JPH0320052A - チップキャリア - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ａ業上の利用分野］ 本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体チップの端子部を、
外部容器（いわゆるパッケージ）又は回路基板の端子部
に接続する際に用いられるチップキャリアに関するもの
である． 〔従来の技術〕 従来、半導体デバイスチップの複数の＃ＩＩＭ用パッド
すなわちパンブ部は、ボンディング・ワイヤー、もしく
はテープ状またはパッチタイプ等のフイルムチップキャ
リア上に形威されたリードワイヤＣよって、リードフレ
ームあるいは回路基板の端子部と接続されていた．ここ
で、ボンディング・ワイヤーとフィルムチップキャリア
との使用区分は、半導体デバイスチップのバンブ間ピッ
チに依存し、例えばピッチが２００〜３００ｕＩ１以下
の場合にはフィルムチップキャリアが使用されることが
一般的である． 従来のフィルムチップキャリアでは、ポリイミドフィル
ム．ポリエステルフィルム等からなる電気絶縁性の可撓
性フィルムに、半導体デバイスチップを装入するための
デバイス孔が穿設されており、可撓性フィルムの一方の
而のデバイス孔開口部周縁には、デバイス開口部に放射
状にインナーリード部を突き出した多数の金属配線（リ
ードワイヤ）が形成されている． このリードワイヤのインナーリード郎は、デバイス孔開
口部にオーバーハング状につきだした状態となっており
、デバイス孔内Ｃ半導体デバイスチップが装入された状
態でインナーリード部と半導体デバイスチップのバンブ
とが加圧ボンディングされる． ところで、近年半導体デバイスチップの高集積度化の傾
向は著しく、それに伴って、入出力接続パッド数も多く
なり、現在ではバンブ間ピッチがｌ００μ場以下の半導
体デバイスチップも実用化の段階に人っている。

しかしながら、このような非常に狭いバンプ間ピッチの
半導体デバイスチップに対応できる微細ピッチのインナ
ーリード部を備えたフイルムチップキャリアの作製は非
常に困難である．即ち、チップキャリアの金属配線の一
般的形成方法は、可撓性フィルム部材に３５μ嘗程度の
銅箔を蒸着等により析出し、あるいは銅箔片を貼付して
おいて，この銅箔をエッチングすることにより形成する
か、若しくは可撓性フィルム部材表面に無電解メッキに
対する触媒活性層を所定の配線パターンで設けておき、
その？＆銅メッキを施すことによって形成されているが
、インナーリード間ピッチを非常に狭くする場合には以
下のような問題を生じる． 前者のエッチング方法の場合、例えばインナーリード間
ピッチの目標を７０μ曽とするとインナーリード部の導
体の幅は３５μ一程度となるが、銅箔層の厚さが３５μ
一である場合には導体幅／導体厚の比が１以下となるの
で、このような場合にはサイドエッチングが著しく、個
々の配線のインナーリード部の断面形状が台形形状とな
ってしまう。

又、後者のメッキ方法の場合、積み上げられたメッキ層
からピッチ方向に瘤がつき出して配線間が短絡する可能
性があり、この瘤の大きさは例えば銅メッキ厚が３５μ
−のときに、２０μ曽程度にまでなってしまうこともあ
る． このような問題を解決するにあたっては、上記の何れの
方法においても金属配線の厚みを薄くすることが望まれ
る．つまり、エッチングによる方法において銅７ｉ！ｉ
７！！の厚みが薄ければ、サイドエッチングがあまり進
行せず、ほぼ矩形断面の配線が得られ、メッキによる方
法においてもメッキ厚が薄ければ、瘤はあまり成長せず
、短絡の危険性が少ない． ［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来のチップキャリアにおける金属配線のイン
ナーリード部は、前述したようにデバイス孔の開口部に
つきだしたオーバーハング構造をとっているので、半導
体デバイスチップとのボンディング時の加圧力を金属配
線単独で耐えなければならない．この耐加圧力（以下『
フィンガー強度」と称す）は５〜ｌ５ｇ必要であるとさ
れているが、銅箔層を薄くして、例えば、２５μ園幅．
１８μｌ厚とした銅箔配線のフィンガー強度は１２ｇで
