JPH0713337A - 厚膜配線パターンの露光装置 - Google Patents
厚膜配線パターンの露光装置Info
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- JPH0713337A JPH0713337A JP5148744A JP14874493A JPH0713337A JP H0713337 A JPH0713337 A JP H0713337A JP 5148744 A JP5148744 A JP 5148744A JP 14874493 A JP14874493 A JP 14874493A JP H0713337 A JPH0713337 A JP H0713337A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2057—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using an addressed light valve, e.g. a liquid crystal device
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ポジ形感光材料の各領域を異なる露光時間です
ることにより、ポジ形感光性材料を任意の形状に立体整
形する。 【構成】制御部１００内のメモリ１２０には、マトリク
ス液晶表示素子３２１に表示させるべき複数のマスクパ
ターンと、該マスクパターンの露光時間とが格納され
る。制御部１００は、メモリ１２０内のマスクパターン
を液晶制御部３１０内のメモリ３１３に転送し、該マス
クパターンをマトリクス液晶表示素子３２１に表示させ
る。計時回路１５０により露光時間の経過を制御部１０
０に通知する。計時回路１５０により露光時間の経過を
制御部１００は、メモリ１２０の次のマスクパターンを
メモリ３１３に転送する。
ることにより、ポジ形感光性材料を任意の形状に立体整
形する。 【構成】制御部１００内のメモリ１２０には、マトリク
ス液晶表示素子３２１に表示させるべき複数のマスクパ
ターンと、該マスクパターンの露光時間とが格納され
る。制御部１００は、メモリ１２０内のマスクパターン
を液晶制御部３１０内のメモリ３１３に転送し、該マス
クパターンをマトリクス液晶表示素子３２１に表示させ
る。計時回路１５０により露光時間の経過を制御部１０
０に通知する。計時回路１５０により露光時間の経過を
制御部１００は、メモリ１２０の次のマスクパターンを
メモリ３１３に転送する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜配線パターンの立
体形状の成形を行う厚膜配線パターンの露光装置に関す
る。
体形状の成形を行う厚膜配線パターンの露光装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、厚膜配線パターンの露光装置で
は、フィルムまたはガラス上に所望の配線パターンを形
成してフォトマスクとし、このフォトマスクに光を透過
させて露光を行っていた（以下、第１の従来技術とい
う）。また、フィルムまたはガラス上に配線パタンを形
成する代わりに、液晶板に所望の配線パタンを表示させ
てフォトマスクとする技術もある。液晶板を使用した技
術の一例は、特開平４−３０７５４６号に記載されてい
る（以下、第２の従来技術という）。同公報図１を参照
すると、同公報記載の第２の従来技術では、液晶パネル
である光透過形表示パネル２に配線パターンを表示さ
せ、この光透過形表示パネル２をフォトマスクとしてレ
ジスト７を露光している。
は、フィルムまたはガラス上に所望の配線パターンを形
成してフォトマスクとし、このフォトマスクに光を透過
させて露光を行っていた（以下、第１の従来技術とい
う）。また、フィルムまたはガラス上に配線パタンを形
成する代わりに、液晶板に所望の配線パタンを表示させ
てフォトマスクとする技術もある。液晶板を使用した技
術の一例は、特開平４−３０７５４６号に記載されてい
る（以下、第２の従来技術という）。同公報図１を参照
すると、同公報記載の第２の従来技術では、液晶パネル
である光透過形表示パネル２に配線パターンを表示さ
せ、この光透過形表示パネル２をフォトマスクとしてレ
ジスト７を露光している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来技術は、感
光材料の平面形状の整形についてのみ着目していた。こ
のため、感光材料の厚さ方向の形状の整形（以下、立体
整形という）は行えなかった。この点について、以下、
例を用いて説明する。
光材料の平面形状の整形についてのみ着目していた。こ
のため、感光材料の厚さ方向の形状の整形（以下、立体
整形という）は行えなかった。この点について、以下、
例を用いて説明する。
【０００４】感光材料の立体整形が必要となる場合とし
て、例えば、場所により感光材料の厚さが異なっている
場合がある。このような構造の一例が図２６に示されて
いる。図２６（ａ）を参照すると、基板６１０上の領域
Ａ５〜Ａ７には、予めパッド６３０が形成されている。
さらに基板６１０上には、ポジ形感光性材料６２０が、
基板６１０全体に塗布されている。パッド６３０が形成
されているため、ポジ形感光性材料６２０の厚さは領域
Ａ１〜Ａ４では厚く、Ａ５〜Ａ７では薄くなっている。
すなわち、基板６１０上でポジ形感光性材料６２０の厚
さが異なっている。
て、例えば、場所により感光材料の厚さが異なっている
場合がある。このような構造の一例が図２６に示されて
いる。図２６（ａ）を参照すると、基板６１０上の領域
Ａ５〜Ａ７には、予めパッド６３０が形成されている。
さらに基板６１０上には、ポジ形感光性材料６２０が、
基板６１０全体に塗布されている。パッド６３０が形成
されているため、ポジ形感光性材料６２０の厚さは領域
Ａ１〜Ａ４では厚く、Ａ５〜Ａ７では薄くなっている。
すなわち、基板６１０上でポジ形感光性材料６２０の厚
さが異なっている。
【０００５】図２６（ａ）のポジ形感光性材料６２０
を、図２４（ｂ）に示される立体形状に整形する場合に
ついて説明する。この場合、上述の従来技術では、図２
６（ｃ）に示されるようなフォトマスク６４０を使用し
て、ポジ形感光性材料６２０を露光する。ポジ形感光性
材料６２０の露光された部分は軟化し、除去される。し
かしながら、この場合、以下のような不都合が生じる。
すなわち、領域Ａ２〜Ａ４にあわせて露光時間を設定す
ると、領域Ａ６では過剰に露光が進行してしまう。この
ため、図２６（ｄ）に示すように、本来除去される必要
のない領域Ａ７の一部が除去されてしまう。一方、領域
Ａ５およびＡ６にあわせて露光時間を設定すると、領域
Ａ２〜Ａ４では露光不足が生じる。このため、図２６
（ｅ）に示されるように、領域Ａ２〜Ａ４にはポジ形感
光性材料６２０が残存してしまう。このように、従来技
術では図２６（ａ）のポジ形感光性材料６２０を、図２
６（ｂ）の立体形状に整形することはできない。
を、図２４（ｂ）に示される立体形状に整形する場合に
ついて説明する。この場合、上述の従来技術では、図２
６（ｃ）に示されるようなフォトマスク６４０を使用し
て、ポジ形感光性材料６２０を露光する。ポジ形感光性
材料６２０の露光された部分は軟化し、除去される。し
かしながら、この場合、以下のような不都合が生じる。
すなわち、領域Ａ２〜Ａ４にあわせて露光時間を設定す
ると、領域Ａ６では過剰に露光が進行してしまう。この
ため、図２６（ｄ）に示すように、本来除去される必要
のない領域Ａ７の一部が除去されてしまう。一方、領域
Ａ５およびＡ６にあわせて露光時間を設定すると、領域
Ａ２〜Ａ４では露光不足が生じる。このため、図２６
（ｅ）に示されるように、領域Ａ２〜Ａ４にはポジ形感
光性材料６２０が残存してしまう。このように、従来技
術では図２６（ａ）のポジ形感光性材料６２０を、図２
６（ｂ）の立体形状に整形することはできない。
【０００６】以上のように、従来の厚膜配線パターンの
露光装置では、感光材料の立体形状を所望の形状に整形
することができないという問題があった。
露光装置では、感光材料の立体形状を所望の形状に整形
することができないという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解決す
るため、本発明の厚膜配線パターンの露光装置では、光
源と、この光源により露光されるマスクパターンを表示
する液晶表示素子と、この液晶表示素子に表示させるマ
スクパターンが記憶される第１の記憶手段と、前記マス
クパターンと該マスクパターンの露光時間との組を複数
保持する第２の記憶手段と、前記露光時間の経過を計時
する計時手段と、前記第２の記憶手段に記憶されたマス
クパターンと露光時間との組を順次読出し、該マスクパ
ターンを前記第１の記憶手段に転送するとともに、前記
計時手段により露光時間の経過が通知されるまでは、新
たなマスクパターンの第１の記憶手段への転送を停止す
る転送手段（以下、制御回路１１０という）を有する。
るため、本発明の厚膜配線パターンの露光装置では、光
源と、この光源により露光されるマスクパターンを表示
する液晶表示素子と、この液晶表示素子に表示させるマ
スクパターンが記憶される第１の記憶手段と、前記マス
クパターンと該マスクパターンの露光時間との組を複数
保持する第２の記憶手段と、前記露光時間の経過を計時
