JPH03206091A - ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ランタノイド化合物 - Google Patents
ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ランタノイド化合物Info
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- JPH03206091A JPH03206091A JP1340867A JP34086789A JPH03206091A JP H03206091 A JPH03206091 A JP H03206091A JP 1340867 A JP1340867 A JP 1340867A JP 34086789 A JP34086789 A JP 34086789A JP H03206091 A JPH03206091 A JP H03206091A
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
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- C07D487/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09B47/00—Porphines; Azaporphines
- C09B47/04—Phthalocyanines abbreviation: Pc
- C09B47/06—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide
- C09B47/062—Preparation from carboxylic acids or derivatives thereof, e.g. anhydrides, amides, mononitriles, phthalimide, o-cyanobenzamide having alkyl radicals linked directly to the Pc skeleton; having carboxylic groups directly linked to the skeleton, e.g. phenyl
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- C09B47/08—Preparation from other phthalocyanine compounds, e.g. cobaltphthalocyanineamine complex
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- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K9/00—Tenebrescent materials, i.e. materials for which the range of wavelengths for energy absorption is changed as a result of excitation by some form of energy
- C09K9/02—Organic tenebrescent materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、エレクトロクロミズムなど電気化学的に優れ
た特性を発現することが期待される希土類−ビスフタロ
シアニン錯体化合物に、溶媒への可溶性、液晶性の発現
等機能薄膜の開発に有用な化学的,熱的に安定な側鎖を
付与した化合物に関するものである. 〔従来技術及び問題点〕 エレクトロク.口4ツタ物質は電圧を印加することによ
り変色を示すことからディスプレイへの応用が期待され
ている.特にルテチウム(あるいは希土類)一ビスフタ
ロシアニン錯体は、数少ないマルチカラー特性を有する
エレクトロクロ逅ツク物質として注目されている。一般
にフタロシアニン化合物は、溶媒に対し不溶であり、合
威が容易な反面、実用において制限があった.フランス
のシモン(Simon) らはフタロシアニンの周囲
に8本の長鎖アルコキシメチル基を付与することにより
この問題を解決し、更にこの物質が液晶性を示すことを
明らかにした.また、この希土[18体はエレクトロク
ロミツク特性を示したのみでなく有機半導体特性を有す
るなど、電気化学的に優れた性質を示すことがわかった
(例えば、フランス特許”Brevet Franca
is’ 84/L9,34B PR 2.574+80
6).然しなから、この緒体は側鎖にヘテロ原子を有す
ることから、そこが反応部位となることが考えられ、エ
レクトロクロミック物質として安定性に不安がある物質
であるという問題点があった。
た特性を発現することが期待される希土類−ビスフタロ
シアニン錯体化合物に、溶媒への可溶性、液晶性の発現
等機能薄膜の開発に有用な化学的,熱的に安定な側鎖を
