JPH09318367A

JPH09318367A - 光ファイバジャイロ及び光集積回路

Info

Publication number: JPH09318367A
Application number: JP7595897A
Authority: JP
Inventors: Kuniyoshi Watanabe; 邦芳渡邉; Takeshi Hojo; 武北條; Shigeru Nakamura; 茂中村; Ryuichiro Sasaki; 隆一郎笹木; Takemori Masujima; 健守益嶋; Akihiro Chiyou; 亮弘長
Original assignee: Tokimec Inc
Current assignee: Tokyo Keiki Inc
Priority date: 1996-03-29
Filing date: 1997-03-27
Publication date: 1997-12-12

Abstract

(57)【要約】【課題】光集積回路及び光集積回路を備えた光ファイ
バジャイロを提供することを目的とする。【解決手段】光ファイバジャイロの光集積回路は、誤
差の原因となる放射モード光を遮断するための光遮蔽装
置又は光遮蔽構造を備えている。光遮蔽構造の例として
光集積回路の上面に互い違いに溝が設けられ導波路は溝
の間を通るように湾曲している。光集積回路の前端面に
は、窓を有する光遮蔽膜、光遮蔽板又は、傾斜面が形成
されている。これらの光遮蔽装置又は光遮蔽構造は組み
合わされてよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はサニャック効果を利
用して角速度を測定するための光ファイバジャイロ及び
それに使用される光集積回路に関する。より詳細には、
本発明は、光ファイバジャイロ及び光集積回路において
光伝播路より洩れ又は拡散した放射モード光を遮断する
ための光遮蔽装置又は光遮蔽構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ファイバジャイロは光のサニャック効
果を利用して角速度を計測するように構成され、高い信
頼性を有し装置を小型化することができる利点がある。

【０００３】図２１は従来の干渉型光ファイバジャイロ
のうち位相差変調方式の光ファイバジャイロの例を示
す。光ファイバジャイロは、半導体レーザ、発光ダイオ
ード等の光源１０１と入射光を電流に変換する受光器１
０２と１本の光ファイバを複数回巻いて形成された光フ
ァイバループ１０３と偏光子１０４と光ファイバを伝播
する光を合成し又は分岐するカプラ１０５、１０６とを
有する。

【０００４】光源１０１より出力された光は第１のカプ
ラ１０５及び偏光子１０４を経由して第２のカプラ１０
６に導かれ、そこで２つに分岐される。２つの光は光フ
ァイバループ１０３を互いに反対方向に伝播する。即
ち、一方は光ファイバループ１０３を右周りに伝播し、
他方は左周りに伝播する。

【０００５】光ファイバループ１０３に角速度Ωが加わ
ると、サグナック効果によって、光ファイバループ１０
３内を互いに反対方向に伝播する光の間に位相差Δφが
生ずる。斯かる位相差Δφは角速度Ωに比例し、次の式
で表される。

【０００６】

【数１】Δφ＝（２πＬＤ／λＣ）Ω

【０００７】ここに、Ωは光ファイバループ１０３の中
心軸線周りの角速度、Ｄは光ファイバループ１０３のル
ープ径、Ｌは光ファイバループ１０３の長さ、λは光源
１０１から出力される光の波長、Ｃは光速を表す。

【０００８】この光ファイバジャイロは、更に、電流・
電圧変換器１０７と位相変調器１０８と信号発生器１０
９と同期検波器１１０とを有する。受光器１０２より出
力された電流は電流・電圧変換器１０７によって電圧に
変換され電圧として出力される。位相変調器１０８は光
ファイバループ１０３の一端に配置されており、信号発
生器１０９から供給された基準信号によって作動され
る。位相変調器１０８によって光ファイバループ１０３
内を互いに反対方向に伝播する光は位相変調される。信
号発生器１０９から供給される信号の角周波数をω_Pと
すれば、電流・電圧変換器１０７の出力電圧Ｖは、次の
式によって表される。

【０００９】

【数２】Ｉ＝Ｋ［１＋ｃｏｓΔφ・｛Ｊ₀（ｚ）−２Ｊ
₂（ｚ）ｃｏｓ２ω_Pｔ＋・・｝−ｓｉｎΔφ・｛２Ｊ
₁（ｚ）ｃｏｓω_Pｔ−・・・｝］

【００１０】ここで、ｚは位相変調度、Ｊ₀、Ｊ₁、Ｊ
₂、・・・はベッセル関数、Ｋは比例定数、ｔは時間で
ある。

【００１１】同期検波器１１０には信号発生器１０９か
ら角周波数ω_Pの基準信号が供給され、この基準信号に
よって出力電圧Ｖの角周波数ｎω_P成分のうち１倍波角
周波数成分ω_Pが同期検波される。同期検波器１１０
は、ｓｉｎΔφに比例する出力２ＫＪ₁（ｚ）ｓｉｎΔ
φを出力する。同期検波器１１０の出力より、Δφを求
め、数１の式より角速度Ωが求められる。

【００１２】位相差変調方式の光ファイバジャイロを改
良したものとしてセロダイン方式の光ファイバジャイロ
が知られている。セロダイン方式では位相変調器１０８
の他に更にセロダイン位相変調器１０８’が設けられて
いる。尚、セロダイン方式の光ファイバジャイロの詳細
については本願出願人と同一の出願人による特願平４−
３０６９７５号を参照されたい。

【００１３】尚、図２１にて破線で示すように、２つの
カプラ１０５、１０６、偏光子１０４、位相変調器１０
８、１０８’は光集積回路１１５によって置き換えてよ
い。また偏光子１０４、第２のカプラ１０６及び位相変
調器１０８、１０８’を光集積回路２０によって置き換
えてもよい。

【００１４】図２２を参照して従来の光ファイバジャイ
ロの他の例を説明する。この例は、本願出願人と同一の
出願人によって平成７年７月２５日付で出願された特願
平７−１８９３６３号に記載されたものであり、詳細に
ついては同出願を参照されたい。

【００１５】本例の光ファイバジャイロは光源１０１と
受光器１０２とビームスプリッタ１０と光集積回路２０
と光ファイバループ１０３とを有し、光ファイバループ
１０３は接続装置３５を介して光集積回路２０の導波路
に接続されている。

【００１６】光ファイバループ１０３としてシングルモ
ード光ファイバ又は偏波保持光ファイバが使用される。
シングルモード光ファイバループが使用される場合には
光集積回路２０と光ファイバループ１０３の間にデポラ
ライザ３１、３２が挿入される。偏波保持光ファイバが
使用される場合にはデポラライザ３１、３２は不要であ
る。

【００１７】デポラライザ３１、３２はそれぞれ２つの
偏波保持光ファイバ３１Ａ及び３１Ｂと３２Ａ及び３２
Ｂを含む光ファイバ型であってよい。２つの偏波保持光
ファイバ３１Ａと３１Ｂ、３２Ａと３２Ｂは、図示のよ
うに光軸に対して４５°傾斜した融着面によって互いに
接続され、その両端は光軸に対して任意の角度に傾斜し
た融着面によって接続装置３５及び光ファイバループ１
０３からの光ファイバ端（ピッグテイル）に接続されて
いる。

【００１８】なお、図２２では、図２１に示した如き受
光器１０２に接続された電流電圧変換器１０７、同期検
波器１１０、信号発生器１０９等を含む制御回路は省略
されている。

【００１９】ビームスプリッタ１０は、光源１０１と光
集積回路２０の前端面２０Ａの間の光路に配置され、図
２１に示した例の第１のカプラ１０５の機能を有する。
ビームスプリッタ１０は、光路に対して４５°傾斜した
ハーフミラー１１と、光路に沿って配置された第１及び
第２の集光レンズ１２、１３を有する。ハーフミラー１
１は直角プリズムによって形成されてよい。

【００２０】光源１０１と第１の集光レンズ１２の間の
間隔及び第２の集光レンズ１３と光集積回路２０の前端
面２０Ａの間の間隔は、実際には数１０μｍ〜数ｍｍで
あってよい。

【００２１】光集積回路２０の上面には導波路２３と導
波路よりなるＹ分岐２６が形成され、Ｙ分岐２６の各分
岐２６Ａ、２６Ｂの両側には位相変調器２７、２８が形
成されている。

【００２２】光源１０１からの光はビームスプリッタ１
０に達し、第１の集光レンズ１２によって集光され、ハ
ーフミラー１１を透過し、光集積回路２０の導波路２３
に導かれる。導波路２３を伝播した光は、Ｙ分岐２６に
て２つの伝播光に分岐される。一方の伝播光は第１の分
岐２６Ａ及びデポラライザ３１を経由して光ファイバル
ープ１０３を右周りに伝播し、他方の光は第２の分岐２
６Ｂ及びデポラライザ３２を経由して光ファイバループ
１０３を左周りに伝播する。

【００２３】光ファイバループ１０３を右周りに伝播す
る光と左周りに伝播する光はそれぞれ、Ｙ分岐２６の各
分岐２６Ａ、２６Ｂに沿って配置された位相変調器２
７、２８によって位相変調される。第２の位相変調器２
８はセロダイン位相変調器であってよい。

【００２４】２つの分岐２６Ａ、２６Ｂを伝播した光
は、Ｙ分岐２６によって合成され、干渉光は導波路２３
を経由してビームスプリッタ１０に達する。ビームスプ
リッタ１０に達した干渉光は第２の集光レンズ１３によ
って集光され、ハーフミラー１１を反射し受光器１０２
によって検出される。

【００２５】光集積回路２０はフォトリソグラフィ技術
を使用して基板の上面に導波路２３、Ｙ分岐２６及び位
相変調器２７、２８を形成することによって製造され
る。基板として例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂ
Ｏ₃）又はタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃）が使用
される。導波路の形成方法には熱拡散法、プロトン交換
法等がある。

【００２６】光源１０１より出力された光は互いに直交
する偏光面を有し強度が等しい２つの偏光、即ち、ＴＥ
偏光及びＴＭ偏光を含む。光ファイバジャイロでは、高
い測定精度を得るために、単一の偏光面を有する偏光が
使用される。従って、通常、光ファイバジャイロには光
源１０１からの光より偏光を得るための偏光分離機能が
備えられている。図２１に示す光ファイバジャイロで
は、光路に偏光子１０４が設けられている。図２２に示
す光ファイバジャイロでは、光集積回路２０に偏光分離
機能が備えられている。

