JPH03196583A - 縦型シリコンサーモパイル及びその製造方法 - Google Patents
縦型シリコンサーモパイル及びその製造方法Info
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- JPH03196583A JPH03196583A JP1072899A JP7289989A JPH03196583A JP H03196583 A JPH03196583 A JP H03196583A JP 1072899 A JP1072899 A JP 1072899A JP 7289989 A JP7289989 A JP 7289989A JP H03196583 A JPH03196583 A JP H03196583A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、赤外線などのセンサに利用できる、シリコン
単結晶を使用したサーモパイルとその製造方法に関する
。
単結晶を使用したサーモパイルとその製造方法に関する
。
単結晶シリコンを用いたサーモパイルとしては、ｐ型シ
リコンストリップとアルミニウムを用いたものが報告さ
ている（Ｇ、Ｄ、ＮＩＥＶＥＬＤ、 Ｔｈｅｒｍｏｐｉ
ｌｅｓＦａｂｒｉｃａｔｅｄ ｕｓｉｎｇ ５ｉｌ
ｉｃｏｎ Ｐｌａｎａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ。
リコンストリップとアルミニウムを用いたものが報告さ
ている（Ｇ、Ｄ、ＮＩＥＶＥＬＤ、 Ｔｈｅｒｍｏｐｉ
ｌｅｓＦａｂｒｉｃａｔｅｄ ｕｓｉｎｇ ５ｉｌ
ｉｃｏｎ Ｐｌａｎａｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ。
５ｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ、 ３．
（１９８２／８３）１７９ １８３）。
（１９８２／８３）１７９ １８３）。
このサーモバイルは、ｎ型シリコン単結晶内に形成され
た１０（μｍ） ｘｌ、５ Ｃ＋＋＋ｏ＋） （マス
ク寸法）の形状を持つｐ型シリコンストリップと、その
上部に形成されたシリコン酸化膜で該ストリ・ンプと絶
縁されたアルミニウムストリップとを直列に接続してな
る熱電対を多数用いた構造である。
た１０（μｍ） ｘｌ、５ Ｃ＋＋＋ｏ＋） （マス
ク寸法）の形状を持つｐ型シリコンストリップと、その
上部に形成されたシリコン酸化膜で該ストリ・ンプと絶
縁されたアルミニウムストリップとを直列に接続してな
る熱電対を多数用いた構造である。
比抵抗が５Ｘ１０−”（Ωｃｍ）のシリコンストリップ
を持つこのサーモパイルの熱起電力は、熱電対を１５２
組直列に接続したもので７６（ｍＶ／Ｋ）得られ、内部
抵抗値は２５０（ｋΩ〕である。
を持つこのサーモパイルの熱起電力は、熱電対を１５２
組直列に接続したもので７６（ｍＶ／Ｋ）得られ、内部
抵抗値は２５０（ｋΩ〕である。
このように、サーモパイルの熱電対としてＰ型シリコン
ストリップとアルミニウムストリップを使用した場合、
サーモパイルの出力である熱起電力への双方の材料の寄
与を比較すると、ｐ型単結晶シリコンのゼーベック係数
は、そのドーピング濃度にも依存するが、その値はほぼ
４５０〜１６００〔μＶ／Ｋ）をとるのに対し、アルミ
ニウムは１．７〔μＶ／Ｋ）程度となり、熱電対の出力
感度に対するアルミニウムの寄与は相対的に極めて小さ
い。従って、サーモパイルの出力を大きくするにはアル
ミニウムを大きなゼーベック係数をもつ別の材料に代え
る必要がある。
ストリップとアルミニウムストリップを使用した場合、
サーモパイルの出力である熱起電力への双方の材料の寄
与を比較すると、ｐ型単結晶シリコンのゼーベック係数
は、そのドーピング濃度にも依存するが、その値はほぼ
４５０〜１６００〔μＶ／Ｋ）をとるのに対し、アルミ
ニウムは１．７〔μＶ／Ｋ）程度となり、熱電対の出力
感度に対するアルミニウムの寄与は相対的に極めて小さ
い。従って、サーモパイルの出力を大きくするにはアル
ミニウムを大きなゼーベック係数をもつ別の材料に代え
る必要がある。
また従来のシリコン基板利用サーモバイルは平面型であ
り、多数の熱電対を平面上に並べそれらを直列接続する
型式をとっている。これでは１個のサーモパイルが占め
る面積を余り小さくすることはできず、例えば４ （ｍ
ｍ） ｘ４ （Ｍ）程度の大きさになってしまう。盪像
素子などでは解像度を上げるべく、素子の一層の微小化
が望まれる。
り、多数の熱電対を平面上に並べそれらを直列接続する
型式をとっている。これでは１個のサーモパイルが占め
る面積を余り小さくすることはできず、例えば４ （ｍ
ｍ） ｘ４ （Ｍ）程度の大きさになってしまう。盪像
素子などでは解像度を上げるべく、素子の一層の微小化
が望まれる。
このように、シリコン単結晶とアルミニウムの熱電対で
