JPH03195038A - 半導体集積回路の評価装置 - Google Patents
半導体集積回路の評価装置Info
- Publication number
- JPH03195038A JPH03195038A JP1332838A JP33283889A JPH03195038A JP H03195038 A JPH03195038 A JP H03195038A JP 1332838 A JP1332838 A JP 1332838A JP 33283889 A JP33283889 A JP 33283889A JP H03195038 A JPH03195038 A JP H03195038A
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- Japan
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- liquid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の評価装置に係り、特に、評
価しようとする半導体集積回路の温度を所定温度に精密
に一致させることを図った評価装置に関する。
価しようとする半導体集積回路の温度を所定温度に精密
に一致させることを図った評価装置に関する。
従来の評価装置は第１図に示すような構成になっていた
。１は恒温槽、２は電源系、３は測定系、４は試験する
半導体集積回路（以下、試料と略記する）、５は試料を
いれる試料室である。５の中は、空気、不活性ガス、水
蒸気等の気体が充填されている。
。１は恒温槽、２は電源系、３は測定系、４は試験する
半導体集積回路（以下、試料と略記する）、５は試料を
いれる試料室である。５の中は、空気、不活性ガス、水
蒸気等の気体が充填されている。
近年の集積回路技術の早い進展に合わせるため、評価に
要する時間の短縮化が必須となってきている。そのため
試料に加える電圧・電流が大きくなり、試料の発熱によ
る温度上昇は無視できない位高くなっている０例えば集
積回路チップ上のアルミニウム配線にＩ Ｘ １０’Ａ
／ｃ＋＋”以上の電流を流すと、温度上昇は数十度以上
にも達する。従来装置では、試料室には気体が充填され
ているが、気体は熱容量が小さいため試料の発熱を抑え
ることが出来ない。このような場合、目標とした設定温
度と実際の試料温度は大きく異なる。
要する時間の短縮化が必須となってきている。そのため
試料に加える電圧・電流が大きくなり、試料の発熱によ
る温度上昇は無視できない位高くなっている０例えば集
積回路チップ上のアルミニウム配線にＩ Ｘ １０’Ａ
／ｃ＋＋”以上の電流を流すと、温度上昇は数十度以上
にも達する。従来装置では、試料室には気体が充填され
ているが、気体は熱容量が小さいため試料の発熱を抑え
ることが出来ない。このような場合、目標とした設定温
度と実際の試料温度は大きく異なる。
なお、従来技術が記載されている文献として、例えば、
Ｊ 、 Ｃ，Ｂｌａｉｒ、 ａｔ、 ａｌ、、 ”Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ−＋ｍｉｇｒａｔｉｏｎ １ｎｄｕｃｅｄ
ｆａｉｌｕｒｅｓ ｉｎ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｆｉｌ
＋ａｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ” Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ｐａｇｅ２８１ （１９
７０）Ｃジェ・シー・ブレア、他″エレクトロミグレー
ション・インデユースト・フェイリアズ・イン・アルミ
ナム・フィルム・コンダクタズ、アプライド・フイジク
ス・レターズ、２８１頁（１９７０年）〕が挙げられる
。
Ｊ 、 Ｃ，Ｂｌａｉｒ、 ａｔ、 ａｌ、、 ”Ｅ
ｌｅｃｔｒｏ−＋ｍｉｇｒａｔｉｏｎ １ｎｄｕｃｅｄ
ｆａｉｌｕｒｅｓ ｉｎ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｆｉｌ
＋ａｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ” Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、 ｐａｇｅ２８１ （１９
７０）Ｃジェ・シー・ブレア、他″エレクトロミグレー
ション・インデユースト・フェイリアズ・イン・アルミ
ナム・フィルム・コンダクタズ、アプライド・フイジク
ス・レターズ、２８１頁（１９７０年）〕が挙げられる
。
従来装置では、上述したように、試験時の試料温度を所
定温度に保つことは極めて難しい。他のデバイスとの比
較や従来データとの比較のために、試験時の試料温度は
常に所定温度に保つことが必要である。
定温度に保つことは極めて難しい。他のデバイスとの比
較や従来データとの比較のために、試験時の試料温度は
常に所定温度に保つことが必要である。
本発明の目的は、試験時の試料の温度上昇を抑え、試料
温度を設定された所定値に精度よく一致させることので
きる評価装置を提供することにある。
温度を設定された所定値に精度よく一致させることので
きる評価装置を提供することにある。
本発明では、上記目的を達成するために、温度を設定さ
れた値に一定に保つ恒温槽と、この恒温槽内に設置され
る試料室と、この試料室内の半導体集積回路にバイアス
信号を与える電源系と、半導体集積回路からの信号を測
定する測定系とからなる半導体集積回路の評価装置にお
いて、上記試料室内に液体を充填する構成とする。
れた値に一定に保つ恒温槽と、この恒温槽内に設置され
る試料室と、この試料室内の半導体集積回路にバイアス
信号を与える電源系と、半導体集積回路からの信号を測
定する測定系とからなる半導体集積回路の評価装置にお
いて、上記試料室内に液体を充填する構成とする。
また、本発明では、好ましい実施形態として、試料室に
充填する液体を貯めておくタンクと、タンクと試料室と
を結ぶパイプと、タンク内液体を試料室に送り入れ試料
室内液体をタンクに戻し入れる液体の流れをパイプ内に