する計時手段と、前記第２の記憶手段に記憶されたマス
クパターンと露光時間との組を順次読出し、該マスクパ
ターンを前記第１の記憶手段に転送するとともに、前記
計時手段により露光時間の経過が通知されるまでは、新
たなマスクパターンの第１の記憶手段への転送を停止す
る転送手段（以下、制御回路１１０という）を有する。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１を参照すると、本発明の第１の実施例
に係る厚膜配線パターン露光装置は、ポジ形感光性材料
６２０を露光するための光源２００と、光源２００の発
充する光線を選択透過する透過形の液晶表示部３００
と、光源２００及び液晶表示部３００を制御する制御部
１００と、液晶表示部３００を通過した光線をポジ形感
光性材料６２０上に集束する投影レンズ４００と、ポジ
形感光性材料６２０を塗布した基板６１０を所定の位置
に固定するＸＹステージ５００とから構成されている。
図２を参照すると、制御部１００は、液晶表示部３００
を制御するためのデータを記憶するメモリ１２０と、光
源２００の点滅を制御する光源制御回路１３０と、液晶
表示部３００との間の信号の授受を制御する入出力回路
１４０と、メモリ１２０、光源制御回路１３０、および
入出力回路１４０を制御する制御回路１１０と、設定さ
れた時間の経過を計測し制御回路１１０に通知する計時
回路１５０とから構成されている。
に係る厚膜配線パターン露光装置は、ポジ形感光性材料
６２０を露光するための光源２００と、光源２００の発
充する光線を選択透過する透過形の液晶表示部３００
と、光源２００及び液晶表示部３００を制御する制御部
１００と、液晶表示部３００を通過した光線をポジ形感
光性材料６２０上に集束する投影レンズ４００と、ポジ
形感光性材料６２０を塗布した基板６１０を所定の位置
に固定するＸＹステージ５００とから構成されている。
図２を参照すると、制御部１００は、液晶表示部３００
を制御するためのデータを記憶するメモリ１２０と、光
源２００の点滅を制御する光源制御回路１３０と、液晶
表示部３００との間の信号の授受を制御する入出力回路
１４０と、メモリ１２０、光源制御回路１３０、および
入出力回路１４０を制御する制御回路１１０と、設定さ
れた時間の経過を計測し制御回路１１０に通知する計時
回路１５０とから構成されている。
【００１０】図２を参照すると、液晶表部３００は、液
晶の表示を行う液晶モジュール３２０と、液晶モジュー
ル３２０を制御する液晶制御部３１０とから構成されて
いる。
晶の表示を行う液晶モジュール３２０と、液晶モジュー
ル３２０を制御する液晶制御部３１０とから構成されて
いる。
【００１１】図３を参照すると、液晶制御部３１０は、
制御部１００から送出される信号を受信する入出力回路
３１１と、入出力回路３１１が受信したデータを記憶す
るメモリ３１３と、メモリ３１３に記憶されたデータに
基づいて、液晶素子を制御するための信号を生成するリ
フレッシュ回路３１２とから構成されている。
制御部１００から送出される信号を受信する入出力回路
３１１と、入出力回路３１１が受信したデータを記憶す
るメモリ３１３と、メモリ３１３に記憶されたデータに
基づいて、液晶素子を制御するための信号を生成するリ
フレッシュ回路３１２とから構成されている。
【００１２】図３を参照すると、液晶モジュール３２０
は、マトリクス液晶表示素子３２１と、リフレッシュ回
路３１２から送出される信号にと基づいてマトリクス液
晶表示素子３２１の水平方向の電極を制御する水平駆動
装置３２２と、リフレッシュ回路３１２から送出される
信号に基づいてマトリクス液晶表示素子３２１の垂直方
向の電極を制御する垂直駆動装置３２３と、水平駆動装
置３２２および垂直駆動装置３２３に電源を供給する電
源３２４とから構成されている。
は、マトリクス液晶表示素子３２１と、リフレッシュ回
路３１２から送出される信号にと基づいてマトリクス液
晶表示素子３２１の水平方向の電極を制御する水平駆動
装置３２２と、リフレッシュ回路３１２から送出される
信号に基づいてマトリクス液晶表示素子３２１の垂直方
向の電極を制御する垂直駆動装置３２３と、水平駆動装
置３２２および垂直駆動装置３２３に電源を供給する電
源３２４とから構成されている。
【００１３】図４に示されるようにマトリクス液晶表示
素子３２１は２次元の表示素子である。しかしながら、
理解を容易にするために、以下では図５のような構造の
場合について説明する。
素子３２１は２次元の表示素子である。しかしながら、
理解を容易にするために、以下では図５のような構造の
場合について説明する。
【００１４】図５を参照すると、マトリクス液晶表示素
子３２１は直線上に配置された７つのセルＣ１〜Ｃ７を
有する。光源２００から発行された光線は、マトリクス
液晶表示素子３２１を透過してポジ形感光性材料６２０
の上に照射される。図１を参照すると、本来は、マトリ
クス液晶表示素子３２１とポジ形感光性材料６２０の間
には投影レンズ４００が設置されている。このために光
線は反転されてポジ形感光性材料６２０上に照射され
る。しかしながら、理解容易にするために、ここでは投
影レンズ４００の反転の作用は考慮しない。このため、
図５を参照すると、セルＣ１を透過した光線は、セルＣ
１の直下の領域Ａ１に照射される。同様に、セルＣｉを
透過した光線は領域Ａｉに照射される。ここで、ｉは１
から７までの整数である。
子３２１は直線上に配置された７つのセルＣ１〜Ｃ７を
有する。光源２００から発行された光線は、マトリクス
液晶表示素子３２１を透過してポジ形感光性材料６２０
の上に照射される。図１を参照すると、本来は、マトリ
クス液晶表示素子３２１とポジ形感光性材料６２０の間
には投影レンズ４００が設置されている。このために光
線は反転されてポジ形感光性材料６２０上に照射され
る。しかしながら、理解容易にするために、ここでは投
影レンズ４００の反転の作用は考慮しない。このため、
図５を参照すると、セルＣ１を透過した光線は、セルＣ
１の直下の領域Ａ１に照射される。同様に、セルＣｉを
透過した光線は領域Ａｉに照射される。ここで、ｉは１
から７までの整数である。
【００１５】次に、図２〜図１０を参照して、本実施例
の動作について説明する。ここでは、図２６（ａ）の構
造を図２６（ｂ）に示される立体形状に整形する場合に
ついて説明する。なお、ここでは、領域Ａ２〜Ａ４の最
適露光時間は３０秒であり、また、領域Ａ５およびＡ６
の最適露光時間は１５秒であるとする。
の動作について説明する。ここでは、図２６（ａ）の構
造を図２６（ｂ）に示される立体形状に整形する場合に
ついて説明する。なお、ここでは、領域Ａ２〜Ａ４の最
適露光時間は３０秒であり、また、領域Ａ５およびＡ６
の最適露光時間は１５秒であるとする。
【００１６】図６を参照すると、メモリ１２０には複数
のマスクデータ７００が記憶される。マスクデータ７０
０はマトリクス液晶表示素子３２１を制御するためのデ
ータである。マスクデータ７００は露光時間７１１とマ
スクパターン７１２とから構成されている。マスクパタ
ーン７１２には、セルＣ１〜Ｃ７の状態に対応する７桁
の２進数が保持される。ここでは、０がオフ状態を示
し、１がオン状態を示すこととする。例えば、図７を参
照すると、マトリクスデータ７１３は、セルＣ２〜Ｃ６
をオン状態とし、この状態を１５秒間継続することを示
している。
のマスクデータ７００が記憶される。マスクデータ７０
０はマトリクス液晶表示素子３２１を制御するためのデ
ータである。マスクデータ７００は露光時間７１１とマ
スクパターン７１２とから構成されている。マスクパタ
ーン７１２には、セルＣ１〜Ｃ７の状態に対応する７桁
の２進数が保持される。ここでは、０がオフ状態を示
し、１がオン状態を示すこととする。例えば、図７を参
照すると、マトリクスデータ７１３は、セルＣ２〜Ｃ６
をオン状態とし、この状態を１５秒間継続することを示
している。
【００１７】図７を参照すると、本動作例では、メモリ
１２０には２つのマスクデータ７１３および７１４が記
憶されている。
１２０には２つのマスクデータ７１３および７１４が記
憶されている。
【００１８】図２を参照すると、信号線１１１に動作開
始の信号を制御回路１１０が受信することにより動作が
開始される。
始の信号を制御回路１１０が受信することにより動作が
開始される。
【００１９】図８を参照すると、ステップ１において、
制御回路１１０は変数ｉを１にセットする。ここで、変
数ｉは制御回路１１０内のレジスタに保持される変数で
ある。
制御回路１１０は変数ｉを１にセットする。ここで、変
数ｉは制御回路１１０内のレジスタに保持される変数で
ある。
【００２０】ステップ２において、制御回路１１０はメ
モリ１２０内に第１番目のデータの存在を確認する。こ
の場合、メモリ１２０にはマトリクスデータ７１３が記
憶されているので、制御回路１１０はステップ３に進
む。
モリ１２０内に第１番目のデータの存在を確認する。こ
の場合、メモリ１２０にはマトリクスデータ７１３が記
憶されているので、制御回路１１０はステップ３に進
む。
【００２１】ステップ３において、制御回路１１０は１
番目のマスクデータであるマトリクスデータ７１３のマ
スクパターン７１２を、メモリ３１３へ転送する。図２
を参照すると、マトリクスデータ７１３のマスクパター
ン７１２は、データバス１６０、入出力回路１４０、信