付与した化合物に関するものである. 〔従来技術及び問題点〕 エレクトロク.口4ツタ物質は電圧を印加することによ
り変色を示すことからディスプレイへの応用が期待され
ている.特にルテチウム(あるいは希土類)一ビスフタ
ロシアニン錯体は、数少ないマルチカラー特性を有する
エレクトロクロ逅ツク物質として注目されている。一般
にフタロシアニン化合物は、溶媒に対し不溶であり、合
威が容易な反面、実用において制限があった.フランス
のシモン(Simon) らはフタロシアニンの周囲
に8本の長鎖アルコキシメチル基を付与することにより
この問題を解決し、更にこの物質が液晶性を示すことを
明らかにした.また、この希土[18体はエレクトロク
ロミツク特性を示したのみでなく有機半導体特性を有す
るなど、電気化学的に優れた性質を示すことがわかった
(例えば、フランス特許”Brevet Franca
is’ 84/L9,34B PR 2.574+80
6).然しなから、この緒体は側鎖にヘテロ原子を有す
ることから、そこが反応部位となることが考えられ、エ
レクトロクロミック物質として安定性に不安がある物質
であるという問題点があった。
C問題点を解決するための手段及び作用〕本発明者らは
上記の問題点の解決のために希土類〜ビスフタ口シアニ
ン錯体の側鎖としてヘテロ原子を含まない長鎖アルキル
基を導入することにより電気的、熱的に安定性を持たせ
ることを考えた。本発明者らはフタロシアニン誘導体に
関し検討した結果、一般式(1)で表わされる2,3,
9,10,16,17,23.24位を長鎖アルキル基
で置換したオクタ(アルキル)フタロシアニンの希土類
錯体がエレクトロクロミツク特性を有することを想起し
種々実験を重ねた結果、本発明を完成した. 以下にその概要を説明する。
上記の問題点の解決のために希土類〜ビスフタ口シアニ
ン錯体の側鎖としてヘテロ原子を含まない長鎖アルキル
基を導入することにより電気的、熱的に安定性を持たせ
ることを考えた。本発明者らはフタロシアニン誘導体に
関し検討した結果、一般式(1)で表わされる2,3,
9,10,16,17,23.24位を長鎖アルキル基
で置換したオクタ(アルキル)フタロシアニンの希土類
錯体がエレクトロクロミツク特性を有することを想起し
種々実験を重ねた結果、本発明を完成した. 以下にその概要を説明する。
H
一般式(1)は2枚のフタ口シアニン環が、希土類金属
をサンドウィッチして配位した構造をしている。式中R
は炭素数4〜30のアルキル基を表し、PCはフタロシ
アニン、L,は、希土類金属(L.〜L.)及びYを表
す. 又、構造式中配位子であるフタ口シアニン環の窒素原子
は、黒丸(・)で位置を示し環内の二重結合は省略した
. 配位子である日置換フタロシアニンの正確な構造式(メ
タルフリ一体)を以下に示す。
をサンドウィッチして配位した構造をしている。式中R
は炭素数4〜30のアルキル基を表し、PCはフタロシ
アニン、L,は、希土類金属(L.〜L.)及びYを表
す. 又、構造式中配位子であるフタ口シアニン環の窒素原子
は、黒丸(・)で位置を示し環内の二重結合は省略した
. 配位子である日置換フタロシアニンの正確な構造式(メ
タルフリ一体)を以下に示す。
上図のフタロシアニンを簡略化して示す.ここで、図中
に記したN原子はフタロシアニンの4つのビロール環の
N原子である. この簡略化したフタロシアニンモデルを用いると一般式
(1)は次の様に示される(L.:希土類イオン(L.
〜L.)及びY). メタルフリーの8置換フタロシアニンは、Simon,
太田らのNew.J.Chew.. 12, 75H1
988).の方法に従って合成した。すなわちアルキル
プロマイドと金属マグネシウムより調製したグリニャー
ル試薬とオルトージクロロベンゼンとを反応させ、得ら
れたジアルキルベンゼン3をブロモ化し、ジブロモ体4
を得る。これをシアン化第lmと反応させ、ジシアノベ
ンゼン誘導体5とした後、塩基存在下で反応させ、メタ
ルフリーフタロシアニンを得た。ビス(フタロシアニナ
ート)ルテチウム錯体の合戒は、よく知られている方法
(例えばSimonらのChew. P hys. L
ett. . q. .124(1985))を用い
て行った.すなわちフタロシアニンを塩基で処理した後
酢酸ランクメイドと反応させ希土類−ビスフタロシアニ
ン錯体(一般式(1)に示す)を得た。一般式(1)で
表わされるRは脂肪族アルキル基C4〜C,。を示すが
、扱い易さの点よりR=C.〜C.がふさわしい(C:
炭素数)。またR = C Izにおいて一般式(1)
は、32℃〜44℃でモノトロビックなディスコテイツ
ク液晶相を呈した.またR−Cs ,C+t,Cpsの
一般式(1)は、通常緑色の物質であるが、+0.28
〜0. 2 9 Vで赤色へ、−0.1TVで青色へと
エレクトロクロミズムを示した. 合或経路を第1図に示す。
に記したN原子はフタロシアニンの4つのビロール環の
N原子である. この簡略化したフタロシアニンモデルを用いると一般式
(1)は次の様に示される(L.:希土類イオン(L.