あり、このように厚みを薄くした金属配線では、半導体
デバイスチップのポンディングに耐えることができない
場合が生じ、製品の信頼性を低下する要因となっていた
． この発明の目的は、金属配線の微細化が可能で、かつ充
分なフィンガー強度を有し、ポンデイング加工性ならび
に耐久性に優れたチップキャリアを提供することである
． ［課題を解決するための手段］ 上記目的達成のため本発明によれば、搭載すべき半導体
デバイスチップの端子部と接続されるインナーリード部
を有する複数組の金属配線が、可撓性フィルム部材の一
方の面側に前記チップを載置すべき領域に向って放射状
に形成されたチップキャリアが堤供され、このチップキ
ャリアでは，前記金属配線の各々が少なくとも前記イン
ナーリード部を含んで前記可撓性フィルム部材上に形成
され、かつ、前記可撓性フィルム部材が前記インナーリ
ード郎を含んだ限定された第１の領域において、各金属
配線の間及び各インナーリード部の先端より内側の部分
に開口部を有している。

本発明の別の態様によるチップキャリアでは、前記可撓
性フィルム部材が、前記開口部の周囲の前記インナーリ
ード部を含んだ第２の領域において、前記金属配線のあ
る面側の反対側で減肉され、この第２の領域ではフィル
ム部材がその周囲の第３の領域より相対的に薄い肉厚を
有している． 木発明におけるチップキャリアの一形態では、前記フィ
ルム部材が長尺の可撓性テープの形状をしており、該テ
ープには前記チップを載置すべき領域が複数列配設され
、その各載置領域に前記金属配線が各々配設されている
．また別の形態では、フィルム部材が１つ又は複数のチ
ップ＠置部毎に別々に分離したバッチタイプの形をして
いる． ここで、上記の第１領域は、可撓性フィルム部材におい
てインナーリード部の先端で囲まれる領域（領域Ａ）と
、少なくとも金属配線のインナーリード部が形成される
領域（領域Ｂ）とを含む領域であり、該第１領域に形成
される開口部は、領域Ａと、領域Ｂに形成される各々の
金属配線（少なくともインナーリード部を含む部分）の
間の部分とに、各々空間（フィルム部材が存在しない）
が形成されるものであればよい． また、第２領域は領域Ａを含んでそれより外側に広く、
但し金属配線が形成されている全領域（アクターリード
部もしくは金属配線の外方先端付近で囲まれた領域）よ
り内側に狭いものであり，第２領域の周囲に通常の肉厚
を有する第３領域が存在するものであればよく、場合に
よっては第２領域は第１領域と同じでもよい。

［作　用Ｊ 本発明に係るチップキャリアにおいては、金属配線のイ
ンナーリード部が、従来のような金属配線単体でのオー
バーハング構造をとっておらず、インナーリード郎はそ
の全長が可撓性フィルム部材上に形成されている。この
ため、インナーリード部がその先端まで可撓性フィルム
部材で支持補強されるので、金属配線自体の厚みを薄く
しても、ボンディング工程における加熱加圧等に対して
強度的に充分耐えることができる．従って、フィンガー
強度を低下させることなく、金属配線を薄くすることが
できるので、従来不可能であった金属配線の超ｍ細化が
可能となる． また、インナーリード部が可撓性フィルム部材で補強さ
れているため、例えば何等かの物体との接触等によって
、インナーリード部が変形したり、先＠部の配列の乱れ
等により隣接したインナーリード郎と接触して短絡する
などの事故が起こりにくい．特に、本発明をテープキャ
リアに適用した場合には、テープキャリア製造時から半
導体デバイスチップとのポンディング時まで整然とした
インナーリード郎の配列状態が維持される．加えて、本
発明のチップキャリアでは、前記第１領域において、隣
り合う金属配線の特にインナーリード郎間及びインナー
リード部の先端より内側の領域に開口部を有する．ここ
で、第１領域において各々の金属配線を補強支持する可
撓性フィルム部材の平面形状は、少なくともインナーリ
ード部においては、金属配線と同形状であることが望ま
しいが、それより大きくてもよい．即ち、第１領域にお
いては、可撓性フィルム部材が金属配練の間にまたがる
ものではなく、そこに空間をなすものであればよい． これは、各々の金属配線の少なくともインナーリード郎
