JPH03202499A - メッキ膜厚の制御方法 - Google Patents
メッキ膜厚の制御方法Info
- Publication number
- JPH03202499A JPH03202499A JP34401089A JP34401089A JPH03202499A JP H03202499 A JPH03202499 A JP H03202499A JP 34401089 A JP34401089 A JP 34401089A JP 34401089 A JP34401089 A JP 34401089A JP H03202499 A JPH03202499 A JP H03202499A
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- JP
- Japan
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- plating
- measuring
- film thickness
- plated
- thickness
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- Pending
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、たとえば薄膜磁気ヘッドのコイルをフォト
リソグラフィ技術、メッキ技術などによって形成する際
のメッキ膜厚の制御方法に関するもので、 測定用メッキ部のメッキ膜厚の電気抵抗をメッキ工程中
に測定することにより、間接的に被メッキ部材のメンキ
膜厚をリアルタイムで測定しなから膜厚を制御すること
を目的とし、 導電材料を被膜状に被着させるメッキ工程において、被
メンキ部材と一体あるいは別体にメッキ膜厚の測定用メ
ッキ部を設け、この測定用メンキ部に被着されているメ
ンキ膜の電気抵抗をメンキ工程中に測定することにより
、被メッキ部材にメッキされているメッキ膜厚を間接的
に測定しながらメッキ膜厚を制御するようにしたことを
特徴とするものである。
リソグラフィ技術、メッキ技術などによって形成する際
のメッキ膜厚の制御方法に関するもので、 測定用メッキ部のメッキ膜厚の電気抵抗をメッキ工程中
に測定することにより、間接的に被メッキ部材のメンキ
膜厚をリアルタイムで測定しなから膜厚を制御すること
を目的とし、 導電材料を被膜状に被着させるメッキ工程において、被
メンキ部材と一体あるいは別体にメッキ膜厚の測定用メ
ッキ部を設け、この測定用メンキ部に被着されているメ
ンキ膜の電気抵抗をメンキ工程中に測定することにより
、被メッキ部材にメッキされているメッキ膜厚を間接的
に測定しながらメッキ膜厚を制御するようにしたことを
特徴とするものである。
この発明は、たとえば薄膜磁気ヘッドのコイルをフォト
リソグラフィ技術、メッキ技術などで形成する際のメッ
キ膜厚の制御方法に関するものである。
リソグラフィ技術、メッキ技術などで形成する際のメッ
キ膜厚の制御方法に関するものである。
近年、コンピュータ・システムの高速化・小型化の要求
に伴い、磁気ディスク装置も高速・大容量・小型化が要
求されている。このため、磁気ディスク装置に用いる７
Ｒ膜磁気へノドは、高記録密度で高性能なものが必要で
あり、これを歩留り良く製造することが求められている
。
に伴い、磁気ディスク装置も高速・大容量・小型化が要
求されている。このため、磁気ディスク装置に用いる７
Ｒ膜磁気へノドは、高記録密度で高性能なものが必要で
あり、これを歩留り良く製造することが求められている
。
そのための要件として、たとえば薄膜磁気ヘッドのコイ
ルの電気抵抗を比較的に小さく一定化して、電磁変換特
性を一定化させる必要がある。
ルの電気抵抗を比較的に小さく一定化して、電磁変換特
性を一定化させる必要がある。
たとえば、前記コイルに一定電流を流しても、コイルの
電気抵抗が変われば、発熱はＩ２Ｒで変化し、それに対
応して熱雑音の量も変化することが知られている。
電気抵抗が変われば、発熱はＩ２Ｒで変化し、それに対
応して熱雑音の量も変化することが知られている。
前記のような薄膜磁気ヘンドのコイルの形成方法は、メ
ッキ、スパッタリング、蒸着など種々あるが、現在量も
多く採用されているのは、第５図に示すようなメンキ方
法である。
