JPH03203317A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH03203317A
JPH03203317A JP1341532A JP34153289A JPH03203317A JP H03203317 A JPH03203317 A JP H03203317A JP 1341532 A JP1341532 A JP 1341532A JP 34153289 A JP34153289 A JP 34153289A JP H03203317 A JPH03203317 A JP H03203317A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
electrodes
electrode
reaction chamber
adjusted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1341532A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuichiro Yamada
雄一郎 山田
Yoshinari Matsushita
圭成 松下
Yuji Tsutsui
裕二 筒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1341532A priority Critical patent/JPH03203317A/ja
Priority to US07/634,732 priority patent/US5110437A/en
Priority to KR1019900022373A priority patent/KR940000498B1/ko
Publication of JPH03203317A publication Critical patent/JPH03203317A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はプラズマＣＶＤ、プラズマドライエツチングな
どに通用されるプラズマ処理装置に関するものである。
従来の技術 従来のプラズマ処理装置においては、第４図に示すよう
に、反応室２１と、反応室２１内を真空排気する排気手
段２２と、反応室２１内に反応ガスを導入するガス導入
手段２３と、反応室２１内に上下に対向して配置された
下部電極２４及び上部電極２５と、高周波電源２６とを
備えた基本構成を有し、図示例では下部電極２４を接地
するとともにその上に被加工物Ｗを載置するようにし、
上部電極２５に高周波電源２６を接続するとともに昇降
手段２７にて上下に位置調整可能に構成している。尚、
第４図において、２８は被加工物Ｗを搬入、搬出するゲ
ート、２９はその移載手段である。
このような構成のプラズマ処理装置によると、プラズマ
処理のプロセス条件に応じて上部電極２５を移動させ、
下部電極２４と上部電極２５間のギャップを調整するこ
とによって、プロセス条件の最適化を図ることができる
。
発明が解決しようとする課題 ところが、例えば被加工物Ｗの表面に多Ｎ膜を形成する
場合や、最初に高いエツチングレートで加工した後表面
の均一性を確保するために低いエツチングレートでドラ
イエツチングする場合など、途中でプロセス条件を変更
して処理するステップ処理を行う場合には、ガス導入手
段２３の吐出口が固定して設けられているため、各ステ
ップにおいてガス流れ及びプラズマ放電の最適化を図る
ことができないという問題があった。
又、反応室２１内のクリーニング時にもイオンアシスト
効果が一方の電極方向にのみ作用して他方の電極方向に
は作用しないため、反応室内全体のクリーニングを速や
かに行うことができないという問題もあった。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ステップ処理を行う
場合にもガス流れ及びプラズマ放電の最適化を図ること
ができ、又クリーニング速度も高めることができるプラ
ズマ処理装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、反応室と、反応室
内を真空排気する排気手段と、反応室内に反応ガスを導
入するガス導入手段と、反応室内に互いに対向して配設
された一対の電極と、一対の電極間に高周波電圧を供給
する高周波ｔａどを備え、かつ少なくとも一方の電極と
ガス導入手段のガス吐出口を電極の対向方向に移動可能
に構成したことを特徴とする。
又、排気手段の吸入口を電極の対向方向に移動可能に構
成するのが好ましい。
更に、一対の電極に対する高周波電圧の印加方向を切換
える切換手段を設けるとともに一対の電極を共にその対
向方向に移動可能に構成するのが好ましい。
作　　　用 本発明によると、一対の電極の少なくとも一方を移動可
能にしているので電極間隔を任意に設定でき、ステップ
処理の場合にも各ステップでそれぞれに最適の電極間隔
に設定でき、かつその際にガス導入手段のガス吐出口の
電極に対する相対位置も任意に調整できるためガス流れ
及びプラズマ放電の最適化も図ることができる。
また、排気手段の吸入口の位置も調整するようにすると
、ガス流れ及びプラズマ放電を一層最適化することがで
きる。
さらに、クリーニング時に高周波電圧の印加方向を切り
換えることにより、イオンアシスト効果を何れの電極方
向に対しても作用させることができ、かつもう一方の電
極の位置も調整可能とすることによって高周波電圧の印
加方向に切換えに応して反応室に対する画電極の位置調
整を行うことができ、反応室内全体のクリーニングを能
率的に行うことができる。
実　　施　　例 以下、本発明の一実施例を第１図、第２図に基ついて説
明する。
ｌは、密閉可能な反応室で、内部空間の下部に被加工物
Ｗ＠載置支持する下部電極２が接地されて配役さ・れて
いる。この下部電極２は、第２図に示すように、特に複
数の被加工物Ｗを載置支持する場合には各被加工物を均
一に加工するために矢印の如く回転駆動可能に構成され
る。この下部電極２の上部に対向して高周波電源４に接
続された上部電極３が昇降手段５にて上下移動可能に配
設されている。
６は反応室１内を真空排気する排気手段で、図示した排
