JPH03200032A - 圧力センサー - Google Patents
圧力センサーInfo
- Publication number
- JPH03200032A JPH03200032A JP34183789A JP34183789A JPH03200032A JP H03200032 A JPH03200032 A JP H03200032A JP 34183789 A JP34183789 A JP 34183789A JP 34183789 A JP34183789 A JP 34183789A JP H03200032 A JPH03200032 A JP H03200032A
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- JP
- Japan
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- ripples
- pressure sensor
- diaphragm
- spiral
- pressure
- Prior art date
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- Diaphragms And Bellows (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野]
本発明は、圧力センサーに関し、特に、昇圧−降圧時の
ヒステリシスの小さい圧力センサーに関する。
ヒステリシスの小さい圧力センサーに関する。
ダイヤフラム型圧力センサーは、第1図を参照して説明
するとケーシング1内をダイヤフラムDにより受圧室2
とバックアップ室3とに区画し、前記受圧室2に被圧力
検出流体aの導入管4を接続し、前記バックアップ室3
には、前記ダイヤフラムDの中心に当接するラム5をそ
の軸方向に移動自在に設けるとともに、そのラムをダイ
ヤフラムD側に付勢するスプリング6を設けた構成であ
り、流体aの導入圧によるダイヤフラムDの撓みをラム
5の移動に変換し、その移動量を差動トランス、光セン
サ−、レーザーセンサー等で検出する。
するとケーシング1内をダイヤフラムDにより受圧室2
とバックアップ室3とに区画し、前記受圧室2に被圧力
検出流体aの導入管4を接続し、前記バックアップ室3
には、前記ダイヤフラムDの中心に当接するラム5をそ
の軸方向に移動自在に設けるとともに、そのラムをダイ
ヤフラムD側に付勢するスプリング6を設けた構成であ
り、流体aの導入圧によるダイヤフラムDの撓みをラム
5の移動に変換し、その移動量を差動トランス、光セン
サ−、レーザーセンサー等で検出する。
この圧力センサーの前記ダイヤフラムDとして、本願発
明者等は、特願昭63−99143号等において、第6
図に示すように、素材板中心円形10の周りに、その周
り任意の点から、渦巻き波紋Pを呈する波形断面とし、
その渦巻き波紋Pは前記中心円形に向って傾斜して成る
ものを提案した(第3図参照)。なお、図中の波紋Pは
谷部の軌跡を示す(以下、同様)。
明者等は、特願昭63−99143号等において、第6
図に示すように、素材板中心円形10の周りに、その周
り任意の点から、渦巻き波紋Pを呈する波形断面とし、
その渦巻き波紋Pは前記中心円形に向って傾斜して成る
ものを提案した(第3図参照)。なお、図中の波紋Pは
谷部の軌跡を示す(以下、同様)。
このダイヤフラムDを、第1図実線のごとく、凸状外面
を受圧室2側としてセットし、圧力−変位曲線を得たと
ころ、昇圧と降圧におけるヒステリシス、とくに、昇圧
開始と降圧終了におけるヒステリシスが満足いけるもの
でなかった(第4図従来例、破線参照)。
を受圧室2側としてセットし、圧力−変位曲線を得たと
ころ、昇圧と降圧におけるヒステリシス、とくに、昇圧
開始と降圧終了におけるヒステリシスが満足いけるもの
でなかった(第4図従来例、破線参照)。
本発明は、上記ヒステリシスを小さくすることを課題と
する。
する。
上記課題を解決するため、本発明にあっては、前記のダ
イヤフラム型圧力センサーにおいて、前記渦巻き波紋の
ダイヤフラムを、その渦巻き波紋を少なくとも3周廻り
形成した皿ばねとするとともに、その凸面側をバックア
ップ室に向けて画室に介設し、前記ラムを移動させて皿
ばねを反転させその凸面を受圧室側として成る構成とし
たのである。
イヤフラム型圧力センサーにおいて、前記渦巻き波紋の
ダイヤフラムを、その渦巻き波紋を少なくとも3周廻り
形成した皿ばねとするとともに、その凸面側をバックア
ップ室に向けて画室に介設し、前記ラムを移動させて皿
ばねを反転させその凸面を受圧室側として成る構成とし
たのである。
上記渦巻き波紋は一条、又は複数条でもよく、複数条の
場合には、その起点を中心円形の周り均等分位とする。
場合には、その起点を中心円形の周り均等分位とする。
上記渦巻き波紋の傾斜度、すなわち、第3図にする。1
)5以上となると、プレス成形の際、現在の技術では、
その成形圧が、外向きの斜面と内向きの斜面とで大きく
異なって製造が不可能となるからである。
)5以上となると、プレス成形の際、現在の技術では、
その成形圧が、外向きの斜面と内向きの斜面とで大きく
