JPH0533140A - 常圧ｃｖｄ装置用シリコン含有炭化珪素質反応板 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置用シリコン含有炭化珪素質反応板Info
- Publication number
- JPH0533140A JPH0533140A JP3190493A JP19049391A JPH0533140A JP H0533140 A JPH0533140 A JP H0533140A JP 3190493 A JP3190493 A JP 3190493A JP 19049391 A JP19049391 A JP 19049391A JP H0533140 A JPH0533140 A JP H0533140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- silicon
- tray
- aqueous solution
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】常圧ＣＶＤ装置に用いるシリコン含有炭化珪素
質反応板の母材に含浸したシリコンが、ＨＦ水溶液やＨ
Ｆ−ＨＮＯ3 混合水溶液での洗浄によって溶出し、トレ
ー本来のガス不透過性が失なわれること、および母材の
炭化珪素粒子の剥離により発塵源となることを防止する
ことが出来る構造の提供を目的とする。 【構成】従来のシリコン含有炭化珪素質トレーを母材と
し、更にＣＶＤ法により、トレーの表面に高純度でピン
ホールが無い炭化珪素質膜４を厚さ１０〜５００μｍ形
成したものである。 【効果】表面に形成した炭化珪素質膜により、ＨＦ水溶
液やＨＦ−ＨＮＯ3混合水溶液に対して耐食性が向上す
ると共に、母材の炭化珪素粒子の剥離により発塵源とな
ることを防止することができ、トレーの長寿命化ができ
る。
質反応板の母材に含浸したシリコンが、ＨＦ水溶液やＨ
Ｆ−ＨＮＯ3 混合水溶液での洗浄によって溶出し、トレ
ー本来のガス不透過性が失なわれること、および母材の
炭化珪素粒子の剥離により発塵源となることを防止する
ことが出来る構造の提供を目的とする。 【構成】従来のシリコン含有炭化珪素質トレーを母材と
し、更にＣＶＤ法により、トレーの表面に高純度でピン
ホールが無い炭化珪素質膜４を厚さ１０〜５００μｍ形
成したものである。 【効果】表面に形成した炭化珪素質膜により、ＨＦ水溶
液やＨＦ−ＨＮＯ3混合水溶液に対して耐食性が向上す
ると共に、母材の炭化珪素粒子の剥離により発塵源とな
ることを防止することができ、トレーの長寿命化ができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン含有炭化珪素
質反応板（以下トレーと称す）に関し、特に常圧ＣＶＤ
装置用のトレーに関する。
質反応板（以下トレーと称す）に関し、特に常圧ＣＶＤ
装置用のトレーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコン含有炭化珪素質トレー１
ｂは図２に示すように再結晶質炭化珪素２を加工，成形
して成る。更にトレーの欠点となるガス透過性及び発塵
性を無くする為に含浸シリコン３を有する。
ｂは図２に示すように再結晶質炭化珪素２を加工，成形
して成る。更にトレーの欠点となるガス透過性及び発塵
性を無くする為に含浸シリコン３を有する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のシリコン含
有炭化珪素質トレーは常圧ＣＶＤ装置にて、使用中、ト
レーの表面に酸化珪素が膜状に堆積する。この堆積した
酸化珪素は、例えば半導体製造工程においては、塵埃の
発生源となったり、ウェーハへの熱伝導の妨げとなる為
随時除去する必要が有る。
有炭化珪素質トレーは常圧ＣＶＤ装置にて、使用中、ト
レーの表面に酸化珪素が膜状に堆積する。この堆積した
酸化珪素は、例えば半導体製造工程においては、塵埃の
発生源となったり、ウェーハへの熱伝導の妨げとなる為
随時除去する必要が有る。
【０００４】除去の方法としては、ＨＦ水溶液又は、Ｈ
Ｆ−ＨＮＯ3 混合水溶液による洗浄が一般的であるが、
洗浄を繰り返すうちに、酸化珪素と共にトレーの母材で
ある再結晶質炭化珪素に含浸したシリコンが溶解除去さ
れてしまう。その結果、トレー本来のガス不透過性が失
なわれると共に炭化珪素粒子間の結合がもろくなり剥離
し易く、ウェーハの汚染や発塵源になるという問題があ
る。従って長期間、トレー本来の性能を維持し得ないと
いう欠点を有する。
Ｆ−ＨＮＯ3 混合水溶液による洗浄が一般的であるが、
洗浄を繰り返すうちに、酸化珪素と共にトレーの母材で
ある再結晶質炭化珪素に含浸したシリコンが溶解除去さ
れてしまう。その結果、トレー本来のガス不透過性が失
なわれると共に炭化珪素粒子間の結合がもろくなり剥離
し易く、ウェーハの汚染や発塵源になるという問題があ
る。従って長期間、トレー本来の性能を維持し得ないと
いう欠点を有する。
【０００５】本発明の目的は、母材に含浸したシリコン
がＨＦ水溶液やＨＦ−ＨＮＯ3 混合水溶液での洗浄によ
って溶出し、トレー本来のガス不浸透性が失なわれる
事、また母材の炭化珪素粒子の剥離により、発塵源とな
る事を防止でき、寿命を向上できるシリコン含有炭化珪
素質トレーを提供することにある。
がＨＦ水溶液やＨＦ−ＨＮＯ3 混合水溶液での洗浄によ
って溶出し、トレー本来のガス不浸透性が失なわれる
事、また母材の炭化珪素粒子の剥離により、発塵源とな
る事を防止でき、寿命を向上できるシリコン含有炭化珪
素質トレーを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン含有炭
化珪素質トレーは、トレー表面に高純度で厚さが１０〜
５００μｍで、かつ膜厚方向に貫通する連続気孔の存在
しない緻密な炭化珪素質被膜を形成することを特徴とし
て構成される。
化珪素質トレーは、トレー表面に高純度で厚さが１０〜
５００μｍで、かつ膜厚方向に貫通する連続気孔の存在
しない緻密な炭化珪素質被膜を形成することを特徴とし
て構成される。
【０００７】トレー表面に形成したこの炭化珪素質被膜
は、ＨＦ水溶液及びＨＦ−ＨＮＯ3 混合水溶液での洗浄
に対し、耐食性を有する事及び膜厚方向に貫通する気孔
が存在しない事により、シリコンの溶出を防止する。
は、ＨＦ水溶液及びＨＦ−ＨＮＯ3 混合水溶液での洗浄
に対し、耐食性を有する事及び膜厚方向に貫通する気孔