は、熱起電力が十分でない。また多数の熱電対を平面上
に配設したサーモパイルでは、集積度向上が十分にはで
きない。
は、熱起電力が十分でない。また多数の熱電対を平面上
に配設したサーモパイルでは、集積度向上が十分にはで
きない。
本発明はか＼る点を改善し、熱電対の起電力が大きく、
これを多数配設しても所要面積が大とならない立体構造
のサーモパイルを徒供することを目的とするものである
。
これを多数配設しても所要面積が大とならない立体構造
のサーモパイルを徒供することを目的とするものである
。
第１図に示すように本発明では、単結晶シリコン基板１
０内に多数のＰ型層２１．２２．・・・・・・とｎ型層
３１，３２．・・・・・・と、これらを相互に絶縁する
絶縁Ｎ４１を形成する。これらのｐ型層、ｎ型層は単結
晶シリコン、多結晶または非晶質シリコンのいずれでも
よい。また絶縁層４１は二酸化シリコン、ノンドープの
多結晶シリコンなどでよい。基板ＩＯの表面および裏面
も絶縁層４２．４３で被覆し、この絶縁層から露出する
ｐ型層、ｎ型層の両端面を金属層５１，５２．・・・・
・・および６１．６２．・・・・・・で接続し、全体を
ジグザグ状の直列接続体にする。このジグザグ状直列接
続体はＸ方向に延び、か＼るものがＹ方向に複数組あり
、これらは全て直列に接続されて１つのサーモパイルを
構成する。
０内に多数のＰ型層２１．２２．・・・・・・とｎ型層
３１，３２．・・・・・・と、これらを相互に絶縁する
絶縁Ｎ４１を形成する。これらのｐ型層、ｎ型層は単結
晶シリコン、多結晶または非晶質シリコンのいずれでも
よい。また絶縁層４１は二酸化シリコン、ノンドープの
多結晶シリコンなどでよい。基板ＩＯの表面および裏面
も絶縁層４２．４３で被覆し、この絶縁層から露出する
ｐ型層、ｎ型層の両端面を金属層５１，５２．・・・・
・・および６１．６２．・・・・・・で接続し、全体を
ジグザグ状の直列接続体にする。このジグザグ状直列接
続体はＸ方向に延び、か＼るものがＹ方向に複数組あり
、これらは全て直列に接続されて１つのサーモパイルを
構成する。
ｐ型層とｎ型層の一方の端面、例えば金属層５１．５２
．・・・・・・で接続された端面が温接点側、他方の端
面本例では金属層６１，６２．・・・・・・で接続され
た端面が冷接点側になる。この温接点側には図示しない
絶縁層を介して電磁波吸収体７０が形成される。
．・・・・・・で接続された端面が温接点側、他方の端
面本例では金属層６１，６２．・・・・・・で接続され
た端面が冷接点側になる。この温接点側には図示しない
絶縁層を介して電磁波吸収体７０が形成される。
このサーモパイルは、ｐ型シリコン基板とｎ型シリコン
基板を貼り合せ、そのＰ型基板に穴をあけてｎ型シリコ
ン層を成長または堆積させまたｎ型基板に穴をあけてｐ
型シリコン層を成長または堆積させ、これらのシリコン
成長または堆積層の周囲に穴をあけてその穴に絶縁層を
成長または堆積させ、こうしてｐ、ｎシリコン基板を貫
通するｐ型層１２１． ２２．−・・・・−及びｎ型層
３１，３２゜・・・・・・を作り、これらの端面に金属
層５１，５２゜・・・・・・６１，６２．・・・・・・
を被着し、温接点側には絶縁層を介して電磁波吸収体７
０を取付ける、という要領で作ることができる。
基板を貼り合せ、そのＰ型基板に穴をあけてｎ型シリコ
ン層を成長または堆積させまたｎ型基板に穴をあけてｐ
型シリコン層を成長または堆積させ、これらのシリコン
成長または堆積層の周囲に穴をあけてその穴に絶縁層を
成長または堆積させ、こうしてｐ、ｎシリコン基板を貫
通するｐ型層１２１． ２２．−・・・・−及びｎ型層
３１，３２゜・・・・・・を作り、これらの端面に金属
層５１，５２゜・・・・・・６１，６２．・・・・・・
を被着し、温接点側には絶縁層を介して電磁波吸収体７
０を取付ける、という要領で作ることができる。
このサーモパイルでは電磁波吸収体７０に入射した電磁
波により該吸収体の温度が上昇（降温）し、この近傍に
ある熱電対の温接点の温度が冷接点側よりも上昇（降温
）する。これにより、熱電対の温接点と冷接点の間に温
度差が生じて、ゼーベック効果により熱起電力が発生す
る。電磁波は例えば赤外線であるが、電磁波吸収体１９
に吸収されて熱になるものであれば何でもよく、全波長
帯域型である。ｎ型層２１，２２．・・・・・・、ｎ型
層３１．３２ ・・・・・・はシリコンであるからゼ
ーベック係数が大きく、これらで構成される熱電対の熱
起電力は大きい。サーモバイルは、か＼る熱電対の複数
個を直列に接続して構成するので、その紛然起電力は各
々の熱電対が発生する熱起電力の総和となる。
波により該吸収体の温度が上昇（降温）し、この近傍に
ある熱電対の温接点の温度が冷接点側よりも上昇（降温
）する。これにより、熱電対の温接点と冷接点の間に温
度差が生じて、ゼーベック効果により熱起電力が発生す
る。電磁波は例えば赤外線であるが、電磁波吸収体１９
