JPH03196002A - 集積光学チップ - Google Patents
集積光学チップInfo
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- JPH03196002A JPH03196002A JP2302290A JP30229090A JPH03196002A JP H03196002 A JPH03196002 A JP H03196002A JP 2302290 A JP2302290 A JP 2302290A JP 30229090 A JP30229090 A JP 30229090A JP H03196002 A JPH03196002 A JP H03196002A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
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- G01C19/722—Details, e.g. optical or electronical details of the mechanical construction
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- G—PHYSICS
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- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/262—Optical details of coupling light into, or out of, or between fibre ends, e.g. special fibre end shapes or associated optical elements
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- G02B6/38—Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
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- G02B6/3822—Dismountable connectors, i.e. comprising plugs of the ferrule type, e.g. fibre ends embedded in ferrules, connecting a pair of fibres of a low-reflection-loss type with beveled fibre ends
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、−船釣には光ファイバを集積光学チップに
接続するための装置および方法に関する。
接続するための装置および方法に関する。
特に、この発明は、サニヤックリング回転センサを形成
する上で使用される光ファイバと集積光学チップとをイ
ンタフェイスするための装置および方法に関する。
する上で使用される光ファイバと集積光学チップとをイ
ンタフェイスするための装置および方法に関する。
多くの光学システムは集積光学装置と光ファイバの双方
を含む。たとえば光ファイバのコイルの逆伝搬波の間の
位相差を使用する回転センサを形成するためのある技術
は集積光学チップ上の光学信号を処理しかつ制御するた
めの装置を形成するステップと、チップに形成された導
波路に光ファイバのコイルの端部を接続するステップと
を含む。
を含む。たとえば光ファイバのコイルの逆伝搬波の間の
位相差を使用する回転センサを形成するためのある技術
は集積光学チップ上の光学信号を処理しかつ制御するた
めの装置を形成するステップと、チップに形成された導
波路に光ファイバのコイルの端部を接続するステップと
を含む。
集積光学チップの3つの光学導波路の交点に7字形のカ
プラが形成される。光源からの光は導波路の1つに入れ
られ、その導波路はそれから入れられた光を7字形のカ
プラに導く。7字形のカプラはそれからその光を、光フ
アイバ検知コイル内に逆伝搬波を形成する2つのビーム
へ分割する。
プラが形成される。光源からの光は導波路の1つに入れ
られ、その導波路はそれから入れられた光を7字形のカ
プラに導く。7字形のカプラはそれからその光を、光フ
アイバ検知コイル内に逆伝搬波を形成する2つのビーム
へ分割する。
光ファイバを集積光学チップに接続する先行技術の方法
は典型的にはシリコンの基板にV字形の溝を形成するス
テップを含む。集積光学チップに光ファイバの回転検知
コイルを装着するために、ファイバは、光ファイバのコ
イルの端部が、ファイバが接続されるべき集積光学導波
路の端部の間の距離に等しい距離で間隔をあけられるよ
うにファイバを位置決めするV字形の溝におかれる。
は典型的にはシリコンの基板にV字形の溝を形成するス
テップを含む。集積光学チップに光ファイバの回転検知
コイルを装着するために、ファイバは、光ファイバのコ
イルの端部が、ファイバが接続されるべき集積光学導波
路の端部の間の距離に等しい距離で間隔をあけられるよ
うにファイバを位置決めするV字形の溝におかれる。
集積光学チップに光ファイバを十分にねじり巻くために
