JPH03194948A - 静電チャック - Google Patents
静電チャックInfo
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- JPH03194948A JPH03194948A JP1333592A JP33359289A JPH03194948A JP H03194948 A JPH03194948 A JP H03194948A JP 1333592 A JP1333592 A JP 1333592A JP 33359289 A JP33359289 A JP 33359289A JP H03194948 A JPH03194948 A JP H03194948A
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- electrostatic chuck
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハ等の被支持体をクーロン力により吸着
する静電チャックに関する。
する静電チャックに関する。
（従来の技術）
静電チャックの吸着原理は、絶縁層を介して対向配置さ
れるウェハ等の吸着物と電極との間に電圧を印加して、
吸着物と電極に正、負の電荷を生じさせ、この間に働く
クーロン力によって吸着物を吸引保持するものである。
れるウェハ等の吸着物と電極との間に電圧を印加して、
吸着物と電極に正、負の電荷を生じさせ、この間に働く
クーロン力によって吸着物を吸引保持するものである。
この種の静電チャックとして、第３図、第４図に示すも
のが提供されている。
のが提供されている。
第３図に示すものは、アルミ製のサセプタ本体１０とウ
ェハ１２との間に静電吸着シート１４を配設したもので
、この静電吸着シート１４と一体的に給電用シート１６
を設けている。そして、前記サセプタ本体１０の表面が
円形である場合には、前記静電吸着シート１４もこれと
合せて円形に形成され、給電用シート１６は帯状に形成
され、前記サセプタ本体１０の側面を辿って裏面側に引
出されている。前記静電吸着シート１４および給電用シ
ート１６は、共に絶縁層としての２枚のポリイミドシー
ト１８．１８の間に銅等の導電性シート２４を介在配置
したものであり、各シート１４゜１６は柔軟性を有して
いる。
ェハ１２との間に静電吸着シート１４を配設したもので
、この静電吸着シート１４と一体的に給電用シート１６
を設けている。そして、前記サセプタ本体１０の表面が
円形である場合には、前記静電吸着シート１４もこれと
合せて円形に形成され、給電用シート１６は帯状に形成
され、前記サセプタ本体１０の側面を辿って裏面側に引
出されている。前記静電吸着シート１４および給電用シ
ート１６は、共に絶縁層としての２枚のポリイミドシー
ト１８．１８の間に銅等の導電性シート２４を介在配置
したものであり、各シート１４゜１６は柔軟性を有して
いる。
一方、第４図に示す静電チャックは、アルミ製のサセプ
タ本体１０上にセラミック２２を配設し、このセラミッ
ク２２の内部に、ウェハ１２と平行に導電性シート２０
を配設したもので、この内部の導電性シート２０に対す
る給電としての給電用ビン２４が、セラミック２２の裏
面側に突出するように設けられている。
タ本体１０上にセラミック２２を配設し、このセラミッ
ク２２の内部に、ウェハ１２と平行に導電性シート２０
を配設したもので、この内部の導電性シート２０に対す
る給電としての給電用ビン２４が、セラミック２２の裏
面側に突出するように設けられている。
尚、サセプタ本体１０の裏面側での給電は、真空中では
放電が発生するため、大気中で行うように構成されてい
る。
放電が発生するため、大気中で行うように構成されてい
る。
（発明が解決しようとする課題）
近年では、上記のような静電チャックを、低温化あるい
は高温化で使用する要求がある。例えば、プラズマエツ