号線１４１および入出力回路３１１という経路を経てメ
モリ３１３に転送される。図７を参照すると、この場
合、“０１１１１１０”がメモリ３１３へ転送される。
リフレッシュ回路３１２は、メモリ３１３へ転送された
マスクパターン７１２にしたがって、水平駆動装置３２
２及び水力駆動装置３２３を制御し、マトリクス液晶表
示素子３２１へパターンを表示させる。この場合、セル
Ｃ２〜Ｃ６がオンされる。
番目のマスクデータであるマトリクスデータ７１３のマ
スクパターン７１２を、メモリ３１３へ転送する。図２
を参照すると、マトリクスデータ７１３のマスクパター
ン７１２は、データバス１６０、入出力回路１４０、信
号線１４１および入出力回路３１１という経路を経てメ
モリ３１３に転送される。図７を参照すると、この場
合、“０１１１１１０”がメモリ３１３へ転送される。
リフレッシュ回路３１２は、メモリ３１３へ転送された
マスクパターン７１２にしたがって、水平駆動装置３２
２及び水力駆動装置３２３を制御し、マトリクス液晶表
示素子３２１へパターンを表示させる。この場合、セル
Ｃ２〜Ｃ６がオンされる。
【００２２】図８および図２を参照すると、ステップ４
において、制御回路１１０は、メモリ１２０からマトリ
クスデータ７１３に保持された露光時間＝１５秒を読出
し、信号線１５１を介して計時回路１５０にセットす
る。露光時間のセットにより計時回路１５０は計時を開
始する。
において、制御回路１１０は、メモリ１２０からマトリ
クスデータ７１３に保持された露光時間＝１５秒を読出
し、信号線１５１を介して計時回路１５０にセットす
る。露光時間のセットにより計時回路１５０は計時を開
始する。
【００２３】ステップ５において、制御回路１１０は制
御信号線１７０を介して、光源制御回路１３０に制御信
号を送出し、光源２００を点灯する。
御信号線１７０を介して、光源制御回路１３０に制御信
号を送出し、光源２００を点灯する。
【００２４】ステップ６において、制御回路１１０は、
計時回路１５０が計時終了を通知するまで動作を停止し
待機する。信号線１５２を介して計時回路１５０から計
時終了の通知を受信すると、制御回路１１０はステップ
７に動作を進める。
計時回路１５０が計時終了を通知するまで動作を停止し
待機する。信号線１５２を介して計時回路１５０から計
時終了の通知を受信すると、制御回路１１０はステップ
７に動作を進める。
【００２５】図８を参照すると、ステップ７において、
制御回路１１０は変数ｉの値を１つ加算する。ステップ
７を終了すると、制御回路１１０はステップ２に動作を
戻す。
制御回路１１０は変数ｉの値を１つ加算する。ステップ
７を終了すると、制御回路１１０はステップ２に動作を
戻す。
【００２６】ステップ２において、メモリ１２０内には
第２番目のデーダであるマトリスクデータ７１４が存在
するので、制御回路１１０は動作をステップ３に進め
る。
第２番目のデーダであるマトリスクデータ７１４が存在
するので、制御回路１１０は動作をステップ３に進め
る。
【００２７】図８および図７を参照すると、制御回路１
１０はマトリスクデータ７１４のマスクパターンをメモ
リ３１３へ転送する。この場合、“０１１１０００”が
メモリ３１３へ転送される。これにより、マトリクス液
晶表示素子３２１では、セルＣ２〜セルＣ４のみオンさ
れ、それ以外のセルはオフされる。
１０はマトリスクデータ７１４のマスクパターンをメモ
リ３１３へ転送する。この場合、“０１１１０００”が
メモリ３１３へ転送される。これにより、マトリクス液
晶表示素子３２１では、セルＣ２〜セルＣ４のみオンさ
れ、それ以外のセルはオフされる。
【００２８】ステップ４において、制御回路１１０はマ
トリクスデータ７１４に保持された露光時間＝１５秒を
計時回路１５０に設定する。これにより、光源制御回路
１３０は再び計時を開始する。
トリクスデータ７１４に保持された露光時間＝１５秒を
計時回路１５０に設定する。これにより、光源制御回路
１３０は再び計時を開始する。
【００２９】ステップ５において、制御回路１１０は光
源２００を点灯する。この場合、光源２００は既に点灯
されているので、新たな動作は行われない。
源２００を点灯する。この場合、光源２００は既に点灯
されているので、新たな動作は行われない。
【００３０】ステップ６において、制御回路１１０は、
計時回路１５０が設定時間経過の通知を送信するまで動
作を停止して待機する。計時回路１５０から設定時間経
過の通知を受信すると、制御部１００は動作をステップ
７に進める。
計時回路１５０が設定時間経過の通知を送信するまで動
作を停止して待機する。計時回路１５０から設定時間経
過の通知を受信すると、制御部１００は動作をステップ
７に進める。
【００３１】図８を参照すると、ステップ７において、
制御部１００は変数ｉに１を加算して、ステップ２に動
作を戻す。
制御部１００は変数ｉに１を加算して、ステップ２に動
作を戻す。
【００３２】図８および図７を参照すると、ステップ２
において、メモリ１２０内には第３番目のデータは記憶
されていないので、制御回路１１０は動作をステップ８
に進める。
において、メモリ１２０内には第３番目のデータは記憶
されていないので、制御回路１１０は動作をステップ８
に進める。
【００３３】図８を参照すると、ステップ８において、
制御回路１１０は光源２００を消灯する。ステップ８の
終了により、全体の動作も終了する。
制御回路１１０は光源２００を消灯する。ステップ８の
終了により、全体の動作も終了する。
【００３４】図９（ａ）を参照すると、図９（ａ）に
は、上述の一連の動作における、各セルの状態の変化を
示されている。同図を参照すると、セルＣ２〜セルＣ４
は動作開始から３０秒間、セルＣ５およびセルＣ６は動
作開始から１５秒間、それぞれオン状態であったことが
わかる。また、セルＣ１およびセルＣ７は、この動作
中、常時オフ状態である。
は、上述の一連の動作における、各セルの状態の変化を
示されている。同図を参照すると、セルＣ２〜セルＣ４
は動作開始から３０秒間、セルＣ５およびセルＣ６は動
作開始から１５秒間、それぞれオン状態であったことが
わかる。また、セルＣ１およびセルＣ７は、この動作
中、常時オフ状態である。
【００３５】図９（ｂ）を参照すると、各セルを透過し
た光線の累積透過量が示されている。同図では、各セル
の累積透過量を、累積透過量が一番多いセルの値を１０
０パーセントとした比率で表示している。セルＣ５およ
びセルＣ６の累積透過量は、セルＣ２〜セルＣ４の約２
分の１である。
た光線の累積透過量が示されている。同図では、各セル
の累積透過量を、累積透過量が一番多いセルの値を１０
０パーセントとした比率で表示している。セルＣ５およ
びセルＣ６の累積透過量は、セルＣ２〜セルＣ４の約２
分の１である。
【００３６】次に上述の動作により整形された、ポジ形
感光性材料６２０の形状について説明する。上述の動作
において、領域Ａ２〜Ａ４の露光時間は、この領域に好
適な露光時間＝３０秒である。一方、領域Ａ５およびＡ
６の露光時間もこの領域に好適な露光時間＝１５秒であ
る。すなわち、各領域の露光はその領域に最適な露光時
間で行われている。このため、ポジ形感光性材料６２０
には、過剰露光および露光不足なく、図１０に示される
ような理想的な形状に整形される。
感光性材料６２０の形状について説明する。上述の動作
において、領域Ａ２〜Ａ４の露光時間は、この領域に好
適な露光時間＝３０秒である。一方、領域Ａ５およびＡ
６の露光時間もこの領域に好適な露光時間＝１５秒であ
る。すなわち、各領域の露光はその領域に最適な露光時
間で行われている。このため、ポジ形感光性材料６２０
には、過剰露光および露光不足なく、図１０に示される
ような理想的な形状に整形される。
【００３７】次に本実施例の別の実施用態様について説
明する。
明する。
【００３８】第１に、上述の説明では、基板６１０上に
パッド６３０が形成されている場合の立体整形について
説明したが、本発明の適用範囲はこれに制限されるもの
ではない。すなわち、マスクデータ７００を変えること
によりポジ形感光性材料６２０の立体形状を多様な形状
に整形することができる。例えば、マスクデータ７００
として、図１１に示されるようなマスクデータ７１５〜
マスクデータ７１７を使用した場合の、各セルのオン／
オフ状態および光線の累積透過量は、それぞれ図１２
（ａ）および図１２（ｂ）に示されている。すなわち、
セルＣ２およびＣ６の累積透過量はセルＣ４の約３分の
１であり、セルＣ３およびＣ５の累積透過量はセルＣ４
の約３分の２である。したがって、ポジ形感光性材料６
２０は図１３のように立体整形させる。ただし、ここで
はパッド６３０は形成されていない。以上のように、本
発明によれば、複雑なマスクデータを用意することによ
り、ポジ形感光性材料６２０を任意の形状に立体整形す
ることができる。
パッド６３０が形成されている場合の立体整形について
説明したが、本発明の適用範囲はこれに制限されるもの
ではない。すなわち、マスクデータ７００を変えること
によりポジ形感光性材料６２０の立体形状を多様な形状
に整形することができる。例えば、マスクデータ７００
として、図１１に示されるようなマスクデータ７１５〜
マスクデータ７１７を使用した場合の、各セルのオン／
オフ状態および光線の累積透過量は、それぞれ図１２
（ａ）および図１２（ｂ）に示されている。すなわち、
セルＣ２およびＣ６の累積透過量はセルＣ４の約３分の