【００２７】プロトン交換型の導波路は導波路自身が偏
光子の機能を有するので光集積回路に偏光子１０４を特
に設ける必要はない。プロトン交換型の導波路では、Ｔ
Ｅ偏光は導波路に閉じ込められて導波路を伝播するが、
ＴＭ偏光は導波路より拡散して基板を伝播する。結果と
して、プロトン交換型の導波路はＴＥ偏光のみを伝播さ
せる。しかしながら、チタン拡散型の導波路は偏光子の
機能を有さないから、光集積回路に偏光子を形成する必
要がある。斯かる偏光子は金属装荷型に形成されてよ
い。

【００２８】光のサニャック効果を利用した光ファイバ
ジャイロ等では、光伝送路に信号光以外の光が混入し
て、サニャック位相差Δφに影響を与え、それによって
誤差が生ずる。

【００２９】図２３に、図２１に示した光ファイバジャ
イロのうち、光集積回路２０のみを示す。光源１０１か
ら出力された光１０１Ｐは、カプラ１０５、偏光子１０
４等を経由して、光集積回路２０の導波路２３を伝播す
る。光１０１Ｐが光集積回路２０の前端面２０Ａにおけ
る導波路２３の端に到達するとそこで、放射光Ｐ₁が発
生する。放射光Ｐ₁は、光ファイバと光集積回路２０の
導波路２３の接合部のミスアラインメントやモード結合
損失に起因して生じる。

【００３０】放射光Ｐ₁は、光集積回路２０の導波路２
３がプロトン交換型であることに起因しても生じる。光
集積回路２０への入射光１０１Ｐが直線偏光である場
合、直線偏光の偏波面と導波路の透過軸（ＴＥ偏光の偏
波面）のずれに起因して放射光Ｐ₁が生ずる。光集積回
路２０への入射光１０１Ｐが直線偏光でない場合、導波
路の遮断軸（ＴＭ偏光の偏波面）方向の放射光Ｐ₁が生
じ基板を伝播する。

【００３１】光集積回路２０の導波路２３に沿って伝播
した光がＹ分岐２６に到達するとそこで放射光Ｐ₂が発
生する。基板を伝播した放射光Ｐ₂は、同様に、分岐枝
２６Ａ、２６Ｂ、光ファイバループ１０３と光集積回路
２０の接続部にて信号光と再結合する。放射光Ｐ₂は、
Ｙ分岐２６の伝搬損失に起因して生じる。

【００３２】基板を伝播した放射光Ｐ₁は、Ｙ分岐２６
及び分岐枝２６Ａ、２６Ｂ、光ファイバループ１０３と
光集積回路２０の接続部にて信号光と再結合（カップリ
ング）する。放射光Ｐ₂も同様に基板を伝播し、分岐枝
２６Ａ、２６Ｂ、光ファイバループ１０３と光集積回路
２０の接続部にて信号光と再結合（カップリング）す
る。放射光Ｐ₁、Ｐ₂の偏波面が信号光の偏波面ＳＰと
一致していれば、２つの光は直接再結合し、異なればク
ロストークとして再結合する。

【００３３】カップリング光は信号光として、光ファイ
バループ１０３を互いに反対方向に伝播する。しかしな
がら、放射光Ｐ₁、Ｐ₂は、発生点から再結合するまで
の経路がそれぞれ異なり、再結合するときには、互いに
位相が僅かに変化している。従って、光ファイバループ
１０３を右周りに伝播するカップリング光と左周りに伝
播するカップリング光とでは、カップリングに起因した
位相の変化量が異なり、干渉光に生ずるサグナック位相
差の誤差となる。

【００３４】図２４を参照して説明する。光ファイバル
ープ１０３を伝播した光は、それぞれ光集積回路２０の
分岐枝（導波路）２６Ａ、２６Ｂ（導波路）に伝播す
る。光が光集積回路２０の後端面における分岐枝（導波
路）２６Ａ、２６Ｂの端に到達したとき、放射光Ｑ₁が
発生する。放射光Ｑ₁は、放射光Ｐ₁と同様に、光ファ
イバループ１０３の両端と光集積回路２０の分岐枝２６
Ａ、２６Ｂの接合部のミスアラインメントやモード結合
損失に起因して生じる。

【００３５】放射光Ｑ₁は、光ファイバループ１０３の
光学特性に起因しても生じる。光ファイバループ１０３
が偏波保持光ファイバの場合、光ファイバループ１０３
から分岐枝２６Ａ、２６Ｂに伝播する光は直線偏光であ
る。このとき、直線偏光の偏波面と導波路の透過軸（Ｔ
Ｅ偏光の偏波面）のずれに起因して放射光Ｑ₁が生ず
る。光ファイバループ１０３がシングルモード光ファイ
バの場合、光ファイバループ１０３から分岐枝２６Ａ、
２６Ｂに伝播する光は直線偏光ではない。このとき、プ
ロトン交換型の導波路の場合には、導波路の遮断軸（Ｔ
Ｍ偏光の偏波面）方向の放射光Ｑ₁が生じ基板を伝播す
る。

【００３６】２つの分岐枝２６Ａ、２６Ｂに沿って伝播
した光がＹ分岐２６に到達するとそこで放射光Ｑ₂が発
生する。放射光Ｑ₂は、位相変調器２７、２８による位
相変調によって生じる。

【００３７】放射光Ｑ₁は、分岐枝２６Ａ、２６Ｂにて
信号光と再結合（カップリング）する。放射光Ｑ₂は、
受光器１０２に導かれる干渉光と再結合（カップリン
グ）する。従って、放射光Ｑ₁、Ｑ₂は、放射光Ｐ₁、
Ｐ₂と同様に誤差の原因となる。

【００３８】本願出願人と同一の出願人によって平成７
年４月２５日に出願された特願平７−１０１３４０号及
び特願平７−１０１３４４号には、光集積回路を使用し
た光ファイバジャイロにおいて、光集積回路の導波路に
モードフィルタを設けることが記載されている。モード
フィルタによって、導波路より基板に拡散した放射モー
ド光が遮断され、放射モード光が導波路を伝播する光に
再結合して誤差が生ずることが防止される。

【００３９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光集積
回路を使用する光ファイバジャイロではこれら以外にも
様々な原因の誤差が生ずる。

【００４０】図２５、図２６及び図２７を参照して説明
する。図２５は図２２に示した光ファイバジャイロの斜
視図である。光ファイバループ１０３としてシングルモ
ード光ファイバが使用される場合には、図示のように、
光ファイバループ１０３と光集積回路２０の間にデポラ
ライザ３１、３２が挿入される。光ファイバループ１０
３として偏波保持ファイバが使用される場合にはデポラ
ライザ３１、３２は不要である。

【００４１】上述のように、光集積回路２０のＹ分岐構
造２６、２６Ａ、２６Ｂは導波路よりなる。従って光集
積回路２０における光伝送路は導波路である。伝播光は
導波路に完全に閉じ込められることはなく、図２５の参
照符号Ａ、Ｂ、Ｃにて示すように、基板に洩れ又は拡散
する。

【００４２】導波路に閉じ込められて伝播する光を導波
モード、導波路より基板に洩れ又は拡散する光を放射モ
ードと称する。ここでは、放射モードが生ずる３つの場
合を説明する。

【００４３】（１）Ｙ分岐２６に起因して生ずる放射モ
ード光Ａこれは、光ファイバループ１０３としてシングルモード
光ファイバを使用する場合も偏波保持ファイバを使用す
る場合もいずれの場合にも生ずる。またこの放射モード
光Ａは、Ｙ分岐構造２６、２６Ａ、２６Ｂが完全な強度
結合器を構成している場合でも生ずる。

【００４４】図２６Ａを参照して説明する。通常、光集
積回路２０のＹ分岐及び導波路２３はシングルモード導
波路よりなる。Ｙ分岐２６の２つの分岐２６Ａ、２６Ｂ
を伝播する光Ｍ₀はシングルモード光、即ち、０次モー
ド光であり、図示のように導波路の中心に対して両側に
対称的な光電界分布を有する。２つの分岐２６Ａ、２６
Ｂを伝播した２つの０次モード光Ｍ₀は、位相変調によ
って互いに位相差があり、Ｙ分岐２６を通過すると、１
次モード光Ｍ₁が生成される。１次モード光Ｍ ₁は導波
路の中心に対して両側に非対称的な光電界分布を有す
る。この光電界分布は、図示のように、略余弦波形の如
き導波路の中心に対して両側に極性が反対の凸部形状を
有する線対称な曲線である。

【００４５】結局、導波路２３には０次モード光Ｍ₀と
１次モード光Ｍ₁が伝播する。通常、導波路２３はシン
グルモード導波路であるから０次モード光Ｍ₀は減衰し
ないが、１次モード光Ｍ₁は導波路の外側の基板に拡散
し減衰する。

【００４６】この放射モード光Ａは、導波路２３を伝播
してビームスプリッタ１０及び受光器１０２へ向かう０
次モード光Ｍ₀と反対の極性で光量が変化する。従っ
て、Ｙ分岐２６からの放射モード光Ａが受光器１０２に
入射した場合、導波路２３を伝播した０次モード光Ｍ₀
はジャイロ信号を打ち消すように作用する。それがジャ
イロ信号のスケールファクタ誤差となる。

【００４７】（２）Ｙ分岐２６が完全な強度結合構造で
ないことに起因して生ずる放射モード光Ｂこれも、光ファイバループ１０３としてシングルモード
光ファイバを使用する場合も偏波保持ファイバを使用す
る場合もいずれの場合にも生ずる。

【００４８】図２６Ｂを参照して説明する。Ｙ分岐構造
２６、２６Ａ、２６Ｂが完全な強度結合器構造を形成し
ていない場合には、２つの分岐２６Ａ、２６Ｂを伝播す
る０次モード光Ｍ₀は導波路より洩れる。図示のよう
に、これらの洩れ光は、Ｙ分岐２６の近傍にて且つ２つ
の導波路の内側（２６Ｃ）にて、干渉する。その結果、
Ｙ分岐２６にて放射モード光Ｂが誘発される。