異なって製造が不可能となるからである。
また、同心円形波紋及び外側円形波紋を設ければ、波紋
のプレス成形時、中心部に生じる盛り上り状の歪は同心
円形波紋に吸収分散され、外周囲に生じる皺状の歪は外
側円形波紋に吸収分散される。この吸収分散は、渦巻き
波紋の始終端を百円形波紋に合流させれば、より効果が
増す。
のプレス成形時、中心部に生じる盛り上り状の歪は同心
円形波紋に吸収分散され、外周囲に生じる皺状の歪は外
側円形波紋に吸収分散される。この吸収分散は、渦巻き
波紋の始終端を百円形波紋に合流させれば、より効果が
増す。
[作用]
このように構成される圧力センサーは、従来と同様にし
て、受圧室に被圧力検出流体を導入し、その導入圧によ
るダイヤフラムの撓みをラムの移動に変換し、その移動
量を、差動トランス、光センサ−、レーザーセンサー等
で検出する。
て、受圧室に被圧力検出流体を導入し、その導入圧によ
るダイヤフラムの撓みをラムの移動に変換し、その移動
量を、差動トランス、光センサ−、レーザーセンサー等
で検出する。
この作用時、ダイヤフラムが反転され、その反転状態の
撓みによって検出するため、昇圧と降圧におけるヒステ
リシスが小さいものとなる。
撓みによって検出するため、昇圧と降圧におけるヒステ
リシスが小さいものとなる。
〔実施例1)
まず、ダイヤフラムDについて説明する。
この実施例のダイヤフラムDは、厚さ: 0.015閣
のステンレス箔のフープ34amφを、プレス加工より
仕上がり外径: 25.4msφとしたものである。
のステンレス箔のフープ34amφを、プレス加工より
仕上がり外径: 25.4msφとしたものである。
その正面図、断面図を第2図、第3図に示し、その図に
おいて、渦巻き波紋Pのピッチd =0.598閣、中
心円形10の径S = 5.0m++、波紋Pの最外径
=20.2mm、谷部及び山部の曲率r = 0.3m
m、波紋Pの高さt =0.08m、外周と中心との高
低差T= 1.2mm、波紋P部分の曲率R=100m
+とじ、前記中心円形10の周囲−点から渦巻き波紋P
を12周廻余り形成した(第2図、第3図は波が省略し
である)。
おいて、渦巻き波紋Pのピッチd =0.598閣、中
心円形10の径S = 5.0m++、波紋Pの最外径
=20.2mm、谷部及び山部の曲率r = 0.3m
m、波紋Pの高さt =0.08m、外周と中心との高
低差T= 1.2mm、波紋P部分の曲率R=100m
+とじ、前記中心円形10の周囲−点から渦巻き波紋P
を12周廻余り形成した(第2図、第3図は波が省略し
である)。
このダイヤフラムDを2枚製作し、それぞれを、第1図
に示す前述の圧力センサーにセットした。
に示す前述の圧力センサーにセットした。
本発明にあっては、同図鎖線で示すように、まず、凸面
側をバンクアンプ室3に向けてダイヤフラムDを介設し
、調整ねじ7をねじ込んで、ラム5を移動させてダイヤ
フラムDを反転させ、その凸面を受圧室2側とする。
側をバンクアンプ室3に向けてダイヤフラムDを介設し
、調整ねじ7をねじ込んで、ラム5を移動させてダイヤ
フラムDを反転させ、その凸面を受圧室2側とする。
一方、従来例としては、ダイヤフラムDを当初から実線
のごとく(通常状態の凸面側か受圧室)、セットした。
のごとく(通常状態の凸面側か受圧室)、セットした。
この実施例及び従来例の圧力−変位曲線を第4図に示す
。図において、実線が実施例、破線が従来例、Oが昇圧
時、拳が降圧時である。これから、実施例のものが、従
来例に比べ、昇圧と降圧とくに昇圧開始時と降圧終了時
におけるヒステリシスが小さいことがわかる。
。図において、実線が実施例、破線が従来例、Oが昇圧
時、拳が降圧時である。これから、実施例のものが、従
来例に比べ、昇圧と降圧とくに昇圧開始時と降圧終了時
におけるヒステリシスが小さいことがわかる。
ダイヤフラムDの形状としては、第5図に示すなどの種
々のものが考えられる。第5図は、中心円形10の周り
に隣接して同心円形波紋P1を形成すると共に、この同
心円形波紋P1と同心でかつ所定間隔をあけて外側円形
波紋P2を形成し、両円形波紋間に、上記渦巻き波紋P
、を形成したものである。第2図の実施例においても、
外側円形波紋P2を形成し、その波紋P2に渦巻き波紋
Pを合流した構成とすることもできる。
々のものが考えられる。第5図は、中心円形10の周り
に隣接して同心円形波紋P1を形成すると共に、この同
心円形波紋P1と同心でかつ所定間隔をあけて外側円形
波紋P2を形成し、両円形波紋間に、上記渦巻き波紋P
、を形成したものである。第2図の実施例においても、
外側円形波紋P2を形成し、その波紋P2に渦巻き波紋
Pを合流した構成とすることもできる。
なお、各実施例において、渦巻き波紋Pの傾斜高さhと
径方向の長さlと比h/j!は1/6以下とした。
径方向の長さlと比h/j!は1/6以下とした。
本発明は、以上のように構成したので、昇圧と降圧とく
に昇圧開始時と降圧終了時のヒステリシスが小さくなり
、初期状態又は終期状態の検出精度が向上する効果があ
る。
に昇圧開始時と降圧終了時のヒステリシスが小さくなり
、初期状態又は終期状態の検出精度が向上する効果があ
る。
第1図は、この発明に係る圧力センサーの一実施例の断
面図、第2図、第5図はダイヤフラムの各側の概略正面
