JPH03196148A - Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法Info
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- JPH03196148A JPH03196148A JP1339093A JP33909389A JPH03196148A JP H03196148 A JPH03196148 A JP H03196148A JP 1339093 A JP1339093 A JP 1339093A JP 33909389 A JP33909389 A JP 33909389A JP H03196148 A JPH03196148 A JP H03196148A
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- Japan
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- sic
- stress
- sic film
- forming
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様な高エ
ネルギービームを照射しても応力の変化が少ないＸ線リ
ソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法に関する。
ネルギービームを照射しても応力の変化が少ないＸ線リ
ソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法に関する。
（従来の技術）
半導体デバイスにおけるパターン形式の微細化に伴ない
、将来のリソグラフィー技術としてＸ線リソグラフィー
技術が最も有望視されている。Ｘ線リソグラフィーに行
いられるマスクのＸ線透過膜（別の表現をすればＸ線吸
収体の支持膜ともいうが、以下メンブレンまたは膜と称
する。）に要求される重要な性能としては、 １）表面が平滑で傷やピンホールが無く、実用的な強度
を有すること。
、将来のリソグラフィー技術としてＸ線リソグラフィー
技術が最も有望視されている。Ｘ線リソグラフィーに行
いられるマスクのＸ線透過膜（別の表現をすればＸ線吸
収体の支持膜ともいうが、以下メンブレンまたは膜と称
する。）に要求される重要な性能としては、 １）表面が平滑で傷やピンホールが無く、実用的な強度
を有すること。
２）高精度なアライメント（位置合せ）に必要な可視光
透過率を有すること。
透過率を有すること。
３）良好な耐薬品性や耐湿性を有し、エツチング工程や
洗浄工程で損傷されにくいこと。
洗浄工程で損傷されにくいこと。
４）高エネルギー電子線やシンクロトロン放射光の様な
高エネルギービームの照射に耐えること。
高エネルギービームの照射に耐えること。
等が挙げられる。
従来、Ｘ線リソグラフィー用マスクメンブレンの材料と
してＢＮ、ボロンドープＳｉ、 ５ｉｓＮ４． ＳｉＣ
等が提案されているが、中でも、ＳｉＣは高いヤング率
を有するために、耐高エネルギービーム性が最も優れた
材料と考えられている。
してＢＮ、ボロンドープＳｉ、 ５ｉｓＮ４． ＳｉＣ
等が提案されているが、中でも、ＳｉＣは高いヤング率
を有するために、耐高エネルギービーム性が最も優れた
材料と考えられている。
通常、このＳｉＣ膜の成膜方法としてはＣＶＤ法が最も
多く用いられている。しかしながら、ＣＶＤ法は、原料
ガスの反応及び分解を伴いながら成膜するため、膜の成
分以外の元素が膜中に取り込まれ易く、その結果、これ
らの元素が膜中の不純物として働くために、 １）高エネルギービームの照射により、膜中の不純物が
容易に離脱する。そのため、膜の歪の発生、膜の応力の
変動、膜の機械的強度の低下、膜の光学的な透明性の低
下等の欠陥を生じる。
多く用いられている。しかしながら、ＣＶＤ法は、原料
ガスの反応及び分解を伴いながら成膜するため、膜の成
分以外の元素が膜中に取り込まれ易く、その結果、これ
らの元素が膜中の不純物として働くために、 １）高エネルギービームの照射により、膜中の不純物が
容易に離脱する。そのため、膜の歪の発生、膜の応力の
変動、膜の機械的強度の低下、膜の光学的な透明性の低
下等の欠陥を生じる。
２）膜の表面に、ピンホールやノジュールが発生し易く
良好なメンブレンが得られにくい。