、集積光学チップとV字形の溝の端部面双方が研磨され
なければならない。光ファイバと集積光学チップとの間
の突合せ継手でのフレネル反射を低減するためにV字形
の溝のアセンブリと集積光学チップ双方に角度をつけら
れた面が必要である。
、集積光学チップとV字形の溝の端部面双方が研磨され
なければならない。光ファイバと集積光学チップとの間
の突合せ継手でのフレネル反射を低減するためにV字形
の溝のアセンブリと集積光学チップ双方に角度をつけら
れた面が必要である。
偏光クロス結合では、一方の偏光の光がもう一方の偏光
へ結合するが、それは光フアイバ回転センサにおけるエ
ラーの原因である。多くの光フアイバ回転センサシステ
ムでは複屈折光ファイバと集積光学導波路の基軸が偏光
クロス結合を最小限にするべく正確に整列されなければ
ならない。基軸を整列させることは大変労力を要するこ
とでありかつしたがって高価格である。加えて、ピグテ
イルの集積光学チップと光ファイバを従来の方法で接続
することによっては、光フアイバ回転センサを含む航法
または誘導システムが受は得る激しい衝撃および振動に
耐える十分な剛性をもった接合点がもたらされない。
へ結合するが、それは光フアイバ回転センサにおけるエ
ラーの原因である。多くの光フアイバ回転センサシステ
ムでは複屈折光ファイバと集積光学導波路の基軸が偏光
クロス結合を最小限にするべく正確に整列されなければ
ならない。基軸を整列させることは大変労力を要するこ
とでありかつしたがって高価格である。加えて、ピグテ
イルの集積光学チップと光ファイバを従来の方法で接続
することによっては、光フアイバ回転センサを含む航法
または誘導システムが受は得る激しい衝撃および振動に
耐える十分な剛性をもった接合点がもたらされない。
発明の要約
この発明は時間がかかりかつ高価格な光フアイバ検知コ
イルと、集積光学チップに形成された光学導波路の軸の
整列を必要とせず、光フアイバ回転センサでの偏光クロ
ス結合により引起こされる問題を除去する集積光学チッ
プを提供する。
イルと、集積光学チップに形成された光学導波路の軸の
整列を必要とせず、光フアイバ回転センサでの偏光クロ
ス結合により引起こされる問題を除去する集積光学チッ
プを提供する。
この発明に従う集積光学チップは光学活性材料からなり
かつそこに形成されたスロットを有する基板を含む。集
積光学チップに光学導波路が形成され、スロットの端壁
が光学導波路の端部表面を含むように選択された伝搬軸
に沿って光学信号を導く。光学導波路の端部表面は光学
導波路の端部表面で反射された光の量を低減するために
、光学導波路の光の伝搬方向と角度をつけるように形成
される。
かつそこに形成されたスロットを有する基板を含む。集
積光学チップに光学導波路が形成され、スロットの端壁
が光学導波路の端部表面を含むように選択された伝搬軸
に沿って光学信号を導く。光学導波路の端部表面は光学
導波路の端部表面で反射された光の量を低減するために
、光学導波路の光の伝搬方向と角度をつけるように形成
される。
スロットは、光学導波路の端部表面に突合せ結合された
光ファイバの長さを受入れるように形成され、光学導波
路と光ファイバとの間を光が伝搬し得るようにインタフ
ェイスを形成する。光学導波路の端部の角度は、インタ
フェイスで反射され光ファイバへ戻る光が、コアからク
ラッドへの屈折を可能にする角度でコア/クラッドの境
界上に射突するよう形成される。光学導波路の端部の角
度は好ましくは5°から25°の範囲である。
光ファイバの長さを受入れるように形成され、光学導波
路と光ファイバとの間を光が伝搬し得るようにインタフ
ェイスを形成する。光学導波路の端部の角度は、インタ
フェイスで反射され光ファイバへ戻る光が、コアからク
ラッドへの屈折を可能にする角度でコア/クラッドの境
界上に射突するよう形成される。光学導波路の端部の角
度は好ましくは5°から25°の範囲である。
この発明に従う集積光学チップは好ましくは、選択され
た伝搬軸に沿って光学信号を導くために基板内に形成さ
れた第1、第2および第3の光学導波路を含む。集積光
学チップのスロットは各スロットの端壁が対応する光学
導波路の端部表面を含むように光学導波路に対応する集
積光学チップの端縁に形成される。第1、第2および第
3の光学導波路は、第1の光学導波路で集積光学チップ
に入力される光学信号がYカプラへ伝搬しかつ第1およ
び第2の光学導波路で分かれ、第2および第3の光学導
波路で集積光学チップへ入力された光学信号が、Yカプ
ラで組合されかつ互いに干渉し合うようにYカプラを形
成するべく接合点で接続される。
た伝搬軸に沿って光学信号を導くために基板内に形成さ
れた第1、第2および第3の光学導波路を含む。集積光
学チップのスロットは各スロットの端壁が対応する光学
導波路の端部表面を含むように光学導波路に対応する集
積光学チップの端縁に形成される。第1、第2および第
3の光学導波路は、第1の光学導波路で集積光学チップ
に入力される光学信号がYカプラへ伝搬しかつ第1およ
び第2の光学導波路で分かれ、第2および第3の光学導
波路で集積光学チップへ入力された光学信号が、Yカプ
ラで組合されかつ互いに干渉し合うようにYカプラを形
成するべく接合点で接続される。
この発明は上記の集積光学チップを含み形成された光フ
アイバ回転センサを含んでもよい。
アイバ回転センサを含んでもよい。