チング装置に用いられる静電チャックを、−１５０℃程
度まで冷却すると、異方性の高いエツチングが行われる
ことが確認されている。一方、プラズマＣＶＤ装置では
、サセプタ温度を５００℃〜６００℃の高温化に設定し
て用いる必要がある。
は高温化で使用する要求がある。例えば、プラズマエツ
チング装置に用いられる静電チャックを、−１５０℃程
度まで冷却すると、異方性の高いエツチングが行われる
ことが確認されている。一方、プラズマＣＶＤ装置では
、サセプタ温度を５００℃〜６００℃の高温化に設定し
て用いる必要がある。
ここで、第３図に示す静電チャックに用いられるポリイ
ミドシート１８は、耐寒性は一１５０℃前後まで有する
が、耐熱性は３００℃程度までしか保障し得ず、このよ
うなポリイミドシート１８を有する静電チャックを上記
のプラズマＣＶＤ装置には使用することはできない。
ミドシート１８は、耐寒性は一１５０℃前後まで有する
が、耐熱性は３００℃程度までしか保障し得ず、このよ
うなポリイミドシート１８を有する静電チャックを上記
のプラズマＣＶＤ装置には使用することはできない。
一方、第４図に示す静電チャックのように、絶縁層とし
てセラミック２２を用いた場合には、上記使用温度での
耐寒、耐熱性を有する点で、ポリイミドシート１８より
も優れている。
てセラミック２２を用いた場合には、上記使用温度での
耐寒、耐熱性を有する点で、ポリイミドシート１８より
も優れている。
しかしながら、第３図、第４図に示す静電チャックの共
通の問題として、下記の点が指摘できる。
通の問題として、下記の点が指摘できる。
第３図、第４図に示す静電チャフ、りでは、積層される
部材間の熱膨張率が異なり、すなわち、導電層と絶縁層
、あるいは絶縁層とサセプタ本体との熱膨張率が著しく
異なっているため、たとえ各部材が耐寒、耐熱性を有し
たとしても、この静電チャックを低温化あるいは高温化
に設定すると、両者間の熱膨張率の相違によりその間に
介在する接着剤が剥れたり、あるいは絶縁層に割れが生
ずる等の問題が生じていた。
部材間の熱膨張率が異なり、すなわち、導電層と絶縁層
、あるいは絶縁層とサセプタ本体との熱膨張率が著しく
異なっているため、たとえ各部材が耐寒、耐熱性を有し
たとしても、この静電チャックを低温化あるいは高温化
に設定すると、両者間の熱膨張率の相違によりその間に
介在する接着剤が剥れたり、あるいは絶縁層に割れが生
ずる等の問題が生じていた。
そこで、本発明の目的とするところは、低温から高温域
にわたるいずれの温度条件下でも使用できる静電チャッ
クを提供することにある。
にわたるいずれの温度条件下でも使用できる静電チャッ
クを提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
第１の発明は、クーロン力により被支持体を支持する静
電チャックにおいて、 上記サセプタ本体表面にコーティングされ、上記サセプ
タ本体とほぼ等しい熱膨張率の絶縁層を具備することを
特徴とする。
電チャックにおいて、 上記サセプタ本体表面にコーティングされ、上記サセプ
タ本体とほぼ等しい熱膨張率の絶縁層を具備することを
特徴とする。
第２の発明は、サセプタ本体と、
このサセプタ本体表面にコーティングされ、上記サセプ
タ本体とほぼ等しい熱膨張率の第１の絶縁層と、 この第１の絶縁層上にコーティングされ、上記第１の絶
縁層とほぼ等しい熱膨張率の導電層と、この導電層上に
コーティングされ、上記導電層とほぼ等しい熱膨張率の
第２の絶縁層と、を有し、上記第２の絶縁層上に配設さ
れる被支持体と上記導電層との間に電圧を印加すること
により、上記被支持体をクーロン力により保持するもの
である。
タ本体とほぼ等しい熱膨張率の第１の絶縁層と、 この第１の絶縁層上にコーティングされ、上記第１の絶
縁層とほぼ等しい熱膨張率の導電層と、この導電層上に
コーティングされ、上記導電層とほぼ等しい熱膨張率の
第２の絶縁層と、を有し、上記第２の絶縁層上に配設さ