良好なメンブレンが得られにくい。
等の問題がある。
（発明が解決しようとする課題）
このＳｉＣ膜を成膜する他の方法として特願昭６３−３
１５７６８に記載されているスパッター法がある。
１５７６８に記載されているスパッター法がある。
この方法では、膜中に不純物が少ない、ピンホールやノ
ジュールが少ない等の利点があるが、成膜したＳｉＣ膜
はアモルファス状態であり過度の高エネルギービームを
照射すると応力の変動を起こし易（、その結果歪が発生
し易いという問題がある。
ジュールが少ない等の利点があるが、成膜したＳｉＣ膜
はアモルファス状態であり過度の高エネルギービームを
照射すると応力の変動を起こし易（、その結果歪が発生
し易いという問題がある。
従って、本発明が解決しようとする課題は、優れた耐高
エネルギービーム性を有するＸ線リソグラフィー用Ｓｉ
Ｃ膜を得ることにある。
エネルギービーム性を有するＸ線リソグラフィー用Ｓｉ
Ｃ膜を得ることにある。
（課題を解決するための手段）
本発明者等は、かかる課題を解決するためにＳｉＣ膜の
結晶学的解析を進めた結果、特定の物性を有する膜が耐
高エネルギービーム性を有することを確認し、この膜の
最適成膜方法を探索した結果、スパッター法により Ｓ
ｉＣ膜を圧縮応力の状態で成膜後、アニールを行ない、
圧縮応力の状態な引張応力の状態に変えることにより、
高エネルギービームを照射しても応力の変動の少ないメ
ンブレンを得ることができ、本発明を完成するに至った
。
結晶学的解析を進めた結果、特定の物性を有する膜が耐
高エネルギービーム性を有することを確認し、この膜の
最適成膜方法を探索した結果、スパッター法により Ｓ
ｉＣ膜を圧縮応力の状態で成膜後、アニールを行ない、
圧縮応力の状態な引張応力の状態に変えることにより、
高エネルギービームを照射しても応力の変動の少ないメ
ンブレンを得ることができ、本発明を完成するに至った
。
本発明の要旨は、
ＳｉＣよりなるターゲットを用い、スパッター法にて基
板上に圧縮応力の状態でＳｉＣ膜を形成し、次いでこれ
をアニールして引張応力の状態とすることを特徴とする
Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法にある。
板上に圧縮応力の状態でＳｉＣ膜を形成し、次いでこれ
をアニールして引張応力の状態とすることを特徴とする
Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法にある。
以下、本発明の詳細な説明する。
先ず、良好なＳｉＣ膜を得るためにはＳｉＣ膜の引張り
応力が０．１〜８．ＯＸ １０’ ｄｙｎｅ／ｃｒｒｆ
であることが必要である。０．１ ｘ １０＠ｄｙｎｅ
／ｃｍ”未満では引張り応力が小さ過ぎるため膜が形成
しにく（、仮に形成したとしてもしわが発生し易い。逆
に、８．Ｏｘ １０’ ｄｙｎｅ／ｃｒｒｒを越えても
引張り応力が大き過ぎるため膜が形成しにくく、仮に形
成したとしても破裂し易くなる。好ましい範囲は０．３
〜４．０×１０’ ｄｙｎｅ／ｃｒｒｒである。
応力が０．１〜８．ＯＸ １０’ ｄｙｎｅ／ｃｒｒｆ
であることが必要である。０．１ ｘ １０＠ｄｙｎｅ
／ｃｍ”未満では引張り応力が小さ過ぎるため膜が形成
しにく（、仮に形成したとしてもしわが発生し易い。逆
に、８．Ｏｘ １０’ ｄｙｎｅ／ｃｒｒｒを越えても
引張り応力が大き過ぎるため膜が形成しにくく、仮に形
成したとしても破裂し易くなる。好ましい範囲は０．３
〜４．０×１０’ ｄｙｎｅ／ｃｒｒｒである。
次に、ＳｉＣ膜が結晶質ＳｉＣを含有することが必要で
ある。通常のスパッター法で生成するアモルファス状態
のＳｉＣ膜が高エネルギービームを照射されて内部応力
が変動する主な原因は、照射により ＳｉＣ膜が加熱さ
れて温度が上昇し、その結果ＳｉＣの結晶構造が結晶性
を増加する方向に変化する為、内部応力も変化するもと
の思われる。従って、本発明では予めスパッター処理時
に結晶性を付与し成膜することにより、マスクとして使
用する時に高エネルギービーム照射を受けても応力の変
動、歪の発生が極めて少なくなった。
ある。通常のスパッター法で生成するアモルファス状態
のＳｉＣ膜が高エネルギービームを照射されて内部応力
が変動する主な原因は、照射により ＳｉＣ膜が加熱さ
れて温度が上昇し、その結果ＳｉＣの結晶構造が結晶性
