JPH03201571A - 波長多重受光装置 - Google Patents
波長多重受光装置Info
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- JPH03201571A JPH03201571A JP1342454A JP34245489A JPH03201571A JP H03201571 A JPH03201571 A JP H03201571A JP 1342454 A JP1342454 A JP 1342454A JP 34245489 A JP34245489 A JP 34245489A JP H03201571 A JPH03201571 A JP H03201571A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（目 次〕
産業上の利用分野
従来の技術（第５図）
発明が解決しようとする課題
課題を解決するための手段
作用
実施例
（ａ）本発明の第１の実施例の説明（第１図、第２図）
（ｂ）本発明の第２の実施例の説明（第３図、第２図）
（ｃ）本発明の第３の実施例の説明（第４図、第２図）
発明の効果
〔概 要〕
波長多重通信を可能にする波長多重受光装置に関し、
リーク電流を抑制するとともに、接合容量を小さくする
ことを目的とし、 一導電型の短波長光吸収層と一導電型の長波長光吸収層
とを基板の上下側に設けるとともに、前記短波長光吸収
層及び前記長波長光吸収層のうち前記基板と反対側の面
に、不純物拡散による反対導電型層を形成することを含
み構成する。
ことを目的とし、 一導電型の短波長光吸収層と一導電型の長波長光吸収層
とを基板の上下側に設けるとともに、前記短波長光吸収
層及び前記長波長光吸収層のうち前記基板と反対側の面
に、不純物拡散による反対導電型層を形成することを含
み構成する。
本発明は、波長多垂通信を可能にする波長多重受光装置
に関する。
に関する。
（従来の技術〕
光通信を行う場合に、波長が相違する複数の光信号を重
ねて送信し、これを受光素子によって波長毎に電気信号
に変換する装置が提案されている。
ねて送信し、これを受光素子によって波長毎に電気信号
に変換する装置が提案されている。
この装置は、波長多重光信号をプリズムやフィルター等
からなる分波器によって単一波長の光信号に分け、それ
ぞれを別々な受光素子によって電気信号に変換していた
。
からなる分波器によって単一波長の光信号に分け、それ
ぞれを別々な受光素子によって電気信号に変換していた
。
しかし、このような構成では部品点数が多くなるので、
波長多重受光装置の小型化が妨げられることになる。
波長多重受光装置の小型化が妨げられることになる。
そこで、分波器を用いない受光装置として、第５図（ａ
）に示すように、Ｐ９型ＴｎＰＭ５０の上層に短波長光
を吸収するＮ型のＩｎＧａＡｓＰ層５１を設ける一方、
その下層に長波長光を吸収するＮ型のＩｎＧａＡｓ層５
２を積層することにより、Ｐ１型ＴｎＰｗ４５０とＮ型
ＩｎＧａＡｓＰ 層５１からなる第１の光ダイオードＤ
、と、Ｐ′″型ＩｎＰ層５０とＮ型ＩｎＧａＡｓ層５２
よりなる第２の光ダイオードＤｔを一体的に形成し、第
５図（ｂ）に示すような回路を構成する装置が提案され
ている。
）に示すように、Ｐ９型ＴｎＰＭ５０の上層に短波長光
を吸収するＮ型のＩｎＧａＡｓＰ層５１を設ける一方、
その下層に長波長光を吸収するＮ型のＩｎＧａＡｓ層５
２を積層することにより、Ｐ１型ＴｎＰｗ４５０とＮ型
ＩｎＧａＡｓＰ 層５１からなる第１の光ダイオードＤ
、と、Ｐ′″型ＩｎＰ層５０とＮ型ＩｎＧａＡｓ層５２
よりなる第２の光ダイオードＤｔを一体的に形成し、第
５図（ｂ）に示すような回路を構成する装置が提案され
ている。
この装置によれば、二つの波長λ１．λ２を重ねた光信
号を上から照射することにより、波長の短い光信号λ１
を第１の光ダイオードＤ、によって電気信号に変換する