気管が真空バルブ、調圧バルブを介してブースタポンプ
及びロータリーポンプに接続されている。この排気手段
６はその吸入口６ａの上下位置を調整できるように昇降
手段７にて上下移動可能に配設されている。８は、反応
室１内にＳｉＨ，ガスやＮＨ３ガス等の反応ガスや、フ
ッ素系ガス等のエツチングガスを導入するガス導入手段
であり、第２図に示すようにその上端の水平分配管部８
ｂに複数の吐出口８ａが形成されている。
又、このガス導入手段８は、その吐出口８ａの上下位置
を調整できるように昇降手段９にて上下移動可能に、か
つ電極２．３間に均一にガスが供給されるように図示し
ない回転手段にて矢印の如くその軸心回りに往復回転可
能に構成されている。
また、反応室１内に突出する排気手段６及びガス導入手
段８は、異常放電を防止するため、セラミックス等の絶
縁物にて構成されている。さらに、各昇降手段５．７．
９は図示しない制御装置にて各プロセス条件が設定され
るとそのプロセス条件においてガス流れ及びプラズマ放
電が最適となる位置に自動的に位置調整されるように構
成されている。そのため、制御装置には予め各プロセス
条件に応した各電極２．３、排気手段６及びガス導入手
段８の最適位置が入力されている。
第１図において、１０ａ、１０ｂは反応室１内に被加工
物Ｗを搬入、搬出するためのゲートである。
次に、動作を説明すると、反応室ｌ内を排気手段６にて
真空排気して所定の真空度にするとともに下部電極２上
に被加工物Ｗを載置支持する。次に、被加工物Ｗをステ
ップ処理する場合には、まず第１のプロセス条件に合わ
せて下部電極２と上部電極３間が所定の間隔となるよう
に昇降手段５にて上部電極３の位置を調整し、かつ電極
２．３間でのガス流れが最適な状態となる位置に吐出口
８ａが位置するようにガス導入手段８の位置を昇降手段
９にて調整し、さらに同様にガス流れが最適な状態とな
る位置に吸入口６ａが位置するように昇降手段７にて排
気手段６の位置を調整する。
そして、高周波電極４にて上部電極３に高周波電圧を印
加するとともに、ガス導入手段８から所定量の反応ガス
又はエツチングガス等を導入することによって、電極２
．３間にプラズマを発生させ、被加工物Ｗ表面にプラズ
マ気相成長にて反応ガス成分の堆積膜を形威し、又はエ
ツチングガスにて被加工物Ｗ表面のドライエツチングを
行う。
次に、第２のプロセス条件に合わせて電極２．３間の間
隔や導入する反応ガス等を変えて同様に堆積膜の形成や
ドライエツチングを行う。このときにも、電極２．３間
でのガス流れが最適化されるようにガス導入手段８及び
排気手段６の上下位置を調整する。
以上のように各プロセス条件下においてそれぞれガス流
れの最適化を図ることによってプラズマ反応の均一性を
高めることができ、高品質の加工を能率的に行うことが
できる。
次に、本発明の第２実施例を第３図により説明する。こ
の実施例はＣＶＤ法により膜形成した後の反応室１内の
クリーニングを短時間で行えるようにしたものであり、
下部電極２と上部電極３の何れか一方を任意に選択して
高周波電ｆ！Ｘ４に接続するとともに他方を接地するよ
うに、下部電極２及び上部電極３と、高周波電ｆｉ４及
び接地との間に切換スイッチ１１が介装されている。ま
た、下部電極２も昇降手段１２にて上下位置を調整でき
るように構成されている。
以上の構成によると、下部、上部電極２．３に対する高
周波電圧の印加方向を切換スイ・ンチ１１にて切り換え
ることによって、クリーニング時のイオンアシスト効果
を画電極２．３方向に対して有効に作用させることがで
き、かつ下部、上部電極２．３が共に移動可能であるた
め、それらの間隔を最適化した状態でこれらの電極２．
３の反応室１の内面に対する相対位置をクリーニングす
るのに最適となる位置に位置調整し、それに伴ってガス
導入手段８及び排気手段６の位置調整を行うことによっ
て、電極２．３及び反応室１内のクリニングを効率的に
実施することができる。
尚、上記実施例では各昇降手段５．７．９．１２として
モータ駆動の送りねじ機構を用いた例を示したが、シリ
ンダ装置等の他の手段を用いてもよい。
発明の効果 本発明によれば、一対の電極の少なくとも一方を移動可
能にしているので電極間隔を任意に設定でき、ステップ
処理の場合にも各ステップでそれぞれに最適の電極間隔
に設定でき、かつその際にガス導入手段のガス吐出口の
電極に対する相対位置も任意に調整できるためガス流れ
及びプラズマ放電の最適化も図ることができ、プラズマ
反応の均一性を高め、品質の高い処理を能率的に行うこ
とができるという効果を発揮する。
また、排気手段の吸入口の位置も調整するようにすると
、ガス流れ及びプラズマ放電を一層最適化することがで
きる。
さらに、クリーニング時に高周波電圧の印加方向を切り
換えることにより、イオンアシスト効果を何れの電極方
向に対しても作用させることができ、かつもう一方の電
極の位置も調整可能として反応室に対して画電極の位置
調整を行うことにより、反応室内全体のクリーニングを
能率的に行うことができる等、大なる効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例の概略構成図、第２図は同
ガス導入手段の斜視図、第３図は本発明の第２実施例の
概略構成図、第４図は従来例の概略構成図である。 ２・・・・・・・・・下部電極 ３・・・・・・・・・上部電極 ４・・・・・・・・・高周波電源 ５・・・・・・・・・昇降手段 ６・・・・・・・・・排気手段 ６ａ・・・・・・吸入口 ア・・・・・・・・・昇降手段 ８・・・・・・・・・ガス導入手段 ８ａ・・・・・・吐出口 ９・・・・・・・・・昇降手段 １１・・・・・・・・・切換スイッチ １２・・・・・・・・・昇降手段。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）反応室と、反応室内を真空排気する排気手段と、
    反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、反応室
    内に互いに対向して配設された一対の電極と、一対の電
    極間に高周波電圧を供給する高周波電源とを備え、かつ
    少なくとも一方の電極とガス導入手段のガス吐出口を電
