JPH03200100A - X線顕微鏡 - Google Patents
X線顕微鏡Info
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- JPH03200100A JPH03200100A JP1343676A JP34367689A JPH03200100A JP H03200100 A JPH03200100 A JP H03200100A JP 1343676 A JP1343676 A JP 1343676A JP 34367689 A JP34367689 A JP 34367689A JP H03200100 A JPH03200100 A JP H03200100A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野J
この発明はX線顕微鏡に関するものであり、特に、感度
並びに分解能を向上したX線顕微鏡に関するものである
。
並びに分解能を向上したX線顕微鏡に関するものである
。
[従来の技術]
従来のX線顕微鏡は密着型、結像型並びに走査型に分類
される。又、線源としてはシンクロトロン或はマイクロ
フォーカスX線管が使用され、密着型或は結像型に使用
する感光材としては銀塩フィルム又はX線感光性高分子
材料を用いている。
される。又、線源としてはシンクロトロン或はマイクロ
フォーカスX線管が使用され、密着型或は結像型に使用
する感光材としては銀塩フィルム又はX線感光性高分子
材料を用いている。
前記密着型のものは試料を感光材に密着し、X線を照射
して密着像を形成する。そして、現像後に前記密着像を
電子顕微鏡等にて拡大観察している。又、結像型XI!
顕微鏡は微小域に集束したX線源と感光材或は光電面の
間に試料をおき、試料の拡大像を得る。そして、前記光
電面にて光電変換するか、或は前記感光材を現像し電子
顕微鏡にて拡大観察する。
して密着像を形成する。そして、現像後に前記密着像を
電子顕微鏡等にて拡大観察している。又、結像型XI!
顕微鏡は微小域に集束したX線源と感光材或は光電面の
間に試料をおき、試料の拡大像を得る。そして、前記光
電面にて光電変換するか、或は前記感光材を現像し電子
顕微鏡にて拡大観察する。
走査型xi顕微鏡は集束したX線ビームで直接試料を走
査し、該試料の背面側に設置したX線検出器にて透過X
線を検出し、電子的に拡大像をj与るもの等が知られて
いる。
査し、該試料の背面側に設置したX線検出器にて透過X
線を検出し、電子的に拡大像をj与るもの等が知られて
いる。
[発明が解決しようとする課題]
前述した従来のX線顕微鏡の分解能は50〜100゜0
00人であり、密着型のものが最も高い分解能を有して
いる。然し、該密着型のものは撮影時の露光に長時間を
要し、且つ、現像処理を必要とするため画像をリアルタ
イムに観察できず、又、元素分布像を画像化できないと
いう欠点がある。一方、結像型のものは画像のデジタル
化並びに元素分布像の画像化対応に困難性を有するとと
もに、分解能は光学顕微鏡と同程度に止まっている。そ
して、密着型或は結像型のものに使用するX線感光体の
感度や、走査型の真空チャンバ内に試料を設置する構造
等の理由によって、生体試料をリアルタイムに観察する
ことは不可能であり、上述した分解能の問題とともにX
線顕微鏡の適用範囲に限界を生じている。
00人であり、密着型のものが最も高い分解能を有して
いる。然し、該密着型のものは撮影時の露光に長時間を
要し、且つ、現像処理を必要とするため画像をリアルタ
イムに観察できず、又、元素分布像を画像化できないと
いう欠点がある。一方、結像型のものは画像のデジタル
化並びに元素分布像の画像化対応に困難性を有するとと
もに、分解能は光学顕微鏡と同程度に止まっている。そ
して、密着型或は結像型のものに使用するX線感光体の
感度や、走査型の真空チャンバ内に試料を設置する構造
等の理由によって、生体試料をリアルタイムに観察する
ことは不可能であり、上述した分解能の問題とともにX
線顕微鏡の適用範囲に限界を生じている。
そこで、感度並びに分解能を向上し、応用範囲を拡大し
た高性能のxfI!顕微鏡を提供するために解決せられ
るべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は該課
題を解決することを目的とする。
た高性能のxfI!顕微鏡を提供するために解決せられ
るべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明は該課
題を解決することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明は上記課題を解決するために提案せられたもの