一方、波長の長い光信号λ２を第２の光ダイオードＤ、
により変換することが可能になり、波長多重受光装置を
小型化することができるようになる。
号を上から照射することにより、波長の短い光信号λ１
を第１の光ダイオードＤ、によって電気信号に変換する
一方、波長の長い光信号λ２を第２の光ダイオードＤ、
により変換することが可能になり、波長多重受光装置を
小型化することができるようになる。
ところで、この装置を形成する場合には、Ｎ＋型ＩｎＰ
ａ板５３の上に、Ｎ型１ｎＰのバッファ層５４、Ｎ型
ｒｎＧａＡｓよりなる長波長光吸収層５２、Ｐ０型Ｔｎ
Ｐ層５０、Ｎ型１ｎＧａＡｓＰよりなる短波長光吸収１
５１及びＮ１型ＴｎＰよりなるキャップ層５５を順に形
成する。
ａ板５３の上に、Ｎ型１ｎＰのバッファ層５４、Ｎ型
ｒｎＧａＡｓよりなる長波長光吸収層５２、Ｐ０型Ｔｎ
Ｐ層５０、Ｎ型１ｎＧａＡｓＰよりなる短波長光吸収１
５１及びＮ１型ＴｎＰよりなるキャップ層５５を順に形
成する。
また、短波長光吸収Ｊｉ５１及びキャップ層５５の側方
をフォトリソグラフィー法等によりエツチングしてメサ
形状にする。
をフォトリソグラフィー法等によりエツチングしてメサ
形状にする。
そして、第１及び第２の光ダイオードＤ、、Ｄ。
のアノード共通電極ＡをＰ゛型１ｎＰ層５０の上部に形
成するとともに、第１の光ダイオードＤ、のカソード電
極ＣＩをキャップｊｉ１５５の上部周縁に設け、また、
第２の光ダイオードＤ２のカソード電極Ｃ２を基板５３
の下面に形成するようにしている。
成するとともに、第１の光ダイオードＤ、のカソード電
極ＣＩをキャップｊｉ１５５の上部周縁に設け、また、
第２の光ダイオードＤ２のカソード電極Ｃ２を基板５３
の下面に形成するようにしている。
このため、メサ状に形成された第１の光ダイオードＤ１
の段部Ｂにリーク電流が流れたり、あるいは、広く形成
される第２の光ダイオードＤ２のＰＮ接合面による接合
容量が大きくなるといった問題がある。
の段部Ｂにリーク電流が流れたり、あるいは、広く形成
される第２の光ダイオードＤ２のＰＮ接合面による接合
容量が大きくなるといった問題がある。
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、リーク電流を抑制するとともに、接合容量を小さくす
ることができる波長多重受光装置を提（Ｉｔすることを
目的とする。
、リーク電流を抑制するとともに、接合容量を小さくす
ることができる波長多重受光装置を提（Ｉｔすることを
目的とする。
（Ｌｉ！題を解決するための手段］
上記した課題は、第１図に例示するように、導電型の短
波長光吸収層２と一導電型の長波長光吸収層５とを基板
１の上下側に設けるとともに、前記短波長光吸収層２及
び前記長波長光吸収層５のうち前記基板ｌと反対側の面
に、不純物拡散による反対導電型ｒ＊３．７を形成した
ことを特徴とする波長多重受光装置により解決する。
波長光吸収層２と一導電型の長波長光吸収層５とを基板
１の上下側に設けるとともに、前記短波長光吸収層２及
び前記長波長光吸収層５のうち前記基板ｌと反対側の面
に、不純物拡散による反対導電型ｒ＊３．７を形成した
ことを特徴とする波長多重受光装置により解決する。
本発明によれば、−導電型の短波長光吸収Ｎ２と一導電
型の長波長光吸収Ｎ５とを基板ｌの上下側に設けるとと
もに、短波長光吸収Ｎ２及び長波長光吸収Ｎ５のうち基
板１と反対側にある面に、不純物拡散により反対導電型
Ｎ３．７を形成するようにしたので、光ダイオードのＰ
Ｎ接合面積を小さくすることができる。
型の長波長光吸収Ｎ５とを基板ｌの上下側に設けるとと
もに、短波長光吸収Ｎ２及び長波長光吸収Ｎ５のうち基
板１と反対側にある面に、不純物拡散により反対導電型
Ｎ３．７を形成するようにしたので、光ダイオードのＰ
Ｎ接合面積を小さくすることができる。
しかも、一体的に形成される波長多重受光装置において