を増加する方向に変化する為、内部応力も変化するもと
の思われる。従って、本発明では予めスパッター処理時
に結晶性を付与し成膜することにより、マスクとして使
用する時に高エネルギービーム照射を受けても応力の変
動、歪の発生が極めて少なくなった。
更に、この結晶性の条件として、ＳｉＣ膜のＸ線回折ピ
ークの２θ：３５．５°におけるＳｉＣの（ｉｌｌ）結
晶面のピーク波形のシャープさが挙げられる。
ークの２θ：３５．５°におけるＳｉＣの（ｉｌｌ）結
晶面のピーク波形のシャープさが挙げられる。
高エネルギービーム照射により ＳｉＣの応力の変動を
実用レベルにまで少なくするには、Ｘ線回折ピークにお
いて２θ＝３０°と２θ＝４０°の波形を結ぶ線を基線
として２θ＝ ３５．５°における基線からのピーク高
さＬｌと２θ＝３３°における基線からのピーク高さＬ
２の比り、／Ｌ、が１．５以上であることが必要であり
、更に好ましくは３．０以上である。１．５未満では応
力の変動が大きく使用に耐えない。
実用レベルにまで少なくするには、Ｘ線回折ピークにお
いて２θ＝３０°と２θ＝４０°の波形を結ぶ線を基線
として２θ＝ ３５．５°における基線からのピーク高
さＬｌと２θ＝３３°における基線からのピーク高さＬ
２の比り、／Ｌ、が１．５以上であることが必要であり
、更に好ましくは３．０以上である。１．５未満では応
力の変動が大きく使用に耐えない。
次に、上記諸特性を与える成膜方法について述べる。
本発明で採用したスパッター法としては、一般に使用さ
れているコンベンショナルスパッター法で行なうが、好
ましくは量産性の観点より成膜速度の早いマグネトロン
スパッター法を用いるのが良い。スパッターに使用され
るガスとしては、アルゴン、セキノンなどの不活性ガス
を用いるが、他にヘリウム、窒素等のガスを混入しても
よい。
れているコンベンショナルスパッター法で行なうが、好
ましくは量産性の観点より成膜速度の早いマグネトロン
スパッター法を用いるのが良い。スパッターに使用され
るガスとしては、アルゴン、セキノンなどの不活性ガス
を用いるが、他にヘリウム、窒素等のガスを混入しても
よい。
基板は通常はシリコンを用いる。ターゲットは、ＳｉＣ
粉体を所定の形状に焼結したものでよいが、純度は成膜
後の膜中に不純物ができるだけ少ないことが望ましいの
で、９９％以上、好ましくは９９．９％以上である。タ
ーゲットに印加する電力は５Ｗ／ｃｒｔｒ以上が望まし
い。印加電力が高い程、成膜速度は増加するので有利で
ある。
粉体を所定の形状に焼結したものでよいが、純度は成膜
後の膜中に不純物ができるだけ少ないことが望ましいの
で、９９％以上、好ましくは９９．９％以上である。タ
ーゲットに印加する電力は５Ｗ／ｃｒｔｒ以上が望まし
い。印加電力が高い程、成膜速度は増加するので有利で
ある。
スパッター時の基板温度は、後のアニール化が効果的に
行なわれるように、５００℃未満とする。
行なわれるように、５００℃未満とする。
基板温度が５００℃以上になると成膜したＳｉＣ膜は、
次工程であるアニール処理を行なっても結晶性の増加が
不充分であり、その結果、高エネルギービームの照射に
より応力が変動し易くなる。また逆に、基板温度が５０
℃以下になると基板とＳｉＣ膜の密着性が低下するため
好、ましくなく、好ましい基板温度は１５０〜３００℃
である。
次工程であるアニール処理を行なっても結晶性の増加が
不充分であり、その結果、高エネルギービームの照射に
より応力が変動し易くなる。また逆に、基板温度が５０
℃以下になると基板とＳｉＣ膜の密着性が低下するため
好、ましくなく、好ましい基板温度は１５０〜３００℃
である。
スパッター圧力は、膜の内部応力を所望の圧縮応力に仕
上げるために非常に重要である。先ず、スパッター温度
及び、後で行なうアニール処理の温度や時間の条件を勘
案してアニール処理後の内部応力がＳｉＣ膜を作製する
上で最も好ましい範囲である０、１〜ｇ、ＯＸ １０
’ｄｙｎｅ／Ｃｍ”の引張応力になるようにスパッター
圧力を決定する。通常、アニール処理を行なうと、応力
は引張応力側へ変動しその変動量はアニール温度が高い
程大きい。従って予め数水準のスパッター温度下におけ
るスパッター圧力と内部応力の関係を求め、更にアニル
処理条件と応力の変動量の関係を求めておくことが必要
である。以上の要件を満足するスパッター圧力は０．２
〜５０Ｘ １０””Ｔｏｒｒである。