であり、試料のX線透過像を撮影する電子写真感光体を
X線源に対向して配設し、該電子写真感光体の他面に対
峙して走査型電子ビーム放射器を設け、且つ、該電子写
真感光体の光導電層から放出される2次電子を検出する
2次電子検出器を配設し、該2次電子検出器の出力を画
像に変換する制御部を設けたことを特徴とするX線顕微
鏡を提供せんとするものである。
であり、試料のX線透過像を撮影する電子写真感光体を
X線源に対向して配設し、該電子写真感光体の他面に対
峙して走査型電子ビーム放射器を設け、且つ、該電子写
真感光体の光導電層から放出される2次電子を検出する
2次電子検出器を配設し、該2次電子検出器の出力を画
像に変換する制御部を設けたことを特徴とするX線顕微
鏡を提供せんとするものである。
[作用]
この発明は、X線源に対向して電子写真感光体を配置し
ている。該電子写真感光体の光導電性半導体膜にて形成
した光導電層を均一に静電帯電させて、前記XIa源と
の間に試料を置き、X線を照射すると前記光導電層には
前記試料のX線透過像が静電潜像として記録される。そ
して、撮影中或は撮影後に前記電子写真感光体の他面側
に配設した鏡筒が放射する電子ビームによって前記光導
電層の表面を走査する。このとき、電子ビーム照射スポ
ットから該照射スポットの潜像電位に見合った量の2次
電子が放出される。該2次電子■は前記光導電層の近傍
に設けた2次電子検出器によって検出され、前記2次電
子量から潜像電位が間接的に測定される。そして、前記
2次電子検出器の出力は制御部を介して映像信号に変換
されCRTにてリアルタイムに画像化される。
ている。該電子写真感光体の光導電性半導体膜にて形成
した光導電層を均一に静電帯電させて、前記XIa源と
の間に試料を置き、X線を照射すると前記光導電層には
前記試料のX線透過像が静電潜像として記録される。そ
して、撮影中或は撮影後に前記電子写真感光体の他面側
に配設した鏡筒が放射する電子ビームによって前記光導
電層の表面を走査する。このとき、電子ビーム照射スポ
ットから該照射スポットの潜像電位に見合った量の2次
電子が放出される。該2次電子■は前記光導電層の近傍
に設けた2次電子検出器によって検出され、前記2次電
子量から潜像電位が間接的に測定される。そして、前記
2次電子検出器の出力は制御部を介して映像信号に変換
されCRTにてリアルタイムに画像化される。
[実施例]
以下、この発明の一実施例を別紙添付図面に従って詳述
する。尚、説明の都合上、従来公知に属する技術事項も
同時に説明する。
する。尚、説明の都合上、従来公知に属する技術事項も
同時に説明する。
第1図に於て(1)はxIs顕微鏡である。該X線顕微
鏡(1)は電子、ビームプローブスキャナ(2)と、X
線源であるマイクロフォーカスX線管(3)との光軸を
対向させて配置している。前記電子ビームプローブスキ
ャナ(2)は鏡筒(4)と2次電子検出器として用いる
マルチチャンネル形映像増倍管(以下、MCPという。
鏡(1)は電子、ビームプローブスキャナ(2)と、X
線源であるマイクロフォーカスX線管(3)との光軸を
対向させて配置している。前記電子ビームプローブスキ
ャナ(2)は鏡筒(4)と2次電子検出器として用いる
マルチチャンネル形映像増倍管(以下、MCPという。
)(5)並びに前記鏡筒(4)の制御と画像信号処理を
行う制御部(6)とから構成されている。前記鏡筒(4
)の真空チャンバ(7)の下端部には電子写真感光体(
8)が脱着自在に取付けられている。該電子写真感光体
(8)の−面はアモルファスセレン等の光導電性半導体
膜にて光導電層(9)が形成され、該光導電層(9)を
真空チャンバ(7)内に向けている。前記鏡筒(4)は
図中上方から電子銃(10)、集束レンズ(11)、走
査コイル(■、ズーミング自在な電子レンズ及び絞りに
→が配設され、ストロボ走査型電子顕微鏡と同一構成と
し、ストロボパルス状の電子ビームにて電子写真感光体
(8)の結像面を走査するものである。該鏡筒(4)の
結像面に於ける空間分解能は1μ程度であり、電子ビー
ムプローブスキャナ(2)単体で300倍程度のズーミ
ング観察ができる。又、前記電子写真感光体(8)の上
方且つ、鏡筒(4)の電子ビーム光路の側方にMCP(
5)を設け、後述する静電潜像を読出すようにしている
。
行う制御部(6)とから構成されている。前記鏡筒(4
)の真空チャンバ(7)の下端部には電子写真感光体(
8)が脱着自在に取付けられている。該電子写真感光体
(8)の−面はアモルファスセレン等の光導電性半導体
膜にて光導電層(9)が形成され、該光導電層(9)を
真空チャンバ(7)内に向けている。前記鏡筒(4)は
図中上方から電子銃(10)、集束レンズ(11)、走
査コイル(■、ズーミング自在な電子レンズ及び絞りに