、不純物拡散により形成されるＰＮ接合面には、段とな
るメサ形状をなくすことができるので、リーク電流の発
生を防止することになる。
、不純物拡散により形成されるＰＮ接合面には、段とな
るメサ形状をなくすことができるので、リーク電流の発
生を防止することになる。
（実施例）
そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
（ａ）本発明の第１の実施例の説明
第１図は、本発明の一実施例を示す装置の構成図であっ
て、図中符号１はＮ゛型１ｎＰ基板で、この上には、Ｎ
型１ｎＰよりなるメサ状の短波長光吸収Ｎ２が４μｍの
厚さに形成され、また、この短波長光吸収Ｎ２の中央に
は、Ｐ、Ｚｎ拡散により形成された深さ０．２μｍのＰ
゛型拡散Ｎ３が設けられており、波長０．８μｍの光が
Ｐ９型型拡散３に照射される際に、その光を吸収して電
子を励起させ、ＩｎＰ基板１との間で光電流が流れるよ
うに構成されている。
て、図中符号１はＮ゛型１ｎＰ基板で、この上には、Ｎ
型１ｎＰよりなるメサ状の短波長光吸収Ｎ２が４μｍの
厚さに形成され、また、この短波長光吸収Ｎ２の中央に
は、Ｐ、Ｚｎ拡散により形成された深さ０．２μｍのＰ
゛型拡散Ｎ３が設けられており、波長０．８μｍの光が
Ｐ９型型拡散３に照射される際に、その光を吸収して電
子を励起させ、ＩｎＰ基板１との間で光電流が流れるよ
うに構成されている。
また、ＩｎＰ基板ｌの下には、Ｎ型１ｎＰよりなるバッ
ファＷＡ４と、Ｎ型１ｎＧａＡｓよりなる長波長光吸収
層５と、Ｎ型１ｎＰよりなるキャップ層６がそれぞれ１
μｍ、４μｍ、１μｍの厚さに形成され、また、キャッ
プ層６の中央には、長波長光吸収層５の下部にまで達す
るＰ“型拡散層７がＰ、Ｚｎ拡散によって形成されてお
り、波長１．５５μｍの光が短波長光吸収層２を透過し
て長波長光吸収層５に照射されることにより、Ｐ０型型
拡散７とＩｎＰ基板１との間に光電流が流れるように構
成されている。
ファＷＡ４と、Ｎ型１ｎＧａＡｓよりなる長波長光吸収
層５と、Ｎ型１ｎＰよりなるキャップ層６がそれぞれ１
μｍ、４μｍ、１μｍの厚さに形成され、また、キャッ
プ層６の中央には、長波長光吸収層５の下部にまで達す
るＰ“型拡散層７がＰ、Ｚｎ拡散によって形成されてお
り、波長１．５５μｍの光が短波長光吸収層２を透過し
て長波長光吸収層５に照射されることにより、Ｐ０型型
拡散７とＩｎＰ基板１との間に光電流が流れるように構
成されている。
ここでＮ型の各Ｎ２．４〜７は、エピタキシャル成長法
によって形成され、Ｎ型にする場合の不純物としてシリ
コン、イオウ等を用いており、また、各層の不純物濃度
を例示すると、ＩｎＰ基板１は１０”／ｃｄ以上、短波
長光吸収Ｎ２は１ｇ＋ｓ〜１０ ”／ｃｄ、バッファ層
４は１０１５〜１０”／ｃｄ、長波長光吸収層５は１０
”／ｅｔａ程度、キャップ層６は１０１Ｓ〜１０ ”／
ｃｄ、 ２つのＰ″″型拡散拡散層３は３×ｌＯ目／ｄ
となる。
によって形成され、Ｎ型にする場合の不純物としてシリ
コン、イオウ等を用いており、また、各層の不純物濃度
を例示すると、ＩｎＰ基板１は１０”／ｃｄ以上、短波
長光吸収Ｎ２は１ｇ＋ｓ〜１０ ”／ｃｄ、バッファ層
４は１０１５〜１０”／ｃｄ、長波長光吸収層５は１０
”／ｅｔａ程度、キャップ層６は１０１Ｓ〜１０ ”／
ｃｄ、 ２つのＰ″″型拡散拡散層３は３×ｌＯ目／ｄ
となる。
８は、膜厚３０００人程度に形成されるＳｔ、Ｎ。
よりなるパッシベーション膜で、このパッシベーション
膜８は、短波長光吸収層２の表面と、短波長光吸収Ｎ２
の存在しないＩｎＰ基板１上面と、キャップ層６下面に
設けられ、また、Ｐ′″型拡散拡散層３を形成する位置
には開口部９．１０が設けられていて、この開口部９．
１０を通してＰ。
膜８は、短波長光吸収層２の表面と、短波長光吸収Ｎ２
の存在しないＩｎＰ基板１上面と、キャップ層６下面に
設けられ、また、Ｐ′″型拡散拡散層３を形成する位置
には開口部９．１０が設けられていて、この開口部９．