の間に開口部を設けることにより、半導体チップの接続
用パッド間ピッチ方向において、個々のインナーリード
部を電気的にも構造的にも独立させるためである． この開口部により、金属配線と可撓性樹脂部材との熱膨
張係数の違いから生ずる熱応力の影響を、少なくとも前
記ピッチ方向に関しては取り除く． また、本発明では上記の開口部を形成したことにより、
ここに可撓性フィルム部材が存在せずに空間が形成され
る．このため、可撓性フィルム部材に含有されでいる不
純物イオンが半導体チップに移行して、半導体デバイス
チップが破壊されるのを防ぐ上でも有利である． さらに、本発明では前記第２領域において、金属配線を
支える可撓性フィルム部材の厚みを所定のフィイガー強
度が得られる範囲で薄くすること社よって、この可撓性
テープ部材と金属配線との熱膨張係数の違いに起因して
生じる熱応力を、特にその配線長さ方向に関して、より
小さくすることができる． このｋめ、インナーリード部の熱変形等がさらに起こり
にくいので、非常に良好なポンディング加工性が得られ
ると共に、接続後の熱変化による接続部の疲労破壊等が
起こりにくい． また、本発明では第３領域の可撓性フィルム部材の厚み
が、従来のチップキャリア同様に維持されているため、
チップキャリアとして要求される例えばスプロケットに
よる送りに対する強度など、必要なフィルム強度を維持
することができる．特に、テープキャリアの場合には、
テープ製造時から半導体デバイスチップとのボンディン
グ時までに行われるテープの巻き取り工程やその他の取
扱いが容易となる． なお、この第重領域を従来のデバイス孔穿設領域に相当
する領域とすると，この開口部に従来のデバイス孔と同
様の機能を持たせることができる．また、前記第１領域
は、例えば金属配線のアウターリード部等を含む領域と
してもよい．この場合には、従来のデバイス孔穿設郎分
より広い範囲にわたり開口部が形成されるが、各金属配
線が各々可撓性フィルム部材により補強支持されてぃる
ため、各々リードとしての強度を保持できる．尚、この
場合、各金属配線間を適当なブリッジ（フィルム部材）
で共通に支持することもできる． 一方、第重領域とは別個に、アクターリード部等を含む
限定された領域に゛ついて、必要に応じて可撓性テープ
部材を削除するか、あるいは減肉して薄内部を形成して
もよい． これは、上記のテープキャリアに半導体チップを装着し
て半導体装置とした後に、外部回路装置等の端子部に接
続する場合の問題であり、例えばこの膚子部に機械的装
置等によりアウターリードを直接ボンディング加工して
電気的に接続する場合には、アウターリード部のフィン
ガー強度を高めるため社、上記領域にも薄膜部を形成し
ておくことが望ましい．また、一般的な半導体装置とし
て販売する場合に、例えば外部回路装置の端子部の配置
ヒアウターリード部の配置とが異なる場合や、接合位置
が裏面部側になる場合等には、アウターリード郎の曲げ
性や電気的接合条件等を考慮して、アウターリード部を
含む領域Ｃは可撓性フィルム部材を形成ルないこともあ
る．ところで、以上の可撓性フィルム部材の厚みは、チ
ップキャリアとして要求されるフィルム強度、ならびに
前記のフィンガー強度、及びボンディング時若しくは使
用時における曲げ性等を考慮して個々に定めればよく、
例えば曲げ部のみの厚みを薄くしたり若しくは取り除く
事により曲げ性を確保してもよい． また、インナーリード部とアウターリード部とに別個Ｃ
薄肉部をを設けた場合には、インナーリード部とアウタ
ーリード部との中間に通常の肉厚を保持する部分が残る
が、この部分にサポートリングの機能を持たせることが
できる．本発明に係る本発明にかかるテープキャリアの
製造方法については、以下の通りである．尚、以下の方
法は一例であり、この方法に限定されるものではない． まず、ポリイミド．ポリフェニレンサルファイド．ポリ
エチレンテレフタレート．液晶ポリマー等の耐熱性に優
れた材質からなる厚さ１０〜２００μ−程度の可撓性フ
ィルム部材の一方の面に、スバッター蒸着法によって、
厚さ　ｏ．ｌ〜１μ１の金属皮Ｉｔ！　（例えば、銅．
クロム．ニッケル等）ヲ形成する． そして、必要に応じて更に銅メッキを施し、１〜２０μ