→が配設され、ストロボ走査型電子顕微鏡と同一構成と
し、ストロボパルス状の電子ビームにて電子写真感光体
(8)の結像面を走査するものである。該鏡筒(4)の
結像面に於ける空間分解能は1μ程度であり、電子ビー
ムプローブスキャナ(2)単体で300倍程度のズーミ
ング観察ができる。又、前記電子写真感光体(8)の上
方且つ、鏡筒(4)の電子ビーム光路の側方にMCP(
5)を設け、後述する静電潜像を読出すようにしている
。
前記MCP(5)の出力は制御部(6)のA/Dコンバ
ータ(→を介して、コントロールコンピュータ(1つニ
入力される。該コントロールコンピュータ0つは入力信
号をデジタル処理し、映像回路(図示せず)を駆動して
CRT (lt9にて再現するとともに、スキャンジェ
ネレータ(r7)を介して鏡筒(4)の走査コイル(■
を制御し、該鏡筒(4)の電子ビームとcRT(+*の
走査を同期させている。
ータ(→を介して、コントロールコンピュータ(1つニ
入力される。該コントロールコンピュータ0つは入力信
号をデジタル処理し、映像回路(図示せず)を駆動して
CRT (lt9にて再現するとともに、スキャンジェ
ネレータ(r7)を介して鏡筒(4)の走査コイル(■
を制御し、該鏡筒(4)の電子ビームとcRT(+*の
走査を同期させている。
一方、同図中下方に配設されたマイクロフォーカスX線
管(3)は、真空チャンバ(In内に収納され、電子銃
(鴎から発射された電子ビームを集束レンズ(イ)にて
集束し、ターゲット(21)へ衝突させて微小焦点のX
線を上方の電子写真感光体(8)へ放射する。
管(3)は、真空チャンバ(In内に収納され、電子銃
(鴎から発射された電子ビームを集束レンズ(イ)にて
集束し、ターゲット(21)へ衝突させて微小焦点のX
線を上方の電子写真感光体(8)へ放射する。
又、走査コイル(ハ)はターゲラl−(21)への電子
ビーム衝突位置を変化させるものである。
ビーム衝突位置を変化させるものである。
次に、当該X線顕微鏡(1)の作動を説明する。先ず、
電子写真感光体(8)の光導電層(9)をスコロトロン
(図示せず)のコロナ放電、或は電子ビームプローブス
キャナ(2)の電子ビームによって均一に静電帯電させ
る。このとき、後述する理由から負電荷に帯電させるこ
とが好ましい。そして、試料(P)を電子写真感光体(
8)とマイクロフォーカスX線管(3)の放射口(3a
)との間に位置させるが、該位置により前記電子写真感
光体(8)に密着させた当倍撮影から100倍程反末で
の拡大撮影ができる。従って、前記電子ビームプローブ
スキャナ(2)の倍率と相俟って数万倍の倍率が得られ
ている。
電子写真感光体(8)の光導電層(9)をスコロトロン
(図示せず)のコロナ放電、或は電子ビームプローブス
キャナ(2)の電子ビームによって均一に静電帯電させ
る。このとき、後述する理由から負電荷に帯電させるこ
とが好ましい。そして、試料(P)を電子写真感光体(
8)とマイクロフォーカスX線管(3)の放射口(3a
)との間に位置させるが、該位置により前記電子写真感
光体(8)に密着させた当倍撮影から100倍程反末で
の拡大撮影ができる。従って、前記電子ビームプローブ
スキャナ(2)の倍率と相俟って数万倍の倍率が得られ
ている。
而して、マイクロフォーカスX線管(3)からX線を照
射して試料(P)を撮影し、光導電層(9)に該試料(
P)の静電潜像を形成すると同時に、或は撮影後に電子
ビームプローブスキャナ(2)の電子ビームをズーム倍
率に応じコリメートして前記光導電層(9)を走査する
。このとき、第2図に示すように、光導電層(9)の電
子ビーム照射点(S)から2次電子(E) (E)・・
・が発生し、グリッド(ハ)により加速されてMCP(
5)に入射する。前記2次電子量は光導電層(9)とM
CP(5)との空間によるエネルギーフィルタ効果によ
り、電子ビーム照射点(S)の電位に比例した電子量と
して捉えられ、間接的に測定された静電潜像の電位は制
御部(6)にて映像信号に変換される。該制御部(6)
はMCP(ら)との組合せによってIO数mV程度の電
位分解能があり、階調分解能は10ビット以上となって
いる。
射して試料(P)を撮影し、光導電層(9)に該試料(
P)の静電潜像を形成すると同時に、或は撮影後に電子
ビームプローブスキャナ(2)の電子ビームをズーム倍
率に応じコリメートして前記光導電層(9)を走査する
。このとき、第2図に示すように、光導電層(9)の電
子ビーム照射点(S)から2次電子(E) (E)・・
・が発生し、グリッド(ハ)により加速されてMCP(
5)に入射する。前記2次電子量は光導電層(9)とM
CP(5)との空間によるエネルギーフィルタ効果によ
り、電子ビーム照射点(S)の電位に比例した電子量と