１であり、セルＣ３およびＣ５の累積透過量はセルＣ４
の約３分の２である。したがって、ポジ形感光性材料６
２０は図１３のように立体整形させる。ただし、ここで
はパッド６３０は形成されていない。以上のように、本
発明によれば、複雑なマスクデータを用意することによ
り、ポジ形感光性材料６２０を任意の形状に立体整形す
ることができる。
【００３９】第２に、上述の説明では、マスクデータと
して図６に示されるような構成のものを採用したが、本
発明の適用範囲はこれに制限されるものではない。例え
ば、図１４に示されるように、マスクデータに、各セル
がオン状態となる時間間隔を保持しても良い。この場
合、制御回路１１０は、設定された時間が経過したセル
から順に、オフ状態にしてゆくことになる。
して図６に示されるような構成のものを採用したが、本
発明の適用範囲はこれに制限されるものではない。例え
ば、図１４に示されるように、マスクデータに、各セル
がオン状態となる時間間隔を保持しても良い。この場
合、制御回路１１０は、設定された時間が経過したセル
から順に、オフ状態にしてゆくことになる。
【００４０】次に本実施例により達成される効果につい
て説明する。
て説明する。
【００４１】本実施例では、マトリクス液晶表示素子３
２１の各セルを所定の時間だけ透過状態としているた
め、基板６１０上の各領域ごとに異なる露光時間で露光
を行うことができる。このため、ポジ形感光性材料６２
０を任意の形状に立体整形することができる。
２１の各セルを所定の時間だけ透過状態としているた
め、基板６１０上の各領域ごとに異なる露光時間で露光
を行うことができる。このため、ポジ形感光性材料６２
０を任意の形状に立体整形することができる。
【００４２】次に第２の実施例について図１５〜図１７
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００４３】第２の実施例の特徴は、図８に示される第
の実施例の動作において、ステップ２の直後に光源２０
０を消灯する動作を挿入したことにあり、それ以外の構
成および動作については第１の実施例の場合と何等変わ
るところはない。
の実施例の動作において、ステップ２の直後に光源２０
０を消灯する動作を挿入したことにあり、それ以外の構
成および動作については第１の実施例の場合と何等変わ
るところはない。
【００４４】まず、第２の実施例の目的について説明す
る。第２の実施例は、マトリクス液晶表示素子３２１が
有するセル数が多量である場合に適用される。セル数が
多量の時、マスクデータ７００のマスクパターン７１２
も膨大になる。このため、メモリ１２０からメモリ３１
３へのマスクパターン７１２の転送には相当の時間が必
要であり、マトリスク液晶表示素子３２１の表示切替に
は相当な時間を要するようになる。図１５には、そのよ
うな場合の各セルの動作が示されている。図１５を参照
すると、各セルはＣ１からＣ７に向かって順に制御さ
れ、各セルの制御には若干の時間の遅れが伴っている。
例えば、図１５の場合、マスクパターン７１２の転送に
は２秒を要している。すなわち、図１５において、マス
クパターン７１２の転送は、０秒〜２秒、１５秒〜１７
秒および３０秒〜３２秒の期間に行われている。そし
て、この期間中、マトリクス液晶表示素子３２１には予
定されたパターンとは異なる、過渡的なパターンが表示
されている。
る。第２の実施例は、マトリクス液晶表示素子３２１が
有するセル数が多量である場合に適用される。セル数が
多量の時、マスクデータ７００のマスクパターン７１２
も膨大になる。このため、メモリ１２０からメモリ３１
３へのマスクパターン７１２の転送には相当の時間が必
要であり、マトリスク液晶表示素子３２１の表示切替に
は相当な時間を要するようになる。図１５には、そのよ
うな場合の各セルの動作が示されている。図１５を参照
すると、各セルはＣ１からＣ７に向かって順に制御さ
れ、各セルの制御には若干の時間の遅れが伴っている。
例えば、図１５の場合、マスクパターン７１２の転送に
は２秒を要している。すなわち、図１５において、マス
クパターン７１２の転送は、０秒〜２秒、１５秒〜１７
秒および３０秒〜３２秒の期間に行われている。そし
て、この期間中、マトリクス液晶表示素子３２１には予
定されたパターンとは異なる、過渡的なパターンが表示
されている。
【００４５】そして、マトリクス液晶表示素子３２１に
過渡的なパターンが表示されることにより、実際の露光
時間がマスクデータ７００の設定とは異なってくること
がある。このように、過渡的なパターンが表示されるこ
とにより、露光時間の制御が不正確になることを防止す
るのが、本実施例の目的である。
過渡的なパターンが表示されることにより、実際の露光
時間がマスクデータ７００の設定とは異なってくること
がある。このように、過渡的なパターンが表示されるこ
とにより、露光時間の制御が不正確になることを防止す
るのが、本実施例の目的である。
【００４６】図１６を参照すると、本実施例では、ステ
ップ２の後に、光源２００を消灯するためのステップ９
が挿入されている。このため、本実施例では、マスクパ
ターン７１２をメモリ１２０からメモリ３１３へ転送す
る期間中、光源２００が消灯される。
ップ２の後に、光源２００を消灯するためのステップ９
が挿入されている。このため、本実施例では、マスクパ
ターン７１２をメモリ１２０からメモリ３１３へ転送す
る期間中、光源２００が消灯される。
【００４７】次に本実施例の動作について説明する。
【００４８】図１７を参照すると、０秒〜２秒、１７秒
〜１９および３４秒〜３６秒の期間中、マトリクス液晶
表示素子３２１には過渡的なパターンが表示されてい
る。一方、この期間中、光源２００は消灯されている。
したがって、この期間中は、マトリクス液晶表示素子３
２１のマスクパターンが露光されることはない。また、
図１６を参照すると、計時回路１５０の計時は、光源２
００が消灯している期間は行われず、光源２００が点灯
してから開始される。このため、動作中に光源２００が
消灯しても、露光時間が減少することはない。
〜１９および３４秒〜３６秒の期間中、マトリクス液晶
表示素子３２１には過渡的なパターンが表示されてい
る。一方、この期間中、光源２００は消灯されている。
したがって、この期間中は、マトリクス液晶表示素子３
２１のマスクパターンが露光されることはない。また、
図１６を参照すると、計時回路１５０の計時は、光源２
００が消灯している期間は行われず、光源２００が点灯
してから開始される。このため、動作中に光源２００が
消灯しても、露光時間が減少することはない。
【００４９】次に本実施例の効果について説明する。
【００５０】本実施例では、マトリクス液晶表示素子３
２１に過渡的なパターンが表示されている期間は光源２
００を消灯するので、ポジ形感光性材料６２０上に過渡
的なパターンが投影されることがない。このため、露光
時間を正確に制御することができる。
２１に過渡的なパターンが表示されている期間は光源２
００を消灯するので、ポジ形感光性材料６２０上に過渡
的なパターンが投影されることがない。このため、露光
時間を正確に制御することができる。
【００５１】次に、第３の実施例について説明する。
【００５２】第３の実施例の特徴は、液晶制御部３１０
に２つのメモリと１つの選択器とを設けたことにあり、
その他の構成については第１の実施例の場合と何等変わ
るところはない。
に２つのメモリと１つの選択器とを設けたことにあり、
その他の構成については第１の実施例の場合と何等変わ
るところはない。
【００５３】まず第３の実施例の構成について説明す
る。図１８を参照すると、本実施例の液晶制御部３１０
は、メモリ３１３、メモリ３１６および選択器３１７を
有する。選択器３１７は、信号線３１８を介して入出力
回路３１１から送出される選択信号に応じて、メモリ３
１３及びメモリ３１６のいずれかの出力を選択する。リ
フレッシュ回路３１２は、メモリ３１３及びメモリ３１
６のうち、選択器３１７により選択される側のメモリの
内容をマトリクス液晶表示素子３２１に表示する。
る。図１８を参照すると、本実施例の液晶制御部３１０
は、メモリ３１３、メモリ３１６および選択器３１７を
有する。選択器３１７は、信号線３１８を介して入出力
回路３１１から送出される選択信号に応じて、メモリ３
１３及びメモリ３１６のいずれかの出力を選択する。リ
フレッシュ回路３１２は、メモリ３１３及びメモリ３１
６のうち、選択器３１７により選択される側のメモリの
内容をマトリクス液晶表示素子３２１に表示する。
【００５４】次に本実施例の動作について説明する。
【００５５】今、選択器３１７によりメモリ３１３が選
択されているとする。このとき、マトリクス液晶表示素
子３２１には、メモリ３１３に格納されたマスクパター
ンが表示される。メモリ３１３に格納されたマスクパタ
ーンの露光時間が終了すると、制御部１００から新たな
マスクパターンが送出される。このとき、入出力回路３
１１は、受信した表示データを、メモリ３１３とメモリ
３１６のうち選択器３１７により選択されていないもの
に送出する。ここでは、メモリ３１６に新たなマスクパ
ターンが送出される。新たなマスクパターンがメモリ３
１６に格納された後、入出力回路３１１は選択器３１７
に選択信号を送信し、選択器３１７によりメモリ３１６
に選択させる。これにより、マトリクス液晶表示素子３
２１にはメモリ３１６に格納された、新たなマスクパタ