〜L.)及びY). メタルフリーの8置換フタロシアニンは、Simon,
太田らのNew.J.Chew.. 12, 75H1
988).の方法に従って合成した。すなわちアルキル
プロマイドと金属マグネシウムより調製したグリニャー
ル試薬とオルトージクロロベンゼンとを反応させ、得ら
れたジアルキルベンゼン3をブロモ化し、ジブロモ体4
を得る。これをシアン化第lmと反応させ、ジシアノベ
ンゼン誘導体5とした後、塩基存在下で反応させ、メタ
ルフリーフタロシアニンを得た。ビス(フタロシアニナ
ート)ルテチウム錯体の合戒は、よく知られている方法
(例えばSimonらのChew. P hys. L
ett. . q. .124(1985))を用い
て行った.すなわちフタロシアニンを塩基で処理した後
酢酸ランクメイドと反応させ希土類−ビスフタロシアニ
ン錯体(一般式(1)に示す)を得た。一般式(1)で
表わされるRは脂肪族アルキル基C4〜C,。を示すが
、扱い易さの点よりR=C.〜C.がふさわしい(C:
炭素数)。またR = C Izにおいて一般式(1)
は、32℃〜44℃でモノトロビックなディスコテイツ
ク液晶相を呈した.またR−Cs ,C+t,Cpsの
一般式(1)は、通常緑色の物質であるが、+0.28
〜0. 2 9 Vで赤色へ、−0.1TVで青色へと
エレクトロクロミズムを示した. 合或経路を第1図に示す。
実施例1
ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ルテチウム
(1・アルキル鎖長12)の製造。
(1・アルキル鎖長12)の製造。
テトラヒドロフラン(THF)中、臭化−n−ラウリル
0.21molと金属マグネシウム0.27molより
グリニャール試薬を調製し、これをNi触媒存在下でオ
ルトージクロロベンゼン0.I4mol と反応した(
収率31%)。
0.21molと金属マグネシウム0.27molより
グリニャール試薬を調製し、これをNi触媒存在下でオ
ルトージクロロベンゼン0.I4mol と反応した(
収率31%)。
生威したビスドデシルベンゼン3 7. 8 mmol
とブロミン(B,!) 4 1。61111101とを
四塩化炭素中でO℃〜5℃で10時間反応させモノブロ
モ体を得た(収率93%)。更にモノブロモ体3 2.
1 a+n+olとブロミン3 2. 1 mmol
をジクロロメタン中で室温で21時間反応させジブロモ
体を収率92%で得た。
とブロミン(B,!) 4 1。61111101とを
四塩化炭素中でO℃〜5℃で10時間反応させモノブロ
モ体を得た(収率93%)。更にモノブロモ体3 2.
