JPH03199196A - サセプター - Google Patents
サセプターInfo
- Publication number
- JPH03199196A JPH03199196A JP33644589A JP33644589A JPH03199196A JP H03199196 A JPH03199196 A JP H03199196A JP 33644589 A JP33644589 A JP 33644589A JP 33644589 A JP33644589 A JP 33644589A JP H03199196 A JPH03199196 A JP H03199196A
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- JP
- Japan
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- spot facing
- susceptor
- facing member
- counterbore
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- Granted
Links
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明はサセプターに関する。
従来の技術
従来、サセプターは、Ｓｉエピタキシャル成長工程でウ
ェーハ処理に用いたあと、エツチング処理をおこなって
いた。すなわち、まずウェーハのない状態でサセプター
をＨＣＩでエツチングし、ついでウェーハをサセプター
にセットし、ウェーハのエピタキシャル成長処理をおこ
ない、しかるのち、ウェーハをサセプターから取りだし
、再びウェーハのない状態でサセプターをＨＣｌでエツ
チング処理していた。
ェーハ処理に用いたあと、エツチング処理をおこなって
いた。すなわち、まずウェーハのない状態でサセプター
をＨＣＩでエツチングし、ついでウェーハをサセプター
にセットし、ウェーハのエピタキシャル成長処理をおこ
ない、しかるのち、ウェーハをサセプターから取りだし
、再びウェーハのない状態でサセプターをＨＣｌでエツ
チング処理していた。
従来は、このような処理サイクルをくり返していたので
ある。
ある。
発明が解決しようとする問題点
エピタキシャル成長時にはサセプターの座ぐり部にウェ
ーハが置かれているため、サセプターの他の部分のよう
にＳｉが析出しない。
ーハが置かれているため、サセプターの他の部分のよう
にＳｉが析出しない。
それにもかかわらず、座ぐり部も他の部分と同様にエツ
チング処理をするので、座ぐり部゛に不純物が混在して
いると、局所的にＳｉＣ被膜が分解浸蝕されて、そこに
ピンホールが発生する。すなわち、サセプターの座ぐり
部に金属不純物が存在すると、その金属不純物とＳｉＣ
とが次のように反応して、その部分にピンホールが発生
する。
チング処理をするので、座ぐり部゛に不純物が混在して
いると、局所的にＳｉＣ被膜が分解浸蝕されて、そこに
ピンホールが発生する。すなわち、サセプターの座ぐり
部に金属不純物が存在すると、その金属不純物とＳｉＣ
とが次のように反応して、その部分にピンホールが発生
する。
ＳｉＣ４Ｍ−＋ＭｘＳｉ７＋Ｃ（Ｍ：Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ
、 Ｐｄ・・・）ＳｉＣ４Ｍ−ｓＭｘｓｉ７＋Ｍｍｃ
ｎ （Ｍ：Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、 ｚｒ、Ｍａ。
、 Ｐｄ・・・）ＳｉＣ４Ｍ−ｓＭｘｓｉ７＋Ｍｍｃ
ｎ （Ｍ：Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、 ｚｒ、Ｍａ。
Ｔａ、Ｗ・・・）
ＳｉＣ＋ＬＭｍＣｎ＋Ｓｉ （Ｍ：ＡＩ・・・）
このように反応して生成した不純物はエピタキシャル成
長工程時の処理温度（約１１００℃）あるいはエツチン
グ時のＨＣＩ雰囲気において蒸発あるいは分解しやすい
ので、そこにピンホールが発生しやすいのである。
このように反応して生成した不純物はエピタキシャル成
長工程時の処理温度（約１１００℃）あるいはエツチン
グ時のＨＣＩ雰囲気において蒸発あるいは分解しやすい
ので、そこにピンホールが発生しやすいのである。
発明の目的
そこで、この発明はサセプターの座ぐり部にピンホール
が発生しないサセプターを提供することを目的としてい
る。
が発生しないサセプターを提供することを目的としてい
る。
発明の要旨
前述の目的を達成するために、この発明は、請求項１に
記載されたサセプターを要旨としている。
記載されたサセプターを要旨としている。
問題点を解決するための手段
ウェーハを載置する座ぐり部を設けた座ぐり部材をサセ
プター本体の表面に着脱自在に設ける。Ｓｉエピタキシ
ャル成長工程では、サセプター本体の所定位置（たとえ
ば凹所）に座ぐり部材を装着して、従来と同様につ工−
ハのＳｉエピタキシャル成長をおこなわせる。サセプタ
ーのエツチング処理時には、座ぐり部材をサセプター本
体から除去して行う。
プター本体の表面に着脱自在に設ける。Ｓｉエピタキシ
ャル成長工程では、サセプター本体の所定位置（たとえ
ば凹所）に座ぐり部材を装着して、従来と同様につ工−
ハのＳｉエピタキシャル成長をおこなわせる。サセプタ
ーのエツチング処理時には、座ぐり部材をサセプター本
体から除去して行う。
もっとも、状況によっては、座ぐり部材をサセプター本
体に装着したまま、エツチング処理をしてもよい。
体に装着したまま、エツチング処理をしてもよい。
作用および効果
座ぐり部材をサセプター本体から外した状態でサセプタ
ーのエツチング処理を行えるため、座ぐり部にはエツチ
ング作用が生ぜず、したがって座ぐり部に従来のように
ピンホールが発生することが回避される。
ーのエツチング処理を行えるため、座ぐり部にはエツチ
ング作用が生ぜず、したがって座ぐり部に従来のように
ピンホールが発生することが回避される。
また、座ぐり部材をサセプター本体に装着したままエツ
チング処理をしたとしても、座ぐり部材がＳｉＣ単味で