作りだすポンプと、液体を加熱する加熱体もしくは冷却
する冷却体と、試料室内の温度を検出する温度センサー
と、検出した温度情報をもとに加熱体もしくは冷却体の
能力とポンプの液体送出速度を制御する制御装置とを備
えた構成とする。
充填する液体を貯めておくタンクと、タンクと試料室と
を結ぶパイプと、タンク内液体を試料室に送り入れ試料
室内液体をタンクに戻し入れる液体の流れをパイプ内に
作りだすポンプと、液体を加熱する加熱体もしくは冷却
する冷却体と、試料室内の温度を検出する温度センサー
と、検出した温度情報をもとに加熱体もしくは冷却体の
能力とポンプの液体送出速度を制御する制御装置とを備
えた構成とする。
従来の技術では、試料室内には熱容量の小さな気体が充
填されていたので、試料の試験時の温度上昇を抑えるこ
とができず、試料温度が設定値より高くなるという問題
があった。
填されていたので、試料の試験時の温度上昇を抑えるこ
とができず、試料温度が設定値より高くなるという問題
があった。
これに対し、本発明によれば、試料室内に熱容量の大き
な液体を充填したことにより、試料の温度上昇が抑えら
れ、試料温度を設定値に近づけることができる。
な液体を充填したことにより、試料の温度上昇が抑えら
れ、試料温度を設定値に近づけることができる。
さらに、請求項２によれば、試料室の温度を検出し、こ
れを制御装置に取り込み、検出温度と設定温度との差の
大きさに応じて、試料室とタンクとの間を強制循環させ
る液体の冷却能力と流体速度とを制御する構成としたこ
とにより、試料室内液体温度を、つまりは試料温度を、
精密に、しかも急速に、設定温度に一致させることがで
きる。
れを制御装置に取り込み、検出温度と設定温度との差の
大きさに応じて、試料室とタンクとの間を強制循環させ
る液体の冷却能力と流体速度とを制御する構成としたこ
とにより、試料室内液体温度を、つまりは試料温度を、
精密に、しかも急速に、設定温度に一致させることがで
きる。
第２図は、本発明の請求項２に対応する実施例構成図で
ある。第２図において、１は恒温槽、２は電源系、３は
測定系、４は試料、５は液体が充填される試料室、６は
液体を貯めるタンク、７はパイプ、８はこのパイプ７を
介してタンク６内液体を試料室５内へ送り入れたり試料
室５内液体をタンク６内へ戻し入れたりする液体の流れ
を作りだすポンプ、９はパイプ７内の液体を加熱する加
熱体もしくは冷却する冷却体、１ｏは試料室５内の液体
の温度を検出する熱電対等の温度センサー１１は検出さ
れた温度情報を取り込み、予め設定されている設定温度
と検出温度との差を求め、この差の大きさに応じて、加
熱（冷却）体９の加熱能力もしくは冷却能力とポンプ８
の液体送出速度を制御する制御装置である。
ある。第２図において、１は恒温槽、２は電源系、３は
測定系、４は試料、５は液体が充填される試料室、６は
液体を貯めるタンク、７はパイプ、８はこのパイプ７を
介してタンク６内液体を試料室５内へ送り入れたり試料
室５内液体をタンク６内へ戻し入れたりする液体の流れ
を作りだすポンプ、９はパイプ７内の液体を加熱する加
熱体もしくは冷却する冷却体、１ｏは試料室５内の液体
の温度を検出する熱電対等の温度センサー１１は検出さ
れた温度情報を取り込み、予め設定されている設定温度
と検出温度との差を求め、この差の大きさに応じて、加
熱（冷却）体９の加熱能力もしくは冷却能力とポンプ８
の液体送出速度を制御する制御装置である。
次に動作について説明する。まず、所定の温度に設定さ
れた液体を試料室５に充填する。このとき、タンク６内
およびパイプ７内も同じ温度の液体で満たされている。
れた液体を試料室５に充填する。このとき、タンク６内
およびパイプ７内も同じ温度の液体で満たされている。
電源系２と測定系３、ならびに制御装置１１を作動させ
る。試料に加える電力が大きく試料発熱による温度上昇
があると、これが温度センサー１０で検出され温度情報
として制御装置１１に送られ、制御袋［１１では、検出
温度と予め内蔵する設定温度との差の大きさを求め、こ
の差の大きさが所定値を越えると直ちに制御指令信号を
出力して、ポンプ８からの液体送出速度を大きくさせる
と同時に加熱（冷却）体９によりパイプ７内を流れる液
体の温度を、設定温度となるよう、冷却させ、このよう
にして、試料温度を所定の設定値に保持する帰還動作が
働く。
る。試料に加える電力が大きく試料発熱による温度上昇
があると、これが温度センサー１０で検出され温度情報
として制御装置１１に送られ、制御袋［１１では、検出
温度と予め内蔵する設定温度との差の大きさを求め、こ
の差の大きさが所定値を越えると直ちに制御指令信号を
出力して、ポンプ８からの液体送出速度を大きくさせる
と同時に加熱（冷却）体９によりパイプ７内を流れる液
体の温度を、設定温度となるよう、冷却させ、このよう
にして、試料温度を所定の設定値に保持する帰還動作が
働く。
使用する液体としては、例えばフロリナート（熱容量０
．４６）、シリコーンオイル（熱容量０．３９）、純水
（熱容量１．０）（熱容量の単位はカロリー／１ｏ３・
℃〕が挙げられる。これに対し、従来技術で充填されて
いた気体の熱容量は、これらの値の１万分の１以下であ
る。このように、液体の熱容量は大きいので、従来の気
体による温度制御よりも温度変化は小さく、かつ短時間
で制御できる。
．４６）、シリコーンオイル（熱容量０．３９）、純水
（熱容量１．０）（熱容量の単位はカロリー／１ｏ３・
℃〕が挙げられる。これに対し、従来技術で充填されて
いた気体の熱容量は、これらの値の１万分の１以下であ
る。このように、液体の熱容量は大きいので、従来の気
体による温度制御よりも温度変化は小さく、かつ短時間
で制御できる。
以上説明したように、本発明によれば、液体を用いるこ
とにより、試料の温度上昇を抑え、試料温度が正確に制
御できるようになり、信頼性試験の短縮化、高精度化に
効果がある。
とにより、試料の温度上昇を抑え、試料温度が正確に制
御できるようになり、信頼性試験の短縮化、高精度化に
効果がある。
第１図は従来技術及び本発明における評価装置の構成図
で従来技術では試料室内に気体が、本発明では液体が充
填される。第２図は本発明の実施例構成図である。 〔符号の説明〕 １・・・恒温槽 ２・・・電源系３・・・測
