JPH03204929A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造方法に関し、 コンタクトホール内の基板にダメージを与え難くするこ
とができ、かつコンタクトホール内の絶縁膜に突出部を
生じ難くし配線層スパッタリング形成時の５ｈａｄｏ−
効果を緩和することができ、配線層と基板とのカバレン
ジを良好にすることができ、更にコンタクトホール径を
安定に制御することができる半導体装置の製造方法を提
供することを目的とし、 基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜を異方性エ
ツチングして開口部を形成する工程と、該絶縁膜を不活
性ガスと酸素ガスの混合ガスによりスパッタ処理して該
絶縁膜側壁がテーバ形成となるようにコンタクトホール
を形成する工程とを含むように構成し、又は基板上に絶
縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上にレジストを塗布し
てレジスト膜を形成する工程と、該レジスト膜をパター
ニングして第１の開口部を形成する工程と、該レジスト
膜をマスクとして該第１の開口部を介して該絶縁膜を異
方性エツチングして第２の開口部を形成する工程と、該
レジスト膜及び該絶縁膜を低真空（例えば圧力が０．０
１〜０．５　Ｔｏｒｒ）で不活性ガスと酸素ガスの混合
ガスによりスパッタ処理して該レジスト膜を除去すると
ともに、該絶縁膜側壁がテーバ形状となるようにコンタ
クトホールを形成する工程とを含むように構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置の製造方法に係り　コンタクトホ
ールを有する絶縁膜側壁にテーパを形成する方法に適用
することができ、特に配線層と基板とのカバレッジを良
好にすることができる半導体装置の製造方法に関する。

近年、ＬＳＩの高集積化に伴いコンタクトホールの微細
化が進み、現状の異方性エツチングにより絶縁膜に形成
されたコンタクトホールを有する構造では、コンタクト
ホールの絶縁膜側壁が垂直形状であるため、このホール
内に配線層となるアルミニウム等をスパッタリング形成
する際にいわゆるｓｈａｄｏｗ効果が起きてコンタクト
ホール内にＡＩ等の配線層をカバレンジ良く形成するこ
とができない。そこで、コンタクトホール内にカバレン
ジ良く配線層を形成するために、コンタクトホール内の
絶縁膜側壁にテーパを形成して、このｓｈａｄｏｗ効果
を緩和できるようにすることが要求されている。

その１つの方法としては、Ａｒガスによるスパッタ処理
によりコンタクトホール内の絶縁膜側壁にテーパを形成
する方法が提案されている。しかしながら、この方法で
は、コンタクトホール内に露出した基板へのダメージが
大きく、安定にコンタクトを取ることができないという
問題があった。

また、コンタクトホール内の絶縁膜側壁に異物が付着し
、この異物によって絶縁膜側壁にはｓｈａｄｏｗ効果を
助長する凹凸ができるため、カバレッジの良い配線層の
形成ができないという問題があった。

そこで、ダメージや異物の付着を抑えることができる半
導体装置の製造方法が要求されている。

〔従来の技術〕

第５図（ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法の
一例を説明する図である。

この図において、３１は例えばＳｉからなる基板、３２
は例えばＰ　Ｓ　Ｇ　（Ｐｈｏｓｐｈｏ　５ｉｌｆｃａ
ｔｅ　Ｇｌａｓｓ）からなる絶縁膜、３３は絶縁膜３２
に形成されたコンタクトホール、３４は例えばＡＩ　（
ＡｆＳｉ等でもよい）からなる配線層である。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第５図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法
により基板３１上にＰＳＧを堆積して絶縁膜３２を形成
した後、異方性エツチングにより絶縁膜３２を選択的に
エツチングしてコンタクトホール３３を形成するととも
に、コンタクトホール３３内に基板３１を露出させる。

この時、コンタクトホール３３内の絶縁膜３２側壁（エ
ツチング面）は垂直形状となる。

次に、第５図（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法に
よりコンタクトホール３３内の基板３１とコンタクトを
取るようにＡＩを堆積して配線層３４を形成する。