１０を通してＰ。
Ｚｎをアンプル拡散するように構成されている。
さらに、パッシベーションＢ８のうち、ＩｎＰ 基板１
の上面領域に開口部１１が形成され、この開口部１１に
は、金・ゲルマニウム・ニッケル合金／金よりなるカソ
ード共通電極１２が形成されている。
の上面領域に開口部１１が形成され、この開口部１１に
は、金・ゲルマニウム・ニッケル合金／金よりなるカソ
ード共通電極１２が形成されている。
１３は、上層のＰ１型被拡散３の中央領域表面に形成さ
れたＳｉ３Ｎ、よりなる反射防止膜で、この反射防止膜
１３ の周囲には、Ｐ・型拡散層３に接続される第１の
アノード電極１４が形成されている。
れたＳｉ３Ｎ、よりなる反射防止膜で、この反射防止膜
１３ の周囲には、Ｐ・型拡散層３に接続される第１の
アノード電極１４が形成されている。
なお、図中符号Ｉ５は、キャップ層６下面の開口部１０
に接続されたチタン／白金／金よりなる第２のアノード
電極、１６は、キャップ層下面のパッシベーション膜に
設けられたチタン／白金／金よりなるチップボンディン
グバンドを示している。
に接続されたチタン／白金／金よりなる第２のアノード
電極、１６は、キャップ層下面のパッシベーション膜に
設けられたチタン／白金／金よりなるチップボンディン
グバンドを示している。
次に、上記した実施例の動作について説明する。
上記した実施例は、ＩｎＰ基板１から上方のＰ。
型拡散Ｎ３までの層により第１の光ダイオードＤ、を形
成する一方、ＩｎＰ基板１から下方のＰ。
成する一方、ＩｎＰ基板１から下方のＰ。
型拡散層７までの層によって第２の光ダイオードＩ）ｔ
ｔを形成しており、これらは、第２図（ａ）に示すよう
な電子回路を構成している。
ｔを形成しており、これらは、第２図（ａ）に示すよう
な電子回路を構成している。
この回路において、カソード共通電極１２に電源Ｗのプ
ラス極を接続し、第１及び第２の光ダイオードＤＩｌ、
Ｄ目のアノード電極１４．１５にマイナス極を接続して
、２つの光ダイオードＤＩｌ、Ｄ目に逆バイアス電圧を
印加する。
ラス極を接続し、第１及び第２の光ダイオードＤＩｌ、
Ｄ目のアノード電極１４．１５にマイナス極を接続して
、２つの光ダイオードＤＩｌ、Ｄ目に逆バイアス電圧を
印加する。
この状態から、反射防止膜１３を通して０．８μｍ及び
１．５５ｐｍの２つの波長の光信号を照射すると、第１
の光ダイオードＤ１１においては、短波長光吸収層２に
より０．８μｍの光が吸収されるため、光電効果により
光電流が流れてバイアス印加方向の電流Ｉｔが増加する
。
１．５５ｐｍの２つの波長の光信号を照射すると、第１
の光ダイオードＤ１１においては、短波長光吸収層２に
より０．８μｍの光が吸収されるため、光電効果により
光電流が流れてバイアス印加方向の電流Ｉｔが増加する
。
一方、波長１．５５μｍの光は、短波長光吸収層２を透
過して長波長光吸収１５に達し、ここで吸収されるため
、第２の光ダイオード［）ｔｇにおいてはその波長の光
に応じた光電流が流れ、バイアス方向の電流■２が大き
くなる。
過して長波長光吸収１５に達し、ここで吸収されるため
、第２の光ダイオード［）ｔｇにおいてはその波長の光
に応じた光電流が流れ、バイアス方向の電流■２が大き
くなる。
このような現象が生しる理由としては、短波長光吸収層
２を形成するＩｎＰが、波長０．８μｍの光を受けるこ
とによって価電子帯から伝導帯に電子が励起されるよう
なバンドギャップを有しているからであり、また、長波
長光吸収層５を構成するＩｎＧａＡｓ層のバンドギャッ
プの大きさが、波長１．５５μｍを受けることにより価
電子帯から電子を励起して伝導帯に移動するようになっ
ているからである。
２を形成するＩｎＰが、波長０．８μｍの光を受けるこ
とによって価電子帯から伝導帯に電子が励起されるよう
なバンドギャップを有しているからであり、また、長波
長光吸収層５を構成するＩｎＧａＡｓ層のバンドギャッ