ッキ、スパッタリング、蒸着など種々あるが、現在量も
多く採用されているのは、第５図に示すようなメンキ方
法である。
この図において、ｌはメッキ槽、２はメッキ液３の中に
配設したアノード電極、４はメッキ液３の中に配設した
被メッキ部材であり、具体的には表面に導電性のメンキ
ヘースであるシードレイヤー４ａが付着されているウェ
ハー（基１）である。
配設したアノード電極、４はメッキ液３の中に配設した
被メッキ部材であり、具体的には表面に導電性のメンキ
ヘースであるシードレイヤー４ａが付着されているウェ
ハー（基１）である。
このウェハー４のシードレイヤー４ａを直流電源５の一
極に接続し、前記アノード電極２を直流型ａ５の半極に
接続して電流を流すと、メッキ液３中の金属イオンがシ
ードレイヤー４ａに付着する。なお、６はメッキ電流を
測定する電流計である。
極に接続し、前記アノード電極２を直流型ａ５の半極に
接続して電流を流すと、メッキ液３中の金属イオンがシ
ードレイヤー４ａに付着する。なお、６はメッキ電流を
測定する電流計である。
このようなメッキ技術によってウェハー４上にコイルを
形成する場合には、第６図の（Ａ）（Ｂ）に示すように
、予めフォトリソグラフィ技術によってウェハー４のシ
ードレイヤー４ａ上に、コイルパターン４ｂの部分を残
してフォトレジスト４Ｃを付着させておく。このような
コイルパターンは、たとえば直径３インチ（約７．６２
ＣＩ）のウェハーの表面に約８００個形成されている。
形成する場合には、第６図の（Ａ）（Ｂ）に示すように
、予めフォトリソグラフィ技術によってウェハー４のシ
ードレイヤー４ａ上に、コイルパターン４ｂの部分を残
してフォトレジスト４Ｃを付着させておく。このような
コイルパターンは、たとえば直径３インチ（約７．６２
ＣＩ）のウェハーの表面に約８００個形成されている。
このようにしたウェハー４を、第５図に示すようにメッ
キ槽１のメッキ液３に入れてメッキを行うと、コイルパ
ターン４ｂに導電膜が付着してコイルが形成される。
キ槽１のメッキ液３に入れてメッキを行うと、コイルパ
ターン４ｂに導電膜が付着してコイルが形成される。
このような従来一般のメッキ方７去において形成される
コイルの電気抵抗は、発熱および熱雑音の発生の関係で
余り大きくない方が良い。コイルの電気抵抗を小さくす
るには、メッキで形成される導電膜厚を厚くすればよい
が、その後にこのコイルの上に絶縁層や磁性膜を付着さ
せる関係で余り厚くしないで均一に管理する必要がある
。
コイルの電気抵抗は、発熱および熱雑音の発生の関係で
余り大きくない方が良い。コイルの電気抵抗を小さくす
るには、メッキで形成される導電膜厚を厚くすればよい
が、その後にこのコイルの上に絶縁層や磁性膜を付着さ
せる関係で余り厚くしないで均一に管理する必要がある
。
このように導電膜厚を管理するには、導電膜厚はメンキ
時間にほぼ比例して厚くなって行くので、メッキ時間を
管理することによって、ある程度の導電膜厚の管理を行
うことができる。
時間にほぼ比例して厚くなって行くので、メッキ時間を
管理することによって、ある程度の導電膜厚の管理を行
うことができる。
しかし、メッキ液の濃度や温度などの各条件も正確に管
理しなげれば、導電膜厚にばらつきが発生する課題があ
った。
理しなげれば、導電膜厚にばらつきが発生する課題があ
った。
この発明は、測定用メッキ部のメッキ膜厚の電気抵抗を
メッキ工程中に測定することにより、間接的に被メッキ
部材のメッキ膜厚をリアルタイムで測定しなから膜厚を
制御することを目的とするものである。
メッキ工程中に測定することにより、間接的に被メッキ
部材のメッキ膜厚をリアルタイムで測定しなから膜厚を
制御することを目的とするものである。
［課題を解決するための手段］
この発明は、前記のような課題を解決するため、第１図
および第２図に示すように、導電材料を被膜状に被着さ
せるメッキ工程において、被メッキ部材（実施例におけ
るウェハー４）と一体あるいは別体にメッキ膜厚の測定
用メッキ部４ｅを設け、この測定用メッキ部４ｅに被着
されているメッキ膜の電気抵抗をメッキ工程中に測定す
ることにより、被メッキ部材にメッキされているメッキ
膜厚を間接的に測定しながらメッキ膜厚を制御するよう
にしたことを特徴とするメッキ膜厚の制御方法としたも
のである。
および第２図に示すように、導電材料を被膜状に被着さ