に吸収されて熱になるものであれば何でもよく、全波長
帯域型である。ｎ型層２１，２２．・・・・・・、ｎ型
層３１．３２ ・・・・・・はシリコンであるからゼ
ーベック係数が大きく、これらで構成される熱電対の熱
起電力は大きい。サーモバイルは、か＼る熱電対の複数
個を直列に接続して構成するので、その紛然起電力は各
々の熱電対が発生する熱起電力の総和となる。
またこのサーモパイルはその構成要素である熱電対の素
子２１と３１．２２と３２．・・・・・・が基板１０の
厚み方向に延びており、温接点群の下方にこれらの素子
が埋まっている形になっている。従って集積度が高く、
温接点の周囲に非感光領域がないので、微小ビクセルを
１次元または２次元に多数配設した構造の撮像素子を容
易に構成できる。
子２１と３１．２２と３２．・・・・・・が基板１０の
厚み方向に延びており、温接点群の下方にこれらの素子
が埋まっている形になっている。従って集積度が高く、
温接点の周囲に非感光領域がないので、微小ビクセルを
１次元または２次元に多数配設した構造の撮像素子を容
易に構成できる。
このサーモパイルでは異種金属（ｐ、ｎ型層）を直接接
続しないで、金属層５１，５２．・・・・・・６１．６
２．・・・・・・を介して接続する。温接点側の温度は
どこも等温と見做せるので、中間金属の法則が適用され
、金属層５１．・・・・・・は熱電対の起電力には影響
を及ぼさない。
続しないで、金属層５１，５２．・・・・・・６１．６
２．・・・・・・を介して接続する。温接点側の温度は
どこも等温と見做せるので、中間金属の法則が適用され
、金属層５１．・・・・・・は熱電対の起電力には影響
を及ぼさない。
このサーモパイルはトランジスタ製造工程を応用して製
作することができ、製造は容易である。
作することができ、製造は容易である。
このサーモパイルの具体例を示すと、ｎ型層２１．２２
．・・・・・・のサイズはＸ方向で２５〔μｍ〕、Ｘ方
向で２５〔μｍ〕、Ｚ方向で５００〔μｍ〕であり、ｎ
型層３１，３２．・・・・・・のサイズはＸ方向で２５
〔μｍ〕、Ｘ方向で２５〔μｍ〕、Ｚ方向で５００〔μ
ｍ〕である。ｎ型層とｎ型層の各１つで構成される熱電
対の個数は５０個であり、Ｐ型層、ｎ型層が共に多結晶
シリコンのときｌ［に］の温度差で２５ｍＶの熱起電力
を生じる。このサーモバイル全体の大きさはＸ方向で４
７５〔μｍ〕、Ｘ方向で４７５ （μｍ）、Ｚ方向で約
５００［μｍ〕である。
．・・・・・・のサイズはＸ方向で２５〔μｍ〕、Ｘ方
向で２５〔μｍ〕、Ｚ方向で５００〔μｍ〕であり、ｎ
型層３１，３２．・・・・・・のサイズはＸ方向で２５
〔μｍ〕、Ｘ方向で２５〔μｍ〕、Ｚ方向で５００〔μ
ｍ〕である。ｎ型層とｎ型層の各１つで構成される熱電
対の個数は５０個であり、Ｐ型層、ｎ型層が共に多結晶
シリコンのときｌ［に］の温度差で２５ｍＶの熱起電力
を生じる。このサーモバイル全体の大きさはＸ方向で４
７５〔μｍ〕、Ｘ方向で４７５ （μｍ）、Ｚ方向で約
５００［μｍ〕である。
第２図にこのサーモパイルの製造工程を示す。
先ず（＋）に示すようにｐ型車結晶シリコン基板１１と
ｎ型単結晶シリコン基板１２を用意し、熱酸化により表
面に二酸化シリコン膜１３．１４を形成する。
ｎ型単結晶シリコン基板１２を用意し、熱酸化により表
面に二酸化シリコン膜１３．１４を形成する。
次に（２）に示すように、これらの基板１１と１２を貼
り合わせる。この貼り合わせは、酸化膜１３゜１４を純
水でぬらしたのち重ね合せ、２００°Ｃでベーキングし
た後、８００〜１０００”Ｃの温度で３０〜６０分間熱
処理することにより行なうことができる。
り合わせる。この貼り合わせは、酸化膜１３゜１４を純
水でぬらしたのち重ね合せ、２００°Ｃでベーキングし
た後、８００〜１０００”Ｃの温度で３０〜６０分間熱
処理することにより行なうことができる。
次に（３）に示すように、ｐ型基板１１にｎ型層３１．
３２．・・・・・・（以下３０という）の断面に相当す
る穴をあける。この穴は、貼り合せ部分の酸化Ｗ４１３
、Ｉ４を貫いて、ｎ基板１２が露出するまであける。然
るのちＣＶＤ法などでｎ型シリコン層を成長または堆積
させ、上記穴をシリコン層で埋める。１２ａはこの穴に
成長または堆積したｎ型シリコン層を示し、これは単結
晶、多結晶または非晶質（アモルファス）である。熱電
対の熱起電力は単結晶の方が高いので、単結晶シリコン
が成長するように工程を管理するのがよい。穴の周囲の
ｐ基板上にもｎ型シリコンが成長または堆積するが、こ
れはエツチングなどにより除去する（他も同様）。
３２．・・・・・・（以下３０という）の断面に相当す
る穴をあける。この穴は、貼り合せ部分の酸化Ｗ４１３
、Ｉ４を貫いて、ｎ基板１２が露出するまであける。然
るのちＣＶＤ法などでｎ型シリコン層を成長または堆積
させ、上記穴をシリコン層で埋める。１２ａはこの穴に
成長または堆積したｎ型シリコン層を示し、これは単結