好ましい実施例の説明
第1図および第2図を参照して、集積光学チップ10は
好ましくはニオブ酸リチウム等の光学活性材料で形成さ
れる。3つの光学導波路12.14および16が集積光
学チップ10内に形成される。1990年2月27日付
でチャン(Chang)に対し発行されかつ本件発明の
譲受人により所有される米国特許第4.904.038
号に記載された技術を使用して光学導波路は基板をマス
キングしかつチタンイオンで基板をドーピングすること
により形成され得る。
好ましくはニオブ酸リチウム等の光学活性材料で形成さ
れる。3つの光学導波路12.14および16が集積光
学チップ10内に形成される。1990年2月27日付
でチャン(Chang)に対し発行されかつ本件発明の
譲受人により所有される米国特許第4.904.038
号に記載された技術を使用して光学導波路は基板をマス
キングしかつチタンイオンで基板をドーピングすること
により形成され得る。
導波路12.14および16は接合点18で出会う。し
たがって、第1図に見られ左から導波管12へ入る光は
接合点18で導波路14と16との間で分かれる。導波
路14および16に入る光は接合点18で結合し導波路
12に入る。
たがって、第1図に見られ左から導波管12へ入る光は
接合点18で導波路14と16との間で分かれる。導波
路14および16に入る光は接合点18で結合し導波路
12に入る。
スロット22は、導波路12の端部23がスロット22
内の端壁25に当接するように集積光学チップ10の端
部面24で形成される。導波路14および16は、集積
光学チップ10の端部面30に形成されたスロット26
および28にそれぞれ当接する。スロットのうちの2つ
、たとえばスロット22および26は、それらが集積光
学チップ10の異なる端面上に形成されるという本質的
な違いを除いては実質的に同一でよい。
内の端壁25に当接するように集積光学チップ10の端
部面24で形成される。導波路14および16は、集積
光学チップ10の端部面30に形成されたスロット26
および28にそれぞれ当接する。スロットのうちの2つ
、たとえばスロット22および26は、それらが集積光
学チップ10の異なる端面上に形成されるという本質的
な違いを除いては実質的に同一でよい。
しかしながら、スロット26および28はそれらのうち
1つ、たとえばスロット28がスロット26より長い距
離にわたって集積光学チップ10内に延びるよう形成さ
れる。スロット26は長さtlを有し、それはスロット
28の長さt2より短い。スロットの長さの違いはΔt
=t2−t。
1つ、たとえばスロット28がスロット26より長い距
離にわたって集積光学チップ10内に延びるよう形成さ
れる。スロット26は長さtlを有し、それはスロット
28の長さt2より短い。スロットの長さの違いはΔt
=t2−t。
である。導波路14および16はしたがって長さにして
ΔLだけ異なる。
ΔLだけ異なる。
第3図を参照して、集積光学チップ10が光学信号源3
6、光ファイバ38およびそこに形成された検知コイル
41を有する光ファイバ40を含む回転検知システム3
4において使用されてもよい。複数の電極43A−43
Dが基板10上に形成され、導波路14および16によ
り導かれる光学信号の位相を偏光しかつ変調するための
手段を提供し得る。電極43Aおよび43Bは導波路1
4の対向する側面上に形成されてもよくかつ電極43C
および43Dは導波路16の対向する側面上に形成され
てもよい。他の電極(図示せず)が接合点18の副屈折
を変調するためまたは導波路12により導かれる光学信
号を偏光するために基板上に形成されてもよい。
6、光ファイバ38およびそこに形成された検知コイル
41を有する光ファイバ40を含む回転検知システム3
4において使用されてもよい。複数の電極43A−43
Dが基板10上に形成され、導波路14および16によ
り導かれる光学信号の位相を偏光しかつ変調するための
手段を提供し得る。電極43Aおよび43Bは導波路1
4の対向する側面上に形成されてもよくかつ電極43C
および43Dは導波路16の対向する側面上に形成され
てもよい。他の電極(図示せず)が接合点18の副屈折
を変調するためまたは導波路12により導かれる光学信
号を偏光するために基板上に形成されてもよい。
光ファイバ38はスロット22内に装着されかつ導波路
12に突合せ結合される。第2図、第4図および第5図
に示されるように、光ファイバ40はコア46と、コア
46を囲むクラッド48を含む。コアおよびクラッドは
図面では一定の割合で示されていない。クラッドの直径
はコアの直径より何倍も大きい。
12に突合せ結合される。第2図、第4図および第5図
に示されるように、光ファイバ40はコア46と、コア
46を囲むクラッド48を含む。コアおよびクラッドは
図面では一定の割合で示されていない。クラッドの直径
はコアの直径より何倍も大きい。
第6図はスロット26の端部と導波路14を示す。導波
路12.14および16のすべてが実質的に同一に形成
され得る。したがって、導波路14の記述は導波路12
および16にも当てはまる。
路12.14および16のすべてが実質的に同一に形成
され得る。したがって、導波路14の記述は導波路12
および16にも当てはまる。
導波路14は断面では包括的に長方形でよい。導波路1
4は第6図に示されるようにいくらか丸みのあるかど5