この従来の製造方法では異方性エツチングにより絶縁膜
３２側壁が垂直形状となるコンタクトホール３３を形成
しており、コンタクトホール３３の直径が大きく集積度
がそれ程要求されない場合には第５図（ｂ）に示す如く
、コンタクトホール３３内の基板３１と配線Ｎ３４とを
良好なカバレッジで形成することができる。しかしなが
ら、集積度が要求されコンタクトホール３３直径が小さ
く厳しくなると、第５図（ｃ）に示すように、絶縁膜３
２と配線層３４のカバレッジが悪くなるという問題があ
った。特に、第５図（ｃ）に示すＸ１部の如く、特にコ
ンタクトホール３３エツジ部で配線層３４の膜厚が薄く
なり易くカバレッジを悪くしていた。

上記力ハレソジの問題を軽減する従来技術としては等方
性エツチングと異方性エツチングを行うことによりコン
タクトホールを形成する方法がある。以下、図面を用い
て具体的に説明する。

第６図（ａ）〜（ｄ）は従来の半導体装置の製造方法の
他の一例を説明する図である。

この図において、第５図と同一符号は同一または相当部
分を示し、３５はレジスト膜、３６は絶縁膜３２上部に
形成された溝、３７は絶縁膜３２に形成されたコンタク
トホールで、そのコンタクトホール３７内の絶縁膜３２
側壁上部にテーバ形状のテーバ部３８を有している。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第６図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板３１上にＰＳＧを堆積して絶縁膜３２を形成し、
レジストを塗布した後、露光・現像によりレジストをパ
ターニングしてレジスト膜３５を形成する。次いで、等
方性エツチングによりレジスト膜３５をマスクとして絶
縁膜３２を選択的にエツチングして絶縁膜３２上部に溝
３６を形成する。ここでの溝３６は、等方性エツチング
によりサイドエツチングがなされて形成される。

次に、第６図（ｂ）に果すように、異方性エツチングに
より上記と同じレジスト膜３５をマスクとし溝３６を介
して更に絶縁膜３２を選択的にエツチングすることによ
りコンタクトホール３７を形成するとともに、コンタク
トホール３７内に基板３１を露出させる。ここでのコン
タクトホール３７は異方性エツチングにより垂直方向に
エツチングがなされて形成され、そのコンタクトホール
３７内に絶縁膜３２側壁上部にテーバ形状のテーバ部３
８が形成される。

次いで、レジスト膜３５を除去する。

次に、第６図（ｃ）に示すように、例えばスパッタ法に
よりコンタクトホール３７内の基板３１とコンタクトを
取るようにＡｎを堆積して配線層３４を形成する。

この従来の製造方法では、等方性エツチングと異方性エ
ツチングを行うことにより絶縁膜３２側壁上部にテーバ
形状（テーバ部３８）を有するコンタクトホール３７を
形成しており、絶縁膜３２側壁上部がテーバ形状（テー
バ部３８）になっているため、特に絶縁膜３２側壁上部
で配線層３４を厚く形成することができ、絶縁膜３２と
配線層３４とのカバレンジを第５図で説明した従来法よ
りも良好にすることができるという利点がある。しかし
ながら、特にサブミクロンオーダの集積度が要求されコ
ンタクトホール直径が小さくなると、第６図（ｄ）に示
すようムこ、コンタクトホール３７上部のテーバ部３８
でのコンタクトホール直径がサイドエツチングがかかっ
て大きくなっているため、隣のコンタクトホール３７と
接触し易かった。この原因の１つには微細化されると溝
３６を形成する際の等方性エツチングが制御し難いこと
が挙げられる。このため、コンタクトホール３７同士で
接触したところの突出部３９で、その後形成した配線層
３４が断線したりする等問題があった。また、各コンタ
クトホール３７毎に配線層を形成する場合は、配線層３
４同士でショートしてしまうという問題があった。

上記断線、ショート等の問題と第５図で説明したカバレ
ンジの問題とを軽減する従来技術としてはＡｒガスによ
るスパッタ処理を行うことによりコンタクトホールを形
成する方法がある。以下、図面を用いて具体的に説明す
る。