図、第3図は第2図の例の断面図、第4図は圧力−変位
測定図、第6回は従来のダイヤプラムの概略正面図であ
る。 1・・・・・・ケーシング、 2・・・・・・受圧室、
3・・・・・・バックアップ室、 4・・・・・・導入管、 5・・・・・・ラム、
6・・・・・・スプリング、 10・・・・・・中心
円形、P、P、・・・・・・渦巻き波紋、 P、、P2・・・・・・円形波紋、 D・・・・・・ダイヤフラム。
面図、第2図、第5図はダイヤフラムの各側の概略正面
図、第3図は第2図の例の断面図、第4図は圧力−変位
測定図、第6回は従来のダイヤプラムの概略正面図であ
る。 1・・・・・・ケーシング、 2・・・・・・受圧室、
3・・・・・・バックアップ室、 4・・・・・・導入管、 5・・・・・・ラム、
6・・・・・・スプリング、 10・・・・・・中心
円形、P、P、・・・・・・渦巻き波紋、 P、、P2・・・・・・円形波紋、 D・・・・・・ダイヤフラム。
Claims (5)
- (1)ケーシング内をダイヤフラムにより受圧室とバッ
クアップ室とに区画し、前記受圧室に被圧力検出流体の
導入管を接続し、前記バックアップ室には、前記ダイヤ
フラムの中心に当接するラムをその軸方向に移動自在に
設けるとともに、そのラムをダイヤフラム側に付勢する
スプリングを設けた圧力センサーにおいて、前記ダイヤ
フラムは、素材板中心円形の周りに、その周り任意の点
から、渦巻き波紋を呈する波形断面であって、その渦巻
き波紋が前記中心円形に向かって傾斜してなるとともに
少なくとも3周廻り形成してなる皿ばねにより構成され
、その皿ばねを凸面側をバックアップ室に向けて両室に
介設し、前記ラムを移動させて皿ばねを反転させその凸
面を受圧室側として成るものであることを特徴とする圧
力センサー。 - (2)上記渦巻き波紋を一条として成ることを特徴とす
る請求項(1)記載の圧力センサー。 - (3)上記渦巻き波紋を複数条とし、その各渦巻き波紋
Pの起点を上記中心円形の周り均等分位としたことを特
徴とする請求項(1)又は(2)記載の圧力センサー。 - (4)上記渦巻き波紋の傾斜高さhと径方向の長さlの
比h/lを1/5以下としたことを特徴とする請求項(
1)乃至(3)のいずれか1つに記載の圧力センサー。 - (5)上記素材板中心円形の周りに隣接して同心円形波
紋を形成すると共に、この同心円形波紋と同心でかつ所
定間隔をあけて外側円形波紋を形成し、両円形波紋間に
、上記渦巻き波紋を形成したことを特徴とする請求項(
1)乃至(4)のいずれか1つに記載の圧力センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341837A JP2524233B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 圧力センサ― |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341837A JP2524233B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 圧力センサ― |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200032A true JPH03200032A (ja) | 1991-09-02 |
| JP2524233B2 JP2524233B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=18349135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1341837A Expired - Lifetime JP2524233B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 圧力センサ― |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2524233B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227141A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-11-12 | シュランベルジュ、インダストリーズ、ソシエテ、アノニム | 圧力センサ用波形膜 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1341837A patent/JP2524233B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227141A (ja) * | 1984-01-06 | 1985-11-12 | シュランベルジュ、インダストリーズ、ソシエテ、アノニム | 圧力センサ用波形膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2524233B2 (ja) | 1996-08-14 |
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