0および51を基板10の内側に有する。導波路14の
断面積は好ましくは、導波路14と光ファイバ40との
間の光の効率的な結合をもたらすためにコア46の断面
積とほぼ同じである。
4は第6図に示されるようにいくらか丸みのあるかど5
0および51を基板10の内側に有する。導波路14の
断面積は好ましくは、導波路14と光ファイバ40との
間の光の効率的な結合をもたらすためにコア46の断面
積とほぼ同じである。
スロット26の幅は第6図にみられるように好ましくは
クラッド48の直径よりわずかに大きい。
クラッド48の直径よりわずかに大きい。
光ファイバ40の端部42は様々な技術によりスロット
26内に装着され得る。ファイバをスロット内に固定す
るために容易に利用可能な技術の1つはエポキシ樹脂等
の接着剤の使用である。もう1つの適当な技術はスロッ
ト26内および光ファイバ40の周囲に溶融シリカ等の
誘電体を配置するステップを含む。さらにもう1つの適
当な技術はスロット26内に金属膜を堆積し、光ファイ
バの端部44をメタライズしかつそのメタライズされた
ファイバをスロット内に配置するステップを含む。
26内に装着され得る。ファイバをスロット内に固定す
るために容易に利用可能な技術の1つはエポキシ樹脂等
の接着剤の使用である。もう1つの適当な技術はスロッ
ト26内および光ファイバ40の周囲に溶融シリカ等の
誘電体を配置するステップを含む。さらにもう1つの適
当な技術はスロット26内に金属膜を堆積し、光ファイ
バの端部44をメタライズしかつそのメタライズされた
ファイバをスロット内に配置するステップを含む。
第3図を参照して、光学信号源36および光ファイバ3
8は、光ファイバ38が光学信号源36から出力された
光学信号を受けかつそれらを導波路12へ導くように配
列される。導波路12は光学信号源36からの光を接合
点18へ導き、そこで源の光が導波路14と16の間で
分かれる。光フアイバ検知コイル41の端部42および
44は、光フアイバ検知コイル41の端部が対応する導
波路へ突合せ結合されるようにそれぞれスロット26お
よび28内に装着される。源からの光はしたがって導波
路14および16を出て、光フアイバ検知コイル41の
端部42および44にそれぞれ入り、サニヤック効果に
よる回転の検知に必要な2つの逆伝搬波を形成する。第
3図にみられるように、光フアイバ検知コイル41の端
部42へ入る光が逆時計回りの波を形成しかつ端部44
に入る光が時計回りの波を形成する。
8は、光ファイバ38が光学信号源36から出力された
光学信号を受けかつそれらを導波路12へ導くように配
列される。導波路12は光学信号源36からの光を接合
点18へ導き、そこで源の光が導波路14と16の間で
分かれる。光フアイバ検知コイル41の端部42および
44は、光フアイバ検知コイル41の端部が対応する導
波路へ突合せ結合されるようにそれぞれスロット26お
よび28内に装着される。源からの光はしたがって導波
路14および16を出て、光フアイバ検知コイル41の
端部42および44にそれぞれ入り、サニヤック効果に
よる回転の検知に必要な2つの逆伝搬波を形成する。第
3図にみられるように、光フアイバ検知コイル41の端
部42へ入る光が逆時計回りの波を形成しかつ端部44
に入る光が時計回りの波を形成する。
逆伝搬波は光フアイバ検知コイル41を通って移動しか
つ光フアイバ検知コイル41がコイルの面に直角をなす
線のまわりを回転しているならば位相シフトする。時計
回りの波はそこで導波路16に入りかつ逆時計回りの波
は導波路14に入る。
つ光フアイバ検知コイル41がコイルの面に直角をなす
線のまわりを回転しているならば位相シフトする。時計
回りの波はそこで導波路16に入りかつ逆時計回りの波
は導波路14に入る。
位相シフトされた波はそこで、干渉パターンを形成する
べくそれらが結合する接合点18へ伝搬する。光フアイ
バカプラ49が、接合した波をファイバ38から出しか
つ光ファイバ51へ結合するべく採用されてもよい。フ
ァイバ51は光を、干渉パターンを表わす電気的信号を
形成する検知器53へ導く。信号処理回路はそこで光フ
アイバ検知コイル41の回転速度を決定する。
べくそれらが結合する接合点18へ伝搬する。光フアイ
バカプラ49が、接合した波をファイバ38から出しか
つ光ファイバ51へ結合するべく採用されてもよい。フ
ァイバ51は光を、干渉パターンを表わす電気的信号を
形成する検知器53へ導く。信号処理回路はそこで光フ
アイバ検知コイル41の回転速度を決定する。
第4図を参照して、導波路14をスロット26内に装着
するところが第3図よりもより詳細に示される。光フア
イバ検知コイル41のコアは約n+=1.45の屈折率
を有し、一方導波路14は約n2=2.2の屈折率を有
する。光が、異なる屈折率を有する誘電材料の間のイン
タフェイスに・射突するとき、光の一部が一方の材料か
ら他方の材料へインタフェイスを横切って屈折しかつ残
りの光がインタフェイスから反射することは電磁気理論
から周知である。この反射はときにフレネル反射と呼ば
れる。光の反射した部分は反射係数により特徴づけられ
る。インタフェイスへの通常の入射の場合は反射係数は となりこれは入射光の約21%が、光が光フアイバ検知
コイル41を横切った後に導波路に射突するとき光フア
イバ検知コイル41へ反射して戻るであろうということ