第７図（ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置の製造方法の
他の一例を説明する図である。

この図において、第５図及び第６図と同一符号は同一ま
たは相当部分を示し、４０は絶縁膜３２に形成された開
口部、４１は絶縁膜３２に形成されたコンタクトホール
で、そのコンタクトホール４１内の絶縁膜３２側壁全面
にテーバ形状のテーバ部４２を有している。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第７図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板３１上にＰＳＧを堆積して絶縁膜３２を形成した
後、異方性エツチングにより絶縁膜３２を選択的にエツ
チングして開口部４０を形成するとともに、開口部４０
内に基板３１を露出させる。この時、開口部４０内の絶
縁膜３２側壁（工・ノチング面）は垂直形状となる。

次に、第７図（ｂ）に示すように、開口部４０を有する
絶縁膜３２をＡｒガスによりスバ・ツタ処理して、絶縁
膜３２側壁全面にテーバ形状のテーバ部４２を有するよ
うにコンタクトホール４１を形成する。

ここで、絶縁膜３２側壁全面にテーバ部４２を有するよ
うにコンタクトホール４１が形成されるのは、ここでの
Ａｒガスによるスパッタ処理が垂直方向にはほとんどス
パッタ処理せず、４５度方向にスバ・ツタ処理し絶縁膜
３２を物理的に削っているためである。

次に、第７図（ｃ）に示すように、例えばスノ＜ツタ法
によりコンタクトホール４１内の基板３１とコンタクト
を取るようにＡ１を堆積して配線層３４を形成する。

この従来の製造方法ではＡｒガスによりスバ・ツタ処理
することにより絶縁膜３２側壁全面にテーバ形状のテー
バ部４２を有するコンタクトホール４１を形成しており
、絶縁膜３２側壁全面がテーバ形状のテーバ部４２にな
っているため、絶縁膜３２と配線層３４のカバレンジを
第５図で説明した従来法よりも良好にすることができる
。しかも、第６図で説明した従来法のようにテーバ部４
２がサイドエツチングで大きく削られて形成されるので
はなく、比較的ゆるやかな傾斜で絶縁膜３２側壁全面に
形成されるため、隣のコンタクトホール４１と接触し難
くでき、断線、ショート等の問題を生じ難くすることが
できる。

また、特開昭６３−２２７０２２号公報ではレジスト膜
表面にイオンを照射してレジスト膜表面の性質を変えて
レジスト膜内にエッチレートの差を付け、このレジスト
膜をマスクとして用い、不活性ガスと０２ガスとの混合
ガスによる異方性エツチングにより絶縁膜側壁全面がテ
ーバ形状となるようにコンタクトホールを形成する方法
が提案されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記した第７図で説明した従来の半導体装置の製造方法
にあっては、Ａｒガスのみによるスパッタ処理により絶
縁膜３２側壁全面にテーバ形状のテーバ部４２を有する
コンタクトホール４１を形成しており、第８図（ａ）に
示すＭＩ部の如くコンタクトホール４１内の特に基板３
１にダメージを与え易く、安定にコンタクトを取ること
ができないという問題があった。具体的には、コンタク
トホール４１内の基板３１にダメージが入るとコンタク
トホール４１形成後で配線層３４形成前に行うコンタク
トホール４１内のウェット処理によりクリーニング処理
する際、ダメージが入った部分が削られてしまうのであ
る。そして、コンタクトホール４１内の基板３１にソー
ス／ドレイン拡散層等の拡散層があるような場合も拡散
層が削られてしまうのである。