れる被支持体と上記導電層との間に電圧を印加すること
により、上記被支持体をクーロン力により保持するもの
である。
（作 用）
第１の発明によれば、サセプタ本体表面にコーティング
される絶縁層は、このサセプタ本体とほぼ等しい熱膨張
率を有しているので、この静電チャックの設定温度を低
温から高温にわたるいずれの温度条件に設定しても、絶
縁層自体が破損したり、あるいは絶縁層とサセプタ本体
との間の接合に支障が生ずることもない。そして、サセ
プタ本体と被支持体との間に電圧を印加することで、従
来と同様にクーロン力によって被支持体をチャックする
ことができる。なお、この静電チャックを平行平板を構
成する一方の電極として利用することも可能である。
される絶縁層は、このサセプタ本体とほぼ等しい熱膨張
率を有しているので、この静電チャックの設定温度を低
温から高温にわたるいずれの温度条件に設定しても、絶
縁層自体が破損したり、あるいは絶縁層とサセプタ本体
との間の接合に支障が生ずることもない。そして、サセ
プタ本体と被支持体との間に電圧を印加することで、従
来と同様にクーロン力によって被支持体をチャックする
ことができる。なお、この静電チャックを平行平板を構
成する一方の電極として利用することも可能である。
第２の発明によれば、サセプタ本体上に第１の絶縁層、
導電層、第２の絶縁層がそれぞれ順にコーティングされ
ることになるが、積層される各部材間の熱膨張率がほぼ
等しく設定されているので、この静電チャックを低温か
ら高温にわたるいずれの温度条件下に設定したとしても
、その接合面に支障が生ずることもない。
導電層、第２の絶縁層がそれぞれ順にコーティングされ
ることになるが、積層される各部材間の熱膨張率がほぼ
等しく設定されているので、この静電チャックを低温か
ら高温にわたるいずれの温度条件下に設定したとしても
、その接合面に支障が生ずることもない。
（実施例）
以下、本発明をプラズマエツチング装置の半導体ウェハ
載置台に使用される静電チャックに適用した一実施例に
ついて、図面を参照して具体的に説明する。
載置台に使用される静電チャックに適用した一実施例に
ついて、図面を参照して具体的に説明する。
第１実施例
第１図において、静電チャックは、サセプタ本体３０と
、その表面側にコーティングされる絶縁層３２とから構
成され、前記絶縁層３２上に被支持体であるウェハ１２
をクーロン力によってチャック可能としている。
、その表面側にコーティングされる絶縁層３２とから構
成され、前記絶縁層３２上に被支持体であるウェハ１２
をクーロン力によってチャック可能としている。
前記絶縁層３２は、窒化アルミニウム（Ａ ／ Ｎ）に
て構成され、この窒化アルミニウムは一り００℃〜１０
００℃程度での温度下にて使用に耐え得る耐寒耐熱性を
有している。
て構成され、この窒化アルミニウムは一り００℃〜１０
００℃程度での温度下にて使用に耐え得る耐寒耐熱性を
有している。
一方、前記サセプタ本体３０は導電体例えばカーボンに
て構成されている。カーボンは、導電性を有すると共に
、その組成により前記絶縁層３２を構成する窒化アルミ
ニウムの熱膨張率とほぼ等しいものを選択することが可
能である。なお、図示してはいないが、前記サセプタ本
体３０にて冷却、加熱等の温度調整制御機構が内蔵され
、この際ウェハ１２との間の熱交換は絶縁層３２を介し
て行われるが、この絶縁層３２を窒化アルミニウムにて
構成することにより、所定の熱伝導度を確保することが
できる。
て構成されている。カーボンは、導電性を有すると共に
、その組成により前記絶縁層３２を構成する窒化アルミ
ニウムの熱膨張率とほぼ等しいものを選択することが可
能である。なお、図示してはいないが、前記サセプタ本
体３０にて冷却、加熱等の温度調整制御機構が内蔵され
、この際ウェハ１２との間の熱交換は絶縁層３２を介し
て行われるが、この絶縁層３２を窒化アルミニウムにて
構成することにより、所定の熱伝導度を確保することが