を意味している。この光フアイバ検知コイル41へ戻る
波の反射は時計回りと逆時計回りの波を混ぜかつ光ファ
イ・バ回転検知システムの出力に深刻なエラーを引起こ
す。
するところが第3図よりもより詳細に示される。光フア
イバ検知コイル41のコアは約n+=1.45の屈折率
を有し、一方導波路14は約n2=2.2の屈折率を有
する。光が、異なる屈折率を有する誘電材料の間のイン
タフェイスに・射突するとき、光の一部が一方の材料か
ら他方の材料へインタフェイスを横切って屈折しかつ残
りの光がインタフェイスから反射することは電磁気理論
から周知である。この反射はときにフレネル反射と呼ば
れる。光の反射した部分は反射係数により特徴づけられ
る。インタフェイスへの通常の入射の場合は反射係数は となりこれは入射光の約21%が、光が光フアイバ検知
コイル41を横切った後に導波路に射突するとき光フア
イバ検知コイル41へ反射して戻るであろうということ
を意味している。この光フアイバ検知コイル41へ戻る
波の反射は時計回りと逆時計回りの波を混ぜかつ光ファ
イ・バ回転検知システムの出力に深刻なエラーを引起こ
す。
光フアイバ検知コイル41に残存する反射光の量を最小
限にするために、スロットは、光が第2図および第4図
に示されるように10°ないし15°の角度で光フアイ
バ/導波路のインタフェイスに入射するように形成され
る。光フアイバ検知コイル41の端部と導波路14が突
合せ結合されしたがってファイバのコア46は導波路と
整列する。
限にするために、スロットは、光が第2図および第4図
に示されるように10°ないし15°の角度で光フアイ
バ/導波路のインタフェイスに入射するように形成され
る。光フアイバ検知コイル41の端部と導波路14が突
合せ結合されしたがってファイバのコア46は導波路と
整列する。
矢印51はコア46と導波路14との間のインタフェイ
ス52へ向かってコア46内を伝搬する光を表わす。イ
ンタフェイス52に向かってファイバ内を伝搬する光の
一部分が導波路16内へ屈折して入りかつ光の一部分が
反射する。矢印54はインタフェイス52で反射する光
を表わす。矢印56はコア/クラッドのインタフェイス
で屈折することによりコア46を出る反射光の部分を表
わす。矢印58はインタフェイス52で反射しかつコア
46に導かれ残存する先部分を表わす。矢印60はイン
タフェイス52で屈折し光ファイバ40から導波路14
内へ移動する入射光部分を表わす。
ス52へ向かってコア46内を伝搬する光を表わす。イ
ンタフェイス52に向かってファイバ内を伝搬する光の
一部分が導波路16内へ屈折して入りかつ光の一部分が
反射する。矢印54はインタフェイス52で反射する光
を表わす。矢印56はコア/クラッドのインタフェイス
で屈折することによりコア46を出る反射光の部分を表
わす。矢印58はインタフェイス52で反射しかつコア
46に導かれ残存する先部分を表わす。矢印60はイン
タフェイス52で屈折し光ファイバ40から導波路14
内へ移動する入射光部分を表わす。
反射に関するスメルの法則に従い、インタフェイス52
に関する法線に対しての反射光の角度θは入射の角度φ
に等しい。この反射光のほとんどがそこで全内部反射に
関する臨界角より小さい角度でコア/クラッドのインタ
フェイスを打ちかつしたがって屈折してコアを出、クラ
ッドに入る。
に関する法線に対しての反射光の角度θは入射の角度φ
に等しい。この反射光のほとんどがそこで全内部反射に
関する臨界角より小さい角度でコア/クラッドのインタ
フェイスを打ちかつしたがって屈折してコアを出、クラ
ッドに入る。
コア/クラッドのインタフェイスへの入射光のわずかな
部分が、コアがその部分を導くことを可能にする角度で
反射してコア内に入る。インタフェイスの表面の凸凹は
コアが散乱した光のわずかな部分を導くような角度でい
くらかの光を散乱して、コア内に戻す。しかしながら、
10°ないし150の角度でのファイバ/導波路のイン
タフェイスへの光の入射は約60dB反射光を低減する
。
部分が、コアがその部分を導くことを可能にする角度で
反射してコア内に入る。インタフェイスの表面の凸凹は
コアが散乱した光のわずかな部分を導くような角度でい
くらかの光を散乱して、コア内に戻す。しかしながら、
10°ないし150の角度でのファイバ/導波路のイン
タフェイスへの光の入射は約60dB反射光を低減する
。
しかしながら、導波路と光ファイバとの副屈折はこの発
明が克服しようとする付加的な難点を定義する。光学信
号は2つの直交する直線偏光成分を有する。副屈折によ
り2つの偏光成分がわずかに異なる伝搬速度をもつこと
になる。光ファイバ回転センサを製造しようとする、以
前の試みは、光フアイバ検知コイル41の副屈折の軸と
導波路14および16の軸を整列させるステップを含む
ものであった。ファイバと、ファイバが突合せ結合され
る導波路の軸が整列していない状態ではファイバにおけ
る2つの偏光が導波路における双方の軸に沿う成分をも
つことになる。同様に、導波路における双方の偏光がフ
ァイバ内の双方の軸に沿った成分を有する。したがって
、光信号がファイバ/導波路のインタフェイスを横切る
ときはいつも、2つの偏光の重大なりロス結合が存在す
ることになる。以前のシステムにおいては、この偏光ク
ロス結合が訂正不可能なシヌソイドに変化するバイアス
エラーを引起こす。