また、コンタクトホール４１内の絶縁膜３２側壁に異物
が付着することにより第８図（ｂ）に示すＮ１部の如く
突出部が生じ難く、外観を悪くしてしまうという問題が
あった。具体的には、異物の発生原因は２つ考えられ１
つ目はコンタクトホール４１を形成する。Ａｒガスによ
るスパッタ処理の際、基板３１を構成するＳｉが飛び出
して絶縁膜３２側壁に付着する。２つ目は絶縁膜３２か
らスパッタされて飛び出した酸化物又はＳｉが絶縁膜側
壁に再付着する。そして、この状態でコンタクトホール
４１内の基板面をＨＦを用いてウェット処理でクリーニ
ングし自然酸化膜を除去する際、絶縁膜３２側壁に付着
した異物と絶縁膜３２とでエッチレートの差が生じ、こ
のためクリーニング処理すると絶縁膜３２側壁に突出部
が生じ外観を悪くしていたのである。また、５ｅｔ−Ｗ
なしでスパッタエツチングを行った際には、下のＳｉ、
ポリＳ　ｉｓ　Ｗ　Ｓ　ｉ等の導電膜（層）もスパッタ
され、これが再付着して、上のＡＩ！合金等の導電膜形
成前に下層上の自然酸化膜除去（しないとコンタクト抵
抗大）のＨＦ処理時に突出部が生じ、上層のカバレンジ
が十分改善されない等の問題があった。

したがって、コンタクトホール４１内の基板３１と配線
層３４とのカバレンジを悪くしているという問題があっ
た。

また、上記した特開昭６３−２２７０２２号公報の半導
体装置の製造方法にあっては、イオン照射によりレジス
ト膜内にエッチレートの差を制御性よく付けるのは非常
に困難であり、１度にテーバを付けながらコンタクトホ
ールを形成しているため、コンタクトホール径（特にコ
ンタクトホール底部）を制御するのが非常に困難である
という問題があった。

そこで本発明は、コンタクトホール内の基板にダメージ
を与え難くすることができ、かつコンタク［・ホール内
の絶縁膜に突出部を生じ難くして外観を良くすることが
でき、配線層と基板とのカバレッジを良好にすることが
でき、更にコンタクトホール径を安定に制御することが
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とし
ている。

〔課題を解決するための手段〕

第１の発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成
のため、基板上に絶縁膜を形成する工程と、 該絶縁膜を異方性エツチングして開口部を形成す工程と
、該絶縁膜を不活性ガスと酸素ガスの混合ガスによりス
パッタ処理して該絶縁膜側壁がテーバ形状となるように
コンタクトホールを形成する工程とを含むものである。

第２の発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成
のため、基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上
にレジストを塗布してレジスト膜を形成する工程と、該
レジスト膜をパターニングして第１の開口部を形成する
工程と、該レジスト膜をマスクとして該第１の開口部を
介して該絶縁膜を異方性エツチングして第２の開口部を
形成する工程と、該レジスト膜及び該絶縁膜を低真空（
例えば０．０１〜０．５　Ｔｏｒｒ）で不活性ガスと酸
素ガスの混合ガスによりスパッタ処理して該レジスト膜
を除去するとともに、該絶縁膜側壁がテーバ形状となる
ようにコンタクトホールを形成する工程とを含むもので
ある。

本発明に係る不活性ガスとしては、Ａｒガス、Ｎｅガス
、Ｋｒガス、Ｘｅガス等の不活性ガスが挙げられる。

〔作用〕

第１の発明は、第１図（ａ）〜（ｄ）に示すように、基
板ｌ上に絶縁膜２が形成され、絶縁膜２が異方性エツチ
ングされて開口部５が形成された後、絶縁膜２が不活性
ガス（Ａｒガス）と０２ガスの混合ガスによりスパッタ
処理されて絶縁膜２側壁がテーパ形状となるテーバ部７
を有するようにコンタクトホール６が形成される。

したがって、コンタクトホール６内の基板１にダメージ
を与え難くすることができるようになり、かつコンタク
トホール６内の絶縁膜２に突出部を生じ難＜シて外観を
良くすることができるようになり、配線層８と基板６と
のカバレッジを良好にすることができるようになる。更
には、コンタクトホール径を安定に制御することができ
るようになる。詳細については実施例で説明する。