ーンが表示される。このとき、新たなマスクパターン
は、メモリ３１６に全て格納されているので、マトリク
ス液晶表示素子３２１の表示は瞬時に切り替わり、過渡
的なパターンが表示されることはない。
択されているとする。このとき、マトリクス液晶表示素
子３２１には、メモリ３１３に格納されたマスクパター
ンが表示される。メモリ３１３に格納されたマスクパタ
ーンの露光時間が終了すると、制御部１００から新たな
マスクパターンが送出される。このとき、入出力回路３
１１は、受信した表示データを、メモリ３１３とメモリ
３１６のうち選択器３１７により選択されていないもの
に送出する。ここでは、メモリ３１６に新たなマスクパ
ターンが送出される。新たなマスクパターンがメモリ３
１６に格納された後、入出力回路３１１は選択器３１７
に選択信号を送信し、選択器３１７によりメモリ３１６
に選択させる。これにより、マトリクス液晶表示素子３
２１にはメモリ３１６に格納された、新たなマスクパタ
ーンが表示される。このとき、新たなマスクパターン
は、メモリ３１６に全て格納されているので、マトリク
ス液晶表示素子３２１の表示は瞬時に切り替わり、過渡
的なパターンが表示されることはない。
【００５６】次に、本実施例の効果について説明する。
【００５７】本実施例では、液晶制御部３１０に２つの
メモリを設け、選択器により選択されたメモリに記憶さ
れたマスクパターンを表示させるようにした。そして、
マトリクス液晶表示素子３２１のマスクパターンを切り
替えるときには、新たなマスクパターンを選択されてい
ない側のメモリに予め記憶した後、選択器によりこのメ
モリの内容を選択させるようにした。したがって、マト
リクス液晶表示素子３２１の表示切替が順次に行われ、
過渡的なパターンが表示されることはない。このため、
露光時間を正確に制御することができる。
メモリを設け、選択器により選択されたメモリに記憶さ
れたマスクパターンを表示させるようにした。そして、
マトリクス液晶表示素子３２１のマスクパターンを切り
替えるときには、新たなマスクパターンを選択されてい
ない側のメモリに予め記憶した後、選択器によりこのメ
モリの内容を選択させるようにした。したがって、マト
リクス液晶表示素子３２１の表示切替が順次に行われ、
過渡的なパターンが表示されることはない。このため、
露光時間を正確に制御することができる。
【００５８】次に、本発明の第４の実施例について説明
する。
する。
【００５９】本実施例の特徴は、液晶モジュール３２０
に階調電圧発生部３２９を設けた点にあり、それ以外の
点については第１の実施例の場合と何等変わるところは
ない。
に階調電圧発生部３２９を設けた点にあり、それ以外の
点については第１の実施例の場合と何等変わるところは
ない。
【００６０】まず、本実施例の構成について説明する。
本実施例では、液晶モジュール３２０に階調電圧発生部
３２９が設けられている。階調電圧発生部３２９はリフ
レッシュ回路３１２から信号線３１９を介して送出され
る制御信号により、段階的な電圧（以下、階調電圧とい
う）を発生し、水平駆動装置３２２および垂直駆動装置
３２３に供給する。水平駆動装置３２２および垂直駆動
装置３２３は階調電圧発生部３２９から階調電圧発生部
を供給されることにより、マトリクス液晶表示素子３２
１のセルを中間濃度に制御する。ここで、中間濃度と
は、透過状態（オン状態）と、遮蔽状態（オフ状態）の
中間の状態で、一定の透過率で光線を透過する状態をい
う。
本実施例では、液晶モジュール３２０に階調電圧発生部
３２９が設けられている。階調電圧発生部３２９はリフ
レッシュ回路３１２から信号線３１９を介して送出され
る制御信号により、段階的な電圧（以下、階調電圧とい
う）を発生し、水平駆動装置３２２および垂直駆動装置
３２３に供給する。水平駆動装置３２２および垂直駆動
装置３２３は階調電圧発生部３２９から階調電圧発生部
を供給されることにより、マトリクス液晶表示素子３２
１のセルを中間濃度に制御する。ここで、中間濃度と
は、透過状態（オン状態）と、遮蔽状態（オフ状態）の
中間の状態で、一定の透過率で光線を透過する状態をい
う。
【００６１】次に本実施例におけるマスクデータの構成
について説明する。
について説明する。
【００６２】図２０を参照すると、本実施例のマスクデ
ータは、露光時間７１８と透過率パターン７１９とを保
持する。透過率パターン７１９には、各セルの透過率が
保持されている。
ータは、露光時間７１８と透過率パターン７１９とを保
持する。透過率パターン７１９には、各セルの透過率が
保持されている。
【００６３】次に本実施例の動作について説明する。
【００６４】メモリ１２０に図２１に示されるマトリク
スデータ７２０が記憶されている場合について説明す
る。この場合、セルＣ１〜セルＣ７の透過率は、図２２
（ａ）に示されるように、セルＣ１およびセルＣ７では
０パーセント、セルＣ５およびセルＣ６では５０パーセ
ント、セルＣ２〜セルＣ４では１００パーセントに設定
される。このため、光の累積透過量は図２２（ｂ）に示
されるようになる。そして、図２２（ｂ）および図９
（ｂ）を参照すると、本実施例における光の累積透過量
は第１の実施例の図９（ｂ）の場合と変わらない。この
ため、本実施例においても、ポジ形感光性材料６２０を
図１０と同様の形状に整形することができる。
スデータ７２０が記憶されている場合について説明す
る。この場合、セルＣ１〜セルＣ７の透過率は、図２２
（ａ）に示されるように、セルＣ１およびセルＣ７では
０パーセント、セルＣ５およびセルＣ６では５０パーセ
ント、セルＣ２〜セルＣ４では１００パーセントに設定
される。このため、光の累積透過量は図２２（ｂ）に示
されるようになる。そして、図２２（ｂ）および図９
（ｂ）を参照すると、本実施例における光の累積透過量
は第１の実施例の図９（ｂ）の場合と変わらない。この
ため、本実施例においても、ポジ形感光性材料６２０を
図１０と同様の形状に整形することができる。
【００６５】次に本実施例の効果について説明する。
【００６６】本発明の第４の実施例では、液晶モジュー
ル３２０に階調電圧発生部３２９を設け、各セルの透過
率を任意に設定できるようにした。このため、第１の実
施例と同様に、ポジ形感光性材料６２０を所望の形状に
立体整形することができる。また、露光動作中に、マト
リクス液晶表示素子３２１のマスクパターンが変化しな
ので、露光時間を正確に制御することができる。
ル３２０に階調電圧発生部３２９を設け、各セルの透過
率を任意に設定できるようにした。このため、第１の実
施例と同様に、ポジ形感光性材料６２０を所望の形状に
立体整形することができる。また、露光動作中に、マト
リクス液晶表示素子３２１のマスクパターンが変化しな
ので、露光時間を正確に制御することができる。
【００６７】次に本発明により、ネガ形の感光材料を露
光した場合について説明する。ネガ形の感光材料の場
合、露光された部分が硬化し、未硬化の部分が除去され
る。ここでは、一例として、本発明の第１の実施例を用
いてネガ形感光材料を露光した場合について説明する。
光した場合について説明する。ネガ形の感光材料の場
合、露光された部分が硬化し、未硬化の部分が除去され
る。ここでは、一例として、本発明の第１の実施例を用
いてネガ形感光材料を露光した場合について説明する。
【００６８】第１の実施例において、メモリ１２０には
マスクデータ７２１〜７２３が記憶されているとする。
このとき、各セルの状態は、図２４（ａ）に示されるよ
うに変化する。さらに、このときの各セルの累積露光量
は図２４（ｂ）に示されている。図２５を参照すると、
この動作により、ネガ形感光材料６５０の領域Ａ２〜Ａ
６の下部には、未硬化の部分が残存する。ネガ形感光材
料６５０のうち、未硬化の部分は、後の処理により除去
されるため、ネガ形感光材料６５０は図２５に示される
ような形状に立体整形される。
マスクデータ７２１〜７２３が記憶されているとする。
このとき、各セルの状態は、図２４（ａ）に示されるよ
うに変化する。さらに、このときの各セルの累積露光量
は図２４（ｂ）に示されている。図２５を参照すると、
この動作により、ネガ形感光材料６５０の領域Ａ２〜Ａ
６の下部には、未硬化の部分が残存する。ネガ形感光材
料６５０のうち、未硬化の部分は、後の処理により除去
されるため、ネガ形感光材料６５０は図２５に示される
ような形状に立体整形される。
【００６９】
【発明の効果】本発明の第１の実施例では、マトリクス
液晶表示素子３２１に表示されるマスクパターンを時間
的に変化させるようにし、各領域毎に異なる露光時間で
露光するようにした。このため、ポジ形感光材料を任意
の形状に立体整形することができる。
液晶表示素子３２１に表示されるマスクパターンを時間
的に変化させるようにし、各領域毎に異なる露光時間で
露光するようにした。このため、ポジ形感光材料を任意
の形状に立体整形することができる。
【００７０】また、本発明の別の実施例では、上述の第
１の実施例の効果に加えて、以下の効果をも達成するこ
とができる。
１の実施例の効果に加えて、以下の効果をも達成するこ
とができる。
【００７１】本発明の第２の実施例では、マトリクス液
晶表示素子３２１の表示を切り替える際に光源２００を
消灯するようにしたので、過渡的なパターンが露光され
ることが防止される。このため、露光時間を正確に制御
することができる。
晶表示素子３２１の表示を切り替える際に光源２００を