が存在しない事により、シリコンの溶出を防止する。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のシリコン含有炭化珪素質
トレーの断面図である。
る。図１は本発明の一実施例のシリコン含有炭化珪素質
トレーの断面図である。
【０００９】本発明の常圧ＣＶＤ装置用シリコン含有炭
化珪素質トレーは、図１に示すように、再結晶質炭化珪
素２にシリコンを含浸し、含浸シリコン３を有した従来
の図２に示すシリコン含有炭化珪素質トレー１ｂに対
し、更にＣＶＤ法により高純度の炭化珪素質膜４を表面
に厚さ１０〜５００μｍの厚さに形成したものである。
化珪素質トレーは、図１に示すように、再結晶質炭化珪
素２にシリコンを含浸し、含浸シリコン３を有した従来
の図２に示すシリコン含有炭化珪素質トレー１ｂに対
し、更にＣＶＤ法により高純度の炭化珪素質膜４を表面
に厚さ１０〜５００μｍの厚さに形成したものである。
【００１０】なお、表面に形成する炭化珪素質被膜を銅
含有量１０ｐｐｍ以下，鉄含有量５０ｐｐｍ以下の高純
度にすることにより、より耐食性を向上させることがで
きる。
含有量１０ｐｐｍ以下，鉄含有量５０ｐｐｍ以下の高純
度にすることにより、より耐食性を向上させることがで
きる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、従来の
シリコン含有炭化珪素質トレーの表面に緻密で、かつ高
純度な炭化珪素質膜を形成する事でＨＦ水溶液及びＨＦ
−ＨＮＯ3 混合水溶液でのトレーの洗浄による含有シリ
コンの溶出を防ぐ事ができる。
シリコン含有炭化珪素質トレーの表面に緻密で、かつ高
純度な炭化珪素質膜を形成する事でＨＦ水溶液及びＨＦ
−ＨＮＯ3 混合水溶液でのトレーの洗浄による含有シリ
コンの溶出を防ぐ事ができる。
【００１２】その結果、ガス不透過性及び炭化珪素粒子
の剥離の防止を長期間維持し得るという効果を有する。
の剥離の防止を長期間維持し得るという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例のシリコン含有炭化珪素質ト
レーの断面図である。
レーの断面図である。
【図２】従来のシリコン含有炭化珪素質トレーの断面図
である。
である。
１ａ シリコン含有炭化珪素質トレー（実施例） １ｂ シリコン含有炭化珪素質トレー（従来例） ２ 再結晶質炭化珪素 ３ 含浸シリコン ４ 炭化珪素質膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 表面に高純度で厚さが１０〜５００μｍ
で、かつ膜厚方向に貫通する連続気孔の存在しない緻密
な炭化珪素質膜を形成してなる事を特徴とする常圧ＣＶ
Ｄ装置用シリコン含有炭化珪素質反応板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3190493A JPH0533140A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 常圧ｃｖｄ装置用シリコン含有炭化珪素質反応板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3190493A JPH0533140A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 常圧ｃｖｄ装置用シリコン含有炭化珪素質反応板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0533140A true JPH0533140A (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=16259015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3190493A Pending JPH0533140A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | 常圧ｃｖｄ装置用シリコン含有炭化珪素質反応板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0533140A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023008439A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | Ａｇｃ株式会社 | 半導体製造装置用の部材およびそのような部材を製造する方法 |
| CN117693607A (zh) * | 2021-07-30 | 2024-03-12 | Ａｇｃ株式会社 | 半导体制造装置用的部件和制造这样的部件的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259431A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ＳｉＣ被膜を有する構造材 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP3190493A patent/JPH0533140A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62259431A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-11 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | ＳｉＣ被膜を有する構造材 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023008439A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | Ａｇｃ株式会社 | 半導体製造装置用の部材およびそのような部材を製造する方法 |
| JPWO2023008439A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | ||
| CN117693607A (zh) * | 2021-07-30 | 2024-03-12 | Ａｇｃ株式会社 | 半导体制造装置用的部件和制造这样的部件的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971111 |