明が克服しようとする付加的な難点を定義する。光学信
号は2つの直交する直線偏光成分を有する。副屈折によ
り2つの偏光成分がわずかに異なる伝搬速度をもつこと
になる。光ファイバ回転センサを製造しようとする、以
前の試みは、光フアイバ検知コイル41の副屈折の軸と
導波路14および16の軸を整列させるステップを含む
ものであった。ファイバと、ファイバが突合せ結合され
る導波路の軸が整列していない状態ではファイバにおけ
る2つの偏光が導波路における双方の軸に沿う成分をも
つことになる。同様に、導波路における双方の偏光がフ
ァイバ内の双方の軸に沿った成分を有する。したがって
、光信号がファイバ/導波路のインタフェイスを横切る
ときはいつも、2つの偏光の重大なりロス結合が存在す
ることになる。以前のシステムにおいては、この偏光ク
ロス結合が訂正不可能なシヌソイドに変化するバイアス
エラーを引起こす。
典型的な光フアイバ回転検知システムにおいて使用され
る光学信号源は、約590μmのコヒーレンスの長さλ
。。7を有する光学信号を出力する広帯域の装置である
。導波路は副屈折性があるので、2つの偏光成分が、軸
の一方に沿った偏光成分ともう一方の軸に沿った偏光成
分との間で識別可能な関係が存在しないような非相関関
係になる。
る光学信号源は、約590μmのコヒーレンスの長さλ
。。7を有する光学信号を出力する広帯域の装置である
。導波路は副屈折性があるので、2つの偏光成分が、軸
の一方に沿った偏光成分ともう一方の軸に沿った偏光成
分との間で識別可能な関係が存在しないような非相関関
係になる。
偏光成分が非相関関係になるために必要な距離が偏光解
消距離である。
消距離である。
副屈折の軸を整列することは大変労力を要することであ
りかつしたがって高価格になる。偏光クロス結合を除去
するに足る近さにファイバの軸と導波路の軸を整列する
ことは不可能であることがわかっている。
りかつしたがって高価格になる。偏光クロス結合を除去
するに足る近さにファイバの軸と導波路の軸を整列する
ことは不可能であることがわかっている。
この発明は、導波路14および16の副屈折の軸と光フ
アイバ検知コイル41の端部42および44の軸との整
列に関して厳しい要件を設けずに偏光クロス結合の難点
を克服しようとするものである。導波路14と16の長
さの違いはコヒーレンス距離より大きく作られる。導波
路14および16の長さの違いにより偏光クロス結合内
にアシメトリーが生じる。偏光クロス結合内にこのアシ
メトリーを設けることで、信号処理技術を使用するクロ
ス結合により生じるエラー除去が可能になる。
アイバ検知コイル41の端部42および44の軸との整
列に関して厳しい要件を設けずに偏光クロス結合の難点
を克服しようとするものである。導波路14と16の長
さの違いはコヒーレンス距離より大きく作られる。導波
路14および16の長さの違いにより偏光クロス結合内
にアシメトリーが生じる。偏光クロス結合内にこのアシ
メトリーを設けることで、信号処理技術を使用するクロ
ス結合により生じるエラー除去が可能になる。
スロット22.26および28は集積光学チップを製造
する上で使用される都合のよい技術であればどのような
技術によって形成されてもよい。
する上で使用される都合のよい技術であればどのような
技術によって形成されてもよい。
特に、レーザ駆動による融合エツチング法または反応性
イオンエツチング法がスロットの形成に適する。レーザ
駆動による融合は他の技術よりも高いエツチング速度を
提供する利点を有する。反応性イオンエツチング(RI
E)はデビットJ、エリオツド(David J、
Elliot)による「集積回路製造技術J (
Integrated C1rcuit Fabr
icationTechno logy)p、282
(マグロ−ヒル社1982年)に記載される。RIEは
、イオンが、基板材料を物理的に置換することと化学反
応の双方によりイオンがエツチングする基板にイオンを
加速し向けるステップを含む。
イオンエツチング法がスロットの形成に適する。レーザ
駆動による融合は他の技術よりも高いエツチング速度を
提供する利点を有する。反応性イオンエツチング(RI
E)はデビットJ、エリオツド(David J、
Elliot)による「集積回路製造技術J (
Integrated C1rcuit Fabr
icationTechno logy)p、282
(マグロ−ヒル社1982年)に記載される。RIEは
、イオンが、基板材料を物理的に置換することと化学反
応の双方によりイオンがエツチングする基板にイオンを
加速し向けるステップを含む。
レーザ駆動による融合エツチングは表面を反応材料の層
でコーティングしたイオン性の基板に放射を向けるステ
ップを含む。放射は、好ましくはレーザ(図示せず)か
らの光であるがこれは反応材料による基板表面での局在
溶解の誘導を引起こす。この基板の溶解により基板およ
び反応物が融合反応を受けることを可能にする。そこで
適当な溶剤がこの融合反応により生じたものを取除くべ
く使用されてもよい。レーザ駆動による融合エツチング
法は1989年6月13日にアッシュビー(Ashby
)ほかに対し発行された米国特許束4.838,989
号に詳細に記載される。ニオブ酸リチウムをエツチング
するためにレーザ駆動による融合を使用する方法はアッ
シュビーほかにより1986年8月25日付App1.