晶、多結晶または非晶質（アモルファス）である。熱電
対の熱起電力は単結晶の方が高いので、単結晶シリコン
が成長するように工程を管理するのがよい。穴の周囲の
ｐ基板上にもｎ型シリコンが成長または堆積するが、こ
れはエツチングなどにより除去する（他も同様）。
次は（４）に示すようにｎ基板１２にｎ型層２１゜２２
、・・・・・・（以下２０という）の断面に相当する穴
をあけ、この穴にｐ型シリコンＩｌａを成長または堆積
させる。これも単結晶、多結晶、または非晶質であるが
、単結晶が成長するようにするのが好ましい。こうして
（５）に示すように、貼り合わされたｐ型基板１１とｎ
型基板１２を貫通し、交互に並ぶｎ型層２０とｎ型層３
０ができ上る。
、・・・・・・（以下２０という）の断面に相当する穴
をあけ、この穴にｐ型シリコンＩｌａを成長または堆積
させる。これも単結晶、多結晶、または非晶質であるが
、単結晶が成長するようにするのが好ましい。こうして
（５）に示すように、貼り合わされたｐ型基板１１とｎ
型基板１２を貫通し、交互に並ぶｎ型層２０とｎ型層３
０ができ上る。
次はｐ型基板１１のｎ型層の周囲に溝を作り、この溝に
ＣＶＤ法などにより絶縁層（二酸化シリコンなど）４１
ａを成長または堆積させる。（７）に示すようにｎ型基
板１２側のｎ型層の周囲にも溝を作り、この溝に絶縁層
（二酸化シリコンなど）４１ｂを成長または堆積させる
。
ＣＶＤ法などにより絶縁層（二酸化シリコンなど）４１
ａを成長または堆積させる。（７）に示すようにｎ型基
板１２側のｎ型層の周囲にも溝を作り、この溝に絶縁層
（二酸化シリコンなど）４１ｂを成長または堆積させる
。
次は（８）に示すようにアルミニウムなどの金属の蒸着
、そのバターニングを行なって、金属層５０゜６０を形
成する。これで第１図に示すサーモバイルができ上る。
、そのバターニングを行なって、金属層５０゜６０を形
成する。これで第１図に示すサーモバイルができ上る。
なお表面の絶縁膜などは適宜形成しまた除去する。
次は（９）に示すように電磁波吸収体７０を温接点側に
取付けるが、これは絶縁層７１の形成、金属（この場合
は金Ａｕ）の蒸着、そのパターニングを行なえばよい。
取付けるが、これは絶縁層７１の形成、金属（この場合
は金Ａｕ）の蒸着、そのパターニングを行なえばよい。
。
ｐ型基板１１とｎ型基板１２の厚さは２００〜３００〔
μｍ〕、であり、これらを合わせたｐ型層２０、ｎ型層
３０の長さは５００〜６００ （μｍ〕である。ｐ／ｎ
型層の断面は１００（μｍ〕Ｘ１００〔μｍ］程度であ
り、これでＩＣＩＩＩｍ”）内に収まるサーモバイルを
作ることができる。
μｍ〕、であり、これらを合わせたｐ型層２０、ｎ型層
３０の長さは５００〜６００ （μｍ〕である。ｐ／ｎ
型層の断面は１００（μｍ〕Ｘ１００〔μｍ］程度であ
り、これでＩＣＩＩＩｍ”）内に収まるサーモバイルを
作ることができる。
以上説明したように本発明によれば立体構造のサーモバ
イルを提供でき、解像度の高い１次元または２次元セン
サの提供に有効である。
イルを提供でき、解像度の高い１次元または２次元セン
サの提供に有効である。
第１図は本発明のサーモバイルの説明図、第２図は本発
明のサーモバイルの製造工程を示す説明図である。 第１図で２１．２２はｐ型層、３１，３２．・・・・・
・はｎ型層、５１，５２．・・・・・・、６１，６２．
・・・・・・は金属層、７０は電磁波吸収体である。 出 願 人 新日本製鐵株式会社
明のサーモバイルの製造工程を示す説明図である。 第１図で２１．２２はｐ型層、３１，３２．・・・・・
・はｎ型層、５１，５２．・・・・・・、６１，６２．
・・・・・・は金属層、７０は電磁波吸収体である。 出 願 人 新日本製鐵株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、単結晶シリコン基板内にその厚さ方向に複数個のｐ
型層とｎ型層とこれらを絶縁する絶縁層を形成し、 これらｐ型層とｎ型層の各端面を基板表、裏面に被着し
た金属層により接続して全体をジグザグ状の直列接続体
とし、 温接点となる側の面上には絶縁層を介して電磁波吸収体
層を被着したことを特徴とする縦型シリコンサーモパイ
ル。 ２、ｐ型単結晶シリコン基板とｎ型単結晶シリコン基板
それらの表面の絶縁膜で貼り合わせる工程と、 貼り合わされたｐ型基板に、ｎ型基板に達する穴をあけ
、該穴にｎ型シリコン層を成長または堆積させ、また貼
り合わされたｎ型基板に、ｐ型基板に達する穴をあけ、
該穴にｐ型シリコン層を成長または堆積させる工程と、 ｐ型基板の穴に成長または堆積したｎ型シリコン層の周
囲に穴をあけてその穴に絶縁層を成長または堆積させ、
またｎ型基板の穴に成長または堆積したｐ型シリコン層
の周囲に穴をあけてその穴に絶縁層を成長または堆積さ
せる工程と、 こうしてできた、貼り合わされたｐ型基板とｎ型基板を
貫通し絶縁層で相互に絶縁されたｐ型層とｎ型層の端面