1 a+n+olとブロミン3 2. 1 mmol
をジクロロメタン中で室温で21時間反応させジブロモ
体を収率92%で得た。
ジプロモ体1 7. 5 v++olとシアン化第IF
455.0IIIlo1をN,N−ジメチルホルムアミ
ド(DMF)中で6時間加熱還流した後(収率44%)
得られたジシアノベンゼン誘導体0. 4 3 mra
olを1.8−ジアザビシクロ(5.4,O)−7−ウ
ンデセン(DBU)存在下エタノール中で加熱還流しメ
タルフリーのフタロシアニンを収率25%で得た.生威
したフタロシアニン107μmofをアミルアルコール
中でボタシウムア壽レート(KOCsH++)で処理し
、酢酸ルテチウムと反応させ錯体(1)を収率28%で
得た。元素分析の結果、水素10.76%(計算値1
0. 7 7%)炭素7 8. 8 7%、(計算値7
8. 9 8%)窒素5.90%(計算値5.76%
)と計算値と一致した.紫外一可視吸光分析の結果第2
図(b)のlに示す様に674nmと477nmにルテ
チウム錯体特有の吸収が観察された。
455.0IIIlo1をN,N−ジメチルホルムアミ
ド(DMF)中で6時間加熱還流した後(収率44%)
得られたジシアノベンゼン誘導体0. 4 3 mra
olを1.8−ジアザビシクロ(5.4,O)−7−ウ
ンデセン(DBU)存在下エタノール中で加熱還流しメ
タルフリーのフタロシアニンを収率25%で得た.生威
したフタロシアニン107μmofをアミルアルコール
中でボタシウムア壽レート(KOCsH++)で処理し
、酢酸ルテチウムと反応させ錯体(1)を収率28%で
得た。元素分析の結果、水素10.76%(計算値1
0. 7 7%)炭素7 8. 8 7%、(計算値7
8. 9 8%)窒素5.90%(計算値5.76%
)と計算値と一致した.紫外一可視吸光分析の結果第2
図(b)のlに示す様に674nmと477nmにルテ
チウム錯体特有の吸収が観察された。
このものは32゜Cから44゜Cでモノトロピックなデ
ィスコテイツク液晶相を示した。転移温度を表1に示す
。
ィスコテイツク液晶相を示した。転移温度を表1に示す
。
サイクリックボルタモグラムによる半波電位は−0.1
7Vと+〇.28Vにあり、−0.17Vでは緑色から
青色へ、+0.28Vでは緑色から赤色へと変色性を示
した。(1)は極性溶媒以外には良く溶け精製も容易で
あった。
7Vと+〇.28Vにあり、−0.17Vでは緑色から
青色へ、+0.28Vでは緑色から赤色へと変色性を示
した。(1)は極性溶媒以外には良く溶け精製も容易で
あった。
(1)の酸化体と還元体の紫外一可視吸光スベクトルを
第2図(b)に酸化体は2,還元体は3として示す. 実施例2 ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ルテチウム
(1・アルキル鎖長18)の製造.THF中臭化一n−
ステアリル0.11molと金属マグネシウム0.11
molよりグリニャール試薬を調製し、Ni触媒下オル
トージクロロベンゼン0.05molと反応した(収率
39%)。生威したベンゼン誘導体17.2開OIとプ
ロ逅ン34.4mmo1をジクロロメタン中で反応させ
ジブロモベンゼン誘導体を得た(収率78%)。ジブロ
モ体27.I O mmolとシアン化第1銅8 1. 0 gaol
をDMF中で6時間加熱還流した後(収率35%)得ら
れたジシアノベンゼン誘導体5. 5 0 mmolを
DBU存在下エタノール中で20時間加熱環流してメタ
ルフリーなフタロシアニンを収率13%で得た。得られ
たフタロシアニン95μmofをアもルアルコール中で
ポタシウムアミレートで処理し、酢酸ルテチウムと反応
させ収率27%で錯体を得た。元素分析の結果、水素1
1.50%(計算値11.70%)炭素8 0. 5
6%(計算値8 0. 6 9%)窒素4.25%(計
算値4.28%)と計算値と一致した。
第2図(b)に酸化体は2,還元体は3として示す. 実施例2 ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ルテチウム
(1・アルキル鎖長18)の製造.THF中臭化一n−
ステアリル0.11molと金属マグネシウム0.11
molよりグリニャール試薬を調製し、Ni触媒下オル
トージクロロベンゼン0.05molと反応した(収率