【００４９】この放射モード光Ｂの分布及び光量は、２
つの分岐２６Ａ、２６Ｂを並走する０次モード光Ｍ₀の
位相差の変動によって変化する、即ち、位相変調信号に
同期して変化し、受光器１０２の出力信号に影響を与え
る。それがジャイロ信号の固定バイアスとなり、ジャイ
ロ信号に誤差を生じさせる。

【００５０】図２７を参照して説明する。図２７は、光
集積回路２０のＹ分岐２６からの放射モード光Ａ、Ｂが
光集積回路２０の前端面２０Ａに達した状態を示す。例
えば、Ｙ分岐２６から光集積回路２０の前端面２０Ａま
での距離が６ｍｍの場合、放射モード光Ａ、Ｂの現れる
領域２０Ｃ及び２０Ｄは、導波路２３より約５００μｍ
の範囲である。

【００５１】斯かる領域２０Ｃ及び２０Ｄの中心位置
は、基板の上面より深さ１００〜２００μｍ且つ導波路
２３の両側に約１００μｍの位置である。

【００５２】（３）光ファイバループ１０３としてシン
グルモード光ファイバを使用することに起因して生ずる
放射モード光Ｃ光ファイバループ１０３としてシングルモード光ファイ
バを使用する場合には上述のように光ファイバループ１
０３と光集積回路２０の間にデポラライザ３１、３２が
挿入される。

【００５３】再び図２５を参照する。光源１０１からの
光は光集積回路２０によって直線偏光化され、デポララ
イザ３１、３２によって円偏光化されてからシングルモ
ード光ファイバループ１０３を互いに反対方向に伝播す
る。シングルモード光ファイバループ１０３を出たシン
グルモードの円偏光は、光集積回路２０のＹ分岐２６の
２つの分岐２６Ａ、２６Ｂ及び導波路２３を伝播する。

【００５４】光集積回路２０がプロトン交換型の場合、
２つの偏光成分ＴＭ偏光及びＴＥ偏光のうち光集積回路
２０の上面に垂直な偏光面を有するＴＭ偏光は、図２５
にて破線Ｃで示すように、導波路より外側に拡散し、Ｔ
Ｅ偏光のみが導波路を伝播する。導波路より外側に拡散
したＴＭ偏光は、光集積回路２０の前端面２０Ａにて干
渉縞Ｄを生成する。この干渉縞Ｄは位相変調器２７、２
８によって位相変調されたものであり、位相変調信号に
同期して変化する。斯かる干渉縞Ｄの変化は受光器１０
２の出力信号に影響を与える。

【００５５】光集積回路２０に発生する放射光又は放射
モード光のうち、図２３及び図２４を参照して説明した
放射光Ｐ₁、Ｐ₂、Ｑ₁、Ｑ₂は光集積回路２０の基板
の上面２０Ｂに沿って伝播する。放射光Ｐ₁、Ｐ₂、Ｑ
₁、Ｑ₂に起因した誤差の除去は、図２１に示した如き
光ファイバを含むカプラ１０５と光集積回路２０を有す
る光ファイバジャイロにも図２２に示した如きビームス
プリッタ１０を有する光ファイバジャイロにも必要であ
る。

【００５６】しかしながら、図２５〜図２７を参照して
説明した放射モード光Ａ、Ｂ、Ｃは光集積回路２０の前
端面２０Ａにて、上面２０Ｂより下方の位置に現れるか
ら、放射モード光Ａ、Ｂ、Ｃに起因した誤差の除去は、
図２１に示した如き光ファイバを含むカプラ１０５と光
集積回路２０を有する光ファイバジャイロの場合には重
要ではないが、図２２に示した如きビームスプリッタ１
０を有する光ファイバジャイロには必要である。

【００５７】本発明は、斯かる点に鑑み、光集積回路２
０の導波路と光ファイバとの接合部、光集積回路のＹ分
岐等によって生ずる放射光に起因したジャイロ信号の固
定バイアス及びスケールファクタ誤差がない光ファイバ
ジャイロを提供することを目的とする。

【００５８】本発明は、斯かる点に鑑み、光集積回路２
０の導波路からの放射モード光Ａ、Ｂ、Ｃ及び光集積回
路２０の前端面２０Ａに生ずる干渉縞Ｄの変化に起因し
たジャイロ信号の固定バイアス及びスケールファクタ誤
差がない光ファイバジャイロを提供することを目的とす
る。

【００５９】

【課題を解決するための手段】本発明によると、光源と
光を分岐又は合成するためのＹ分岐を有する光集積回路
と光集積回路から出た２つの光を伝播させる光ファイバ
ループと光集積回路から出た干渉光を検出する受光器と
を有する光ファイバジャイロにおいて、Ｙ分岐は主導波
路とそれに接続された２つの分岐導波路とを含み、光集
積回路には主導波路の両側にそれぞれ溝が設けられ、溝
は光集積回路の基板を伝播する放射モード光の伝播経路
を遮断するように互いに重なり合うように互い違いに配
置されており、主導波路は溝の間を通るように湾曲して
延在している。

【００６０】本発明によると、光ファイバジャイロにお
いて、光集積回路の上面には２つの分岐導波路の間に溝
が設けられ、溝は２つの分岐導波路の端部にて生じた放
射モード光が主導波路に伝播することを阻止するように
配置されている。

【００６１】本発明によると、基板と基板に形成された
Ｙ分岐とを有する光集積回路において、Ｙ分岐は主導波
路とそれに接続された２つの分岐導波路とを含み、主導
波路の両側にそれぞれ溝が設けられ、溝は基板を伝播す
る放射モード光の伝播経路を遮断するように互いに重な
り合うように互い違いに配置されており、主導波路は溝
の間を通るように湾曲して延在している。２つの分岐導
波路の間に溝が設けられ、溝は２つの分岐導波路の端部
にて生じた放射モード光が主導波路に伝播することを阻
止するように配置されている。

【００６２】本発明によると、光源と光を分岐又は合成
するためのＹ分岐を有する光集積回路と光集積回路から
出た２つの光を伝播させる光ファイバループと光集積回
路から出た干渉光を偏向させるビームスプリッタとビー
ムスプリッタからの光を検出する受光器とを有する光フ
ァイバジャイロにおいて、Ｙ分岐を構成する導波路の外
側に拡散した光が光集積回路の端面を経由してビームス
プリッタへ洩れないように、光集積回路とビームスプリ
ッタの間に光遮蔽装置が設けられている。

【００６３】本発明によると、光ファイバジャイロにお
いて、光遮蔽装置は光集積回路の端面に形成された光遮
蔽膜である。光遮蔽装置は光集積回路の端面に配置され
た光遮蔽板である。光遮蔽装置は主導波路からの干渉光
を伝播させるための窓を有する。窓の径は主導波路の径
の数倍〜２０倍である。

【００６４】本発明によると、光源と光を分岐し又は合
成するためのＹ分岐を有する光集積回路と光ファイバル
ープと光集積回路から出た干渉光を偏向させるビームス
プリッタとビームスプリッタからの光を検出する受光器
とを有する光ファイバジャイロにおいて、光集積回路の
ビームスプリッタに面する前端面には、上縁に沿った帯
状の通光部を除いて光遮蔽膜が装着され、通光部の幅は
光集積回路の導波路の断面の深さ寸法に対応した寸法を
有する。

【００６５】本発明によると、光ファイバジャイロにお
いて、光集積回路の前端面には窓を有する光遮蔽板が装
着され、窓の横方向の幅は光集積回路の導波路の断面の
横幅寸法に対応した寸法を有し、窓の縦方向の幅は光集
積回路の導波路の断面の深さ寸法より十分大きな寸法を
有する。光集積回路の上面には、導波路の両側にて且つ
導波路に近接して溝が形成され、溝の深さ寸法は光集積
回路の導波路の断面の深さ寸法に対応した寸法を有す
る。溝は導波路の外側を伝播した放射モード光の伝播路
を遮断するように互い違いに且つ重なり合うように配置
され、導波路は溝の間を湾曲して延在している。溝はレ
ーザ加工法によって形成されている。

【００６６】本発明によると、光源と光を分岐し又は合
成するためのＹ分岐を有する光集積回路と光ファイバル
ープと光集積回路から出た干渉光を偏向させるビームス
プリッタとビームスプリッタからの光を検出する受光器
とを有する光ファイバジャイロにおいて、光集積回路の
ビームスプリッタに面する前端面には、上縁に沿った帯
状の通光部を除いて傾斜面が形成され、傾斜面は光集積
回路の上面に平行な放射モード光を全反射させるように
光集積回路の上面に対して所定の角度にて傾斜し、通光
部の幅は光集積回路の導波路の断面の深さ寸法に対応し
た寸法を有する。

【００６７】本発明によると、光ファイバジャイロにお
いて、光集積回路の前端面には窓を有する光遮蔽板が装
着され、窓の横方向の幅は光集積回路の導波路の断面の
横幅寸法に対応した寸法を有し、窓の縦方向の幅は光集
積回路の導波路の断面の深さ寸法より十分大きな寸法を
有する。光集積回路の上面には、導波路の両側にて且つ
導波路に近接して溝が形成され、溝の深さ寸法は光集積
回路の導波路の断面の深さ寸法に対応した寸法を有す
る。溝は導波路の外側を伝播した放射モード光の伝播路
を遮断するように互い違いに且つ重なり合うように配置
され、導波路は溝の間を湾曲して延在している。溝はレ
ーザ加工法によって形成されている。

【００６８】本発明によると、光源と光を分岐又は合成
するためのＹ分岐を有する光集積回路と光集積回路から
出た２つの光を伝播させるシングルモード光ファイバル
ープと光集積回路と光ファイバループの間に接続された
デポラライザと光集積回路から出た干渉光を偏向させる
ビームスプリッタとビームスプリッタからの光を検出す
る受光器とを有する光ファイバジャイロにおいて、光集
積回路はプロトン交換型であり光集積回路の導波路を伝
播するＴＭ偏光を除去するための偏光子が設けられてい
る。

【００６９】本発明によると、光ファイバジャイロにお
いて、光集積回路とデポラライザの間に接続装置が設け
られ、接続装置は基板の上面に形成されたＶ溝とＶ溝に
配置された光ファイバ端とを有する。偏光子は接続装置
に配置されている。偏光子は光集積回路とビームスプリ
ッタの間に配置されている。偏光子は積層型偏光子であ
る。