せるメッキ工程において、被メッキ部材（実施例におけ
るウェハー４）と一体あるいは別体にメッキ膜厚の測定
用メッキ部４ｅを設け、この測定用メッキ部４ｅに被着
されているメッキ膜の電気抵抗をメッキ工程中に測定す
ることにより、被メッキ部材にメッキされているメッキ
膜厚を間接的に測定しながらメッキ膜厚を制御するよう
にしたことを特徴とするメッキ膜厚の制御方法としたも
のである。
この発明によれば、メッキ膜厚の測定用メッキ部４ｅに
被膜されるメッキ膜の電気抵抗をメッキ工程中に測定す
ることにより、間接的に被メッキ部材のメッキ膜厚をリ
アルタイムで測定しながらメッキ膜厚を制御することが
できる。
被膜されるメッキ膜の電気抵抗をメッキ工程中に測定す
ることにより、間接的に被メッキ部材のメッキ膜厚をリ
アルタイムで測定しながらメッキ膜厚を制御することが
できる。
〔実施１（’ＩＩＥ
以下、この発明のメッキ膜厚の制御方法の実施例を説明
する。
する。
薄膜磁気ヘッドのコイルをメッキ方法で形成する原理は
、前記第５図および第６図とともに説明した場合と同し
である。
、前記第５図および第６図とともに説明した場合と同し
である。
この発明は、導電材料を被膜状に被着させるメッキ工程
において、被メッキ部材と一体あるいは別体にメンキ膜
厚の測定用メッキ部を設け、この測定用メンキ部に被着
されているメッキ膜の電気抵抗をメッキ工程中に測定す
ることにより、被メッキ部材にメンキされているメッキ
膜厚を間接的に測定しながらメンキ膜厚を制御するよう
にしたことを特徴とするメッキ膜厚の制御方法であり、
これを第１図乃至第４図に示す実施例にしたがって前記
従来例と同一部には同一符号を付けて詳細に説明する。
において、被メッキ部材と一体あるいは別体にメンキ膜
厚の測定用メッキ部を設け、この測定用メンキ部に被着
されているメッキ膜の電気抵抗をメッキ工程中に測定す
ることにより、被メッキ部材にメンキされているメッキ
膜厚を間接的に測定しながらメンキ膜厚を制御するよう
にしたことを特徴とするメッキ膜厚の制御方法であり、
これを第１図乃至第４図に示す実施例にしたがって前記
従来例と同一部には同一符号を付けて詳細に説明する。
すなわち、被メンキ部材であるウェハー４のシードレイ
ヤー４ａ上に、コイルパターン４ｂおよびメッキ電流の
導入部４ｄの部分を残してフォトレジスト４ｃが付着さ
れている点は、従来例と同しである。
ヤー４ａ上に、コイルパターン４ｂおよびメッキ電流の
導入部４ｄの部分を残してフォトレジスト４ｃが付着さ
れている点は、従来例と同しである。
この発明においては、ウェハー４のシードレイヤー４ａ
上に、さらにメッキ膜厚の測定用メンキ部４ｅを設け、
このウェハー４を第３図に示すようにメンキ槽１のメッ
キ液３の中に入れてメッキを行い、その際に、メッキ膜
厚の測定用メッキ部４ｅの端子４ｅｌ、４ｅｚに電気抵
抗の測定器７を接続する。
上に、さらにメッキ膜厚の測定用メンキ部４ｅを設け、
このウェハー４を第３図に示すようにメンキ槽１のメッ
キ液３の中に入れてメッキを行い、その際に、メッキ膜
厚の測定用メッキ部４ｅの端子４ｅｌ、４ｅｚに電気抵
抗の測定器７を接続する。
このようにすると、第４図の曲線Ａに示すように、メッ
キ膜厚が大きくなるにしたがって電気抵抗は小さくなっ
て行くので、この電気抵抗を測定することにより、メッ
キ膜厚を間接的に測定することができる。この際には、
メッキ膜厚の測定用メッキ部４ｅの端子４ｅｌ、４ｅｚ
がシードレイヤー４ａで短絡されているので、端子４ｅ
４ｅｚ間の電気抵抗は比較的に小さい。そこで、端子４
ｅｌ、ｄｅｚ間の電気抵抗を大きくして、測定感度を高
めるためには、端子４ｅ、はメ・ツキ電流の導入部４ｄ
に連接させておき、この端子４ｅ、から端子４ｅ２に至
るパターンの周囲を予めノードレイヤー４ａから切り離
しておけば、第４図の曲線Ｂに示すように、端子４ｅｌ
４ｅ２間の電気抵抗を大きくして測定感度を高める
ことができる。
キ膜厚が大きくなるにしたがって電気抵抗は小さくなっ
て行くので、この電気抵抗を測定することにより、メッ
キ膜厚を間接的に測定することができる。この際には、
メッキ膜厚の測定用メッキ部４ｅの端子４ｅｌ、４ｅｚ
がシードレイヤー４ａで短絡されているので、端子４ｅ
４ｅｚ間の電気抵抗は比較的に小さい。そこで、端子４
ｅｌ、ｄｅｚ間の電気抵抗を大きくして、測定感度を高