消灯するようにしたので、過渡的なパターンが露光され
ることが防止される。このため、露光時間を正確に制御
することができる。
【００７２】本発明の第３の実施例では、液晶制御部３
１０に２つのメモリを設け、このメモリを切り替えるこ
とにより、マトリクス液晶表示素子３２１の表示切替を
行っている。これにより、過渡的なパターンの表示が防
止され、露光時間を正確に制御することができる。
１０に２つのメモリを設け、このメモリを切り替えるこ
とにより、マトリクス液晶表示素子３２１の表示切替を
行っている。これにより、過渡的なパターンの表示が防
止され、露光時間を正確に制御することができる。
【００７３】本発明の第４の実施例では、液晶モジュー
ル３２０に階調電圧発生部３２９を設け、マトリクス液
晶表示素子３２１に中間濃度のパターンを表示させるよ
うにした。このため、マトリクス液晶表示素子３２１の
表示を切り替える必要がなく、露光時間を正確に制御す
ることができる。
ル３２０に階調電圧発生部３２９を設け、マトリクス液
晶表示素子３２１に中間濃度のパターンを表示させるよ
うにした。このため、マトリクス液晶表示素子３２１の
表示を切り替える必要がなく、露光時間を正確に制御す
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図。
【図２】本発明の第１の実施例を示すブロック図。
【図３】液晶表示部３００の構成を示すブロック図。
【図４】マトリクス液晶表示素子３２１の構成を示す
図。
図。
【図５】本発明の第１の実施例を示す図
【図６】マスクデータ７００の構成を示す図
【図７】メモリ１２０に格納されるマスクデータ７００
の一例を示す図。
の一例を示す図。
【図８】本発明の第１の実施例の動作を示す流れ図。
【図９】（ａ）は、本発明の第１の実施例の動作を示す
タイムチャート。（ｂ）は、各セルを透過する光線の累
積透過光量を示す図。
タイムチャート。（ｂ）は、各セルを透過する光線の累
積透過光量を示す図。
【図１０】本発明の第１の実施例により立体整形された
ポジ形感光性材料６２０を示す図。
ポジ形感光性材料６２０を示す図。
【図１１】メモリ１２０に格納される別のマスクデータ
７００を示す図。
７００を示す図。
【図１２】（ａ）は、本発明の第１の実施例の別の動作
を示す図。（ｂ）は、各セルを透過する光線の累積透過
光量を示す図。
を示す図。（ｂ）は、各セルを透過する光線の累積透過
光量を示す図。
【図１３】本発明の第１の実施例により立体整形された
ポジ形感光性量６２０を示す図。
ポジ形感光性量６２０を示す図。
【図１４】マスクデータ７００の別の構成を示す図。
【図１５】本発明の第１の実施例の動作を示す図。
【図１６】本発明の第２の実施例の動作を示す流れ図。
【図１７】本発明の第２の実施例の動作を示すタイムチ
ャート。
ャート。
【図１８】本発明の第３の実施例を示すブロック図。
【図１９】本発明の第４の実施例を示すブロック図。
【図２０】本発明の第４の実施例における、マスクデー
タ７００の構成を示す図。
タ７００の構成を示す図。
【図２１】マスクデータ７００の一例を示す図。
【図２２】（ａ）は、本発明の第４の実施例の動作を示
すタイムチャート。（ｂ）は、各セルを通過する光線の
累積透過光量を示す図。
すタイムチャート。（ｂ）は、各セルを通過する光線の
累積透過光量を示す図。
【図２３】マスクデータ７００の一例を示す図。
【図２４】（ａ）は、本発明の第１の実施例の動作を示
すタイムチャート。（ｂ）は、各セルを透過する光線の
累積透過光量を示す図。
すタイムチャート。（ｂ）は、各セルを透過する光線の
累積透過光量を示す図。
【図２５】本発明の第１の実施例により露光されたネガ
形感光材料６５０を示す図。
形感光材料６５０を示す図。
【図２６】（ａ）〜（ｅ）は、従来技術を示す図。
１００ 制御部 １１０ 制御回路 １１１ 信号線 １２０ メモリ １３０ 光源制御回路 １４０ 入出力回路 １４１ 信号線 １４２ 信号線 １５０ 計時回路 １５１ 信号線 １５２ 信号線 １６０ データバス １７０ 制御信号線 ２００ 光源 ３００ 液晶表示部 ３１０ 液晶制御部 ３１１ 入出力回路 ３１２ リフレッシュ回路 ３１３ メモリ ３１４ 信号線 ３１５ 信号線 ３１６ メモリ ３１７ 選択器 ３１８ 信号線 ３１９ 信号線 ３２０ 液晶モジュール ３２１ マトリクス液晶表示素子 ３２２ 水平駆動装置 ３２３ 垂直駆動装置 ３２４ 電源 ３２５ 電源線 ３２６ 電源線 ３２９ 階調電圧熱酸化 ４００ 投影レンズ ５００ ＸＹステージ ６１０ 基板 ６２０ ポジ形感光性材料 ６３０ パッド ６４０ フォトマスク ７００ マスクデータ ７１１ 露光時間 ７１２ マスクパターン ７１３〜７１４ マスクデータ ７１８ 露光時間 ７１９ 透過率パターン ７１５〜７１７ マスクデータ ７２０〜７２３ マスクデータ Ｃ１〜Ｃ７ セル
Claims (5)
- 【請求項１】光源と、 この光源により露光されるマスクパターンを表示する液
晶表示素子と、 この液晶表示素子に表示させるマスクパターンが記憶さ
れる第１の記憶手段と、 前記マスクパターンと該マスクパターンの露光時間との
組を複数保持する第２の記憶手段と、 前記露光時間の経過を計時する計時手段と、 前記第２の記憶手段に記憶されたマスクパターンと露光
時間との組を順次読出し、該マスクパターンを前記第１
の記憶手段に転送するとともに、前記計時手段により露
光時間の経過が通知されるまでは、新たなマスクパター
ンの第１の記憶手段への転送を停止する転送手段とを有
することを特徴とする厚膜配線パターンの露光装置。 - 【請求項２】前記第２の記憶手段に記憶された複数のマ
スクパターンを同一の感光性材料に順次露光することに
より、該感光材料の厚さ方向の形状を整形することを特
徴とする請求項１記載の厚膜配線パターンの露光装置を
使用した感光材料の整形方法。 - 【請求項３】前記液晶表示素子に表示させるマスクパタ
ーンを変化させるときに、一時的に前記光源を消灯する
とともに、該光源の消灯中は前記計時手段の計時を停止
することを特徴とする、請求項１記載の厚膜配線パター
ンの露光装置。 - 【請求項４】前記第１の記憶手段は、第３の記憶手段
と、第４の記憶手段と、前記第３の記憶手段の内容と前
記第４の記憶手段の内容の一方を選択する選択器とを有
することを特徴とする請求項１記載の厚膜配線パターン
の露光装置。 - 【請求項５】光源と、 この光源により露光されるマスクパターンを表示する、
中間濃度が表示可能な液晶表示素子と、 前記マスクパターンの該マスクパターンの露光時間との
組を複数保持する第２の記憶手段と、 この第２の記憶手段に記憶された、マスクパターンと露
光時間との組を読出し、該露光時間の間、該マスクパタ
ーンを前記液晶表示素子に表示する表示手段とを有する
厚膜配線パターンの露光装置において、 前記マスクパターンには、前記液晶素子の各セルの透過
率に対応するものが保持されることを特徴とする厚膜配
線パターンの露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148744A JP2616660B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 厚膜配線パターンの露光装置および厚膜の成形方法 |
| CA002126271A CA2126271C (en) | 1993-06-21 | 1994-06-20 | A process for forming a photosensitive material and an exposure apparatus used for the process |
| EP94109501A EP0632330B1 (en) | 1993-06-21 | 1994-06-20 | A process for forming a photosensitive material and an exposure apparatus used for the process |
| DE69418383T DE69418383T2 (de) | 1993-06-21 | 1994-06-20 | Verfahren zur Bildung eines lichtempfindlichen Materials und eine beim Verfahren angewendete Belichtungsvorrichtung |
| US08/262,934 US5742362A (en) | 1993-03-21 | 1994-06-21 | Process for forming a photosensitive material and an exposure apparatus used for the process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5148744A JP2616660B2 (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 厚膜配線パターンの露光装置および厚膜の成形方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0713337A true JPH0713337A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2616660B2 JP2616660B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=15459656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5148744A Expired - Lifetime JP2616660B2 (ja) | 1993-03-21 | 1993-06-21 | 厚膜配線パターンの露光装置および厚膜の成形方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5742362A (ja) |