39%)。生威したベンゼン誘導体17.2開OIとプ
ロ逅ン34.4mmo1をジクロロメタン中で反応させ
ジブロモベンゼン誘導体を得た(収率78%)。ジブロ
モ体27.I O mmolとシアン化第1銅8 1. 0 gaol
をDMF中で6時間加熱還流した後(収率35%)得ら
れたジシアノベンゼン誘導体5. 5 0 mmolを
DBU存在下エタノール中で20時間加熱環流してメタ
ルフリーなフタロシアニンを収率13%で得た。得られ
たフタロシアニン95μmofをアもルアルコール中で
ポタシウムアミレートで処理し、酢酸ルテチウムと反応
させ収率27%で錯体を得た。元素分析の結果、水素1
1.50%(計算値11.70%)炭素8 0. 5
6%(計算値8 0. 6 9%)窒素4.25%(計
算値4.28%)と計算値と一致した。
紫外一可視吸光分析の結果、第3図(b)に示す様に6
6 8 nmと467nmにルテチウム錯体特有の吸
収が観察された. サイクリックボルタモグラムによる半波電位は−0.1
7vと+〇. 2 9 vにあり、 0. 1 7 v
では緑色から青色へ、+〇.29Vでは緑色から赤色へ
と変色性を示した。酸化体、還元体の紫外一可視吸光分
析は、R ”’ C I gのそれらと同様なスペクト
ルを示した. 実施例3 ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ルテチウム
(1.アルキル鎖長8)の製造THF中臭化−n−オク
チル0.26mofと金属マグネシウム0.26mol
よりグリニャール試薬を調製し、Nf触媒下オルトージ
クロ口ベンゼン0.13molと反応した(収率36%
).生成したベンゼン誘導体39.6mmolとブロξ
ン79.4mmolをジクロロメタン中で反応させジブ
ロモベンゼン誘導体を得た(収率89%)。ジプロモ体
29.3mmolとシアン化第1銅88.0mmolを
DMF中で6時間加熱還流した後(収率33%)得られ
たジシアノベンゼン誘導体7.1mmolをDBU存在
下エタノール中で24時間加熱還流してメタルフリーな
フタ口シアニンを収率10%で得た。得られたフタ口シ
アニン142μmolをアξルアルコール中でボタシウ
ムアミレートで処理し、酢酸ルテチウムと反応させ収率
23%で錯体を得た。元素分析の結果、水素9.87%
(計算値9.69%)炭素7 6. 3 7%(計算値
7 6. 9 9%)窒素7.51%(計算値7.48
%)と計算値とほぼ一致した。紫外一可視吸光分析の結
果、第4図(b)に示す様に、675nmと475nm
にルテチウム錯体特有の吸収が観察された。
6 8 nmと467nmにルテチウム錯体特有の吸
収が観察された. サイクリックボルタモグラムによる半波電位は−0.1
7vと+〇. 2 9 vにあり、 0. 1 7 v
では緑色から青色へ、+〇.29Vでは緑色から赤色へ
と変色性を示した。酸化体、還元体の紫外一可視吸光分
析は、R ”’ C I gのそれらと同様なスペクト
ルを示した. 実施例3 ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ルテチウム
(1.アルキル鎖長8)の製造THF中臭化−n−オク
チル0.26mofと金属マグネシウム0.26mol
よりグリニャール試薬を調製し、Nf触媒下オルトージ
クロ口ベンゼン0.13molと反応した(収率36%
).生成したベンゼン誘導体39.6mmolとブロξ
ン79.4mmolをジクロロメタン中で反応させジブ
ロモベンゼン誘導体を得た(収率89%)。ジプロモ体
29.3mmolとシアン化第1銅88.0mmolを
DMF中で6時間加熱還流した後(収率33%)得られ
たジシアノベンゼン誘導体7.1mmolをDBU存在
下エタノール中で24時間加熱還流してメタルフリーな
フタ口シアニンを収率10%で得た。得られたフタ口シ
アニン142μmolをアξルアルコール中でボタシウ
ムアミレートで処理し、酢酸ルテチウムと反応させ収率
23%で錯体を得た。元素分析の結果、水素9.87%
(計算値9.69%)炭素7 6. 3 7%(計算値
7 6. 9 9%)窒素7.51%(計算値7.48
%)と計算値とほぼ一致した。紫外一可視吸光分析の結
果、第4図(b)に示す様に、675nmと475nm
にルテチウム錯体特有の吸収が観察された。
サイクリックボルタモグラムによる半波電位は、−0.