    極の対向方向に移動可能に構成したことを特徴とするプ
    ラズマ処理装置。
  2. （２）排気手段の吸入口を電極の対向方向に移動可能に
    構成したことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理
    装置。
  3. （３）一対の電極に対する高周波電圧の印加方向を切換
    える切換手段を設けるとともに一対の電極を共にその対
    向方向に移動可能に構成したことを特徴とする請求項１
    又は２記載のプラズマ処理装置。
JP1341532A 1989-12-29 1989-12-29 プラズマ処理装置 Pending JPH03203317A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1341532A JPH03203317A (ja) 1989-12-29 1989-12-29 プラズマ処理装置
US07/634,732 US5110437A (en) 1989-12-29 1990-12-27 Plasma processing apparatus
KR1019900022373A KR940000498B1 (ko) 1989-12-29 1990-12-29 플라즈마 처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1341532A JPH03203317A (ja) 1989-12-29 1989-12-29 プラズマ処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03203317A true JPH03203317A (ja) 1991-09-05

Family

ID=18346799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1341532A Pending JPH03203317A (ja) 1989-12-29 1989-12-29 プラズマ処理装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5110437A (ja)
JP (1) JPH03203317A (ja)
KR (1) KR940000498B1 (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980687A (en) * 1997-05-20 1999-11-09 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus comprising a compensating-process-gas supply means in synchronism with a rotating magnetic field
JP2002289597A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びその方法
US6485604B1 (en) 1998-09-07 2002-11-26 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2002343723A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Sumitomo Chem Co Ltd 半導体製造装置及び化合物半導体の製造方法
KR100716690B1 (ko) * 1999-06-16 2007-05-09 소니 가부시끼 가이샤 반도체 시료의 처리 장치 및 처리 방법
JP2007273750A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法
KR100829922B1 (ko) * 2006-08-24 2008-05-16 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR100839914B1 (ko) * 2008-03-10 2008-06-20 세메스 주식회사 플라즈마 처리 방법
JP4991069B2 (ja) * 1999-12-30 2012-08-01 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理システムで用いられる直線駆動システム
JP2017092157A (ja) * 2015-11-05 2017-05-25 栗田工業株式会社 プラズマ処理装置部品のクリーニング方法及びクリーニング装置
CN113097048A (zh) * 2016-11-02 2021-07-09 瓦里安半导体设备公司 离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4118973C2 (de) * 1991-06-08 1999-02-04 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung zur plasmaunterstützten Bearbeitung von Substraten und Verwendung dieser Vorrichtung
JPH05243160A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Nec Yamagata Ltd 半導体デバイス製造用プラズマｃｖｄ装置
DE69312989T2 (de) * 1992-03-13 1997-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Plasma-CVD-Anlage und entsprechendes Verfahren
FR2691035B1 (fr) * 1992-05-07 1994-06-17 France Telecom Dispositif et machine a plasma de traitement chimique et procede utilisant ce dispositif.