して捉えられ、間接的に測定された静電潜像の電位は制
御部(6)にて映像信号に変換される。該制御部(6)
はMCP(ら)との組合せによってIO数mV程度の電
位分解能があり、階調分解能は10ビット以上となって
いる。
ここで、第3図(A)(B)に示すように光導電層(9
)を正1u荷で帯電し、静電潜像が正電荷で形成されて
いる場合は、電子ビームプローブスキャナ(2)の電子
ビーム(B)によって前記静電潜像は中和されるととも
に、発生した2次電子(E) (E)・・・の電子ビー
ム照射点(S)近傍部へのまき込みにより中和される。
)を正1u荷で帯電し、静電潜像が正電荷で形成されて
いる場合は、電子ビームプローブスキャナ(2)の電子
ビーム(B)によって前記静電潜像は中和されるととも
に、発生した2次電子(E) (E)・・・の電子ビー
ム照射点(S)近傍部へのまき込みにより中和される。
依って、第4図(A)(n)の如く静電潜像を負電荷で
形成した場合に比較して2次電子量の読出しに困難性を
生じるため、前述したように光導電層(9)に負電荷を
帯電させるべきである。又、光導電層(9)の表面の凹
凸や傾きによる2次電子発生の悪影響を排除するために
光導電層(9)の表面は滑沢に保チ、又、電子ビーム(
B)に対し正確な水平度を保持することが必要である。
形成した場合に比較して2次電子量の読出しに困難性を
生じるため、前述したように光導電層(9)に負電荷を
帯電させるべきである。又、光導電層(9)の表面の凹
凸や傾きによる2次電子発生の悪影響を排除するために
光導電層(9)の表面は滑沢に保チ、又、電子ビーム(
B)に対し正確な水平度を保持することが必要である。
前記静電潜像は電子ビーム(B)の照射によって中和さ
れ、或はチャージアップが進行し漸次電位が低下して最
終的に静電潜像は消滅し、光導電層(9)上の電位分布
は一様化する。そ゛して、X線に対して感光性を有する
アモルファスセレン等の半導体は電位低下の進行が早く
、連続的に電子ビーム(B)を照射する場合は観察可能
な時間が極めて短かい。又、電子ビーム(It)の照射
による少数キャリアの拡散は静電潜像の保持に悪影響を
与える。
れ、或はチャージアップが進行し漸次電位が低下して最
終的に静電潜像は消滅し、光導電層(9)上の電位分布
は一様化する。そ゛して、X線に対して感光性を有する
アモルファスセレン等の半導体は電位低下の進行が早く
、連続的に電子ビーム(B)を照射する場合は観察可能
な時間が極めて短かい。又、電子ビーム(It)の照射
による少数キャリアの拡散は静電潜像の保持に悪影響を
与える。
そこで、本実施例に於ては鏡筒(4)の加速電圧並びに
ビーム電流をともに低減してチャージアップまでの時間
を延長し、且つ、前記ビーム電流の低減によりビーム径
を小として高度な空間分解能を得ている。
ビーム電流をともに低減してチャージアップまでの時間
を延長し、且つ、前記ビーム電流の低減によりビーム径
を小として高度な空間分解能を得ている。
又、第1図に示した制御部(6)により電子ビームプロ
ーブスキャナ(2)の電子ビーム(B)の照射タイミン
グを制御し、数KeVの出力でサンプリングする瞬間の
みストロボパルス状に照射してチャージアップを遅延さ
せるとともに、少数キャリアが発生して拡散する前に潜
像のデータを収集するので、空間分解能は連続ビーム照
射の場合に比較して10〜100倍程度まで反末されて
いる。
ーブスキャナ(2)の電子ビーム(B)の照射タイミン
グを制御し、数KeVの出力でサンプリングする瞬間の
みストロボパルス状に照射してチャージアップを遅延さ
せるとともに、少数キャリアが発生して拡散する前に潜
像のデータを収集するので、空間分解能は連続ビーム照
射の場合に比較して10〜100倍程度まで反末されて
いる。
更に、上述したストロボパルス状の電子ビーム(B)を
光導電層(9)の同一点に夫々複数回照射し、発生する
2次電子量をコントロールコンピュータ0→のバッファ
メモリ(15a)にて加算して積分効果によりS/N比
の良好な画像を得ている。而して、上記構成により分解
能10口人、倍率数万倍の性能を有し、生体試料の拡大
像をリアルタイムにデジタル化して得られ、且つ元素分
布像の観察も可能となった。
光導電層(9)の同一点に夫々複数回照射し、発生する
2次電子量をコントロールコンピュータ0→のバッファ
メモリ(15a)にて加算して積分効果によりS/N比
の良好な画像を得ている。而して、上記構成により分解
能10口人、倍率数万倍の性能を有し、生体試料の拡大
像をリアルタイムにデジタル化して得られ、且つ元素分
布像の観察も可能となった。
尚、この発明は、この発明の精神を逸脱しない限り種々
の改変を為す事ができ、そ[、て、この発明が該改変せ
