JPH03201423A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPH03201423A JPH03201423A JP1340216A JP34021689A JPH03201423A JP H03201423 A JPH03201423 A JP H03201423A JP 1340216 A JP1340216 A JP 1340216A JP 34021689 A JP34021689 A JP 34021689A JP H03201423 A JPH03201423 A JP H03201423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal shutter
- light
- mask
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光源より発せられた光を、光学式マスクを
介して感光体に照射するようにした露光装置に関する。
介して感光体に照射するようにした露光装置に関する。
第３図は従来の露光装置を示す概略構成図、第４図はそ
の装置に適用された光学式マスク３を示す斜視図である
。両図に示すように、この露光装置は、光源１と、レン
ズ２と、光学式マスク３とを有している。光学式マスク
３は、ガラス板３ａと、そのガラス板３ａ上に付着され
てマスクパターンを形成する塗料３ｂとで構成されてい
る。
の装置に適用された光学式マスク３を示す斜視図である
。両図に示すように、この露光装置は、光源１と、レン
ズ２と、光学式マスク３とを有している。光学式マスク
３は、ガラス板３ａと、そのガラス板３ａ上に付着され
てマスクパターンを形成する塗料３ｂとで構成されてい
る。
そして、レジスト等が塗布された半導体ウェハ等の感光
体４が、光学式マスク３に対応して配置される。この状
態で、光源１から発せられた光５が、レンズ２により集
束された後、光学式マスク３に投射される。このとき、
塗料３ｂにより構成されるマスクパターン上に投射され
た光は、塗料３ｂにより遮光されるとともに、それ以外
の領域に投射された光５はガラス板３ａを透過して、感
光体４に照射される。こうして、感光体４のレジストの
うち、マスクパターンと相補関係にある領域のみが露光
され、その露光部が硬化または軟化される。
体４が、光学式マスク３に対応して配置される。この状
態で、光源１から発せられた光５が、レンズ２により集
束された後、光学式マスク３に投射される。このとき、
塗料３ｂにより構成されるマスクパターン上に投射され
た光は、塗料３ｂにより遮光されるとともに、それ以外
の領域に投射された光５はガラス板３ａを透過して、感
光体４に照射される。こうして、感光体４のレジストの
うち、マスクパターンと相補関係にある領域のみが露光
され、その露光部が硬化または軟化される。
その後、次工程でレジストの硬化または軟化された領域
を除去した後、残ったレジストをマスクとして感光体４
のエツチング等が行われる。
を除去した後、残ったレジストをマスクとして感光体４
のエツチング等が行われる。
しかしながら、従来の露光装置における光学式マスク３
では、ガラス板３ａ上に塗料３ｂを付着させてマスクパ
ターンを形成するようにしているため、マスクパターン
を容易に修正できず、−個の光学式マスク３に対しマス
クパターンがほぼ一義的に定まってしまう。このため、
露光パターンの異なる露光処理を行うような場合には、
多種類の光学式マスク３が必要となり、コストの増大を
来たすという問題があった。
では、ガラス板３ａ上に塗料３ｂを付着させてマスクパ
ターンを形成するようにしているため、マスクパターン
を容易に修正できず、−個の光学式マスク３に対しマス
クパターンがほぼ一義的に定まってしまう。このため、
露光パターンの異なる露光処理を行うような場合には、
多種類の光学式マスク３が必要となり、コストの増大を
来たすという問題があった。
この発明は、上記従来技術の問題を解消し、コストの低
下を図りつつ、マスクパターンの修正および変更が容易
に行える露光装置を提供することを目的とする。
下を図りつつ、マスクパターンの修正および変更が容易
に行える露光装置を提供することを目的とする。
この発明は、光源より発せられた光を、光学式マスクを
介して感光体に照射するようにした露光装置であって、
上記目的を達成するため、前記光学式マスクを液晶シャ
ッターにより構成するとともに、その液晶シャッターの
遮光領域パターンの設定を制御する制御手段を設けてい
る。
介して感光体に照射するようにした露光装置であって、
上記目的を達成するため、前記光学式マスクを液晶シャ
ッターにより構成するとともに、その液晶シャッターの
遮光領域パターンの設定を制御する制御手段を設けてい
る。
この発明の露光装置においては、光学式マスクを液晶シ
ャッターにより構成するとともに、液晶シャッターの遮
光領域パターンの設定を制御手段により制御することに
より、遮光領域パターン、つまりマスクパターンを自在
に変化させることができる。
ャッターにより構成するとともに、液晶シャッターの遮
光領域パターンの設定を制御手段により制御することに
より、遮光領域パターン、つまりマスクパターンを自在
に変化させることができる。
第１図はこの発明の一実施例である露光装置を示す概略