| EP (1) | EP0632330B1 (ja) |
| JP (1) | JP2616660B2 (ja) |
| CA (1) | CA2126271C (ja) |
| DE (1) | DE69418383T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010113270A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Toppan Printing Co Ltd | 微小立体構造の製造方法及びそれに用いる露光用マスク |
| JP2015514318A (ja) * | 2012-03-22 | 2015-05-18 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ コロラド，ア ボディー コーポレイトＴＨＥ ＲＥＧＥＮＴＳ ＯＦ ＴＨＥ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＯＦ ＣＯＬＯＲＡＤＯ，ａ ｂｏｄｙ ｃｏｒｐｏｒａｔｅ | 液体デポジションフォトリソグラフィ |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19522936C2 (de) * | 1995-06-23 | 1999-01-07 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zum Strukturieren einer photolithographischen Schicht |
| US6268893B1 (en) * | 1996-03-11 | 2001-07-31 | American Bank Note Holographics | Method and apparatus for a fringe direct writing system |
| DE19623835C2 (de) * | 1996-06-14 | 1999-09-23 | Agfa Gevaert Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Belichten von fotografischem Aufzeichnungsmaterial sowie fotografisches Kopiergerät |
| US6291110B1 (en) * | 1997-06-27 | 2001-09-18 | Pixelligent Technologies Llc | Methods for transferring a two-dimensional programmable exposure pattern for photolithography |
| KR100280832B1 (ko) * | 1997-12-02 | 2001-04-02 | 정선종 | 노광 장비용 프로그래머블 마스크 |
| US6136509A (en) * | 1998-06-05 | 2000-10-24 | Creo Srl | Method of exposing thermoresist |
| US6387597B1 (en) | 1998-06-05 | 2002-05-14 | Creo Srl | Method for exposing features on non-planar resists |
| US6593064B1 (en) | 1998-06-19 | 2003-07-15 | Creo Inc. | High resolution optical stepper |
| US6590635B2 (en) | 1998-06-19 | 2003-07-08 | Creo Inc. | High resolution optical stepper |
| US6356340B1 (en) * | 1998-11-20 | 2002-03-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Piezo programmable reticle for EUV lithography |
| DE19914583A1 (de) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Kaiser Michael | Lithographiegerät zur Erzeugung von Strukturen für mikromechanische und halbleitertechnische Anwendungen |
| EP1107064A3 (en) * | 1999-12-06 | 2004-12-29 | Olympus Optical Co., Ltd. | Exposure apparatus |
| JP2001185476A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | 投影露光装置 |
| JP2001274062A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパターンの形成方法及び露光装置 |
| US6464692B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-10-15 | Luis Antonio Ruiz | Controllable electro-optical patternable mask, system with said mask and method of using the same |
| US6436093B1 (en) | 2000-06-21 | 2002-08-20 | Luis Antonio Ruiz | Controllable liquid crystal matrix mask particularly suited for performing ophthamological surgery, a laser system with said mask and a method of using the same |
| KR100816340B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2008-03-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 제조용 노광 마스크와 이를 이용한 액정표시 장치 제조에서의 기판의 노광 방법 |
| US6989603B2 (en) * | 2001-10-02 | 2006-01-24 | Guobiao Zhang | nF-Opening Aiv Structures |
| TW556043B (en) * | 2001-11-30 | 2003-10-01 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus, device manufacturing method and device manufactured by said method |
| EP1316850A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN1467517A (zh) * | 2002-06-07 | 2004-01-14 | ��ʿ��Ƭ��ʽ���� | 光布线电路制造方法及具有该光布线电路的光布线基板 |
| US7012674B2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | Maskless optical writer |
| US8889416B2 (en) * | 2010-01-21 | 2014-11-18 | California Institute Of Technology | Methods and devices for micro-isolation, extraction, and/or analysis of microscale components |
| JP6337757B2 (ja) * | 2014-01-20 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 露光装置、レジストパターン形成方法及び記憶媒体 |
| US9920315B2 (en) | 2014-10-10 | 2018-03-20 | California Institute Of Technology | Methods and devices for micro-isolation, extraction, and/or analysis of microscale components in an array |