られたものに及ぶことは当然である。
の改変を為す事ができ、そ[、て、この発明が該改変せ
られたものに及ぶことは当然である。
[発明の効果]
この発明は上記一実施例に詳述したように、電子写真感
光体に撮影された静電潜像から画像データを読出してい
る。前記電子写真感光体の光導電層形成された静電潜像
は画面形成の最小単位が電荷であるため、前記静電潜像
を電気的に可視化すれば極めて高分解能のX線感光体と
なる。然し、従来の表面電位プローブ等を用いては画像
化するための高精度な走査は不可能であった。そこで、
この発明に於ては、鏡筒と2次電子検出器とによって形
成した電子ビームプローブスキャナを用い、潜像電位を
間接的に測定するように構成したので、極めて高い分解
能を有するX線顕微鏡が形成された。そして、前記静電
潜像の電位を走査して測定するので入力信号のデジタル
化が容易であり、高画質の画像をリアルタイムに観察で
きる。
光体に撮影された静電潜像から画像データを読出してい
る。前記電子写真感光体の光導電層形成された静電潜像
は画面形成の最小単位が電荷であるため、前記静電潜像
を電気的に可視化すれば極めて高分解能のX線感光体と
なる。然し、従来の表面電位プローブ等を用いては画像
化するための高精度な走査は不可能であった。そこで、
この発明に於ては、鏡筒と2次電子検出器とによって形
成した電子ビームプローブスキャナを用い、潜像電位を
間接的に測定するように構成したので、極めて高い分解
能を有するX線顕微鏡が形成された。そして、前記静電
潜像の電位を走査して測定するので入力信号のデジタル
化が容易であり、高画質の画像をリアルタイムに観察で
きる。
又、前記電子写真感光体は従来のX線感光性高分子材料
或は銀塩フィルム等に比し、極めて高感度なため露光時
間が短縮化され、且つ数にVp〜1゜Bvpの広い波長
範囲のX線光源に対応でき、更に生体試料をリアルタイ
ムに観察する事が可能となる等、X線顕微鏡の性能並び
に機能の向上、利用範囲の拡大に著しい効果を発揮する
。
或は銀塩フィルム等に比し、極めて高感度なため露光時
間が短縮化され、且つ数にVp〜1゜Bvpの広い波長
範囲のX線光源に対応でき、更に生体試料をリアルタイ
ムに観察する事が可能となる等、X線顕微鏡の性能並び
に機能の向上、利用範囲の拡大に著しい効果を発揮する
。
図は本発明の一実施例を示し、第1図はX線顕微鏡の構
成解説図、第2図は2次電子の検出動作を示す解説図、
第3図(A)(B)は夫々正電荷で形成された静電潜像
を読出す際の2次電子の動きを示す要部解説図、第4図
(^)(El)は夫々負電荷で形成された静電潜像を読
出す際の2次電子の動きを示す要部解説図である。 (1)・・・・・・X線顕微鏡 (2)・・・・・・電子ビームプローブスキャナ(3)
・・・・・・マイクロフォーカスX線管(4)・・・・
・・鏡筒 (5)・・・・・・MCP (6)・・・・
・・制御部(8)・・・・・・電子写真感光体 (9)
・・・・・・光導電層(P)・・・・・・試料
(E)・・・・・・2次電子第2図 (E)・・・2次電子 第3図
成解説図、第2図は2次電子の検出動作を示す解説図、
第3図(A)(B)は夫々正電荷で形成された静電潜像
を読出す際の2次電子の動きを示す要部解説図、第4図
(^)(El)は夫々負電荷で形成された静電潜像を読
出す際の2次電子の動きを示す要部解説図である。 (1)・・・・・・X線顕微鏡 (2)・・・・・・電子ビームプローブスキャナ(3)
・・・・・・マイクロフォーカスX線管(4)・・・・
・・鏡筒 (5)・・・・・・MCP (6)・・・・
・・制御部(8)・・・・・・電子写真感光体 (9)
・・・・・・光導電層(P)・・・・・・試料
(E)・・・・・・2次電子第2図 (E)・・・2次電子 第3図
Claims (1)
- 試料のX線透過像を撮影する電子写真感光体をX線源に
対向して配設し、該電子写真感光体の他面に対峙して走
査型電子ビーム放射器を設け、且つ、該電子写真感光体
の光導電層から放出される2次電子を検出する2次電子
検出器を配設し、該2次電子検出器の出力を画像に変換
する制御部を設けたことを特徴とするX線顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343676A JPH03200100A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | X線顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1343676A JPH03200100A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | X線顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03200100A true JPH03200100A (ja) | 1991-09-02 |