第２の発明は、第４図（ａ）〜（ｄ）に示すように、基
板１上に絶縁膜２が形成され、絶縁膜２上にレジストを
塗布してレジスト膜３が形成され、レジスト膜３がパタ
ーニングされて第１の開口部４が形成され、レジスト膜
がマスクとして用いられ、第１の開口部を介して絶縁膜
が異方性エンチングされた第２の開口部５が形成された
後、レジスト膜３及び絶縁膜２が、低真空（例えば０．
０１〜０．５　Ｔｏｒｒ）で不活性ガスと酸素ガスの混
合ガスによりスパッタ処理されてレジスト膜３が除去さ
れるとともに、絶縁膜２側壁がテーバ形状となるように
コンタクトホール６が形成される。

したがって、上記第１の発明の効果に加え、工程を簡略
化することができるようになる。詳細については実施例
で説明する。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に基づいて説明する。

第１図及び第２図は第１の発明に係る半導体装置の製造
方法の一実施例を説明する図であり、第１図（ａ）〜（
ｅ）は第１の発明の一実施例の製遣方法を説明する図、
第２図は第１の発明の一実施例の効果を説明する図であ
る。

これらの図において、■は例えばＳｉからなる基板、２
は例えばＰＳＧからなる絶縁膜、３はレジスト膜、４は
レジスト膜３に形成された開口部、５は絶縁膜２に形成
された開口部、６は絶縁膜２に形成されたコンタクトホ
ールで、そのコンタクトホール６内の絶縁膜２側壁全面
にテーバ形状のテーバ部７を有している。８は例えばＡ
ｎ（Ａ１３ｉ等でもよい）からなる配線層である。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第１図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板ｌ上にＰＳＧを堆積して膜厚が例えば１μｍの絶
縁膜２を形成し、絶縁膜２上にレジストを塗布した後、
露光・現像によりレジストをパターニングしてレジスト
膜３を形成する。このとき、レジスト膜３に幅が例えば
０．５〜１μｍの開口部４が形成され、開口部４内に絶
縁膜２が露出される。

次に、第１図（ｂ）に示すように、例えばＣＦ　４ガス
、ＣＨＦ１ガス及びＡｒガスの混合ガスによる異方性エ
ツチングにより、レジスト膜３をマスクとして開口部４
内の絶縁膜２を選択的にエツチングして幅が例えば０．
５〜１μｍの開口部５を形成するとともに、開口部５内
に基板ｌを露出させる。この時、開口部５内の絶縁膜２
側壁（エツチング面）は垂直形状となる。

次に、第１図（ｃ）に示すように、マスクとして用いた
レジスト膜３を真空度を例えばｌ　Ｔｏｒｒ（０□ガス
のみ）とし０□　（酸素）プラズマアッシングにより除
去する。

次に、第１図（ｄ）に示すように、開口部５を有する絶
縁膜２を圧力がＩ　Ｔｏｒｒで不活性ガスとして例えば
Ａｒガスと０２ガスの混合ガスによりスパッタ処理して
、絶縁膜２側壁全面にテーバ形状のテーバ部７を有する
ようにコンタクトホール６を形成する。ここで、絶縁膜
２側壁全面にテーバ部７を有するようにコンタクトホー
ル６が形成されるのは、Ａｒガスと０２ガスの混合ガス
によるスパッタ処理が垂直方向にはほとんどスパッタ処
理せず、４５度方向にスパッタ処理し絶縁膜２を物理的
に削っているためである。

次に、第１図（ｅ）に示すように、例えばスパッタ法に
よりコンタクトホール６内の基板ｌとコンタクトを取る
ようにＡＩを堆積して配線層８を形成する。

すなわち、上記実施例では、開口部５を有する絶縁膜２
をＡｒガスと０２ガスの混合ガスによるスパッタ処理す
ることにより、絶縁膜２側壁全面にテーバ形状のテーバ
部７を有するコンタクトホール６を形成するようにした
ため、コンタクトホール６内の基板１にダメージを与え
難くすることができ、かつコンタクトホール６の絶縁膜
２に突出部を生じ難くシて外観を良くすることができる
。