定系 ４・・・試料５・・・試料室
６・・・タンク７・・・パイプ ８・・
・ポンプ９・・・加熱（冷却）体 １０・・・温度セ
ンサー１１・・・制御装置
で従来技術では試料室内に気体が、本発明では液体が充
填される。第２図は本発明の実施例構成図である。 〔符号の説明〕 １・・・恒温槽 ２・・・電源系３・・・測
定系 ４・・・試料５・・・試料室
６・・・タンク７・・・パイプ ８・・
・ポンプ９・・・加熱（冷却）体 １０・・・温度セ
ンサー１１・・・制御装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、温度を設定された値に一定に保つ恒温槽と、この恒
温槽内に設置される試料室と、この試料室内の半導体集
積回路にバイアス信号を与える電源系と、半導体集積回
路からの信号を測定する測定系とからなる半導体集積回
路の評価装置において、上記試料室内に液体を充填する
ことを特徴とする半導体集積回路の評価装置。 ２、請求項１記載の装置において、試料室に充填する液
体を貯めておくタンクと、タンクと試料室とを結ぶパイ
プと、タンク内液体を試料室に送り入れ試料室内液体を
タンクに戻し入れる液体の流れをパイプ内に作りだすポ
ンプと、液体を加熱する加熱体もしくは冷却する冷却体
と、試料室内の温度を検出する温度センサーと、検出し
た温度情報をもとに加熱体もしくは冷却体の能力とポン
プの液体送出速度を制御する制御装置とを備えたことを
特徴とする半導体集積回路の評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1332838A JPH03195038A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体集積回路の評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1332838A JPH03195038A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体集積回路の評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03195038A true JPH03195038A (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=18259362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1332838A Pending JPH03195038A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | 半導体集積回路の評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03195038A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012141021A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | 電子装置の動作試験装置、動作試験方法、及び電子装置の製造方法 |
| JP2013506819A (ja) * | 2009-10-02 | 2013-02-28 | イーアールエス エレクトロニック ゲーエムベーハー | 半導体チップ調整装置及び前記装置を用いた検査方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62248232A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-29 | Nec Corp | 半導体ウエハ検査装置 |
| JPS63249065A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Hitachi Ltd | 液式熱衝撃試験装置 |
| JPS6357587B2 (ja) * | 1979-08-29 | 1988-11-11 | Tokyo Shibaura Electric Co |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1332838A patent/JPH03195038A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6357587B2 (ja) * | 1979-08-29 | 1988-11-11 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| JPS62248232A (ja) * | 1986-04-22 | 1987-10-29 | Nec Corp | 半導体ウエハ検査装置 |
| JPS63249065A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-17 | Hitachi Ltd | 液式熱衝撃試験装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013506819A (ja) * | 2009-10-02 | 2013-02-28 | イーアールエス エレクトロニック ゲーエムベーハー | 半導体チップ調整装置及び前記装置を用いた検査方法 |
| US9599662B2 (en) | 2009-10-02 | 2017-03-21 | Ers Electronic Gmbh | Apparatus for conditioning semiconductor chips and test method using the apparatus |
| WO2012141021A1 (ja) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント | 電子装置の動作試験装置、動作試験方法、及び電子装置の製造方法 |
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