【００７０】本発明によると、光源と光を分岐又は合成
するためのＹ分岐を有する光集積回路と光集積回路から
出た２つの光を伝播させる光ファイバループと光集積回
路から出た干渉光を偏向させるビームスプリッタとビー
ムスプリッタからの光を検出する受光器とを有する光フ
ァイバジャイロにおいて、受光器を囲むように遮蔽板が
設けられ、遮蔽板によって光源からの洩れ光が受光器に
到達することが阻止されるように構成されている。

【００７１】本発明によると、光源と光を分岐又は合成
するためのＹ分岐を有する光集積回路と光集積回路から
出た２つの光を伝播させる光ファイバループと光集積回
路から出た干渉光を偏向させるビームスプリッタとビー
ムスプリッタからの光を検出する受光器とを有する光フ
ァイバジャイロにおいて、光集積回路はチタン拡散型で
あり、光源から光ファイバループへ伝播する光を偏光さ
せるための第１の偏光子と光ファイバループから光集積
回路へ伝播する光を偏光させる第２の偏光子とを有する
ように構成されている。

【００７２】

【発明の実施の形態】図１〜図４を参照して本発明によ
る光ファイバジャイロ及びそれに使用される光集積回路
の例を説明する。尚、図１〜図４において、光集積回路
２０及び光ファイバループ１０３以外の構成要素は省略
されている。本例の光ファイバジャイロは図２１に示し
た如きカプラ１０５を含む形式のものであってもよく、
図２２に示した如きビームスプリッタ１０を含む形式の
ものであってもよい。

【００７３】図１に本発明の第１の例を示す。光集積回
路２０の上面２０Ｂに形成されたＹ分岐２６は主導波路
２３と２つの分岐枝導波路２６Ａ、２６Ｂとを含む。本
例によると、光集積回路２０の上面２０Ｂには溝５６、
５７が形成され、主導波路２３は溝５６、５７の間を蛇
行して延在しＳ字状に湾曲している。

【００７４】溝５６、５７は導波路２３の両側に互い違
いに１個ずつ合計２個だけ設けられているが、導波路２
３の両側に複数個ずつ設けてもよい。また、溝５６、５
７の内部に光遮蔽材を充填してもよい。

【００７５】本例の溝５６、５７によって、図２３を参
照して説明した放射モード光Ｐ₁が遮断され、放射モー
ド光Ｐ₁が２つの分岐枝２６Ａ、２６Ｂ及び光集積回路
２０と光ファイバループ１０３の接合部へ伝播するのが
阻止される。また、図２４を参照して説明した放射モー
ド光Ｑ₂が遮断され、放射モード光Ｑ₂が光集積回路２
０と光源側の光ファイバの接合部へ伝播するのが阻止さ
れる。

【００７６】図２を参照して説明する。図２は、光集積
回路２０の前端部の上面２０Ｂに形成された導波路２３
と溝５６、５７を示す。図示のように光集積回路２０の
上面２０Ｂ上に、前端面２０Ａに沿ってＸ軸、それに直
交するようにＺ軸をとる。図２Ａに示すように、２つの
溝５６、５７は、互い違いに配置され、Ｘ軸に沿って重
なった部分又は重複した部分を有するように配置され
る。この重なった部分又は重複した部分の長さをΔＺと
する。このように配置することによって、光集積回路２
０の上面２０Ｂに沿ってＺ軸方向に伝播する光が遮断さ
れる。

【００７７】図２Ｂを参照して説明する。光集積回路２
０の上面２０Ｂに沿って、Ｚ軸の正の方向に伝播する光
ＢＥ₁、ＢＥ₂は先ず第１の溝５６に到達し、その一部
ＢＥ ₁は遮断されるが、他の一部ＢＥ₂は遮断されず伝
播する。しかしながら、第１の溝５６によって遮断され
ずに伝播した光ＢＥ₂は必ず第２の溝５７によって遮断
される。

【００７８】２つの溝５６、５７の重なった部分又は重
複した部分の長さΔＺが十分大きいと、第１の溝５６に
よって遮断されずに伝播した光ＢＥ₂を第２の溝５７に
よって完全に遮断することができるが、この長さΔＺが
小さいとこの光ＢＥ₂を完全に遮断することはできな
い。

【００７９】同様に、Ｚ軸の負の方向に伝播する光ＢＥ
₃、ＢＥ₄は先ず第２の溝５７に到達し、その一部ＢＥ
₃は遮断されるが、他の一部ＢＥ₄は遮断されず伝播す
る。しかしながら、第２の溝５７によって遮断されずに
伝播した光ＢＥ₄は必ず第１の溝５６によって遮断され
る。

【００８０】２つの溝５６、５７は、両者間に導波路２
３が配置されるように、互いに隔置されている。２つの
溝５６、５７は、それぞれＸ軸に沿って延在し且つＺ軸
方向に隔置されるように配置されてよい。

【００８１】導波路２３は、２つの溝５６、５７の間を
Ｓ字状に蛇行して延在し、光集積回路２０の前端面２０
Ａに近い第１の部分２３ＡとＹ分岐２６に近い第３の部
分２３Ｃと両者の間の湾曲した第２の部分２３Ｂとを含
むように構成されてよい。第１の溝５６は、導波路２３
の、光集積回路２０の前端面２０Ａに近い部分２３Ａに
近接して配置され、第２の溝５７は、導波路２３の、光
集積回路２０のＹ分岐２６に近い部分２３Ｃに近接して
配置されてよい。

【００８２】溝５６、５７の横方向（Ｘ軸方向）の寸法
Ｌ_Xは十分大きくてよく、導波路２３に近接した位置か
ら光集積回路２０の側縁近くまで延在するように形成し
てよい。溝５６、５７の幅方向（Ｚ軸方向）の寸法Ｌ_Z
は、数１０μｍ〜１ｍｍであってよい。溝５６、５７の
深さは、導波路２３の断面の外径と略同一又はそれより
僅かに大きく形成してよい。

【００８３】溝５６、５７は半導体装置の製造にて使用
されている周知の微細加工法によって形成されてよい。
例えば、溝５６、５７を形成すべき部分に予め金属箔パ
ターンを形成し、レーザ加工機によってその部分を削り
取ることによって製造してよい。

【００８４】図３に本発明の第２の例を示す。本例によ
ると、光集積回路２０の上面２０ＢのＹ分岐２６の直ぐ
後ろ側に２つの分岐枝２６Ａ、２６Ｂに間に、溝５８が
形成されている。溝５８は略Ｘ軸方向に沿って延在して
いる。本例の溝５８によって、図２３を参照して説明し
た放射モード光Ｐ₂が遮断され、放射モード光Ｐ₂が２
つの分岐枝２６Ａ、２６Ｂ及び光集積回路２０と光ファ
イバループ１０３の接合部へ伝播するのが阻止される。
また、図２４を参照して説明した放射モード光Ｑ₁が遮
断され、放射モード光Ｑ₁が導波路２３及び光集積回路
２０と光源側の光ファイバの接合部へ伝播するのが阻止
される。

【００８５】図４に本発明の第３の例を示す。本例は図
１の第１の例と図３の第２の例を組み合わせたものであ
る。本例によると、光集積回路２０の上面２０Ｂに溝５
６Ａ、５６Ｂ、５７Ａ、５７Ｂ、５８が形成され、主導
波路２３は溝５６Ａ、５６Ｂ、５７Ａ、５７Ｂの間を蛇
行して延在しＳ字状に湾曲している。

【００８６】４つの溝５６Ａ、５６Ｂ、５７Ａ、５７Ｂ
のうち、２つの溝５６Ａ、５７Ａは図１に示した溝と同
一であり、必須であるが、他の２つの溝５６Ｂ、５７Ｂ
は必ずしも必須ではなく、省略してもよい。Ｙ分岐２６
の直ぐ後ろ側の溝５８は図３に示した例と同様である。
また、溝５６、５７、５８の内部に光遮蔽材を充填して
もよい。

【００８７】導波路２３の両側の４つの溝５６Ａ、５６
Ｂ、５７Ａ、５７ＢとＹ分岐２６の後ろ側の溝５８とに
よって、図２３を参照して説明した放射モード光Ｐ₁、
Ｐ₂と図２４を参照して説明した放射モード光Ｑ₁、Ｑ
₂が遮断される。

【００８８】図５〜図１４を参照して本発明による光フ
ァイバジャイロ及びそれに使用される光集積回路の例を
説明する。本例による光ファイバジャイロは、図２２を
参照して説明した従来のビームスプリッタ１０を含む形
式の光ファイバジャイロと比較して、光集積回路２０の
前端部（光源側端部）に光遮蔽装置又は構造が設けられ
ている点が異なり、それ以外は同様な構成であってよ
い。従って、図５〜図１４において、光集積回路２０及
び光遮蔽装置又は構造以外の構成要素は省略されてい
る。また、光集積回路２０の上面２０Ｂには、図２２に
示したように、Ｙ分岐２６の２つの分岐に位相変調器２
７、２８が設けられるが、これらは図５〜図１４では省
略されている。

【００８９】図５に本発明の第４の例を示す。本例によ
ると、光集積回路２０の前端面２０Ａに光遮蔽膜５１で
塗布されている。光遮蔽膜５１には、導波路２３を伝播
した光を通過させるための小さな窓５１Ａが形成されて
いる。

【００９０】図６を参照して、図５の例の光遮蔽膜５１
の形成方法の例を説明する。本例の光遮蔽膜５１は半導
体の製造技術にて周知の金属薄膜形成法によって形成さ
れてよい。図６Ａに示すように、先ず、光集積回路２０
の前端面２０Ａにレジスト膜１１１を塗布し、次に、図
６Ｂに示すように、紫外線を光集積回路２０の導波路２
３に沿って、光集積回路２０の前端面２０Ａ方向に伝播
させる。それによって、レジスト膜１１１のうち、導波
路２３の露出端面を覆った部分１１１Ａが露光される。
次に、図６Ｃに示すように、レジスト膜１１１を現像
し、レジスト膜１１１のうち、露光した部分１１１Ａ以
外に部分を除去する。