phys、 Le t t、 49 (
8)475頁から477頁に開示されている。
でコーティングしたイオン性の基板に放射を向けるステ
ップを含む。放射は、好ましくはレーザ(図示せず)か
らの光であるがこれは反応材料による基板表面での局在
溶解の誘導を引起こす。この基板の溶解により基板およ
び反応物が融合反応を受けることを可能にする。そこで
適当な溶剤がこの融合反応により生じたものを取除くべ
く使用されてもよい。レーザ駆動による融合エツチング
法は1989年6月13日にアッシュビー(Ashby
)ほかに対し発行された米国特許束4.838,989
号に詳細に記載される。ニオブ酸リチウムをエツチング
するためにレーザ駆動による融合を使用する方法はアッ
シュビーほかにより1986年8月25日付App1.
phys、 Le t t、 49 (
8)475頁から477頁に開示されている。
ニオブ酸リチウムに適用されたように、レーザ駆動によ
る融合方法はLiNbO3(4,OeV。
る融合方法はLiNbO3(4,OeV。
310mm)の帯域ギャップを超える光子エネルギを有
する高出力密度のレーザパルスによるLiNb0.の空
間的局在溶解のステップを含み、これが力の堆積を表面
領域に局限する。光子エネルギはL i N b 03
表面上に位置する固型フッ化カリウム(KF)の層を効
率的に伝達することが可能な十分な低さでなければなら
ない。レーザによって溶解したLiNbO3はKFと反
応して塩の融合による複合ニオブオキシフッ化物アニオ
ンを形成する。結果として得られる固体はかなり水に溶
けやすいものだが、LiNbO3は水に溶けない。した
がって、材料は水を使って、放射された領域のみから除
去され得る。
する高出力密度のレーザパルスによるLiNb0.の空
間的局在溶解のステップを含み、これが力の堆積を表面
領域に局限する。光子エネルギはL i N b 03
表面上に位置する固型フッ化カリウム(KF)の層を効
率的に伝達することが可能な十分な低さでなければなら
ない。レーザによって溶解したLiNbO3はKFと反
応して塩の融合による複合ニオブオキシフッ化物アニオ
ンを形成する。結果として得られる固体はかなり水に溶
けやすいものだが、LiNbO3は水に溶けない。した
がって、材料は水を使って、放射された領域のみから除
去され得る。
反応性イオンエツチングおよびレーザ駆動による融合の
技術双方により導波路/ファイバのインタフェイスで検
知コイルへ余剰の量の光が反射して戻ることを防ぐため
に望ましい、集積光学チップの端縁上の10°から15
°の角度での鏡面質の端面がもたらされる。結合溝を形
成するためにこれまで使用された技術は光ファイバが集
積光学チップ内の導波路に結合され得るように基板の端
縁を研磨するステップを含んでいた。
技術双方により導波路/ファイバのインタフェイスで検
知コイルへ余剰の量の光が反射して戻ることを防ぐため
に望ましい、集積光学チップの端縁上の10°から15
°の角度での鏡面質の端面がもたらされる。結合溝を形
成するためにこれまで使用された技術は光ファイバが集
積光学チップ内の導波路に結合され得るように基板の端
縁を研磨するステップを含んでいた。
ここに開示された構造および方法がこの発明の原則を示
す。この発明は、その精神または本質的な特徴から逸脱
することなく他の特定の形式で実施され得る。したがっ
て、記載の実施例は制限的ではなくむしろすべての点で
何次的例証的なものとして考慮されるべきものである。
す。この発明は、その精神または本質的な特徴から逸脱
することなく他の特定の形式で実施され得る。したがっ
て、記載の実施例は制限的ではなくむしろすべての点で
何次的例証的なものとして考慮されるべきものである。
したがって、記載よりもむしろ先行の請求項が発明の範
囲を特徴する請求項と同一の意味および範囲にあるここ
に記載された実施例へのすべての修正はこの発明の範囲
内に包含される。
囲を特徴する請求項と同一の意味および範囲にあるここ
に記載された実施例へのすべての修正はこの発明の範囲
内に包含される。
第1図はこの発明に従い、集積光学チップ上にY字形カ
プラを形成する導波路の端部に形成された結合溝を示す
集積光学チップの斜視図である。 第2図は第1図の集積光学チップの平面図である。 第3図は光フアイバ検知コイルおよびチップ上に形成さ
れた導波路へ光を入れる光ファイバに接続された第1図
および第2図の集積光学チップを示す端面図である。 第4図は光ファイバの端部と集積光学チップ内に形成さ
れた導波路の1つとの間の接続を模式的に示す図である
。 第5図は第4図の光ファイバの端面図である。 第6図は集積光学導波路を示す第1図ないし第3図の集
積光学チップの部分の端面図である。 図において、10は集積光学チップ、12.14および
16は光学導波路、18は接合点、22はスロット、2
5は端壁、26および28はスロット、34は回転検知
システム。36は光学信号源、38および40は光ファ
イバ、41は検知コイル、43は電極、46はコア、4
8はクラッド、49は光フアイバカプラ、51は光ファ
イバ、53は検知器である。
プラを形成する導波路の端部に形成された結合溝を示す
集積光学チップの斜視図である。 第2図は第1図の集積光学チップの平面図である。 第3図は光フアイバ検知コイルおよびチップ上に形成さ
れた導波路へ光を入れる光ファイバに接続された第1図
および第2図の集積光学チップを示す端面図である。 第4図は光ファイバの端部と集積光学チップ内に形成さ
れた導波路の1つとの間の接続を模式的に示す図である
。 第5図は第4図の光ファイバの端面図である。 第6図は集積光学導波路を示す第1図ないし第3図の集