上げるために非常に重要である。先ず、スパッター温度
及び、後で行なうアニール処理の温度や時間の条件を勘
案してアニール処理後の内部応力がＳｉＣ膜を作製する
上で最も好ましい範囲である０、１〜ｇ、ＯＸ １０
’ｄｙｎｅ／Ｃｍ”の引張応力になるようにスパッター
圧力を決定する。通常、アニール処理を行なうと、応力
は引張応力側へ変動しその変動量はアニール温度が高い
程大きい。従って予め数水準のスパッター温度下におけ
るスパッター圧力と内部応力の関係を求め、更にアニル
処理条件と応力の変動量の関係を求めておくことが必要
である。以上の要件を満足するスパッター圧力は０．２
〜５０Ｘ １０””Ｔｏｒｒである。
アニール処理条件は、アモルファスな状態で仕上げたＳ
ｉＣ膜に結晶性を付与する為に、アニール温度が５００
℃以上であることが必要であり、好ましくは７００℃以
上である。又、アニール時間は充分にアニール処理する
ために２時間以上必要であり、好ましくは４〜８時間で
ある。アニール処理後の、ＳｉＣの結晶性の増加の目安
としては、前述したＸ線回折ピークの波形から評価する
。
ｉＣ膜に結晶性を付与する為に、アニール温度が５００
℃以上であることが必要であり、好ましくは７００℃以
上である。又、アニール時間は充分にアニール処理する
ために２時間以上必要であり、好ましくは４〜８時間で
ある。アニール処理後の、ＳｉＣの結晶性の増加の目安
としては、前述したＸ線回折ピークの波形から評価する
。
以下、実施例と比較例によって本発明の具体的実施態様
を説明するが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。
を説明するが、本発明はこれらによって限定されるもの
ではない。
尚、得られたＳｉＣ膜の物性測定、評価方法は次の通り
である。
である。
■Ｘ線回折の測定
薄膜用Ｘ線回折測定装置（リガク製ＴＦＤ）を用いて測
定した。入射角（θ）＝２°固定、ターゲットはＣｕ、
パワーは４０ｋＶｘ ４０ｍＡである。
定した。入射角（θ）＝２°固定、ターゲットはＣｕ、
パワーは４０ｋＶｘ ４０ｍＡである。
■内部応力の測定
基板の成膜前と成膜後及びアニール前とアニル後のそり
の変化量より応力値を算出した。
の変化量より応力値を算出した。
■耐高エネルギービーム性
高エネルギーとして１５ｅＶの高エネルギー電子線を１
．ＯＫＪ／ｃｍ”照射し、照射による膜の応力の変化量
を測定し、耐高エネルギービーム性の目安とした。
．ＯＫＪ／ｃｍ”照射し、照射による膜の応力の変化量
を測定し、耐高エネルギービーム性の目安とした。
■メンブレン化適性
試料の基板の裏面にプラズマＣＶＤ法でアモルファスＢ
Ｎ膜（以下、ａ−ＢＮ膜とする）を１．０μｍ成膜し、
この膜をＫＯＨエツチング液の保護膜とした。
Ｎ膜（以下、ａ−ＢＮ膜とする）を１．０μｍ成膜し、
この膜をＫＯＨエツチング液の保護膜とした。
ａ−ＢＮ膜の上にステンレス製ドーナツ状マスク板をセ
ットし、 ＣＦ４ガスにてドライエツチングして露出し
ているａ−ＢＮ膜を除去後、３０％ＫＯＨにて露出した
シリコン面をウェットエツチングで溶出し、メンブレン
化した。メンブレン化適性として、仕上げたメンブレン
が、傷やピンホールが無く平滑と認められる場合を良好
、その他を不良と判定した。
ットし、 ＣＦ４ガスにてドライエツチングして露出し
ているａ−ＢＮ膜を除去後、３０％ＫＯＨにて露出した
シリコン面をウェットエツチングで溶出し、メンブレン
化した。メンブレン化適性として、仕上げたメンブレン
が、傷やピンホールが無く平滑と認められる場合を良好
、その他を不良と判定した。
■可視光透過率の測定
メンブレンをマルチフォトスペクトルメーターＭＰＳ−
５０００（島津製作所製商品名）で波長６３３ｎｍ位置
の透過率（％）を測定した。
５０００（島津製作所製商品名）で波長６３３ｎｍ位置
の透過率（％）を測定した。
（実施例１〜６、比較例１〜３）
高周波マグネトロンスパッター装置５ＰＦ−３３２Ｈ型
（日型アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に直
径３インチで厚さが５ｍｍの円盤状ＳｉＣターゲット（
純度９９．９％）をセットした。基板として、直径３イ
ンチで厚みが６００μｍの両面研磨シリコンウェハを用
いて２５０℃に加熱した状態でアルゴンガスを７ ｃｃ