なお、ここでは、Ａ　ｒ　：　Ｏｚ　＝５０　：　５０
の流量比として行ったが、Ａｒを多くした方がスパッタ
レートは速くなる。０□を含ませれば、テーバ形状にコ
ンタクトホールを形成できるが、０２が多くなる程Ａｒ
は少なくなるのでスパッタレートは遅くなる。例えば全
部を０２とした場合は、スパツタリングがなかなか進ま
ないので、エツチング処理としては使いものにならない
。このようなことを考えあわせると、０□は少なくとも
工・７チヤントの半分以上含ませるべきである。

また、−度量口部５を形成してからスパッタ処理して絶
縁膜２側壁全面にテーバ部７を形成しており、第２図に
示すＳＩ部の如く開口部５底部付近はほとんどスパッタ
処理されず、絶縁膜２側壁だけがスパッタ処理されるた
め、特にコンタクトホール６底部の穴径がレジスト開口
時の穴径で保障できるため、従来のレジスト膜内にエッ
チレートの差をつけて一度にコンタクトホールを形成す
る場合よりもコンタクトホール径を安定に制御すること
ができる。

なお、本発明においては、第１図（ｃ）に示すごとく絶
縁膜２に開口部５を形成した後、第３図（ａ）に示すよ
うに、例えばＣＶＤ法により全面に５ｉＯｚを堆積して
膜厚が例えば５００人の絶縁膜１１を形成し、この後、
第３図（ｂ）に示すように、絶縁膜２を圧力がＩ　Ｔｏ
ｒｒで不活性ガスとして例えばＡｒガスと０２ガスの混
合ガスによりスパッタ処理して、テーパ形状のテーバ部
７を有するようにコンタクトホール６を形成する場合で
あってもよい。この場合、スパッタ処理する際、予め保
護膜として機能する絶縁膜１１が形成れているため、コ
ンタクトホール６内の基板１にダメージが更に入り難く
なるという点で好ましい態様である。

また、本実施例の他に配線層８は選択ＣＶＤによって形
成されるタングステン膜（Ｗ）等自由に変形することが
できる。同様に絶縁Ｍ２もＰＳＧの他にＢＰＳＧ、Ｓｉ
Ｎ　（窒化膜）等自由に変形することができる。

さらに、Ａｒ＋Ｏｚガスを用いてレジスト剥離時の真空
度を低真空（例えば０．０１〜０．５　Ｔｏｒｒ）にす
ることによれば、レジスト剥離とＡｒスパッタリング工
程を同時に行い、コンタクトホールの側壁にテーバを形
成することができる。

以下、具体的に図面を用いて説明する。

第４図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る半導体装置の製造
方法の一実施例を説明する図である。

これらの図において、第１図と同一符号は同一または相
当部分を示す。

次に、その製造方法について説明する。

まず、第４図（ａ）に示すように、例えばＣＶＤ法によ
り基板１上にＰＳＧを堆積して膜厚が例えば１μｍの絶
縁膜２を形成し、絶縁膜２上にレジストを塗布してレジ
スト膜３を形成した後、露光・現像によりレジスト膜３
をパターニングする。

このレジスト膜３に幅が例えば０．５〜１μｍの開口部
４　（第２の発明に係る第１の開口部に該当する）が形
成され、開口部４内に絶縁膜２が露出される。

次に、第４図（ｂ）に示すように、例えばＣＦ４ガス、
ＣＨＦ、ガス及びＡｒガスの混合ガスによる異方性エツ
チングにより、レジスト膜３をマスクとして開口部４内
の絶縁膜２を選択的にエツチングして幅が例えば０．５
〜ｌｕｍの開口部５　（第２の発明に係る第２の開口部
に該当する）を形成するとともに、開口部５内の基板１
を露出させる。