できる。
前記サセプタ本体３０表面への絶縁層３２の膜付けは、
本実施例では気相成長によるＣＶＤ処理によって実行し
ている。この際、絶縁層３２を構成する窒化アルミニウ
ムはＣＶＤによって膜付けできることが確認されており
、本実施例では例えば２００μｍの膜厚にて絶縁層３２
を前記サセプタ本体３０の全表面に膜付けしている。尚
、サセプタ本体３０の全表面に必ずしも膜付けする必要
はなく、少なくともウェハ１２の対向面に膜付けされれ
ば足りる。
本実施例では気相成長によるＣＶＤ処理によって実行し
ている。この際、絶縁層３２を構成する窒化アルミニウ
ムはＣＶＤによって膜付けできることが確認されており
、本実施例では例えば２００μｍの膜厚にて絶縁層３２
を前記サセプタ本体３０の全表面に膜付けしている。尚
、サセプタ本体３０の全表面に必ずしも膜付けする必要
はなく、少なくともウェハ１２の対向面に膜付けされれ
ば足りる。
サセプタ本体３０への給電は、このサセプタ本体３０の
裏面側の絶縁層３２を一部欠落させることで可能である
。この部分には、ＲＦ電源３４が接続されると共に、コ
イルＬおよび抵抗Ｃからなるフィルタ３８を介してＤＣ
電源３６が接続されている。
裏面側の絶縁層３２を一部欠落させることで可能である
。この部分には、ＲＦ電源３４が接続されると共に、コ
イルＬおよび抵抗Ｃからなるフィルタ３８を介してＤＣ
電源３６が接続されている。
次に、作用について説明する。
この静電チャックでの吸着は、ウエノ１１２を接地し、
サセプタ本体３０にＤＣ電源３６による高電圧を印加す
ることで、ウエノ１１２とサセプタ本体３０に正、負電
荷を生じさせ、この間に働くクーロン力によってウニＩ
＼１２を絶縁層３２上に吸着保持するものである。一方
、この静電チャックはプラズマエツチング装置の平行平
板電極の一方の電極を構成するため、同時にサセプタ本
体３０にＲＦ電源３４からのＲＦパワーを印加している
。
サセプタ本体３０にＤＣ電源３６による高電圧を印加す
ることで、ウエノ１１２とサセプタ本体３０に正、負電
荷を生じさせ、この間に働くクーロン力によってウニＩ
＼１２を絶縁層３２上に吸着保持するものである。一方
、この静電チャックはプラズマエツチング装置の平行平
板電極の一方の電極を構成するため、同時にサセプタ本
体３０にＲＦ電源３４からのＲＦパワーを印加している
。
この際、フィルタ３８を設けることにより、ＲＦ電流が
ＤＣ？［源３６側に流れ込むことを防止できる。上記の
ような作用により、この静電チャックをウェハ１２のチ
ャックとして、かつ、プラズマエツチングに必要な平行
平板の一方の電極として兼用することが可能となる。
ＤＣ？［源３６側に流れ込むことを防止できる。上記の
ような作用により、この静電チャックをウェハ１２のチ
ャックとして、かつ、プラズマエツチングに必要な平行
平板の一方の電極として兼用することが可能となる。
ここで、ウェハ１２のエツチングを行う際には、サセプ
タ本体３０を例えば−１５０℃程度まで冷却することに
より、異方性の高いエツチングを行うことができる。従
って、第１図には図示していないが、サセプタ本体３０
に例えば冷媒用ジャケットを設け、検証媒体を循環する
ことによりサセプタ本体３０．絶縁層３２を介してウェ
ハ１２の冷却を行っている。
タ本体３０を例えば−１５０℃程度まで冷却することに
より、異方性の高いエツチングを行うことができる。従
って、第１図には図示していないが、サセプタ本体３０
に例えば冷媒用ジャケットを設け、検証媒体を循環する
ことによりサセプタ本体３０．絶縁層３２を介してウェ
ハ１２の冷却を行っている。
このように、静電チャックは一１５０℃という低温化に
設定されることになるが、本実施例では前記絶縁層３２
として窒化アルミニウムを採用しているので、この窒化
アルミニウムは一２００℃程度までの耐寒性を有し、上
記の使用温度においても絶縁層３２が劣化することはな