めるためには、端子４ｅ、はメ・ツキ電流の導入部４ｄ
に連接させておき、この端子４ｅ、から端子４ｅ２に至
るパターンの周囲を予めノードレイヤー４ａから切り離
しておけば、第４図の曲線Ｂに示すように、端子４ｅｌ
４ｅ２間の電気抵抗を大きくして測定感度を高める
ことができる。
なお、第１図に示すように、メッキ膜厚の測定用メッキ
部４ｅを２箇所に設けたのは、２箇所の測定結果を平均
してより正確なメッキ膜厚を測定するためである。
部４ｅを２箇所に設けたのは、２箇所の測定結果を平均
してより正確なメッキ膜厚を測定するためである。
また、この実施例においては、メッキ膜厚の測定用メッ
キ部４ｅを被メッキ部材であるウェハー４に一体に設け
たが、必ずしもこのようにしなければならないものでは
なく、ウェハー４の近傍にメッキ膜厚の測定用メッキ部
を別体に設けても、はぼ同様にメッキ膜厚を間接的に測
定することができる。
キ部４ｅを被メッキ部材であるウェハー４に一体に設け
たが、必ずしもこのようにしなければならないものでは
なく、ウェハー４の近傍にメッキ膜厚の測定用メッキ部
を別体に設けても、はぼ同様にメッキ膜厚を間接的に測
定することができる。
また、この実施例においては、薄膜磁気ヘッドのコイル
をメッキ法で形成する場合のメッキ膜厚の制御方法につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、あら
ゆるメンキ膜厚の制御方法に適用することができる。
をメッキ法で形成する場合のメッキ膜厚の制御方法につ
いて説明したが、これに限定されるものではなく、あら
ゆるメンキ膜厚の制御方法に適用することができる。
［発明の効果］
この発明は、以上説明したように、導電材料を被膜状に
被着させるメッキ工程において、被メッキ部材と一体あ
るいは別体にメッキ膜厚の測定用メンキ部を設け、この
測定用メッキ部に被着されているメンキ膜の電気抵抗を
メッキ工程中に測定することにより、被メッキ部材にメ
ッキされているメッキ膜厚を間接的に測定しながらメッ
キ膜厚を制御するようにしたことを特徴とするメッキ膜
厚の制御方法としたので、メッキ膜厚の測定用メッキ部
に被膜されるメッキ膜厚の電気抵抗をメッキ工程中に測
定することにより、間接的に被メッキ部材のメッキ膜厚
をリアルタイムで測定しながらメッキ膜厚を正確に制御
することができる利点がある。
被着させるメッキ工程において、被メッキ部材と一体あ
るいは別体にメッキ膜厚の測定用メンキ部を設け、この
測定用メッキ部に被着されているメンキ膜の電気抵抗を
メッキ工程中に測定することにより、被メッキ部材にメ
ッキされているメッキ膜厚を間接的に測定しながらメッ
キ膜厚を制御するようにしたことを特徴とするメッキ膜
厚の制御方法としたので、メッキ膜厚の測定用メッキ部
に被膜されるメッキ膜厚の電気抵抗をメッキ工程中に測
定することにより、間接的に被メッキ部材のメッキ膜厚
をリアルタイムで測定しながらメッキ膜厚を正確に制御
することができる利点がある。
第１図はこの発明のメッキ膜厚の制御方法における被メ
ッキ部材の表面のフォトレジストのパターンを示す図、
第２図はそのメッキ膜厚の測定用メッキ部の拡大図、第
３図はこの発明のメンキ膜厚の制御方法におけるメッキ
装置を示す図、第４図はメッキ膜厚の測定用メッキ部の
膜厚に対する電気抵抗の変化を示す図、第５図は従来一
般のメッキ装置を示す図、第６図の（Ａ）は従来一般の
メッキ技術によってウェハー上にコイルを形成する場合
のフォトレジストのパターンを示す正面図で、（Ｂ）は
左側面図である。 １・・・メンキ槽 ２・・・アノード電極 ３・・・メッキ液 ４・・・被メッキ部材であるウェハー ４ａ・・・シードレイヤー ４ｂ・・・コイルパターン ４Ｃ・・・フォトレジスト ４ｄ・・・メッキ電流の導入部 ４ｅ・・・メッキ膜厚の測定用メッキ部４ｅ、 ４ｅ
ｚ一端子 ５・・・電源 ６・・・電流計 ７・・・電気抵抗の測定器
ッキ部材の表面のフォトレジストのパターンを示す図、
第２図はそのメッキ膜厚の測定用メッキ部の拡大図、第
３図はこの発明のメンキ膜厚の制御方法におけるメッキ
装置を示す図、第４図はメッキ膜厚の測定用メッキ部の
膜厚に対する電気抵抗の変化を示す図、第５図は従来一
般のメッキ装置を示す図、第６図の（Ａ）は従来一般の
メッキ技術によってウェハー上にコイルを形成する場合