Family
ID=18363384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1343676A Pending JPH03200100A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | X線顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03200100A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004251800A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Ricoh Co Ltd | 表面電荷分布測定方法および装置 |
| JP2008275608A (ja) * | 2008-04-07 | 2008-11-13 | Ricoh Co Ltd | 静電潜像測定装置および静電潜像測定方法 |
| JP2009092663A (ja) * | 2008-10-20 | 2009-04-30 | Ricoh Co Ltd | 表面電荷分布測定方法および装置 |
| US8143603B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-03-27 | Ricoh Company, Ltd. | Electrostatic latent image measuring device |
| US8168947B2 (en) | 2008-06-10 | 2012-05-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrostatic latent image evaluation device, electrostatic latent image evaluation method, electrophotographic photoreceptor, and image forming device |
| US8847158B2 (en) | 2010-09-06 | 2014-09-30 | Ricoh Company, Ltd. | Device and method for measuring surface charge distribution |
| US9008526B2 (en) | 2012-02-02 | 2015-04-14 | Ricoh Company, Limited | Method of measuring total amount of latent image charge, apparatus measuring total amount of latent image charge, image forming method and image forming apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267000A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | 株式会社ニコン | X線顕微鏡 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1343676A patent/JPH03200100A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61267000A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-26 | 株式会社ニコン | X線顕微鏡 |
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| US9008526B2 (en) | 2012-02-02 | 2015-04-14 | Ricoh Company, Limited | Method of measuring total amount of latent image charge, apparatus measuring total amount of latent image charge, image forming method and image forming apparatus |
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