を金属層で接続して全体をジグザグ状の直列接続体にす
る工程と、 温接点側の端面に絶縁膜を介して電磁波吸収体を被着す
る工程とを有することを特徴とする縦型シリコンサーモ
パイルの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072899A JPH03196583A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 縦型シリコンサーモパイル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1072899A JPH03196583A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 縦型シリコンサーモパイル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196583A true JPH03196583A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=13502658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1072899A Pending JPH03196583A (ja) | 1989-03-24 | 1989-03-24 | 縦型シリコンサーモパイル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03196583A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999010937A1 (fr) * | 1997-08-25 | 1999-03-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif thermoelectrique |
| WO1999022410A1 (fr) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Materiau thermoelectrique transducteur et son procede de fabrication |
| WO1999034450A1 (fr) * | 1997-12-27 | 1999-07-08 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Element thermoelectrique |
| JP2004140064A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子およびその製造方法 |
| US7005643B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-02-28 | Denso Corporation | Infrared sensor |
| JP2006093364A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Citizen Watch Co Ltd | 差動型熱電素子 |
| GB2433650A (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | Bosch Gmbh Robert | Micromechanical thermopile sensor and method for producing same |
| JP2009186223A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Aruze Corp | 赤外線センサ |
| WO2014064755A1 (ja) * | 2012-10-22 | 2014-05-01 | 富士通株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び熱電発電電子機器 |
| US10224474B2 (en) | 2013-01-08 | 2019-03-05 | Analog Devices, Inc. | Wafer scale thermoelectric energy harvester having interleaved, opposing thermoelectric legs and manufacturing techniques therefor |
| US10481008B2 (en) | 2015-08-05 | 2019-11-19 | Denso Corporation | Radiant heat sensor |