| DE102016211511A1 (de) * | 2016-06-27 | 2017-12-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungseinheit für die Mikrolithographie |
| CN112808549B (zh) * | 2021-02-02 | 2024-05-31 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种光处理设备 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172723A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS608844A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
| JPS6299753A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Fujitsu Ltd | 立体形状の形成方法 |
| JPS62109049A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微小光学素子の製造方法 |
| JPS62291088A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | カシオ計算機株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| JPH0355553A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-11 | Kuraray Co Ltd | 露光装置 |
| JPH03201423A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
| JPH06194844A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Sharp Corp | 露光装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1308596C (en) * | 1986-01-13 | 1992-10-13 | Rohm And Haas Company | Microplastic structures and method of manufacture |
| US4675702A (en) * | 1986-03-14 | 1987-06-23 | Gerber Scientific Inc. | Photoplotter using a light valve device and process for exposing graphics |
| JPS63129619A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Toshiba Corp | パタ−ン露光方法およびパタ−ン露光転写用マスク |
| US5082755A (en) * | 1989-10-02 | 1992-01-21 | General Electric Company | Liquid crystal programmable photoresist exposure method for making a set of masks |
| AU7166291A (en) * | 1989-12-22 | 1991-07-24 | Manufacturing Sciences, Inc. | Programmable masking apparatus |
| KR930008139B1 (en) * | 1990-08-30 | 1993-08-26 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for preparation of pattern |
-
1993
- 1993-06-21 JP JP5148744A patent/JP2616660B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-20 EP EP94109501A patent/EP0632330B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-20 DE DE69418383T patent/DE69418383T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-06-20 CA CA002126271A patent/CA2126271C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-21 US US08/262,934 patent/US5742362A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59172723A (ja) * | 1983-03-22 | 1984-09-29 | Nec Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS608844A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-17 | Pioneer Electronic Corp | 電子ビームによるレジスト加工方法 |
| JPS6299753A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | Fujitsu Ltd | 立体形状の形成方法 |
| JPS62109049A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微小光学素子の製造方法 |
| JPS62291088A (ja) * | 1986-06-10 | 1987-12-17 | カシオ計算機株式会社 | 回路基板の製造方法 |
| JPH0355553A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-11 | Kuraray Co Ltd | 露光装置 |
| JPH03201423A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 露光装置 |
| JPH06194844A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Sharp Corp | 露光装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010113270A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Toppan Printing Co Ltd | 微小立体構造の製造方法及びそれに用いる露光用マスク |
| JP2015514318A (ja) * | 2012-03-22 | 2015-05-18 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ コロラド，ア ボディー コーポレイトＴＨＥ ＲＥＧＥＮＴＳ ＯＦ ＴＨＥ ＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ ＯＦ ＣＯＬＯＲＡＤＯ，ａ ｂｏｄｙ ｃｏｒｐｏｒａｔｅ | 液体デポジションフォトリソグラフィ |
| US10162264B2 (en) | 2012-03-22 | 2018-12-25 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Liquid deposition photolithography |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2126271A1 (en) | 1994-12-22 |
| EP0632330B1 (en) | 1999-05-12 |
| DE69418383D1 (de) | 1999-06-17 |
| JP2616660B2 (ja) | 1997-06-04 |
| EP0632330A2 (en) | 1995-01-04 |
| US5742362A (en) | 1998-04-21 |
| CA2126271C (en) | 2000-10-17 |
| EP0632330A3 (en) | 1996-09-18 |
| DE69418383T2 (de) | 1999-09-23 |
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| Date | Code | Title | Description |
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