【００９１】次に、図６Ｄに示すように、光集積回路２
０の前端面２０Ａに、クロム、チタン等の金属薄膜１１
２を成膜する。成膜法にはスッパッタリング、真空蒸着
等がある。最後に、図６Ｅに示すように、光集積回路２
０の前端面２０Ａに残ったレジスト膜１１１Ａを除去す
る。それによって光集積回路２０の前端面２０Ａに、窓
５１Ａを有する光遮蔽膜５１が形成される。

【００９２】図７及び図８に示す例では、光集積回路２
０の前端面２０Ａに、光遮蔽板５２が配置されている。
図７に示す光遮蔽板５２は透明な材料よりなる板、例え
ばガラス板の表面に光遮蔽膜を塗布することによって形
成され、光遮蔽膜には導波路２３を伝播した光を通過さ
せるための小さな窓５２Ａが形成されている。図８に示
す光遮蔽板５２は光遮蔽材よりなる板によって形成さ
れ、導波路２３を伝播した光を通過させるための小さな
切り欠き窓５２Ｂが形成されている。

【００９３】本例によると、光集積回路２０のＹ分岐２
６にて放射モード光Ａ、Ｂが発生しても、放射モード光
は光集積回路２０の前端面２０Ａにて光遮蔽膜５１又は
光遮蔽板５２によって遮蔽され除去される。従って、導
波路２３を伝播した干渉光のみが窓５１Ａ、５２Ａ、５
２Ｂを通過してビームスプリッタ１０に導かれる。

【００９４】次に光遮蔽膜５１又は光遮蔽板５２及びそ
の窓５１Ａ、５２Ａ、５２Ｂの寸法について説明する。
これらの寸法は、光集積回路２０の前端面２０Ａに現れ
る放射モード光Ａ、Ｂを十分遮断することができるよう
に、設定される。

【００９５】図２７を参照して説明したように、Ｙ分岐
２６から光集積回路２０の前端面２０Ａまでの距離が約
６ｍｍの場合、放射モード光Ａ、Ｂが光集積回路２０の
前端面２０Ａに現れる領域２０Ｃ、２０Ｄの中心位置
は、導波路２３より下方に１００〜２００μｍ且つ導波
路２３の両側に約１００μｍの位置にある。また斯かる
放射モード光Ａ、Ｂの領域２０Ｃ、２０Ｄはそれぞれ深
さ方向の寸法が約１００μｍ、横幅の寸法が約１００〜
２００μｍである。

【００９６】従って光遮蔽膜５１又は光遮蔽板５２の寸
法は縦が約４００μｍ、横が約４００μｍであれば十分
である。従って、光遮蔽膜５１は、図５に示したよう
に、光集積回路２０の前端面２０Ａに窓５１Ａを除いて
全面的に塗布してよいが、前端面２０Ａの一部に塗布し
てもよい。光遮蔽板５２も同様に、光集積回路２０の前
端面２０Ａと同一の外形寸法を有してよいが、それより
小さくてもよい。

【００９７】また光遮蔽膜５１の窓５１Ａの径は、導波
路２３の断面寸法が直径約５μｍであると仮定して、約
５〜５０μｍであってよい。光遮蔽板５２の窓５２Ａ、
５２Ｂの径Ｈ_Y、Ｗ_Xは、導波路２３の断面寸法より大
きく、約５〜５０μｍであってよい。

【００９８】図９に本発明の第７の例を示す。本例によ
ると、光集積回路２０の前端面２０Ａに光遮蔽膜５１が
形成され、更に光遮蔽板５２が配置されている。光遮蔽
膜５１は上縁に沿った帯状の通光部、即ち、窓５１Ｃを
有する。光遮蔽板５２は縦長の細長い窓５２Ｃを有す
る。

【００９９】光遮蔽膜５１に光遮蔽板５２を重ねること
によって、光遮蔽膜５１の窓５１Ｃと光遮蔽板５２の窓
５２Ｃの共通部分が実質的な窓となる。光遮蔽膜５１の
窓５１Ｃは光集積回路２０の前端面２０Ａにて、上縁に
沿って延在する帯状であり、光集積回路２０の前端部を
伝播する放射モード光の大部分を遮蔽することができる
が、光集積回路２０の上面２０Ｂに沿った放射モード光
を完全に遮蔽することはできない。光遮蔽膜５１の窓５
１Ｃを通過した放射モード光は光遮蔽板５２によって遮
蔽され除去される。

【０１００】こうして本例のように、光遮蔽膜５１に光
遮蔽板５２を重ねることによって、図５に示した第４の
例の光遮蔽膜５１と同様に放射モード光を略完全に遮蔽
することができ、導波路２３を伝播した干渉光のみがビ
ームスプリッタ１０に導かれる。

【０１０１】図１０に本発明の第８の例を説明する。本
例によると、光集積回路２０の前端面２０Ａに傾斜面５
３が設けられ、更に光遮蔽板５２が装着されている。傾
斜面５３は、光集積回路２０の前端面２０Ａの上縁に沿
った帯状の部分５３Ｃを残して形成されている。この帯
状の部分５３Ｃは、図９の第７の例の窓５１Ｃに相当
し、この窓５１Ｃと同様の寸法を有する。

【０１０２】図示のように、光遮蔽板５２は、傾斜面５
３の両側に装着された支持部材５４Ａ、５４Ｂの上に装
着してもよい。光遮蔽板５２は縦長の細長い窓５２Ｃを
有する。本例の光遮蔽板５２は図９の本発明の第７の例
に使用されている光遮蔽板５２と同様であってよい。

【０１０３】傾斜面５３は放射モード光に対する全反射
面である。光集積回路２０の前端部に伝播した放射モー
ド光は、傾斜面５３にて全反射し、ビームスプリッタ１
０及び受光器１０２（図２２）に達することがない。従
って傾斜面５３は光遮蔽膜と同様に光遮蔽装置又は構造
を構成する。

【０１０４】傾斜面５３の傾斜角に関して説明する。光
集積回路２０の前端部に伝播する放射モード光は、光集
積回路２０の上面２０Ｂに平行であると仮定する。傾斜
面５３は光集積回路２０の上面２０Ｂに平行な放射モー
ド光が全反射するように、光集積回路２０の上面２０Ｂ
に対して所定の傾斜角度θ₁にて傾斜して配置される。
光集積回路２０の上面２０Ｂに対する傾斜面５３の傾斜
角θ₁は、放射モード光の入射角に等しい。全反射する
ための条件は次のように表される。

【０１０５】

【数３】θ₁≧ｓｉｎ^-1（ｎ₁／ｎ₂）

【０１０６】ここに、ｎ₂は光集積回路２０の基板の屈
折率、ｎ₁は空気の屈折率である。光集積回路２０の基
板としてニオブ酸リチウムを用いる場合には、ｎ₂＝
２．２、空気の屈折率をｎ₁＝１．０とすると、θ₁≧
２７°となる。従って、傾斜面５３の傾斜角θ₁をθ₁
＝３０°としてよい。

【０１０７】図９の例と同様に、傾斜面５３に光遮蔽板
５２を重ねることによって、傾斜面５３の窓５３Ｃと光
遮蔽板５２の窓５２Ｃの共通部分が実質的な窓となる。
傾斜面５３に光遮蔽板５２を重ねることによって、放射
モード光を略完全に遮蔽することができ、導波路２３を
伝播した干渉光のみがビームスプリッタ１０に導かれ
る。

【０１０８】光集積回路２０の前端面２０Ａ上に、図示
のように、光集積回路２０の幅方向にＸ軸、深さ方向に
Ｙ軸をとる。光遮蔽膜５１の窓５１Ｃ及び傾斜面５３の
窓５３Ｃの縦方向の幅、即ち、光集積回路２０の上面２
０Ｂからの寸法ｈは、少なくとも、導波路２３の断面の
深さ寸法より大きく、例えば数〜数１０μｍであってよ
い。

【０１０９】光遮蔽板５２の窓５２Ｃの横方向（Ｘ軸方
向）の寸法Ｗ_Xは、導波路２３の断面の幅方向の寸法よ
り僅かに大きく、数〜数１０μｍであってよい。また、
窓５２Ｃの縦方向（Ｙ軸方向）の寸法Ｈ_Yは、光遮蔽膜
５１の窓５１Ｃ又は傾斜面５３の窓５３Ｃの幅ｈより十
分大きくてよい。

【０１１０】図９及び図１０に示した例では、光遮蔽装
置又は構造は２つの部分を含む。図９の第７の例では、
光遮蔽膜５１と光遮蔽板５２を含み、図１０の第８の例
では、光傾斜面５３と光遮蔽板５２を含む。従って、図
５〜図８の例の場合と比べて、光遮蔽装置又は構造の構
成要素が多い。しかしながら、図９及び図１０に示した
例では、光遮蔽装置又は構造の製造及びアラインメント
作業がより簡単となる利点がある。

【０１１１】図９の第７の例では、光遮蔽膜５１の窓５
１Ｃは帯状であり、光遮蔽膜５１は長方形となる。従っ
て図５の第４の例の場合のように、小さな窓５１Ａを有
する光遮蔽膜５１の場合に比べて、光遮蔽膜５１の製造
工程がより簡単である。また、図１０の第８の例のよう
に、傾斜面５３を形成するには、直方体形状の光集積回
路２０より破線にて示す３角柱状部分５３’（図１２）
を除去すればよく、製造工程の短縮化が可能となる。

【０１１２】光遮蔽板５２の窓５２Ｃの縦方向（Ｙ軸方
向）の寸法Ｈ_Yは、Ｙ軸方向のアラインメント作業が不
要となるように、十分大きく形成される。結局、光遮蔽
板５２を光集積回路２０の前端面２０Ａに装着するとき
に、Ｘ軸方向のアラインメント作業のみが必要となる。
Ｘ軸方向のアラインメントは、光遮蔽板５２をＸ軸方向
に移動させながら受光器１０２の出力を監視し、受光器
１０２の出力が最大となった位置を検出することによっ
てなされてよい。

【０１１３】図１１に本発明の第９の例を示す。本例に
よると、光集積回路２０の前端面２０Ａに光遮蔽膜５１
が形成され、更に光集積回路２０の上面２０Ｂに溝５６
Ａ、５６Ｂが形成されている。光遮蔽膜５１は、図８に
示した例と同様であり、上縁に沿った帯状の通光部、即
ち、窓５１Ｃを有する。