構成図、第２図はその装置の要部を示す概略正面図であ
る。両図に示すように、この露光装置は、光源１１と、
レンズ１２と、液晶シャッター１３により構成される光
学式マスクと、コンピュータ１６とを有している。
構成図、第２図はその装置の要部を示す概略正面図であ
る。両図に示すように、この露光装置は、光源１１と、
レンズ１２と、液晶シャッター１３により構成される光
学式マスクと、コンピュータ１６とを有している。
液晶シャッター１３は、透光性水平電極群と透光性垂直
電極群内に液晶が封入されてマトリックス状の電極パタ
ーンが形成されたセルを有するとともに、そのセルが一
対の偏光板間に配置される。
電極群内に液晶が封入されてマトリックス状の電極パタ
ーンが形成されたセルを有するとともに、そのセルが一
対の偏光板間に配置される。
また、コンピュータ１６のプログラムに従い上記両電極
群に選択的に電圧を印加することにより、液晶シャッタ
ー１３に所要の遮光領域パターン、すなわちマスクパタ
ーン１３ａが形成されるように構成している。
群に選択的に電圧を印加することにより、液晶シャッタ
ー１３に所要の遮光領域パターン、すなわちマスクパタ
ーン１３ａが形成されるように構成している。
この露光装置により露光処理を行うには、まず、レジス
トが塗布されたウェハ等の感光体１４を、液晶シャッタ
ー１３に対応させて配置する。そして、コンピュータ１
６の記憶装置にストアされている各種表示パターン用デ
ータの中から所要のマスクパターン用データを選択的に
読み出し、そのマスクパターン用データに基づき液晶シ
ャッター１３の両電極群に選択的に電圧を印加して、所
要の遮光領域パターン、すなわちマスクパターン１３ａ
を液晶シャッター１３に形成する。この状態で光源１１
より光１５を照射して、レンズ］２により集束させた後
、液晶シャッター１３に投射する。液晶シャッター１３
に投射された光１５のうち、マスクパターン１３ａの領
域に投射された光１５は遮光され、その他の領域に投射
された光１５は透過されるので、感光体１４のレジスト
は、マスクパターン１３ａと相補関係にある領域のみが
露光されることになる。
トが塗布されたウェハ等の感光体１４を、液晶シャッタ
ー１３に対応させて配置する。そして、コンピュータ１
６の記憶装置にストアされている各種表示パターン用デ
ータの中から所要のマスクパターン用データを選択的に
読み出し、そのマスクパターン用データに基づき液晶シ
ャッター１３の両電極群に選択的に電圧を印加して、所
要の遮光領域パターン、すなわちマスクパターン１３ａ
を液晶シャッター１３に形成する。この状態で光源１１
より光１５を照射して、レンズ］２により集束させた後
、液晶シャッター１３に投射する。液晶シャッター１３
に投射された光１５のうち、マスクパターン１３ａの領
域に投射された光１５は遮光され、その他の領域に投射
された光１５は透過されるので、感光体１４のレジスト
は、マスクパターン１３ａと相補関係にある領域のみが
露光されることになる。
この露光装置によれば、光学式マスクを液晶シャッター
１３により構成するとともに、液晶シャッター１３のマ
スクパターン１３ａを、コンピュータ１６により制御す
るようにしているので、記憶装置にストアされているマ
スクパターン用データに基づいて任意のマスクパターン
１３ａを容易に形成でき、マスクパターン１３ａの修正
および変更を容易に行える。また、ひとつの液晶シャッ
ター１３で多種類のマスクパターン１３ａを形成できる
ので、露光パターンの異なる露光処理を多数行う場合で
も、露光パターンに応じて多種類の光学式マスクを準備
する必要がなく、経済的でコストが低減する。
１３により構成するとともに、液晶シャッター１３のマ
スクパターン１３ａを、コンピュータ１６により制御す
るようにしているので、記憶装置にストアされているマ
スクパターン用データに基づいて任意のマスクパターン
１３ａを容易に形成でき、マスクパターン１３ａの修正
および変更を容易に行える。また、ひとつの液晶シャッ
ター１３で多種類のマスクパターン１３ａを形成できる
ので、露光パターンの異なる露光処理を多数行う場合で
も、露光パターンに応じて多種類の光学式マスクを準備
する必要がなく、経済的でコストが低減する。
また、露光パターンの修正および変更にかかわらず、液
晶シャッター１３を固定させておくことができるので、
例えば従来の露光装置のように光学式マスク３を着脱す
る必要がなく、感光体１４に対するマスクパターン１３
ａの位置精度が向上する。
晶シャッター１３を固定させておくことができるので、
例えば従来の露光装置のように光学式マスク３を着脱す
る必要がなく、感光体１４に対するマスクパターン１３
ａの位置精度が向上する。
なお、上記実施例では、マトリックス型の液晶シャッタ
ー１３を用いるようにしているが、それだけに限られず
、例えばセグメント型の液晶シャッターを用いるように
してもよい。
ー１３を用いるようにしているが、それだけに限られず
、例えばセグメント型の液晶シャッターを用いるように
してもよい。
また、上記実施例では、電圧が印加された領域が遮光領
域となる液晶シャッター１３を用いているが、それだけ
に限られず、電圧が印加された領域のみが透光領域とな
る液晶シャッターを用いてもよい。
域となる液晶シャッター１３を用いているが、それだけ
に限られず、電圧が印加された領域のみが透光領域とな