／分の流量で流した。排気系に通じるバルブでチャンバ
ー内を所定の圧力に調整した後、パワー密度をＩＯＮ／
ｃｍ”として１５分間スパッターを行ない、膜厚１．０
μｍのＳｉＣ膜を作製した。
（日型アネルバ社製商品名）を用いて、カソード側に直
径３インチで厚さが５ｍｍの円盤状ＳｉＣターゲット（
純度９９．９％）をセットした。基板として、直径３イ
ンチで厚みが６００μｍの両面研磨シリコンウェハを用
いて２５０℃に加熱した状態でアルゴンガスを７ ｃｃ
／分の流量で流した。排気系に通じるバルブでチャンバ
ー内を所定の圧力に調整した後、パワー密度をＩＯＮ／
ｃｍ”として１５分間スパッターを行ない、膜厚１．０
μｍのＳｉＣ膜を作製した。
次に得られたＳｉＣ膜を設けたシリコン基板を以下の方
法でアニール処理をした。先ず、合成石英製のウェハー
治具にセットし、高温用炉内に静置した。炉内の圧力を
２０ｍｍＴｏｒｒとし、１０”Ｃ／分の速度で昇温し、
所定の温度に到達後、その温度下に一定時間保持し、次
いでｌＯ”ｃ ／分の速度で冷却した。アニール後の内
部応力を測定し、メンブレン化に必要な応力である０、
１〜ｇ、Ｏｘ １０”ｄｙｎｅ／ｃｍ”の引張応力のも
のを得た。アニール処理を行なうことにより、全て内部
応力が引張応力の方向に変動した。その結果を第１表に
示した。
法でアニール処理をした。先ず、合成石英製のウェハー
治具にセットし、高温用炉内に静置した。炉内の圧力を
２０ｍｍＴｏｒｒとし、１０”Ｃ／分の速度で昇温し、
所定の温度に到達後、その温度下に一定時間保持し、次
いでｌＯ”ｃ ／分の速度で冷却した。アニール後の内
部応力を測定し、メンブレン化に必要な応力である０、
１〜ｇ、Ｏｘ １０”ｄｙｎｅ／ｃｍ”の引張応力のも
のを得た。アニール処理を行なうことにより、全て内部
応力が引張応力の方向に変動した。その結果を第１表に
示した。
次に第１表の実施例１〜６のアニール後の試料について
、Ｘ線回折の測定、及び耐高エネルギービーム性、メン
ブレン化適正、更に得られたメンブレンの可視光透過率
について測定し、その結果を第２表に示した。メンブレ
ン化適性及びメンブレンの可視光透過率の測定に使用し
た試料は高エネルギー照射処理をしていないものである
。
、Ｘ線回折の測定、及び耐高エネルギービーム性、メン
ブレン化適正、更に得られたメンブレンの可視光透過率
について測定し、その結果を第２表に示した。メンブレ
ン化適性及びメンブレンの可視光透過率の測定に使用し
た試料は高エネルギー照射処理をしていないものである
。
Ｘ線回折の波形を第１図に示した。この波形より、２θ
＝３０°と２θ：４０°の波形を結ぶ線を基線として２
θ＝３５．５°における基線からのピーク高さＬｌと２
θ＝３３ｍにおける基線からのピーク高さＬ２の比り、
／Ｌ、を求め、その結果を第２表に示した。又、比較例
としてアニール処理を行なわない場合、及びアニール温
度が５００℃未満についても同様の測定を行ない、その
結果を第２表に併記した。 第２表より、 ５００℃以
上でアニール処理を行なうと、Ｌｌ／Ｌ！が１．５以上
となり、このものは高エネルギー電子線の照射を行なっ
ても内部応力に顕著な変化が認められなかった。
＝３０°と２θ：４０°の波形を結ぶ線を基線として２
θ＝３５．５°における基線からのピーク高さＬｌと２
θ＝３３ｍにおける基線からのピーク高さＬ２の比り、
／Ｌ、を求め、その結果を第２表に示した。又、比較例
としてアニール処理を行なわない場合、及びアニール温
度が５００℃未満についても同様の測定を行ない、その
結果を第２表に併記した。 第２表より、 ５００℃以
上でアニール処理を行なうと、Ｌｌ／Ｌ！が１．５以上
となり、このものは高エネルギー電子線の照射を行なっ
ても内部応力に顕著な変化が認められなかった。
（発明の効果）
本発明の成膜方法によれば、特定範囲の引張り応力を有
し、Ｘ線回折の波形で規定した結晶性を有するＳｉＣ膜
が得られ、従来得られなかった耐高エネルギービーム性
を有し、応力変化が極めて少なく、ピンホールやノジュ
ールのない優れたＳｉＣ膜がばらつきなく安定して量産
可能となった。更第１表 にＸ線リソグラフィー用マスクに加工することができ、
工業上極めて利用価値が高い。
し、Ｘ線回折の波形で規定した結晶性を有するＳｉＣ膜
が得られ、従来得られなかった耐高エネルギービーム性
を有し、応力変化が極めて少なく、ピンホールやノジュ