プの大きさが、波長１．５５μｍを受けることにより価
電子帯から電子を励起して伝導帯に移動するようになっ
ているからである。
（ｂ）本発明の第２の実施例の説明
上記した第１の実施例では、Ｎ型１ｎＰにより短波長光
吸収層２を形成し、これにより波長０．８μｍの光を吸
収するようにしたが、波長が１．３μｍの光によって第
１の光ダイオードを作動させようとする場合には、第３
図に示すような構造にする。
吸収層２を形成し、これにより波長０．８μｍの光を吸
収するようにしたが、波長が１．３μｍの光によって第
１の光ダイオードを作動させようとする場合には、第３
図に示すような構造にする。
即ち、第３図において、図中符号２０は、Ｎ３型１ｎＰ
基板１の上に形成されたＮ型ＴｎＰよりなる膜厚１μｍ
のバッファ層で、このバッファ層２０はメサ状に形成さ
れており、この上には、Ｎ型！ｎＧａＡｓＰよりなる膜
厚４μｍの短波長光吸収層２１と、厚さ１１ＩｍのＮ型
１ｎＰよりなるキャップＮ２２が形成され、また、キャ
ップ層２２の中央には、短波長光吸収層２１の上部にま
で達するＰ１型型拡散２３がＰ、Ｚｎ拡散によって形成
されており、波長１．３μｍの光を照射することにより
、Ｐ０型型拡散２３とＩｎＰ基板ｌとの間に電流が流れ
るように構成されている。
基板１の上に形成されたＮ型ＴｎＰよりなる膜厚１μｍ
のバッファ層で、このバッファ層２０はメサ状に形成さ
れており、この上には、Ｎ型！ｎＧａＡｓＰよりなる膜
厚４μｍの短波長光吸収層２１と、厚さ１１ＩｍのＮ型
１ｎＰよりなるキャップＮ２２が形成され、また、キャ
ップ層２２の中央には、短波長光吸収層２１の上部にま
で達するＰ１型型拡散２３がＰ、Ｚｎ拡散によって形成
されており、波長１．３μｍの光を照射することにより
、Ｐ０型型拡散２３とＩｎＰ基板ｌとの間に電流が流れ
るように構成されている。
ここで、不純物濃度を例示すると、ＩｎＰ基板ｌはＩ
Ｘ １０ ”／ｃ４以上、バッファ層２０は１０＋ｓ〜
ｌ Ｏ”／ｃｄ、短波長光吸収層２１は１０ ”／ｃｊ
。
Ｘ １０ ”／ｃ４以上、バッファ層２０は１０＋ｓ〜
ｌ Ｏ”／ｃｄ、短波長光吸収層２１は１０ ”／ｃｊ
。
キャップＮ２２は１０ ”−１０”／ｃｄ、 Ｐ”型拡
散Ｉ！２３は３Ｘ１０”／ｃｄとなる。
散Ｉ！２３は３Ｘ１０”／ｃｄとなる。
２４は、膜厚３０００Å程度に形成されるＳｉ３Ｎ４よ
りなるパッシベーション膜で、このパッシベーション膜
２４は、ＩｎＰ基板ｌ上方のバッファＮ２０、短波長光
吸収Ｎ２１．キャップＭ２２を覆うとともに、これらの
層２０〜２２が存在し”ないＩｎＰ基板ｌ上面に形成さ
れ、また、上方のＰ“型拡散７１Ｊ２３を形成する位置
には開口部２５が設けられていて、この開口部２５を通
してＰ、Ｚｎをアンプル拡散するように構成されている
。
りなるパッシベーション膜で、このパッシベーション膜
２４は、ＩｎＰ基板ｌ上方のバッファＮ２０、短波長光
吸収Ｎ２１．キャップＭ２２を覆うとともに、これらの
層２０〜２２が存在し”ないＩｎＰ基板ｌ上面に形成さ
れ、また、上方のＰ“型拡散７１Ｊ２３を形成する位置
には開口部２５が設けられていて、この開口部２５を通
してＰ、Ｚｎをアンプル拡散するように構成されている
。
さらに、パッシベーション膜２４のうち、ＴｎＰ基板基
板上面に開口部２６が形成され、この開口部２６には、
金・ゲルマニウム・ニッケル合金／金よりなるカソード
共通電極２７が形成されている。
板上面に開口部２６が形成され、この開口部２６には、
金・ゲルマニウム・ニッケル合金／金よりなるカソード
共通電極２７が形成されている。
２８は、上方のＰ゛型型数散層２３中央領域表面に形成
されたＳｉ３Ｎ４よりなる膜厚１９００Ａの反射防止膜
で、この反射防止膜２８の周囲には、Ｐ°型拡散１１１
２３に接続される第１のアノード電極２９が形成されて
いる。
されたＳｉ３Ｎ４よりなる膜厚１９００Ａの反射防止膜
で、この反射防止膜２８の周囲には、Ｐ°型拡散１１１