あれば、座ぐり部にピンホールが生じることはない。
チング処理をしたとしても、座ぐり部材がＳｉＣ単味で
あれば、座ぐり部にピンホールが生じることはない。
実施例
第１図において、１は、半導体ウエーノ＼のＳｔエピタ
キシャル成長用サセプター本体の上面部の一部を示して
いる。このサセプター本体１の所定箇所（ウェーハサイ
ズによっても異なるが通常１０数ケ所）に凹所２が形成
されている。
キシャル成長用サセプター本体の上面部の一部を示して
いる。このサセプター本体１の所定箇所（ウェーハサイ
ズによっても異なるが通常１０数ケ所）に凹所２が形成
されている。
また、サセプター本体１は炭素基材で作られており、そ
の表面にＳｉＣコーティング３がＣＶＤ法で形成されて
いる。好ましくは、ＳｉＣコーティング３は厚みが５０
〜２００μｍの被膜にする。
の表面にＳｉＣコーティング３がＣＶＤ法で形成されて
いる。好ましくは、ＳｉＣコーティング３は厚みが５０
〜２００μｍの被膜にする。
座ぐり部材４はサセプター本体１からは別体になってお
り、サセプター本体１に着脱自在に装着されている。
り、サセプター本体１に着脱自在に装着されている。
ウェー、ハ５は、従来と同様に座ぐり部材４の内面に形
成された座ぐり部６に載置されている。
成された座ぐり部６に載置されている。
図示例では、座ぐり部材４とサセプター本体１の凹所と
は、完全に対応する形状になっていて、両者の間にまっ
たく隙間がない。
は、完全に対応する形状になっていて、両者の間にまっ
たく隙間がない。
また、座ぐり部材４はＳｉＣのみから作られており、つ
まりＳｉＣ単味であり、全体がほぼ同じ厚みの皿形状に
なっている。もちろん、本発明はこのような座ぐり部材
４の形態に限定されるものではない。
まりＳｉＣ単味であり、全体がほぼ同じ厚みの皿形状に
なっている。もちろん、本発明はこのような座ぐり部材
４の形態に限定されるものではない。
第１図は本発明によるサセプターの一例を示す断面図で
ある。 １・・・サセプター本体 ２・・・凹所 ３・・・ＳｉＣコーティ ４・・・座ぐり部材 ５・・・ウェーハ ６・・・座ぐり部 ング Ｆｉｇ、１
ある。 １・・・サセプター本体 ２・・・凹所 ３・・・ＳｉＣコーティ ４・・・座ぐり部材 ５・・・ウェーハ ６・・・座ぐり部 ング Ｆｉｇ、１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｓｉエピタキシャル成長用サセプターにお いて、サセプター本体の表面に、ウェーハを載置する座
ぐり部を設けた座ぐり部材を着脱自在に設けたことを特
徴とするサセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33644589A JP2835861B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33644589A JP2835861B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | サセプター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03199196A true JPH03199196A (ja) | 1991-08-30 |
| JP2835861B2 JP2835861B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=18299215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33644589A Expired - Fee Related JP2835861B2 (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 | サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2835861B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10287685B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-05-14 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
| US10508362B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-12-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Substrate mounting member, wafer plate, and SiC epitaxial substrate manufacturing method |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP33644589A patent/JP2835861B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10287685B2 (en) | 2013-08-29 | 2019-05-14 | Maruwa Co., Ltd. | Susceptor |
| US10508362B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-12-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Substrate mounting member, wafer plate, and SiC epitaxial substrate manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2835861B2 (ja) | 1998-12-14 |
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