JPH03201429A - 縦型ｃｖｄ装置用ウエハホルダー - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は縦型ＣＶＤ装置用ウェハホルダーに関するも
のである。

〔従来の技術〕

第５図及び第７図は従来用いられていたウェハホルダー
の斜視図、第６図及び第８図は、第５図及び第７図のそ
れぞれ断面図である。図において、［１１はホルダー本
体、（２）はウェハ保持用位置決めピン、（３）はウェ
ハである。ウェハ（３）は双方共ウェハの表面が装置な
どに触れない様にする為、図示矢印の如（ｆａｃｅ　ｕ
ｐ　（フェースアップ）で置かれる。

半導体の電極及び配線材料としては、多結晶シリコンを
減圧ＣＶＤ装置で形成する方法が一般的に用いられてい
るが、この方法ではガス対流によりウェハ周辺部が厚く
なる。このためウェハホルダーを使用してウェハ周辺部
の厚みを軽減する。

次に動作について説明する。第５図第６図において、ホ
ルダー本体（１）上にウェハ（３）を載せると、ホルダ
ー本体（１）にはガス対流によって厚い膜が形成される
が、ウェハ（３）の周辺部での対流はホルダー　本体（
１１での対流に較べ小さいので、ウェハ（３）の周辺部
の厚さを軽減できる。第７図第８図ばウェハ（３）をウ
ェハ保持用位置決めピン（２）の上に載せ、自動機の対
応ができるようにしたものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のウェハホルダーＣま以上のように構成されていた
ので、第５図第６図のものでは自動機での対応ができず
、また第７図第８図のものではピンによるガス対流で均
一性が低下するなどの問題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ウェハ面内の均一性を向上できろと共に、自
動機での対応を可能とし、ノｆ−ティクルの少ない膜形
成が可能なウエノ）ホルダーを１輝ることを目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係るウェハホルダーは、ホルダー本体とウニ
への間に円筒状の台座を設け、乙の台座に自動機又はピ
ンセット用の切り込みを入れたものである。

〔作用〕

この発明におけろウェハホルダーは、切り込みを入れた
円筒状の台座を設けることにより、ウェハ面内の均一性
を向上できると共に自動機での対応が可能となる。

〔発明の実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図及び第３図はこの発明の一実施例によろウェハホルダ
ーの斜視図を示し、第２図及び第４図は第１図及び第３
図のそれぞれ断面図を示す。

図において、（１１はホルダー本体、（２）はウエノ）
設置用台座、（３）はウェハ、（４）は台座（２）の切
り込み部である。またウェハ（３）は図示矢印の如くフ
ェースアップに置かれる。

ホルダー本体（１１上にある台座（２）にウェハ（３）
を設置すると、ガスの流れが一様になるため、均一な膜
が形成できろ。さらに台座（２１に切り込み（４）を入
れることにより、自動機での対応が可能となり、パーテ
ィクルを減少させることができろ。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、ウェハホルダーとウェ
ハの間に切り込みを入れた円筒状の台座を設けたので、
ウェハ面内の均一性が向上できろと共に、自動機との対
応が可能となり、パーティクルの減少が図れるという効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第３図はこの発明の一実施例によろウェハホ
ルダーの斜視図、第２図及び第４図は第１図及び第３図
のそれぞれ断面図、第５図及び第７図は従来のウェハホ
ルダーの斜視図、第６図及び第８図は第５図及び第７図
のそれぞれ断面図である。 図において、（１）はホルダー本体、（２）はウエノ）
設置用台座、（３）はウェハ、（４）は台座（２）の切
り込み部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ウェハホルダーとウェハの間に円筒状の台座を設置し、
   この台座に自動機、又はピンセット用の切り込みを入れ
   たことを特徴とする縦型ＣＶＤ装置用ウェハホルダー。