２３に接続される第１のアノード電極２９が形成されて
いる。
また、ＩｎＰ基板ｌの下には、第１実施例と同様に、バ
ッファ層４、長波長光吸収Ｊ！！！Ｊ５、キャップ層６
、Ｐ゛型型数散層７形成されるとともに、そのキャップ
層６下面のパッシベーション膜８の開口部ｌＯには下側
のＰ゛型型数散層７接続される第２のアノード電極１５
が設けられ、また、そののパッシベーション膜 ディングパッド１６が形成されている。
ッファ層４、長波長光吸収Ｊ！！！Ｊ５、キャップ層６
、Ｐ゛型型数散層７形成されるとともに、そのキャップ
層６下面のパッシベーション膜８の開口部ｌＯには下側
のＰ゛型型数散層７接続される第２のアノード電極１５
が設けられ、また、そののパッシベーション膜 ディングパッド１６が形成されている。
この実施例装置は、第１実施例と同様な電子回路を構成
しく第２図（ａ））、ＩｎＰ基板１の上に形成された各
層２０〜２３が第１の光ダイオードＤｌｔを構成するこ
とになる。
しく第２図（ａ））、ＩｎＰ基板１の上に形成された各
層２０〜２３が第１の光ダイオードＤｌｔを構成するこ
とになる。
この場合、反射防止膜２８を通して波長１．３μｍの光
が照射される際に、短波長光吸収！１！１２１が第１の
光ダイオードＤ、に光電流が流れることになる。
が照射される際に、短波長光吸収！１！１２１が第１の
光ダイオードＤ、に光電流が流れることになる。
ここで、短波長光吸収１１２１を構成するＮ型！ｎＧａ
ＡｓＰのバンドギャップは、波長１．３μｍの光を受け
ることにより、価電子帯の電子を励起して伝導帯で励起
させる大きさとなっている。
ＡｓＰのバンドギャップは、波長１．３μｍの光を受け
ることにより、価電子帯の電子を励起して伝導帯で励起
させる大きさとなっている。
（ｃ）本発明の第３の実施例の説明
第２の実施例では、ＩｎＰ基板１の上に形成した電極２
７を２つの光ダイオードＤ１１．．ＤＩ２のカソード共
通電極としたが、２つの光ダイオ・−ドのカソード電極
を別々に形成する装置としては第４図に示すようなもの
がある。
７を２つの光ダイオードＤ１１．．ＤＩ２のカソード共
通電極としたが、２つの光ダイオ・−ドのカソード電極
を別々に形成する装置としては第４図に示すようなもの
がある。
即ち、抵抗値１０’Ωｃｍの半絶縁性のＩｎＰ基板３０
の上に、Ｎ゛゛１ｎＰよりなるバッファＭ３１を形成し
、また、バッファ層３１の上にメサ状のＮ型１ｎＧａＡ
ｓＰよりなる短波長光吸収Ｎ３２と、Ｎ型ｉｎＰよりな
るキャップＦＪ３３を形成するとともに、このキャップ
層３３の中央領域に短波長光吸収層３２の上部に達する
Ｐ゛゛散１９３４を形成する。
の上に、Ｎ゛゛１ｎＰよりなるバッファＭ３１を形成し
、また、バッファ層３１の上にメサ状のＮ型１ｎＧａＡ
ｓＰよりなる短波長光吸収Ｎ３２と、Ｎ型ｉｎＰよりな
るキャップＦＪ３３を形成するとともに、このキャップ
層３３の中央領域に短波長光吸収層３２の上部に達する
Ｐ゛゛散１９３４を形成する。
また、半絶縁性１ｎＰ基板３０の下に、Ｎ゛型ＩｎＰよ
りなるバッファ層３５を形成し、また、バッファ層３５
の下にメサ状のＮ型１ｎＧａＡｓよりなる長波長光吸収
［３６と、Ｎ型１ｎＰよりなるキャップ層３７を形成す
るとともに、このキャップ層３７の中央領域に長波長光
吸収層３６の下部に達するＰ９拡Ｐ１１層３８を形成す
る。
りなるバッファ層３５を形成し、また、バッファ層３５
の下にメサ状のＮ型１ｎＧａＡｓよりなる長波長光吸収
［３６と、Ｎ型１ｎＰよりなるキャップ層３７を形成す
るとともに、このキャップ層３７の中央領域に長波長光
吸収層３６の下部に達するＰ９拡Ｐ１１層３８を形成す
る。
そして、これらをＳｉ３Ｎ、よりなるパッシベーション
［３９により覆うとともに、上方のＰ゛゛散Ｎ３４に窓
４０を形成してここに５Ｌ３Ｎ４よりなる反射防止膜４
１を形成する。
［３９により覆うとともに、上方のＰ゛゛散Ｎ３４に窓
４０を形成してここに５Ｌ３Ｎ４よりなる反射防止膜４