い。しかも、窒化アルミニウムで構成された絶縁層３２
とほぼ等しい熱膨張率を有する組成のカーボン材により
サセプタ本体３０を構成しているので、両者間の熱膨張
率の相違によってその接合面に支障が生ずることをも確
実に防止できる。
設定されることになるが、本実施例では前記絶縁層３２
として窒化アルミニウムを採用しているので、この窒化
アルミニウムは一２００℃程度までの耐寒性を有し、上
記の使用温度においても絶縁層３２が劣化することはな
い。しかも、窒化アルミニウムで構成された絶縁層３２
とほぼ等しい熱膨張率を有する組成のカーボン材により
サセプタ本体３０を構成しているので、両者間の熱膨張
率の相違によってその接合面に支障が生ずることをも確
実に防止できる。
ところで、ウェハ１２を効率良く冷却するためには、こ
のウェハ１２．サセプタ本体３０との間に高電圧を印加
することにより生ずるクーロン力だけでは良好な熱伝導
を行うことは不可能であり、実際には前記ウェハ１２と
サセプタ本体３０との間にガス例えばＨｅを導入し、上
記クーロン力により密閉された領域でのガスによる熱伝
導により、効率のよい冷却を行う必要がある。この際、
ウェハ１２と絶縁層３２との間のギャップを１０μｍ程
度に維持する必要があるが、本実施例ではサセプタ本体
３０にＣＶＤ処理によって絶縁層３２をコーティングし
ているため、絶縁層３２の面上の平面度をかなり良好と
することができ、上記ギャップを１０μｍ以下に押える
ことで効率の良い冷却が可能である。
のウェハ１２．サセプタ本体３０との間に高電圧を印加
することにより生ずるクーロン力だけでは良好な熱伝導
を行うことは不可能であり、実際には前記ウェハ１２と
サセプタ本体３０との間にガス例えばＨｅを導入し、上
記クーロン力により密閉された領域でのガスによる熱伝
導により、効率のよい冷却を行う必要がある。この際、
ウェハ１２と絶縁層３２との間のギャップを１０μｍ程
度に維持する必要があるが、本実施例ではサセプタ本体
３０にＣＶＤ処理によって絶縁層３２をコーティングし
ているため、絶縁層３２の面上の平面度をかなり良好と
することができ、上記ギャップを１０μｍ以下に押える
ことで効率の良い冷却が可能である。
このように、本実施例では一１５０℃という低温下にお
いても使用可能な静電チャックを提供できるが、この静
電チャックの構成が、サセプタ本体３０の表面にＣＶＤ
によって窒化アルミニウムの絶縁層３２をコーティング
することによって実現できるので、従来のような第３図
、第４図に示す静電チャックと比べてその製造コストを
大幅に低減するとか可能となる。
いても使用可能な静電チャックを提供できるが、この静
電チャックの構成が、サセプタ本体３０の表面にＣＶＤ
によって窒化アルミニウムの絶縁層３２をコーティング
することによって実現できるので、従来のような第３図
、第４図に示す静電チャックと比べてその製造コストを
大幅に低減するとか可能となる。
また、この静電チャックは、絶縁層３２が窒化アルミニ
ウムで構成されているため、 １０００℃付近の高温に
も耐久性があり、かつ、絶縁層３２とサセプタ本体３０
との熱膨張率がほぼ等しく設定されているので、この静
電チャックを例えばプラズマＣＶＤ装置用のチャックと
して使用し、６００℃程度にウェハ１２を加熱しても、
絶縁層３２の破壊および絶縁層３２とサセプタ本体３０
との間の接合に支障が生ずることがない。
ウムで構成されているため、 １０００℃付近の高温に
も耐久性があり、かつ、絶縁層３２とサセプタ本体３０
との熱膨張率がほぼ等しく設定されているので、この静
電チャックを例えばプラズマＣＶＤ装置用のチャックと
して使用し、６００℃程度にウェハ１２を加熱しても、
絶縁層３２の破壊および絶縁層３２とサセプタ本体３０
との間の接合に支障が生ずることがない。
第２実施例
この第２実施例は、第２図に示すように、サセプタ本体
４０の表面に第１の絶縁層４２をコーティングし、さら
にこの第２の絶縁層４２の表面に導電層４４をコーティ