層の銅を主体とした金属箔層とし、この金属箔層にエッ
チングを施すか、あるいは金属皮膜形成後、不要部分を
マスキング（ネガパターンでマスキング）して銅メッキ
を施し、その後金属皮膜をフラッシュ，エッチングする
ことにより、金属配線を形成する。

その後、前記の第１領域について，金属配線が形成され
ていない部分の可撓性フィルム部材をエッチング等によ
って除去し、金属配線間並びにインナーリード郎の先端
より内側の領域に開口部を形成する．この際、必要に応
じて可撓性フィルムの金属配線の形成されていない側の
而（裏面側）から、可撓性フィルム部材をエッチング等
によーって削減する． さらに、前記第２領域について、可撓性フィルム部材の
薄い部分を形成する場合には、第２領域から開口部を除
いた領域について可撓性テープ部材を裏面側から削減し
て、第２領域に所定の厚みの薄肉部を形成する． また、前記第１領域の開口部を形成する前に第２領域の
可撓性フィルム部材を予め裏面側から削減しておき、そ
の後第１領域に開口部を形成しても良い． ここで、高分子フィルムからなる可撓性テープ部材の厚
さを削減する方法としては、例えばドライエッチング法
として、プラズマエッチングがある．この方法では、Ｅ
ＣＲプラズマ等により、プラズマ活性されたガスを被エ
ッチング面に吹き付けることによりその部分の高分子フ
ィルムが除去される． また、可撓性テープ部材がポリイくドフィルムからなっ
ている場合は、ヒドラジンとエチレンジア主ンの混合液
．水酸化カリウム等のアルカリ系薬品をエタノールある
いは水に溶解させた溶液等を舟いたウエットエッチング
によっても好ましい結果が得られる． なお、可撓性テープの第２領域に形成される薄膜部の厚
さは、金属配線のインナーリード部に充分なフィンガー
強度を確保するためには５μ鵬程度以上確保することが
望ましく、又、熱応力によるインナーリード部の変形を
防止するためには金属配線の厚さと同等あるいはそれよ
り薄いことが好ましい。

例えば、可撓性テープ部材がポリイミドフィルムからな
る場合には，フィンガー強度の点から５〜２５μ一の範
囲とすることが望ましい．なお、アウターリード部を含
む領域等について、可撓性テープ部材を全て削除し、あ
るいは薄肉部を形戒する場合には、上記の方法に準じて
行うことができる． ［実施例〕 本発明の実施例を図面を参照して説明する．以下の実施
例では、チップキャリアとしてテープキャリアを用いた
場合について述べているが、単体のバッチタイプの場合
もほぼ同様である．第１図及び第２図は、本発明の第１
の実施例にかかるテープキャリアの部分平面図及び部分
断面図である． 本実施例においては、まず厚さ５０μ鑓のポリイミドフ
ィルムからなる可撓性テープ２の一方の面に、スパッタ
ー蒸着法によって０．２μ一の銅皮膜を付着させ、更に
電解銅メッキを施して厚さｌＯμ履の＃４箔層を形成し
た． そして、塩化第二鉄水溶液を用いて銅箔層にエッチング
を施し、導体＠ｄ＝２ｓμ１，導体ビッチＰ＝５０μ厘
の金属配線１を長手方向に所定の長さで複数組形成した
．尚、第１図では４組の金属配線の配線本数は一郎省略
している． 木実施例における金属配ｉｌｌは、半導体デバイスチッ
プ６のパンプ７とポンディングされるべきインナーリー
ド部１ａを内側に、リードフレームや外部回路基板の端
子部と接続されるアクターリード郎１ｂを外側にして第
■図に示されるように４方向に放射状に配置されている
． ここで、本実施例の金属配線１では、インナーリード部
１ａと１対１に対応するアウターリード部１ｂが設けら
れており、それぞれのアクターリード部１ｂが、リード
フレームや回路基板等の外郎回路装置の端子郎に接続さ
れるようになっているが、これに限るものではない． 即ち、本発明にかかるテープキャリアに形成される金属
配線は、第ｌ図のようＣ一端にインナーリード部、他端
にアウターリード部を備えた配線が所定のピッチで並ん
でいる場合だけでなく、アウターリード部とインナーリ
ード部が１対複数に対応している場合や、インナーリー
ド郎がその外側に形成された所定の回路に接続されてい
る場合もある．また．本実施例では、１本の金属配線に
，半導体デバイスチップがポンデングされるインナーリ