ールのない優れたＳｉＣ膜がばらつきなく安定して量産
可能となった。更第１表 にＸ線リソグラフィー用マスクに加工することができ、
工業上極めて利用価値が高い。
第１図は実施例１〜６および比較例１〜３のＳｉＣ膜の
結晶性を規定するためのＸ線回折波形を示す。
結晶性を規定するためのＸ線回折波形を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＳｉＣよりなるターゲットを用い、スパッター法に
て基板上に圧縮応力の状態でＳｉＣ膜を形成し、次いで
これをアニールして引張応力の状態とすることを特徴と
するＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法。 ２、基板温度が５００℃未満であり、アニール温度が５
００℃以上である請求項１に記載のＸ線リソグラフィー
用ＳｉＣ膜の成膜方法。 ３、引張応力が０．１〜８．０×１０＾９ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ＾２である請求項１に記載のＸ線リソグラフィー用Ｓ
ｉＣ膜の成膜方法。 ４、スパッター圧力が０．２〜５０×１０＾−＾３Ｔｏ
ｒｒである請求項１に記載のＸ線リソグラフィー用Ｓｉ
Ｃ膜の成膜方法。 ５、引張応力の状態にあるＳｉＣ膜が結晶質ＳｉＣを含
有することを特徴とする請求項１に記載のＸ線リソグラ
フィー用ＳｉＣ膜の成膜方法。 ６、請求項４に記載のＳｉＣ膜のＸ線回折ピークにおい
て、２θ＝３０°と２θ＝４０°の波形を結ぶ線を基線
として２θ＝３５．５°における基線からのピーク高さ
Ｌ＿１と２θ：３３°における基線からのピーク高さＬ
＿２の比Ｌ＿１／Ｌ＿２が１．５以上であることを特徴
とするＸ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33909389A JPH0712016B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33909389A JPH0712016B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196148A true JPH03196148A (ja) | 1991-08-27 |
| JPH0712016B2 JPH0712016B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=18324195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33909389A Expired - Fee Related JPH0712016B2 (ja) | 1989-12-26 | 1989-12-26 | Ｘ線リソグラフィー用ＳｉＣ膜の成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712016B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0933683A3 (en) * | 1992-08-20 | 1999-12-15 | Sony Corporation | Method of forming a resist pattern by using an optimized silicon carbide anti-reflective layer |
-
1989
- 1989-12-26 JP JP33909389A patent/JPH0712016B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0933683A3 (en) * | 1992-08-20 | 1999-12-15 | Sony Corporation | Method of forming a resist pattern by using an optimized silicon carbide anti-reflective layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712016B2 (ja) | 1995-02-08 |
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