【０１１４】溝５６Ａ、５６Ｂは光集積回路２０の前端
部にて導波路２３の両側に且つ導波路２３に近接して配
置される。図示の例では、溝５６Ａ、５６Ｂは導波路２
３の両側に１個ずつ合計２個だけ設けられているが、導
波路２３の両側に複数個ずつ設けてもよい。また、溝５
６Ａ、５６Ｂの内部に光遮蔽材を充填してもよい。

【０１１５】溝５６Ａ、５６Ｂの横方向（Ｘ軸方向）の
寸法Ｌ_Xは、十分大きくてよく、導波路２３に近接した
位置から光集積回路２０の側縁近くまで延在するように
形成してよい。溝５６Ａ、５６Ｂの幅方向（Ｚ軸方向）
の寸法Ｌ_Zは、数１０μｍ〜１ｍｍであってよい。溝５
６Ａ、５６Ｂの深さは、導波路２３の断面の外径又は窓
５１Ｃの幅ｈと略同一又はそれより僅かに大きく形成し
てよい。

【０１１６】溝５６Ａ、５６Ｂは、図９及び図１０の例
の光遮蔽板５２と同様の機能を有する。光遮蔽膜５１の
窓５１Ｃは光集積回路２０の前端面２０Ａにて、上縁に
沿って延在する帯状であり、光集積回路２０の前端部を
伝播する放射モード光の大部分を遮蔽することができる
が、光集積回路２０の上面２０Ｂに沿った放射モード光
を完全に遮蔽することはできない。

【０１１７】光集積回路２０の上面２０Ｂに沿った放射
モード光は、溝５６Ａ、５６Ｂによって遮断される。溝
５６Ａ、５６Ｂの下側を伝播した光は、光遮蔽膜５１に
よって遮蔽される。従って、本例では、放射モード光を
略完全に遮蔽することができる。

【０１１８】溝５６Ａ、５６Ｂは半導体装置の製造にて
使用されている周知の微細加工法によって形成されてよ
い。例えば、溝５６Ａ、５６Ｂを形成すべき部分に予め
金属箔パターンを形成し、レーザ加工機によってその部
分を削り取ることによって製造してよい。

【０１１９】図１２に本発明の第１０の例を示す。本例
によると、光集積回路２０の前端面２０Ａに傾斜面５３
が形成され、更に光集積回路２０の上面２０Ｂに溝５６
Ａ、５６Ｂが形成されている。傾斜面５３は、図１０に
示した例と同様であり、上縁に沿った帯状の通光部、即
ち、窓５３Ｃを有する。

【０１２０】溝５６Ａ、５６Ｂは図１１に示した例と同
様であり、光集積回路２０の前端部にて導波路２３の両
側に且つ導波路２３に近接して配置される。

【０１２１】図１１の例と同様に、光集積回路２０の上
面２０Ｂに沿った放射モード光は、溝５６Ａ、５６Ｂに
よって遮断される。溝５６Ａ、５６Ｂの下側を伝播した
光は、傾斜面５３によって遮蔽される。従って、本例で
は、放射モード光を略完全に遮蔽することができる。

【０１２２】図１３及び図１４に本発明の第１１及び第
１２の例を示す。これらの例によると、光集積回路２０
の前端部にて導波路２３は湾曲している。図１３の第１
１の例では、光集積回路２０の前端面２０Ａに光遮蔽膜
５１が形成され、更に光集積回路２０の上面２０Ｂに溝
５６Ａ、５７Ａが形成されている。光遮蔽膜５１は、図
９に示した例と同様であり、上縁に沿った帯状の通光
部、即ち、窓５１Ｃを有する。

【０１２３】図１４の第１２の例では、光集積回路２０
の前端面２０Ａに傾斜面５３が形成され、更に光集積回
路２０の上面２０Ｂに溝５６Ａ、５７Ａが形成されてい
る。傾斜面５３は、図１０に示した例と同様であり、上
縁に沿った帯状の通光部、即ち、窓５３Ｃを有する。

【０１２４】溝５６Ａ、５７Ａの位置と湾曲した導波路
２３の間の相対的位置関係及び機能は図２を参照して説
明した。溝５６Ａ、５７Ａの寸法は図１１及び図１２の
例と同様である。溝５６Ａ、５７Ａは、導波路２３の両
側に１個づつ互い違いに設けられているが、破線５６
Ｂ、５７Ａにて示すように、導波路２３の両側に複数個
ずつ設けてもよい。また、溝５６Ａ、５７Ａの内部に光
遮蔽材を充填してもよい。

【０１２５】図１５を参照して本発明による光ファイバ
ジャイロの第１３の例を説明する。この例では、光集積
回路２０の前端面２０Ａに、積層型偏光子４０が配置さ
れている。積層型偏光子４０の詳細は後に図１７を参照
して説明する。本例の光ファイバジャイロは、図２２に
示す従来の光ファイバジャイロの例と比較して、光集積
回路２０はプロトン交換型であり、光集積回路２０の前
端面２０Ａに偏光子４０が設けられている点が異なり、
それ以外は同様な構成であってよい。

【０１２６】偏光子４０は偏光板又は偏光プリズム等の
適当な偏光機能を提供するものであってよく、例えば、
商品名ラミポールとして市販されている積層型偏光板で
あってよい。積層型偏光板は図１７を参照して説明す
る。

【０１２７】プロトン交換型導波路は偏光子の機能を有
するから光集積回路２０に偏光子を設ける必要がない。
本例では、積層型偏光子４０は、光集積回路２０の導波
路より外側に拡散したＴＭ偏光を遮蔽し除去するために
設けられる。従って導波路より拡散したＴＭ偏光によっ
て、光集積回路２０の前端面２０Ａに干渉縞Ｄ（図２５
参照）が生成されても、斯かる干渉縞Ｄは積層型偏光子
４０によって吸収され、除去される。従って、導波路２
３を伝播した干渉光のうちＴＥ偏光のみがビームスプリ
ッタ１０に導かれる。尚、図１５の第１３の例は、後の
図１６Ｂに示す例の変形例であり、動作の詳細はここで
は省略する。

【０１２８】図１６を参照して本発明による光ファイバ
ジャイロの第１４の例を説明する。図１６Ａ及び図１６
Ｂに示す光ファイバジャイロは光源１０１と受光器１０
２とビームスプリッタ１０とプロトン交換型の光集積回
路２０と偏光子４０、４０と光ファイバ型デポラライザ
３１、３２とシングルモード光ファイバループ１０３と
を有する。

【０１２９】光集積回路２０の上面には導波路２３と導
波路よりなるＹ分岐２６とＹ分岐２６の各分岐２６Ａ、
２６Ｂの両側に配置された位相変調器２７、２８とが形
成されている。第２の位相変調器２８はセロダイン位相
変調器であってよい。本例の光集積回路２０はプロトン
交換型であり、導波路が偏光子の機能を有するので光集
積回路２０に別個の偏光子１０４を設ける必要はない。

【０１３０】本例によると、図２５にて破線Ｃで示した
如き、光集積回路２０の前端面２０Ａにて干渉縞Ｄを生
成するＴＭ偏光は、偏光子４０、４０によって吸収され
除去されるから、光集積回路２０の前端面２０Ａにて干
渉縞Ｄが生成されることはない。尚、ＴＭ偏光は、集積
回路２０の上面に垂直な偏光面を有し、偏光子４０、４
０は斯かるＴＭ偏光のみを除去するように構成されてい
る。

【０１３１】図１６Ａに示す例では、偏光子４０、４０
は接続装置３５の光ファイバ端（ピッグテイル）３６、
３７と光ファイバ型デポラライザ３１、３２の間に配置
されている。図１６Ｂに示す例では、偏光子４０、４０
は接続装置３５において、光ファイバ端（ピッグテイ
ル）３６、３７に挿入されている。

【０１３２】偏光子４０、４０は偏光板又は偏光プリズ
ム等の適当な偏光機能を提供するものであってよく、例
えば、商品名ラミポールとして市販されている積層型偏
光板であってよい。

【０１３３】光源１０１からの光はビームスプリッタ１
０を経由して光集積回路２０の導波路２３に導かれ、Ｙ
分岐２６に達する。伝播光はＹ分岐２６にて２つに分岐
される。一方の光は第１の分岐２６Ａ及び光ファイバ端
３６を経由して光ファイバループ１０３を右周りに伝播
し、他方の光は第２の分岐２６Ｂ及び光ファイバ端３７
を経由して光ファイバループ１０３を左周りに伝播す
る。

【０１３４】光集積回路２０を出る光は、プロトン交換
型光集積回路２０の偏光機能によって直線偏光化されて
おり、それぞれデポラライザ３１、３２によって円偏光
化される。こうして円偏光化された光は光ファイバルー
プ１０３を右周り及び左周りに伝播し、光集積回路２０
に入る。斯かる光は光集積回路２０の手前にて偏光子４
０、４０によってＴＭ偏光が除去されＴＥ偏光のみの直
線偏光となる。従って図２５に示した如き光集積回路２
０の前端面２０Ａにて干渉縞Ｄが生成されることはな
い。

【０１３５】斯かる直線偏光はＹ分岐２６によって合成
され干渉光が生成される。斯かる干渉光は導波路２３を
経由してビームスプリッタ１０に導かれ、更に受光器１
０２によって検出される。

【０１３６】図１７を参照して積層型偏光子４０の構成
及び動作を説明する。積層型偏光子４０は、消光比が高
い、光損失が小さい、光路方向の寸法を小さくすること
ができる、機能が安定である、量産性に優れている等の
優れた特徴を有する。積層型偏光子４０は典型的には、
厚さＬ_Mが数ｎｍの金属層４０Ａと厚さＬ_Dが数百ｎｍ
の誘電体層４０Ｂを交互に含む多数層からなる。

【０１３７】図示のように、積層型偏光子４０上に直交
３軸を設定する。金属層４０Ａ及び誘電体層４０Ｂに平
行な面上にＸ軸及びＺ軸をとり、層４０Ａ及び４０Ｂの
厚さ方向にＹ軸をとる。各層４０Ａ及び４０Ｂは略矩形
に形成され、斯かる矩形の長辺方向にＸ軸をとり短辺方
向にＺ軸をとる。積層型偏光子４０のＺ軸方向の厚さｔ
は典型的にはｔ＝約３０μｍ以下である。