ード部が１個だけ形成されているが、場合によっては１
本の金属配線に複数個のインナーリード郎が形成されて
いても良い． しかる後、個々のインナーリード郎の先端より内側の領
域Ａと、インナーリード部を含みインナーリード部で囲
まれた領域Ｂとからなる第１領域について開口部３を形
成する． 先ず、可撓性テープ２のインナーリード郎１ａの先端よ
り内側の領域Ａと、領域Ｂで金属配線重のインナーリー
ド部！ａが形成されていない部分とを除き、テープ２の
表裏面全体を耐アルカリ性エッチングレジストで被覆す
る．即ち、第１領域の外側と、この第１領域の内側で金
属配線が形成されている部分を保護する。

このテープ２を５規定の水酸化カリウム水溶液中に、５
０℃にてｌ．ｓ時間浸漬した後、水洗した．これにより
、エッチングレジストで保護しなかった部分のポリイく
ドフィルムが除去されて、第１領域内の領域Ａ及び各金
属配線の間に開口部３が形成される． 本実施例では、第２領域を従来のデバイス孔穿設部と同
じ領域としているため、該開口部３によりデバイス孔が
形威される． なお、テープ２の両サイド長手方向に所定のピッチで速
設されるスブロケット孔５とアウターリード部Ｉｂ＆：
対応する部分に形成されるアクターリード孔４とを設け
る場合には、例えばこの間孔部（４．５）以外を耐アル
カリ性のエッチングレジストで被覆して、前述ｆｔｆ膜
郎を形成したのと同様なアルカリ系の溶液でエッチング
を行なうことにより孔４．５を形成することができる。

しかし、これらは必ずしも必要なものではなく、例えば
、スブロケットを用いずにテープの１１送がｉ『能な場
合はスブロケット孔５は不要であり、また可撓性テープ
を付けｋままの状態でアウターリード部１ｂを回路基板
等の端子部に接合する場合にはアウターリード孔５は不
要である． 上記のようにして作製したテープキャリアについて、第
２図のインナーリード部付近の拡大断面図に示されるよ
うに，インナーリード部１ａに半導体デバイスチップ６
のバンブ７をボンディングしたところ、インナーリード
部が１ａが可撓性テープ２で補強支持されているため、
ポンディング時の加圧によってインナーリード部１ａが
折れ曲ったりすることがなく、ポンディング加工性は非
常に良好であった． 次に、本発明の第２の実施例について説明する．この実
施例Ｃおいては、第１の実施例と同様にして作成したテ
ープキャリアについてさらに加工を施し、第３図に示す
ように可撓性テープ２０２のインナーリード郎２０１ａ
が形成されている部分を含む第２領域に薄肉郎２０８を
形成している． この第２実施例においては、テープ２０２の裏面におい
て、第３図の領域Ｃ（これは第２領域であるが、ここに
限定されるものではない．）を除いて、可撓性テープ２
０２の表裏面全体を耐アルカリ性エッチングレジストで
保護し、この後、テープ２０２を５規定の水酸化カリウ
ム水溶液中に、５０℃にて１時間浸漬した後水洗した．
　これにより、エッチングレジストで保護しなかった領
域Ｃの残存ボリイくド厚は９μ一となった．即ち、本実
施例ではウェットエッチングによって可撓性テープ２０
２の第２領域の厚さをテープ２０２背而（紙面裏側）か
ら削減し、薄肉部２０８（第３図中、領域Ｃ）を形成し
ている．この実施例では、薄肉部２０８が９μ一と薄い
ため、ボンディング時の加熱による熱応力によってイン
ナーリード部２０１ａが熱変形することもなく、ボンデ
ング加工性及び、接続後の安定性は非常に良好であった
． 一方、この第２実施例において、第３図におけるアクタ
ーリード孔４に該当する部分にも、前記インナーリード
郎２０１ａと同様な形成方法で薄肉部を形成させること
により、アウターリード部の金属配線の微細化と共に、
外郎回路装置の端子部への接続配線として必要な強度が
保持され、微細化された配線にも拘らず高いボンディン
グ加工性が得られる． なお、本実施例では可撓性テープ部材として三菱化成工
業■、商品名ｒＮＯＶＡＸＪを使用しているが、これは
上記のように対エッチング特性に優れ、さらに半透明で
あることから、ボンディング時の位置合せにおける画像
処理等が容易におこなえる為である。

従って、可撓性テープ部材として他の製品等を用いた場