のフォトレジストのパターンを示す正面図で、（Ｂ）は
左側面図である。 １・・・メンキ槽 ２・・・アノード電極 ３・・・メッキ液 ４・・・被メッキ部材であるウェハー ４ａ・・・シードレイヤー ４ｂ・・・コイルパターン ４Ｃ・・・フォトレジスト ４ｄ・・・メッキ電流の導入部 ４ｅ・・・メッキ膜厚の測定用メッキ部４ｅ、 ４ｅ
ｚ一端子 ５・・・電源 ６・・・電流計 ７・・・電気抵抗の測定器
Claims (1)
- 導電材料を被膜状に被着させるメッキ工程において、被
メッキ部材と一体あるいは別体にメッキ膜厚の測定用メ
ッキ部（４ｅ）を設け、この測定用メッキ部（４ｅ）に
被着されているメッキ膜の電気抵抗をメッキ工程中に測
定することにより、被メッキ部材にメッキされているメ
ッキ膜厚を間接的に測定しながらメッキ膜厚を制御する
ようにしたことを特徴とするメッキ膜厚の制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34401089A JPH03202499A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | メッキ膜厚の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34401089A JPH03202499A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | メッキ膜厚の制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03202499A true JPH03202499A (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=18365963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34401089A Pending JPH03202499A (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | メッキ膜厚の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03202499A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19958202A1 (de) * | 1999-12-02 | 2001-07-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke |
| JP2011063888A (ja) * | 1999-05-03 | 2011-03-31 | Freescale Semiconductor Inc | 半導体ウェハ上に銅層を形成する方法 |
-
1989
- 1989-12-28 JP JP34401089A patent/JPH03202499A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011063888A (ja) * | 1999-05-03 | 2011-03-31 | Freescale Semiconductor Inc | 半導体ウェハ上に銅層を形成する方法 |
| DE19958202A1 (de) * | 1999-12-02 | 2001-07-12 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke |
| US6303401B2 (en) | 1999-12-02 | 2001-10-16 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a metal layer with a given thickness |
| DE19958202C2 (de) * | 1999-12-02 | 2003-08-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung einer Metallschicht mit einer vorgegebenen Dicke |
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