この時、開口部５内の絶縁膜２側壁（エツチング面）は
垂直形状となる。

次に、第４図（Ｃ）に示すように、レジスト膜３及び絶
縁ＩＩ！２を圧力が例えば０．０１〜０．５　Ｔｏｒｒ
で不活性ガスとして例えばＡｒガスと０□ガスの混合ガ
スによりスパッタ処理して、レジスト膜３を除去すると
ともに、絶縁膜２側壁全面にテーパ形状のテーバ部７を
有するようにコンタクトホール６を形成する。ここで、
絶縁膜２側壁全面にテーバ部７を有するようにコンタク
トホール６が形成されるのは、Ａｒガスと０□ガスの混
合ガスによるスパッタ処理が垂直方向にほとんどスパッ
タ処理せず、４５度方向にスパッタ処理し絶縁膜２を物
理的に削っているためである。

次に、第１図（ｅ）に示すように、例えばスパッタ法に
よりコンタクトホール６内の基板１とコンタクトを取る
ようにＡＪを堆積して配線層８を形成する。

すなわち、上記実施例では、レジスト膜３及び絶縁膜２
を低真空（例えば圧力が０．０１〜０．５　Ｔｏｒｒ）
でＡｒガスと０２ガスの混合ガスによりスパッタ処理す
ることにより、レジスト膜３を除去するとともに絶縁膜
２側壁全面にテーパ形状のテーバ部７を有するコンタク
トホール６を形成するようにしたため、第１の発明の効
果と同様コンタクトホール６内の基板ｌにダメージを与
え難くすることができ、かつコンタクトホール６の絶縁
膜２に突出部を生じ難くして外観を良くすることができ
るうえ、工程を簡略化することができるという利点があ
る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、コンタクトホール内の基板にダメージ
を与え難くすることができ、かつコンタクトホール内の
絶縁膜に突出部を生じ難くして外観を良くすることがで
き、配線層と基板とのカバレンジを良好にすることがで
き、更にコンタクトホール径を安定に制御することがで
きるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は第１の本発明に係る半導体装置の製
造方法の一実施例を説明する図であり、第１図は第１の
発明の一実施例の製造方法を説明する図、 第２図は第１の発明の一実施例の効果を説明する図、 第３図は第１の発明の他の実施例の製造方法を説明する
図、 第４図は第２の発明の一実施例の製造方法を説明する図
、 第５図〜第７図は従来例の製造方法を説明する図、 第８図は従来例の課題を説明する図である。 ７・・・・・・テーパ部。 ・・・・・・基板、 ・・・・・・絶縁膜、 ・・・・・・レジスト膜１ ．５・・・・・・開口部、 ・・・・・・コンタクトホール、 第１の発明の一実施例の製造方法を説明する同第１の発
明の一実施例の製造方法を説明する図第１図 第１の発明の一実施例の効果を説明する図第 図 第２の発明の一実施例の製造方法を説明する図第 図 第１の発明の他の実施例を説明する図 第 図 第２の発明の一実施例の製造方法を説明する図第 図 従来例の製造方法を説明する図 第 図 第 図 従来例の製造方法を説明する図 第 図 従来例の製造方法を説明する図 第 図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に絶縁膜を形成する工程と、 該絶縁膜を異方性エッチングして開口部を形成する工程
   と、 該絶縁膜を不活性ガスと酸素ガスの混合ガスによりスパ
   ッタ処理して該絶縁膜側壁がテーパ形状となるようにコ
   ンタクトホールを形成する工程とを含むことを特徴とす
   る半導体装置の製造方法。
2. （２）基板上に絶縁膜を形成する工程と、 該絶縁膜上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する
   工程と、 該レジスト膜をパターニングして第１の開口部を形成す
   る工程と、 該レジスト膜をマスクとして該第１の開口部を介して該
   絶縁膜を異方性エッチングして第２の開口部を形成する
   工程と、 該レジスト膜及び該絶縁膜を低真空（例えば圧力が０．
   ０１〜０．５Ｔｏｒｒ）で不活性ガスと酸素ガスの混合
   ガスによりスパッタ処理して該レジスト膜を除去すると
   ともに、該絶縁膜側壁がテーパ形状となるようにコンタ
   クトホールを形成する工程とを含むことを特徴とする半
   導体装置の製造方法。