ングし、この導電層４４の表面に第２の絶縁層４６をコ
ーティングして構成される。尚、上記各コーティングは
例えばＣＶＤ処理によって行われ、第１．第２の絶縁層
４２゜４６および導電層４４は、ウェハ１２を支持する
面よりサセプタ本体４０の側面を辿ってその裏面側まで
引き出されるようにコーティングされている。
４０の表面に第１の絶縁層４２をコーティングし、さら
にこの第２の絶縁層４２の表面に導電層４４をコーティ
ングし、この導電層４４の表面に第２の絶縁層４６をコ
ーティングして構成される。尚、上記各コーティングは
例えばＣＶＤ処理によって行われ、第１．第２の絶縁層
４２゜４６および導電層４４は、ウェハ１２を支持する
面よりサセプタ本体４０の側面を辿ってその裏面側まで
引き出されるようにコーティングされている。
ここで、サセプタ本体４０および導電層４４は、第１実
施例におけるサセプタ本体３０と同一のカーボン材で形
成され、一方、第１．第２の絶縁層４２．４６は、第１
実施例における絶縁層３２と同様な窒化アルミニウム（
Ａ Ｉ Ｎ）で構成されている。
施例におけるサセプタ本体３０と同一のカーボン材で形
成され、一方、第１．第２の絶縁層４２．４６は、第１
実施例における絶縁層３２と同様な窒化アルミニウム（
Ａ Ｉ Ｎ）で構成されている。
このような装置においては、ウェハ１２を接地し、大気
中にさらされているサセプタ本体４０の裏面側にて前記
導電層４４に高電圧を印加することにより、第２の絶縁
層４６上にてウェハ１２をクーロン力により吸着保持可
能である。さらに、サセプタ本体４０にＲＦ雷電圧印加
することで、プラズマエツチング装置の平行平板電極を
構成する一方の電極として使用可能である。
中にさらされているサセプタ本体４０の裏面側にて前記
導電層４４に高電圧を印加することにより、第２の絶縁
層４６上にてウェハ１２をクーロン力により吸着保持可
能である。さらに、サセプタ本体４０にＲＦ雷電圧印加
することで、プラズマエツチング装置の平行平板電極を
構成する一方の電極として使用可能である。
このような静電チャックによれば、第１．第２の絶縁層
４２．４６が耐寒耐熱性を有するので、この静電チャッ
クを低温から高温にわたるいずれの温度条件下で使用し
たとしても、絶縁層が劣化することはない。しかも、積
層される各部材は共に熱膨張率がほぼ等しく設定されて
いるので、低温、高温条件で使用したとしても、各部材
の接合面に支障が生ずることはない。
４２．４６が耐寒耐熱性を有するので、この静電チャッ
クを低温から高温にわたるいずれの温度条件下で使用し
たとしても、絶縁層が劣化することはない。しかも、積
層される各部材は共に熱膨張率がほぼ等しく設定されて
いるので、低温、高温条件で使用したとしても、各部材
の接合面に支障が生ずることはない。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
例えば、上記実施例での各部材の材質については一例に
すぎず、絶縁層３２．第１．第２の絶縁層４２．４６に
ついては、耐寒耐熱性を有することが条件とされ、好ま
しくは熱伝導度の良いものを採択すべきである。一方、
サセプタ本体３０゜サセプタ本体４０あるいは導電層４
４としては、上記絶縁層とほぼ熱膨張率が等しいことが
条件であり、その材質については各種のものを採用し得
る。
すぎず、絶縁層３２．第１．第２の絶縁層４２．４６に
ついては、耐寒耐熱性を有することが条件とされ、好ま
しくは熱伝導度の良いものを採択すべきである。一方、
サセプタ本体３０゜サセプタ本体４０あるいは導電層４
４としては、上記絶縁層とほぼ熱膨張率が等しいことが
条件であり、その材質については各種のものを採用し得
る。
また、絶縁層等の接合については、上記実施例のような
ＣＶＤによるものに限らず、例えば接着剤を用いた接合
であってもよく、接合される両部材の熱膨張率がほぼ等
しければ、各種の温度条件によっても接合面に亀裂等が
