JPH03196639A - 薄膜トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、絶縁基板上に形成された簿膜トランジスタに
関する。

〔従来技術〕

薄膜トランジスタを用いて、液晶デイスプレィを構成し
た場合には、薄膜トランジスタのチャンネル部、ソース
部、ドレイン部及びゲート電極などが表面に突出する。

ところが液晶の配向処理は高い部分が優先的に行われ、
低い部分の配向処理が充分行われず、液晶に配向不良を
生じるという問題点があり、特開昭５９−１０４１７０
号公報の技術においては、前記問題点解決のため、チャ
ンネル部、ソース部、ドレイン部およびゲート電極を絶
縁基板内に埋めこむことを提案している。しかしながら
、配線部分についての問題意識は全く開示されていない
。

ところが、従来の薄膜トランジスタでは、基板もしくは
基板上に形成された絶縁膜の上に直接ＡＱ等のメタルで
配線部が形成されていた。

このため、配線部の抵抗値を下げるためには、配線の断
面積を広くする必要があった。そこで配線部の断面積を
大きくするためのメタル層を厚くすると表面段差が大き
くなりこの上に形成される保護膜にクラックが生じやす
くなるためメタル層は１．２μｍ程度までしか厚くでき
ないという問題が生じた。

〔目　　的〕

本発明の目的は、配線部の段差および表面積を大きくす
ることなく配線部の断面積を大きくして、抵抗値の小さ
い配線部を有する薄膜トランジスタを提供することにあ
る。

〔構　　成〕

本発明は、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタに
おいて、配線部の少くとも１部分が基板内に埋めこまれ
ていることを特徴とする薄膜トランジスタに関する。

本発明を図面を参照しながら説明する。

配線部の少くとも１部分を基板１内に埋めこむための溝
は、第１図ではＡ、第２図ではＡ′で示されている。溝
の深さは、配線部を完全に埋め込むほど深いものであっ
てもよいが、必要に応じてもっと薄い溝にすることもで
きる。

〔実施例〕

実施例１ 石英基板１に溝Ａを深さ１μｍで形成しくフォトリソ技
術による）、次に活性層２となる多結晶シリコン膜を島
状に形成し、さらに熱酸化膜３を形成する。ゲートとな
る多結晶シリコン膜４を形成しイオン打込にてソース・
ドレイン領域５．５を形成する。

次に溝Ａの部分にＡＱの配線７を１μｍ形成し、層間絶
縁膜６を形成後、コンタクトホールを開口して再びＡＱ
の配線を行う。

なお、溝の部分の配線は、Ｗなどの高融点金属を用いて
活性層の多結晶シリコン膜形成より前に形成しておいて
もよい。

実施例２ パイレックス基板８に溝Ａ′を深さ３０００人で形成し
、次にＣｒをゲート９と溝Ａ′の部分に充填する。次に
プラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜１０、アモルフ
ァスシリコン膜１１、ｎ１アモルファスシリコン膜１２
を形成して所望のパターンにエツチングする６次に眉間
絶縁膜１３を形成し、コンタクトホールを開口し、ＡＱ
配線を行う。

〔効　　果〕

配線部の表面積が小さくなることによりデバイスとして
の必要面積がｔＪｓさくなる。また、配線の段差が小さ
くなり、保護膜のクラック等も少なくなった。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明の薄膜トランジスタの１
例をそれぞれ示す断面図である。 １．８・・・基板 ２．１１・・・活性層 ３．１０・・・ゲート絶縁膜 ４．９・・・ゲート電極 ５．１２・・・拡散層 ６．１３・・・層間絶縁膜 ７．１４・・・配線 Ａ、Ａ’・・・溝および配線

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて
   、配線部の少くとも１部分が基板内に埋めこまれている
   ことを特徴とする薄膜トランジスタ。