-14 | 1998-11-03 | Micron Technology, Inc. | Insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage |
| US6066507A (en) * | 1992-02-14 | 2000-05-23 | Micron Technology, Inc. | Method to form an insulative barrier useful in field emission displays for reducing surface leakage |
| US5653619A (en) * | 1992-03-02 | 1997-08-05 | Micron Technology, Inc. | Method to form self-aligned gate structures and focus rings |
| JPH06275189A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-30 | Micron Technol Inc | セルフアラインゲート構造および集束リングの形成法 |
| US6022256A (en) * | 1996-11-06 | 2000-02-08 | Micron Display Technology, Inc. | Field emission display and method of making same |
| US6181060B1 (en) | 1996-11-06 | 2001-01-30 | Micron Technology, Inc. | Field emission display with plural dielectric layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0711937B2 (ja) | 1995-02-08 |
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