合には、エッチング条件等が異なる．ここで、本発明の
実施例ではテープ２０２の金属配線２０！形成面側に半
導体デバイスチップ２０６が位置することになるが、こ
れに限るものではない．例えば．ｉ肉部２０８の裏面部
からインナーリード部２０１ａを構成する金属配線２０
竃に至る穿孔部を設け、この穿孔部内に前記金属配線に
接合された導電体からなる突起電極等を延設する等の方
法により、薄膜部の裏面部側に半導体デバイスチップ２
０６を配設させることができる． 上記のようにして作製したテープキャリアについて、第
３図のデバイス孔２０３付近の拡大断面図に示されるよ
うに、インナーリード部２０１ａと半導体デバイスチッ
プ２０６のパンブ２０７をポンディングしたところ、イ
ンナーリード部が２０１ａが可撓性テープ２０２の薄肉
郎２０８で補強されているため、加圧によってインナー
リード郎２０１ａが折れ曲ったりすることがなかった． 加えて、本実施例では、デバイス孔と同様な機能を有す
る開口郎２０３が設けられていることから、製品段階に
おける樹脂固定を行う場合に、デバイス孔として開口郎
２０３を利用して接着固定樹脂を流しこめるため、作業
が容易に行える利点がある． 次に、第３の実施例について可撓性フィルム部材で補強
支持された金属配線のリード強度を説明する．第４図及
び第５図は、本発明の第３実施例にかかるテープキャリ
アの部分平面図及び部分断面図である．この実施例では
、金属配１９５０１のアクターリード部５０ｌｂを含む
領域Ｄを前記の第１領域及び第２領域としており、上記
とほぼ同様な方法で領域Ｄ内の可撓性テープ５０２を除
去し、第５図社示すように薄肉郎５０８のみで金属配線
５０１を補強支持している． 尚、この実施例では、可撓性フィルム部材５０２として
ポリイミド樹脂フイルムを用い、金属配線５０１にはＣ
ｕを用いた．また、金属配線５０１の肉厚ならびにフイ
ルム５０２の薄肉部５０８の厚みを各々　７μ一として
おり、金属配線５０１表面には、更に　０．５μ園のＳ
ｎメッキを施している． こ４′）第３実施例のテープキャリアについて、第５図
（デバイス孔付近の拡大断面図）に示されるように、イ
ンナーリード部５０１ａと半導体チツブ５０６の端子部
とをボンデイングしたところ、インナーリード部５０１
ａが、薄肉部５０８によって補強支持されているため、
加圧によってインナーリード郎５０１ａが折れ曲りたり
することがなく、ボンデイング加工性は非常に良好であ
った． ここで、本実施例における薄肉部で補強された金属配線
（リード部）の強度について説明する．本実施例との比
較の為に、以下の二つのサンプルＣＢ）　，　　（Ｃ）
　　（共に、　０．５μｓのＳｎメツキを施している．
）を用いる． ・サンプル（Ｂ） 金属配線の形成方怯及び大きさは、本実施例と同様であ
り、補強支持部の無いもの．・サンプル（Ｃ） 原反に、１８μ■の厚みを有する銅箔を用い、金属配線
の厚みを１８μ一として、補強支持部の無いもの． 以上の各々のチップキャリアについて、金属配線のイン
ナーリード部を４４個の金バンブ付半導体チップにボン
ディングし、さらにアウターリード部をガラスエボキシ
基板上の接続部にボンデイングした後にリード部の引っ
張り強度を測定した． 結果を以下に示す． 上表からも明らかなように、本実施例のものでは、リー
ド部の強度が同じ厚みの金属配線のみの場合（＾）に対
して約三倍となり、又、約２．５倍の厚みを有する金属
配線のみからなるもの（Ｂ）よりも強いことが明らかで
ある． 以上のように、本実施例では金属配線の肉厚を薄くして
もリード強度が保持される． なお、上記の実施例においては、銅の金属配線を形成し
たが、本発明の金属配線は銅に限らず、銅と他の金属の
二層構造あるいは銅以外の金属だけで構成されていても
良いことは言うまでもない． 次に第４実施例として、前記第ｌ〜第３実施例で作成さ
れたテープキャリアの通用例について説明する． まず、テープキャリアの複数のデバイス孔上に各々半導
体デバイスチップを通常の手法で配設し、テープ上に連
なった複数の半導体装置を作成した．キャリアテープを
切断することによってこれらの半導体装置を個々に分頗
し、得られた単体の半導体装置の一方の側のアウターリ