【０１３８】積層型偏光子４０はその層４０Ａ及び４０
Ｂ（即ち、ＸＺ面）が光路１００に平行になるように配
置され、好ましくは、Ｚ軸が光路１００に平行になるよ
うに配置される。積層型偏光子４０の層４０Ａ及び４０
Ｂ（即ち、ＹＺ面）が光路１００に対して傾斜して配置
されると、光損失が大きくなる。

【０１３９】積層型偏光子４０は入射光のうち、Ｙ軸方
向の偏光面を有する偏光を通過させＸ軸方向の偏光面を
有する偏光を吸収する吸収型の偏光機能を有する。例え
ば、入射光のうちＴＥ偏光はＹ軸方向の偏光面を有しＴ
Ｍ偏光はＸ軸方向の偏光面を有するものとする。ＴＥ偏
光は透過し、ＴＭ偏光は吸収される。

【０１４０】図１８を参照して本例の接続装置３５の構
造を説明する。本例の接続装置３５は図１８Ａに示すよ
うに上面３５Ｂに形成されたＶ溝３５Ａを有する基板３
５Ｃを含む。図１８Ｂに示すように斯かるＶ溝３５Ａに
光ファイバ端（ピッグテイル）３６が配置される。

【０１４１】図１８Ｃは図１６Ｂに示した例の接続装置
３５を示す。本例では、積層型偏光子４０が光ファイバ
端（ピッグテイル）３６を横断するように配置されてい
る。本例の接続装置３５の製造方法を説明する。先ず図
１８Ｂに示すようにＶ溝３５Ａに光ファイバ端（ピッグ
テイル）３６を配置し、適当な方法によって接着する。
次に光ファイバ端（ピッグテイル）３６を横断するよう
に溝を形成し、斯かる溝に積層型偏光子４０を挿入す
る。積層型偏光子４０はＴＭ偏光を吸収除去するような
配向に配置される。

【０１４２】図１９を参照して本発明の光ファイバジャ
イロの更に他の例を説明する。本例の光ファイバジャイ
ロによると、光集積回路２０はチタン拡散型であり導波
路は偏光子の機能を有さないから、光集積回路２０に偏
光子１０４Ａ、１０４Ｂが形成されている。斯かる偏光
子は例えばアルミニウム（Ａｌ）薄膜よりなる金属装荷
型であってよい。

【０１４３】本例の光ファイバジャイロは、図１６に示
した本発明の第１４の例と比較して、プロトン交換型の
光集積回路２０の代わりにチタン拡散型の光集積回路２
０が使用され、偏光子４０、４０を設けるの代わりに光
集積回路２０に金属装荷型の偏光子１０４Ａ、１０４Ｂ
が形成されている点が異なる。それ以外は同様な構成で
あってよい。

【０１４４】本例の光ファイバジャイロの動作について
説明する。光源１０１からの光はビームスプリッタ１０
を経由して光集積回路２０の導波路２３に導かれる。斯
かる光は偏光子１０４Ａによって直線偏光化され、Ｙ分
岐２６及びデポラライザ３１、３２によって円偏光化さ
れ、シングルモード光ファイバループ１０３に導かれ
る。

【０１４５】光ファイバループ１０３を出た円偏光化さ
れた伝播光は光集積回路２０の偏光子１０４Ａ、１０４
ＢによってＴＭ偏光が除去されＴＥ偏光のみの直線偏光
となる。斯かる直線偏光はＹ分岐２６によって合成され
干渉光が生成される。斯かる干渉光は導波路２３を経由
してビームスプリッタ１０に導かれ、更に受光器１０２
によって検出される。

【０１４６】こうして本例によると、光ファイバループ
１０３を出た光は光集積回路２０の偏光子１０４Ａ、１
０４ＢによってＴＭ偏光が除去されＴＥ偏光のみの直線
偏光となるから、光集積回路２０の前端面２０Ａに干渉
縞Ｄが生成されることはない。

【０１４７】図２０を参照して本発明の他の例を説明す
る。図２０は光ファイバジャイロの光源１０１、受光器
１０２、ビームスプリッタ１０及び光集積回路２０の前
端部を示す。本例によると受光器１０２の周囲に遮蔽板
１０２Ａ、１０２Ｂが配置されている。尚、図２０では
光集積回路２０の後端部及び光ファイバループの部分は
省略されているが、光ファイバループはシングルモード
又は偏波保持光ファイバより構成される。また光集積回
路２０はプロトン交換型又はチタン拡散型のいずれであ
ってもよい。

【０１４８】遮蔽板１０２Ａ、１０２Ｂは光源１０１か
ら直接、受光器１０２に到達する洩れ光を遮断するよう
に機能する。従って受光器１０２はビームスプリッタ１
０を経由した干渉光のみを検出する。こうして本例の光
ファイバジャイロによると、受光器１０２は光源１０１
から直接又は間接に受光器１０２に到達する洩れ光を検
出することはないから、従来の例のように、光源１０１
から洩れ光に起因して受光器１０２に出力信号にＤＣバ
イアスが含まれることはない。従って初段のアンプのＤ
Ｃ増幅率を上げることが可能となり、ノイズの少ないジ
ャイロ信号を得ることができる。

【０１４９】以上本発明の実施例について詳細に説明し
てきたが、本発明は上述の実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく他の種々の構成が採り得るこ
とは当業者にとって容易に理解されよう。

【０１５０】

【発明の効果】本発明によると、比較的簡単な方法及び
構造によって光集積回路の上面に沿って伝播する放射モ
ード光を遮断することができる利点を有する。

【０１５１】本発明によると、光集積回路の前端面に光
遮蔽膜又は光遮蔽板が設けられ、それによって光集積回
路の前端面に生成された放射モード光の誤差光が遮蔽さ
れるから、斯かる誤差光が受光器によって検出されるこ
とがなく、斯かる誤差光の変動に起因して受光器の出力
信号の固定バイアス及びスケールファクタ誤差が発生す
ることがない利点を有する。

【０１５２】本発明によると、光遮蔽装置の製造工程及
びアラインメント作業が容易であり且つ短時間でなすこ
とができるから光ファイバジャイロの製造工程を短縮化
することができる利点を有する。

【０１５３】本発明によると、光遮蔽装置を光集積回路
の前端部に装着するとき、アラインメント作業が極めて
容易であり且つ短時間でなすことができるから光ファイ
バジャイロの製造工程を短縮化することができる利点を
有する。

【０１５４】本発明によると、複数の光遮蔽装置を適宜
組み合わせて使用することによって放射モード光を略完
全に遮断することができる利点を有する。

【０１５５】本発明によると、光遮蔽装置を切削等の機
械加工のみで形成することができる利点を有する。

【０１５６】本発明によると、プロトン交換型の光集積
回路とデポラライザの間に偏光子が設けられ、それによ
って光ファイバループを出た光よりＴＭ偏光が除去され
光集積回路に導かれる光はＴＥ偏光のみとなるから、光
集積回路の前端面に干渉縞が発生することがなく、斯か
る干渉縞の変動に起因して光受器の出力信号に誤差が発
生することがない利点を有する。

【０１５７】本発明によると、チタン拡散型の光集積回
路に金属装担型の偏光子が設けられ、それによって光フ
ァイバループを出た光よりＴＭ偏光が除去され光集積回
路に導かれる光はＴＥ偏光のみとなるから、光集積回路
の前端面に干渉縞が発生することがなく、斯かる干渉縞
の変動に起因して光受器の出力信号に誤差が発生するこ
とがない利点を有する。

【０１５８】本発明によると、ビームスプリッタと光集
積回路とシングルモード光ファイバループとデポラライ
ザとを有する光ファイバジャイロにおいて、簡単な装置
によって光集積回路の前端面に生ずる干渉縞を除去する
ことができる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ファイバジャイロの第１の例を示す
説明図である。