１を形成する。
また、反射防止膜４１の側方に第１のアノード電極４２
を設けるとともに、下側のＰ′″拡散１５３８領域のパ
ッシベーション１１９３９に設けた窓４３に第２のアノ
ード電極４４を形成する。これらの電極４２．４４は、
チタン／白金／金により形成する。
を設けるとともに、下側のＰ′″拡散１５３８領域のパ
ッシベーション１１９３９に設けた窓４３に第２のアノ
ード電極４４を形成する。これらの電極４２．４４は、
チタン／白金／金により形成する。
さらに、２つのバフフッ５５３１３５表面のパッシベー
ション膜３９には開口部４５．４６が形成され、これら
の開口部４５．４６を通して、金ゲルマニウム・ニンケ
ル合金／金よりなる第１及び第２のカソード電極４７．
４８がバッファ層３１．３５に接続されている。
ション膜３９には開口部４５．４６が形成され、これら
の開口部４５．４６を通して、金ゲルマニウム・ニンケ
ル合金／金よりなる第１及び第２のカソード電極４７．
４８がバッファ層３１．３５に接続されている。
これによれば、第２図（ｃ）に示すように、第１の光ダ
イオードＤ、をＩｉ戒する上側のカソード電極４７と、
第２の光ダイオードＤ、を構成する下側のカソード電極
４８とが別々に形成されることになる。
イオードＤ、をＩｉ戒する上側のカソード電極４７と、
第２の光ダイオードＤ、を構成する下側のカソード電極
４８とが別々に形成されることになる。
なお、上記した３つの実施例では、Ｎ型の基板を用いて
Ｐ°型型数散層形成したが、これらを逆の導電型にする
ことも可能である。
Ｐ°型型数散層形成したが、これらを逆の導電型にする
ことも可能である。
〔発明の効果］
以上述べたように本発明によれば、−導電型の短波長光
吸収層と一導電型の長波長光吸収層とを基板の上下側に
設けるとともに、短波長光吸収層及び長波長光吸収層の
うち基板と反対側にある面に、不純物拡散により反対導
電型層を形成するようにしたので、光ダイオードのＰＮ
接合面積を小さくすることができる。
吸収層と一導電型の長波長光吸収層とを基板の上下側に
設けるとともに、短波長光吸収層及び長波長光吸収層の
うち基板と反対側にある面に、不純物拡散により反対導
電型層を形成するようにしたので、光ダイオードのＰＮ
接合面積を小さくすることができる。
しかも、一体的に形成される波長多重受光装置において
、不純物拡散により形成されるＰＮ接合面には、段とな
るメサ形状をなくせるため、リーク電流の発生を防止す
ることが可能になる。
、不純物拡散により形成されるＰＮ接合面には、段とな
るメサ形状をなくせるため、リーク電流の発生を防止す
ることが可能になる。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す装置の断面図、
第２図は、本発明の第１〜３の実施例を示す装置の回路
図、 第３図は、本発明の第２の実施例を示す装置の断面図、 第４図は、本発明の第３の実施例を示す装置の断面図、 第５図は、従来装置の一例を示す断面図及び回路図であ
る。 （符号の説明） １ ・・・Ｎ゛ 型１ｎＰ 基手反、２・・・短波長
光吸収層、 ３．７・・・Ｐ゛型型数散層 ４・・・バッファ層、 ５・・・長波長光吸収層、 ６・・・キャップ層、 ２０・・・バッファ層、 ２１・・・短波長光吸収層、 ２２・・・キャップ層、 ２３・・・Ｐ°型型数散層 ３０・・・ＩｎＰ基板、 ３１．３５・・・バッファ層、 ３２・・・短波長光吸収層、 ３６・・・長波長光吸収層、 ３３．３７・・・キャップ層、 ３４． ３８・・・Ｐ゛型型数散層 出 願 人 冨士通株式会社
図、 第３図は、本発明の第２の実施例を示す装置の断面図、 第４図は、本発明の第３の実施例を示す装置の断面図、 第５図は、従来装置の一例を示す断面図及び回路図であ
る。 （符号の説明） １ ・・・Ｎ゛ 型１ｎＰ 基手反、２・・・短波長