US7264850B1 (en) 1992-12-28 2007-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for treating a substrate with a plasma
US6835523B1 (en) * 1993-05-09 2004-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Apparatus for fabricating coating and method of fabricating the coating
US5824158A (en) * 1993-06-30 1998-10-20 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Chemical vapor deposition using inductively coupled plasma and system therefor
US6183816B1 (en) 1993-07-20 2001-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the coating
US5565036A (en) * 1994-01-19 1996-10-15 Tel America, Inc. Apparatus and method for igniting plasma in a process module
KR0136632B1 (ko) * 1994-07-26 1998-05-15 김은영 다이아몬드상 경질 카본 필름이 이중 코팅된 vtr 헤드 드럼과 그 코팅층 형성방법 및 장치
US5716534A (en) * 1994-12-05 1998-02-10 Tokyo Electron Limited Plasma processing method and plasma etching method
JPH08259386A (ja) * 1995-03-20 1996-10-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 酸化物薄膜の製造方法及びそれに用いる化学蒸着装置
US5660639A (en) * 1995-10-17 1997-08-26 Ford Motor Company Method and apparatus for plasma treating an article
US6137231A (en) * 1996-09-10 2000-10-24 The Regents Of The University Of California Constricted glow discharge plasma source
US5879573A (en) * 1997-08-12 1999-03-09 Vlsi Technology, Inc. Method for optimizing a gap for plasma processing
JP3818561B2 (ja) * 1998-10-29 2006-09-06 エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド シリコン酸化膜の成膜方法および薄膜トランジスタの製造方法
US6383954B1 (en) 1999-07-27 2002-05-07 Applied Materials, Inc. Process gas distribution for forming stable fluorine-doped silicate glass and other films
US6237527B1 (en) * 1999-08-06 2001-05-29 Axcelis Technologies, Inc. System for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate
JP4578651B2 (ja) 1999-09-13 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置、プラズマエッチング方法
KR100467082B1 (ko) * 2000-03-02 2005-01-24 주성엔지니어링(주) 반도체소자 제조장치 및 그 클리닝방법
KR100335382B1 (ko) * 2000-05-23 2002-05-06 최규술 회전 전극 플라즈마 장치, 및 이를 이용한 탄소 나노체합성 방법
US6531069B1 (en) 2000-06-22 2003-03-11 International Business Machines Corporation Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections
US6902622B2 (en) * 2001-04-12 2005-06-07 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
JP3886424B2 (ja) * 2001-08-28 2007-02-28 鹿児島日本電気株式会社 基板処理装置及び方法
US6783629B2 (en) * 2002-03-11 2004-08-31 Yuri Glukhoy Plasma treatment apparatus with improved uniformity of treatment and method for improving uniformity of plasma treatment
US20040011464A1 (en) * 2002-07-16 2004-01-22 Applied Materials, Inc. Promotion of independence between degree of dissociation of reactive gas and the amount of ionization of dilutant gas via diverse gas injection
US20030047536A1 (en) * 2002-10-02 2003-03-13 Johnson Wayne L. Method and apparatus for distributing gas within high density plasma process chamber to ensure uniform plasma
JP4336124B2 (ja) 2003-03-10 2009-09-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US20040261712A1 (en) * 2003-04-25 2004-12-30 Daisuke Hayashi Plasma processing apparatus
US7296534B2 (en) * 2003-04-30 2007-11-20 Tokyo Electron Limited Hybrid ball-lock attachment apparatus
JP4273932B2 (ja) * 2003-11-07 2009-06-03 株式会社島津製作所 表面波励起プラズマｃｖｄ装置
US20060000552A1 (en) * 2004-07-05 2006-01-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and cleaning method thereof
DE102005046463A1 (de) * 2005-09-22 2007-04-05 Infineon Technologies Ag Plasmabearbeitungsgerät
CN100418875C (zh) * 2005-10-11 2008-09-17 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 螺旋型碳纳米管制备装置及方法
US20070281086A1 (en) * 2006-06-05 2007-12-06 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Apparatus and method for producing carbon nanotubes
TW200809000A (en) * 2006-08-09 2008-02-16 Kinik Co Chemical vapor thin film deposition apparatus having vertical plating surface and power controlled heat wire