ード部と、別に用意したディスプレイデバイスである液
晶パネルの電極基板の人力端子部とを電気的に接続した
．この電気的接続には、異方性導電接着剤を用いた．ま
た、半導体装置の他方の側のアクターリード部を液晶パ
ネルの駆動制御用の回路基板の鳴子部と電気的に接続し
た．この電気的接続にも前記と同様の異方性導電接着剤
を用いた．そしてこの液晶パネルを用いて液晶ディスプ
レイユニットを組み立てたところ、断線などに対する信
頼性カ高く、非常に良好な液晶ディスプレイユニットが
得られた． 尚、この第４実施例では、本発明に係るチップキャリア
を用いた半導体装置を液晶ディスプレイユニットに適用
した例を述べたが、この他にプラズマディスプレイユニ
ットやエレクトロルミネッセンスディスプレイユニット
などにも適゛用可能であることは述べるまでもない， ［発明の効果］ 以上のように、本発明にかかるチップキャリアは、金属
配線の肉厚を薄くすることが可能であるため、金属配線
幅及びピッチの微細化が可能となる． このため、ビン間ピッチが非常に狭い半導体デバイスチ
ップの実装に対応することができるので、半導体デバイ
スチップの著しい高集積化が進む中にあって非常に有益
である． さらに、このチップキャリアを用いて半導体デバイスチ
ップと組合せて半導体装置としての製品を作成すれば、
その製作段階における手数と費用が削減でき、しかも不
良品の発生が減少するため、製品コストの削減を図るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１の実施例に係るテープキャリア
の部分平面を示し、 第２図は、本発明の第１の実施例に係るテープキャリア
の部分断面を示し、 第３図は、本発明の第２の実施例に係るテープキャリア
の部分断面図を示し、 第４図は、本発明の第３実施例に係るテープキャリアの
部分平面を示し、 第５図は、本発明の第３実施例に係るテープキャリアの
部分断面を示す． ［主要部分の符号の説明］ １・・・金属配線 １ａ・・・インナー　リード部 ２・・・可撓性テープ ３・・・デバイス孔 ６・・・半導体チップ ７・・・バンブ ８・・・薄膜部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、搭載すべき半導体デバイスチップの端子部と接続さ
   れるインナーリード部を有する複数組の金属配線が、可
   撓性フィルム部材の一方の面側に前記チップを載置すべ
   き領域に向つて放射状に形成されたチップキャリアであ
   って、 前記金属配線の各々が、前記インナーリード部を含んで
   前記可撓性フィルム部材上に形成され、前記可撓性フィ
   ルム部材が、前記インナーリード部を含んだ限定された
   第１の領域において、各金属配線の間及び各インナーリ
   ード部の先端より内側の部分に開口部を有することを特
   徴とするチップキャリア。 ２、特許請求の範囲第１項によるチップキャリアであっ
   て、 前記可撓性フィルム部材が、前記開口部周囲の前記イン
   ナーリード部を含んだ第２の領域において、前記金属配
   線のある面側の反対側で減肉され、この第２の領域では
   前記フィルム部材がその周囲の第３の領域より相対的に
   薄い肉厚を有することを特徴とするチップキャリア。 ３、特許請求の範囲第１項によるチップキャリアであっ
   て、 前記フィルム部材が、長尺の可撓性テープの形状をして
   おり、 該テープには、前記チップを載置すべき領域が複数列配
   設され、その各載置領域に前記金属配線が各々配設され
   ていることを特徴とするチップキャリア。 ４、特許請求の範囲第１項によるチップキャリアと半導
   体デバイスチップと表示デバイスとの組合せであって、
   前記半導体デバイスチップが前記チップキャリア上にマ
   ウントされ、前記半導体デバイスチップと前記表示デバ
   イスとが前記チップキャリアの前記金属配線を介して相
   互に電気的に接続され、以って前記組合せがディスプレ
   イユニットを構成していることを特徴とするもの。 ５、特許請求の範囲第４項による組合せであって、前記
   表示デバイスが液晶ディスプレイパネルを含むことを特
   徴とするもの。