積光学チップの部分の端面図である。 図において、10は集積光学チップ、12.14および
16は光学導波路、18は接合点、22はスロット、2
5は端壁、26および28はスロット、34は回転検知
システム。36は光学信号源、38および40は光ファ
イバ、41は検知コイル、43は電極、46はコア、4
8はクラッド、49は光フアイバカプラ、51は光ファ
イバ、53は検知器である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光学活性材料で形成された基板により特徴づけられる、
集積光学チップであって、 第1、第2および第3の光学導波路が選択された伝搬軸
に沿って光学信号を導くために基板内に形成され、第1
、第2および第3のスロットが、各スロットの端壁が対
応する光学導波路の端部表面を含むように光学導波路に
対応する集積光学チップの端縁に形成され、光学導波路
の端部表面が光学導波路内への光の伝搬方向での選択さ
れた角度を作るべく形成され、第1の光学導波路での集
積光学チップへ入力される光学信号がY字形カプラに伝
搬しかつ第1および第2の光学導波路の間で分かれかつ
第2および第3の光学導波路で集積光学チップに入力さ
れる光学信号がY字形カプラで結合しかつ互いに干渉し
合うようにY字形カプラを形成するべく第1、第2およ
び第3の光学導波路が接合点で接続される、集積光学チ
ップ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US451,588 | 1989-12-18 | ||
| US07/451,588 US5046808A (en) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | Integrated optics chip and method of connecting optical fiber thereto |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196002A true JPH03196002A (ja) | 1991-08-27 |
| JP2696269B2 JP2696269B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=23792830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2302290A Expired - Fee Related JP2696269B2 (ja) | 1989-12-18 | 1990-11-07 | 集積光学チップ |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5046808A (ja) |
| JP (1) | JP2696269B2 (ja) |
| CA (1) | CA2023470C (ja) |
| DE (1) | DE4040512A1 (ja) |
| FR (1) | FR2656112B1 (ja) |
| GB (1) | GB2239102B (ja) |
| IT (1) | IT1241018B (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07181343A (ja) * | 1993-11-08 | 1995-07-21 | Corning Inc | 光導波通路部品およびその製造方法 |
| JP2002131563A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-05-09 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp | 偏光依存性損失を減少させた多材料構造物及びその方法 |
| DE102015015520A1 (de) | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Suzuki Motor Corporation | Drehstabfederungsstruktur |
| WO2018012075A1 (ja) * | 2016-07-15 | 2018-01-18 | 株式会社フジクラ | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
| JP2020071293A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子および光変調器 |
| JP2024035678A (ja) * | 2022-09-02 | 2024-03-14 | 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 | 光チップ及び光通信装置 |
Families Citing this family (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5393371A (en) * | 1989-12-18 | 1995-02-28 | Litton Systems, Inc. | Integrated optics chips and laser ablation methods for attachment of optical fibers thereto for LiNbO3 substrates |
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