| JP2021512488A (ja) * | 2018-01-23 | 2021-05-13 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電モジュール |
-
1989
- 1989-03-24 JP JP1072899A patent/JPH03196583A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999010937A1 (fr) * | 1997-08-25 | 1999-03-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif thermoelectrique |
| US6314741B1 (en) | 1997-08-25 | 2001-11-13 | Citizen Watch Co., Ltd. | Thermoelectric device |
| WO1999022410A1 (fr) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Materiau thermoelectrique transducteur et son procede de fabrication |
| WO1999034450A1 (fr) * | 1997-12-27 | 1999-07-08 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Element thermoelectrique |
| JP2004140064A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子およびその製造方法 |
| US7005643B2 (en) * | 2003-03-31 | 2006-02-28 | Denso Corporation | Infrared sensor |
| JP2006093364A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Citizen Watch Co Ltd | 差動型熱電素子 |
| GB2433650B (en) * | 2005-12-22 | 2008-01-23 | Bosch Gmbh Robert | Micromechanical thermopile sensor and method for producing same |
| GB2433650A (en) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | Bosch Gmbh Robert | Micromechanical thermopile sensor and method for producing same |
| JP2009186223A (ja) * | 2008-02-04 | 2009-08-20 | Aruze Corp | 赤外線センサ |
| WO2014064755A1 (ja) * | 2012-10-22 | 2014-05-01 | 富士通株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び熱電発電電子機器 |
| JPWO2014064755A1 (ja) * | 2012-10-22 | 2016-09-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び熱電発電電子機器 |
| US9455390B2 (en) | 2012-10-22 | 2016-09-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device and electronic thermoelectric power generation device |
| US10224474B2 (en) | 2013-01-08 | 2019-03-05 | Analog Devices, Inc. | Wafer scale thermoelectric energy harvester having interleaved, opposing thermoelectric legs and manufacturing techniques therefor |
| US10481008B2 (en) | 2015-08-05 | 2019-11-19 | Denso Corporation | Radiant heat sensor |
| JP2021512488A (ja) * | 2018-01-23 | 2021-05-13 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 熱電モジュール |
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