る液晶シャッターを用いてもよい。
また、上記実施例では、マスクパターン１３ａの設定を
コンピュータのプログラムにより行うようにしているが
、例えば液晶ドライバ等のハード回路により行うように
してもよい。
コンピュータのプログラムにより行うようにしているが
、例えば液晶ドライバ等のハード回路により行うように
してもよい。
以上のように、この発明の露光装置によれば、光学式マ
スクを液晶シャッターにより構成するとともに、その液
晶シャッターの遮光領域パターンの設定を制御する制御
手段を設けるようにしているため、制御手段からの指令
により、遮光領域パターン、つまりマスクパターンを自
在に変化させることができ、マスクパターンの修正およ
び変更を容易に行えるとともに、ひとつの液晶シャッタ
ーで多種類のマスクパターンを形成でき、経済的でコス
トが低減するという効果が得られる。
スクを液晶シャッターにより構成するとともに、その液
晶シャッターの遮光領域パターンの設定を制御する制御
手段を設けるようにしているため、制御手段からの指令
により、遮光領域パターン、つまりマスクパターンを自
在に変化させることができ、マスクパターンの修正およ
び変更を容易に行えるとともに、ひとつの液晶シャッタ
ーで多種類のマスクパターンを形成でき、経済的でコス
トが低減するという効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例である露光装置を示す概略
構成図、第２図はその装置の要部を示す概略正面図、第
３図は従来の露光装置を示す概略構成図、第４図はその
装置に適用された光学式マスクを示す斜視図である。 図において、１１は光源、１３は液晶シャッタ１３ａは
マスクパターン、１４は感光体、１５は光、１６はコン
ピュータである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
構成図、第２図はその装置の要部を示す概略正面図、第
３図は従来の露光装置を示す概略構成図、第４図はその
装置に適用された光学式マスクを示す斜視図である。 図において、１１は光源、１３は液晶シャッタ１３ａは
マスクパターン、１４は感光体、１５は光、１６はコン
ピュータである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）光源より発せられた光を、光学式マスクを介して
感光体に照射するようにした露光装置において、 前記光学式マスクを液晶シャッターにより構成するとと
もに、その液晶シャッターの遮光領域パターンの設定を
制御する制御手段を設けたことを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340216A JPH03201423A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340216A JPH03201423A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201423A true JPH03201423A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18334806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1340216A Pending JPH03201423A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201423A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259026A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-10-08 | Hughes Aircraft Co | マイクロパターン化した表面用の装置および方法 |
| JPH0713337A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-17 | Nec Corp | 厚膜配線パターンの露光装置 |
| US7116398B2 (en) | 2003-11-07 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1340216A patent/JPH03201423A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05259026A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-10-08 | Hughes Aircraft Co | マイクロパターン化した表面用の装置および方法 |
| JPH0713337A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-17 | Nec Corp | 厚膜配線パターンの露光装置 |
| US7116398B2 (en) | 2003-11-07 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
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