【図２】図１の光ファイバジャイロの光集積回路の曲が
り導波路と溝の関係を示す説明図である。

【図３】本発明の光ファイバジャイロの第２の例を示す
図である。

【図４】本発明の光ファイバジャイロの第３の例を示す
図である。

【図５】本発明の光ファイバジャイロの第４の例を示す
説明図である。

【図６】光遮蔽膜の形成方法の例を示す説明図である。

【図７】本発明の光ファイバジャイロの第５の例を示す
説明図である。

【図８】本発明の光ファイバジャイロの第６の例を示す
説明図である。

【図９】本発明の光ファイバジャイロの第７の例を示す
説明図である。

【図１０】本発明の光ファイバジャイロの第８の例を示
す説明図である。

【図１１】本発明の光ファイバジャイロの第９の例を示
す説明図である。

【図１２】本発明の光ファイバジャイロの第１０の例を
示す説明図である。

【図１３】本発明の光ファイバジャイロの第１１の例を
示す説明図である。

【図１４】本発明の光ファイバジャイロの第１２の例を
示す説明図である。

【図１５】本発明の光ファイバジャイロの第１３の例を
示す説明図である。

【図１６】本発明の光ファイバジャイロの第１４の例を
説明するための説明図である。

【図１７】本発明の光ファイバジャイロに使用される積
層型偏光子の構造を説明するため説明図である。

【図１８】本発明の光ファイバジャイロの接続装置の構
造を説明するための説明図である。

【図１９】本発明の光ファイバジャイロの第１５の例の
変形例を説明するための説明図である。

【図２０】本発明の光ファイバジャイロの受光器の構造
例を説明するための説明図である。

【図２１】従来の光ファイバジャイロの例を示す図であ
る。

【図２２】従来の光ファイバジャイロの他の例を示す図
である。

【図２３】光集積回路の上面に発生する放射モード光を
説明するための説明図である。

【図２４】光集積回路の上面に発生する放射モード光を
説明するための説明図である。

【図２５】図２２の光ファイバジャイロの光集積回路の
上面に発生する放射モード光を説明するための説明図で
ある。

【図２６】光集積回路のＹ分岐にて放射モード光が発生
することを説明するための説明図である。

【図２７】光集積回路の端面に放射モード光が現れた状
態を説明するための説明図である。

【符号の説明】

１０ビームスプリッタ１１ハーフミラー１２、１３集光レンズ２０光集積回路２０Ａ前端面２０Ｂ上面２３導波路２６Ｙ分岐２７、２８位相変調器３１、３２デポラライザ３５接続装置３６、３７光ファイバ端５１光遮蔽膜５１Ａ、５１Ｃ窓５２光遮蔽板５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ窓５３傾斜面５３Ｃ窓５４Ａ、５４Ｂ支持部材５６、５７、５８溝１０１光源１０２受光器１０３光ファイバループ１０４Ａ、１０４Ｂ偏光子１０５、１０６カプラ１０７電流電圧変換器１０８、１０８’ 位相変調器１０９信号発生器１１０同期検波器１１５光集積回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者笹木隆一郎東京都大田区南蒲田２丁目16番46号株式会社トキメック内 (72)発明者益嶋健守東京都大田区南蒲田２丁目16番46号株式会社トキメック内 (72)発明者長亮弘東京都大田区南蒲田２丁目16番46号株式会社トキメック内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源と光を分岐又は合成するためのＹ分
岐を有する光集積回路と該光集積回路から出た２つの光
を伝播させる光ファイバループと上記光集積回路から出
た干渉光を検出する受光器とを有する光ファイバジャイ
ロにおいて、上記Ｙ分岐は主導波路とそれに接続された２つの分岐導
波路とを含み、上記光集積回路には上記主導波路の両側
にそれぞれ溝が設けられ、該溝は上記光集積回路の基板
を伝播する放射モード光の伝播経路を遮断するように互
いに重なり合うように互い違いに配置されており、上記
主導波路は上記溝の間を通るように湾曲して延在してい
ることを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項２】請求項１記載の光ファイバジャイロにお
いて、上記光集積回路の上面には上記２つの分岐導波路の間に
溝が設けられ、該溝は上記２つの分岐導波路の端部にて
生じた放射モード光が上記主導波路に伝播することを阻
止するように配置されていることを特徴とする光ファイ
バジャイロ。
【請求項３】基板と該基板に形成されたＹ分岐とを有
する光集積回路において、上記Ｙ分岐は主導波路とそれ
に接続された２つの分岐導波路とを含み、上記主導波路
の両側にそれぞれ溝が設けられ、該溝は上記基板を伝播
する放射モード光の伝播経路を遮断するように互いに重
なり合うように互い違いに配置されており、上記主導波
路は上記溝の間を通るように湾曲して延在していること
を特徴とする光集積回路。
【請求項４】請求項３記載の光集積回路において、上記２つの分岐導波路の間に溝が設けられ、該溝は上記
２つの分岐導波路の端部にて生じた放射モード光が上記
主導波路に伝播することを阻止するように配置されてい
ることを特徴とする光集積回路。
【請求項５】光源と光を分岐又は合成するためのＹ分
岐を有する光集積回路と該光集積回路から出た２つの光
を伝播させる光ファイバループと上記光集積回路から出
た干渉光を偏向させるビームスプリッタと該ビームスプ
リッタからの光を検出する受光器とを有する光ファイバ
ジャイロにおいて、上記Ｙ分岐を構成する導波路の外側に拡散した光が上記
光集積回路の端面を経由して上記ビームスプリッタへ洩
れないように、上記光集積回路と上記ビームスプリッタ
の間に光遮蔽装置が設けられていることを特徴とする光
ファイバジャイロ。
【請求項６】請求項５記載の光ファイバジャイロにお
いて、上記光遮蔽装置は上記光集積回路の端面に形成された光
遮蔽膜であることを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項７】請求項５記載の光ファイバジャイロにお
いて、上記光遮蔽装置は上記光集積回路の端面に配置された光
遮蔽板であることを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項８】請求項５記載の光ファイバジャイロにお
いて、上記光遮蔽装置は上記主導波路からの干渉光を伝播させ
るための窓を有することを特徴とする光ファイバジャイ
ロ。
【請求項９】請求項８記載の光ファイバジャイロにお
いて、上記窓の径は上記主導波路の径の数倍〜２０倍であるこ
とを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項１０】光源と光を分岐し又は合成するための
Ｙ分岐を有する光集積回路と光ファイバループと上記光
集積回路から出た干渉光を偏向させるビームスプリッタ
と該ビームスプリッタからの光を検出する受光器とを有
する光ファイバジャイロにおいて、上記光集積回路の上記ビームスプリッタに面する前端面
には、上縁に沿った帯状の通光部を除いて光遮蔽膜が装
着され、上記通光部の幅は上記光集積回路の導波路の断
面の深さ寸法に対応した寸法を有することを特徴とする
光ファイバジャイロ。
【請求項１１】請求項１０記載の光ファイバジャイロ
において、上記光集積回路の前端面には窓を有する光遮蔽板が装着
され、上記窓の横方向の幅は上記光集積回路の導波路の
断面の横幅寸法に対応した寸法を有し、上記窓の縦方向
の幅は上記光集積回路の導波路の断面の深さ寸法より十
分大きな寸法を有することを特徴とする光ファイバジャ
イロ。
【請求項１２】請求項１０又は１１記載の光ファイバ
ジャイロにおいて、上記光集積回路の上面には、導波路の両側にて且つ該導
波路に近接して溝が形成され、該溝の深さ寸法は上記光
集積回路の導波路の断面の深さ寸法に対応した寸法を有
することを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項１３】請求項１２記載の光ファイバジャイロ
において、上記溝は上記導波路の外側を伝播した放射モード光の伝
播路を遮断するように互い違いに且つ重なり合うように
配置され、上記導波路は上記溝の間を湾曲して延在して
いることを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項１４】請求項１２又は１３記載の光ファイバ
ジャイロにおいて、上記溝はレーザ加工法によって形成されたことを特徴と
する光ファイバジャイロ。
【請求項１５】光源と光を分岐し又は合成するための
Ｙ分岐を有する光集積回路と光ファイバループと上記光
集積回路から出た干渉光を偏向させるビームスプリッタ
と該ビームスプリッタからの光を検出する受光器とを有
する光ファイバジャイロにおいて、上記光集積回路の上記ビームスプリッタに面する前端面
には、上縁に沿った帯状の通光部を除いて傾斜面が形成
され、該傾斜面は上記光集積回路の上面に平行な放射モ
ード光を全反射させるように上記光集積回路の上面に対
して所定の角度にて傾斜し、上記通光部の幅は上記光集
積回路の導波路の断面の深さ寸法に対応した寸法を有す
ることを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項１６】請求項１５記載の光ファイバジャイロ
において、上記光集積回路の前端面には窓を有する光遮蔽板が装着
され、上記窓の横方向の幅は上記光集積回路の導波路の
断面の横幅寸法に対応した寸法を有し、上記窓の縦方向
の幅は上記光集積回路の導波路の断面の深さ寸法より十
分大きな寸法を有することを特徴とする光ファイバジャ
イロ。
【請求項１７】請求項１５又は１６記載の光ファイバ
ジャイロにおいて、上記光集積回路の上面には、導波路の両側にて且つ該導
波路に近接して溝が形成され、該溝の深さ寸法は上記光
集積回路の導波路の断面の深さ寸法に対応した寸法を有
することを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項１８】請求項１７記載の光ファイバジャイロ
において、上記溝は上記導波路の外側を伝播した放射モード光の伝
播路を遮断するように互い違いに且つ重なり合うように
配置され、上記導波路は上記溝の間を湾曲して延在して
いることを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項１９】請求項１７又は１８記載の光ファイバ
ジャイロにおいて、上記溝はレーザ加工法によって形成されたことを特徴と
する光ファイバジャイロ。
【請求項２０】光源と光を分岐又は合成するためのＹ
分岐を有する光集積回路と該光集積回路から出た２つの
光を伝播させるシングルモード光ファイバループと上記
光集積回路と上記光ファイバループの間に接続されたデ
ポラライザと上記光集積回路から出た干渉光を偏向させ
るビームスプリッタと該ビームスプリッタからの光を検
出する受光器とを有する光ファイバジャイロにおいて、上記光集積回路はプロトン交換型であり上記光集積回路
の導波路を伝播するＴＭ偏光を除去するための偏光子が
設けられていることを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項２１】請求項２０記載の光ファイバジャイロ
において、上記光集積回路と上記デポラライザの間に接続装置が設
けられ、該接続装置は基板の上面に形成されたＶ溝と該
Ｖ溝に配置された光ファイバ端とを有することを特徴と
する光ファイバジャイロ。
【請求項２２】請求項２１記載の光ファイバジャイロ
において、上記偏光子は上記接続装置に配置されている
ことを特徴とする光ファイバジャイロ。
【請求項２３】請求項２１記載の光ファイバジャイロ
において、上記偏光子は上記光集積回路と上記ビームス
プリッタの間に配置されていることを特徴とする光ファ
イバジャイロ。
【請求項２４】請求項２０、２１、２２又は２３記載
の光ファイバジャイロにおいて、上記偏光子は積層型偏光子であることを特徴とする光フ
ァイバジャイロ。
【請求項２５】光源と光を分岐又は合成するためのＹ
分岐を有する光集積回路と該光集積回路から出た２つの
光を伝播させる光ファイバループと上記光集積回路から
出た干渉光を偏向させるビームスプリッタと該ビームス
プリッタからの光を検出する受光器とを有する光ファイ
バジャイロにおいて、上記受光器を囲むように遮蔽板が設けられ、該遮蔽板に
よって上記光源からの洩れ光が上記受光器に到達するこ
とが阻止されるように構成されていることを特徴とする
光ファイバジャイロ。
【請求項２６】光源と光を分岐又は合成するためのＹ
分岐を有する光集積回路と該光集積回路から出た２つの
光を伝播させる光ファイバループと上記光集積回路から
出た干渉光を偏向させるビームスプリッタと該ビームス
プリッタからの光を検出する受光器とを有する光ファイ
バジャイロにおいて、上記光集積回路はチタン拡散型であり、上記光源から上
記光ファイバループへ伝播する光を偏光させるための第
１の偏光子と上記光ファイバループから上記光集積回路
へ伝播する光を偏光させる第２の偏光子とを有するよう
に構成されていることを特徴とする光ファイバジャイ
ロ。