光吸収層、 ３．７・・・Ｐ゛型型数散層 ４・・・バッファ層、 ５・・・長波長光吸収層、 ６・・・キャップ層、 ２０・・・バッファ層、 ２１・・・短波長光吸収層、 ２２・・・キャップ層、 ２３・・・Ｐ°型型数散層 ３０・・・ＩｎＰ基板、 ３１．３５・・・バッファ層、 ３２・・・短波長光吸収層、 ３６・・・長波長光吸収層、 ３３．３７・・・キャップ層、 ３４． ３８・・・Ｐ゛型型数散層 出 願 人 冨士通株式会社
Claims (1)
- 一導電型の短波長光吸収層と一導電型の長波長光吸収層
とを基板の上下側に設けるとともに、前記短波長光吸収
層及び前記長波長光吸収層のうち前記基板と反対側の面
に、不純物拡散による反対導電型層を形成したことを特
徴とする波長多重受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342454A JPH03201571A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 波長多重受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342454A JPH03201571A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 波長多重受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03201571A true JPH03201571A (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=18353871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342454A Pending JPH03201571A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | 波長多重受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03201571A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373182A (en) * | 1993-01-12 | 1994-12-13 | Santa Barbara Research Center | Integrated IR and visible detector |
| US6750075B2 (en) | 1998-01-29 | 2004-06-15 | Manijeh Razeghi | Multi color detector |
| CN102544196A (zh) * | 2010-12-31 | 2012-07-04 | 重庆鹰谷光电有限公司 | 双色紫光红外光硅基复合光电探测器的制作方法 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP1342454A patent/JPH03201571A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373182A (en) * | 1993-01-12 | 1994-12-13 | Santa Barbara Research Center | Integrated IR and visible detector |
| US6750075B2 (en) | 1998-01-29 | 2004-06-15 | Manijeh Razeghi | Multi color detector |
| CN102544196A (zh) * | 2010-12-31 | 2012-07-04 | 重庆鹰谷光电有限公司 | 双色紫光红外光硅基复合光电探测器的制作方法 |
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