生ずることがない。
ＣＶＤによるものに限らず、例えば接着剤を用いた接合
であってもよく、接合される両部材の熱膨張率がほぼ等
しければ、各種の温度条件によっても接合面に亀裂等が
生ずることがない。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、低温から高温にわ
たるいずれの条件で使用しても、絶縁層が劣化せず、し
かもこの絶縁層の接合面に亀裂が等の生ずることがない
静電チャックを提供することができる。
たるいずれの条件で使用しても、絶縁層が劣化せず、し
かもこの絶縁層の接合面に亀裂が等の生ずることがない
静電チャックを提供することができる。
第１図は、第１の発明を適用した静電チャックの概略断
面図、 第２図は、第２の発明を適用した静電チャックの概略断
面図、 第３図および第４図は、それぞれ従来の静電チャックを
説明するための概略断面図である。 １２・・・被処理体、 ３０．４０・・・サセプタ本体、 ３２・・・絶縁層、 ４２・・・第１の絶縁層、 ４４・・・導電層、 ４６・・・第２の絶縁層。
面図、 第２図は、第２の発明を適用した静電チャックの概略断
面図、 第３図および第４図は、それぞれ従来の静電チャックを
説明するための概略断面図である。 １２・・・被処理体、 ３０．４０・・・サセプタ本体、 ３２・・・絶縁層、 ４２・・・第１の絶縁層、 ４４・・・導電層、 ４６・・・第２の絶縁層。
Claims (2)
- （１）クーロン力により被支持体をサセプタ本体に支持
する静電チャックにおいて、 上記サセプタ本体表面にコーティングされ、上記サセプ
タ本体とほぼ等しい熱膨張率を有する絶縁層を具備した
ことを特徴とする静電チャック。 - （２）サセプタ本体と、 このサセプタ本体表面にコーティングされ、上記サセプ
タ本体とほぼ等しい熱膨張率の第１の絶縁層と、 この第１の絶縁層上にコーティングされ、上記第１の絶
縁層とほぼ等しい熱膨張率の導電層と、この導電層上に
コーティングされ、上記導電層とほぼ等しい熱膨張率の
第２の絶縁層と、 を有し、上記第２の絶縁層上に配設される被支持体と上
記導電層との間に電圧を印加することにより、上記被支
持体をクーロン力により保持することを特徴とする静電
チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333592A JP2638649B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1333592A JP2638649B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 静電チャック |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03194948A true JPH03194948A (ja) | 1991-08-26 |
| JP2638649B2 JP2638649B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=18267764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1333592A Expired - Lifetime JP2638649B2 (ja) | 1989-12-22 | 1989-12-22 | 静電チャック |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2638649B2 (ja) |
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| JP2638649B2 (ja) | 1997-08-06 |
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