DE102008026001B4 (de) * 2007-09-04 2012-02-16 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Bearbeitung von Schichten auf Substraten unter definierter Prozessatmosphäre und Heizelement
KR20120023656A (ko) * 2009-05-15 2012-03-13 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼 표면파 플라즈마 ｃｖｄ 장치 및 성막 방법
JP5432686B2 (ja) * 2009-12-03 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5809396B2 (ja) * 2010-06-24 2015-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
GB201102337D0 (en) 2011-02-09 2011-03-23 Univ Ulster A plasma based surface augmentation method
US20140134849A1 (en) * 2012-11-09 2014-05-15 Intermolecular Inc. Combinatorial Site Isolated Plasma Assisted Deposition
US9293303B2 (en) * 2013-08-30 2016-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Low contamination chamber for surface activation
KR101800321B1 (ko) * 2016-04-18 2017-11-22 최상준 건식 에칭장치
US10854432B2 (en) * 2016-06-07 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Rotary plasma electrical feedthrough
US20180073143A1 (en) * 2016-09-12 2018-03-15 Toshiba Memory Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5742131A (en) * 1980-08-27 1982-03-09 Mitsubishi Electric Corp Parallel flat board type dry etching device
JPS57102022A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Nec Corp Reactive sputter etching equipment
JPS60184679A (ja) * 1984-03-01 1985-09-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層薄膜形成法及びそれに用いる装置
US4908095A (en) * 1988-05-02 1990-03-13 Tokyo Electron Limited Etching device, and etching method
JPH02213468A (ja) * 1989-02-13 1990-08-24 Fuji Electric Co Ltd 反応性スパツタリング装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5980687A (en) * 1997-05-20 1999-11-09 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus comprising a compensating-process-gas supply means in synchronism with a rotating magnetic field
US6485604B1 (en) 1998-09-07 2002-11-26 Kokusai Electric Co., Ltd. Substrate processing apparatus
KR100716690B1 (ko) * 1999-06-16 2007-05-09 소니 가부시끼 가이샤 반도체 시료의 처리 장치 및 처리 방법
JP4991069B2 (ja) * 1999-12-30 2012-08-01 ラム リサーチ コーポレーション プラズマ処理システムで用いられる直線駆動システム
JP2002289597A (ja) * 2001-03-23 2002-10-04 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置及びその方法
JP2002343723A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Sumitomo Chem Co Ltd 半導体製造装置及び化合物半導体の製造方法
JP2007273750A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法
KR100829922B1 (ko) * 2006-08-24 2008-05-16 세메스 주식회사 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR100839914B1 (ko) * 2008-03-10 2008-06-20 세메스 주식회사 플라즈마 처리 방법
JP2017092157A (ja) * 2015-11-05 2017-05-25 栗田工業株式会社 プラズマ処理装置部品のクリーニング方法及びクリーニング装置
CN113097048A (zh) * 2016-11-02 2021-07-09 瓦里安半导体设备公司 离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法
CN113097048B (zh) * 2016-11-02 2024-03-29 瓦里安半导体设备公司 离子源、等离子体室以及调整等离子体的体积的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5110437A (en) 1992-05-05
KR940000498B1 (ko) 1994-01-21
KR910012328A (ko) 1991-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940000498B1 (ko) 플라즈마 처리장치
JP3115015B2 (ja) 縦型バッチ処理装置
KR101104536B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP3343200B2 (ja) プラズマ処理装置
US5015330A (en) Film forming method and film forming device
JP4255747B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8480850B2 (en) Plasma treatment system
JP3122617B2 (ja) プラズマ処理装置
US6972071B1 (en) High-speed symmetrical plasma treatment system
KR20190066593A (ko) 배기 장치, 처리 장치 및 배기 방법
JP3535309B2 (ja) 減圧処理装置
JP2001127045A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
EP1203513B1 (en) High-speed symmetrical plasma treatment system
JP4287579B2 (ja) プラズマ処理装置及び方法
JPH05125545A (ja) プラズマ装置
JPH11200031A (ja) スパッタリング装置及びその高速真空排気方法
JP2000195851A (ja) プラズマ処理装置ならびにプラズマ処理方法
JPH08162444A (ja) プラズマ処理装置及びその制御方法
JPH08330279A (ja) プラズマ処理装置
JP2022009504A (ja) プラズマ処理装置
KR100683255B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 배기 장치
JP3010443U (ja) プラズマ処理装置
JP2970891B2 (ja) プラズマ装置の真空チャンバー
JP4780202B2 (ja) プラズマ処理装置
JP5150461B2 (ja) プラズマ処理装置