17vと+〇. 2 8 vにあり、 0. 1 7
vでは緑色から青色へ、+0.28vでは緑色から赤色
へと変色性を示した。酸化体、還元体の紫外一可視吸収
分析は、R=C,,のそれらと同様なスペクトルを示し
た。
17vと+〇. 2 8 vにあり、 0. 1 7
vでは緑色から青色へ、+0.28vでは緑色から赤色
へと変色性を示した。酸化体、還元体の紫外一可視吸収
分析は、R=C,,のそれらと同様なスペクトルを示し
た。
本発明により得られた側鎖に反応部位をもたない希土類
−ビスフタロシアニン錯体化合物はエレクトロクロミズ
ムを有し、電気化学的に優れた特性を有する。また、こ
の希土類一ビスフタロシアニン錯体化合物は溶媒に可溶
なフタロシアニン類でディスコテイツク液晶相を示し、
導電物質の可能性があり、薄膜化が可能で機能薄膜の開
発に極めて有用である。
−ビスフタロシアニン錯体化合物はエレクトロクロミズ
ムを有し、電気化学的に優れた特性を有する。また、こ
の希土類一ビスフタロシアニン錯体化合物は溶媒に可溶
なフタロシアニン類でディスコテイツク液晶相を示し、
導電物質の可能性があり、薄膜化が可能で機能薄膜の開
発に極めて有用である。
表
1.転移温度( ((C+ z)*Pc] −t u錯
体)
体)
第1図は本発明品の合威経路図、第2図(a)はアルキ
ル鎖長l2のフタロシアニンメタルフリ一体のUV−V
I S吸収スペクトル,第2図(b)はそのルテチウ
ム錯体吸収スペクトル.第3図(a)はアルキル鎖長1
8のフタロシアニンメタルフリ一体吸収スペクトル,第
3図(b)はそのルテチウム錯体吸収スペクトル,第4
図(a)はアルキル鎖長8のフタロシアニンメタルフリ
一体吸収スペクトル,第4図(b)はそのルテチウム錯
体吸収スペクトルである。 (o)フタ口シアニン メタルフリ 体吸収スペクトル (nmノ 又は,1,2 ヲケル(n)クロライド ビス(ジフエニルホスフィノ)エタ〕 ヲケル(II)ク0ライド R:C4−C30アルキル鎖 第 1 図 8 ジアザビシクロ (a)フタ口シアニン メタルフリ 体吸収スペクトル (nrn) fb)ルテチウム諸体吸収スペクトル
ル鎖長l2のフタロシアニンメタルフリ一体のUV−V
I S吸収スペクトル,第2図(b)はそのルテチウ
ム錯体吸収スペクトル.第3図(a)はアルキル鎖長1
8のフタロシアニンメタルフリ一体吸収スペクトル,第
3図(b)はそのルテチウム錯体吸収スペクトル,第4
図(a)はアルキル鎖長8のフタロシアニンメタルフリ
一体吸収スペクトル,第4図(b)はそのルテチウム錯
体吸収スペクトルである。 (o)フタ口シアニン メタルフリ 体吸収スペクトル (nmノ 又は,1,2 ヲケル(n)クロライド ビス(ジフエニルホスフィノ)エタ〕 ヲケル(II)ク0ライド R:C4−C30アルキル鎖 第 1 図 8 ジアザビシクロ (a)フタ口シアニン メタルフリ 体吸収スペクトル (nrn) fb)ルテチウム諸体吸収スペクトル
Claims (2)
- (1)下記一般式(1)で表わされる金属錯体化合物 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式(1)
- (2)請求項(1)で表わした希土類−ビスフタロシア
ニン化合物を少なくとも1種類含有することを特徴とす
るエレクトロミック化合物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340867A JPH0689001B2 (ja) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ランタノイド化合物 |
| US07/633,248 US5110916A (en) | 1989-12-30 | 1990-12-21 | Bis (octaalkylphthalocyaninate) lanthanides |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1340867A JPH0689001B2 (ja) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ランタノイド化合物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03206091A true JPH03206091A (ja) | 1991-09-09 |
| JPH0689001B2 JPH0689001B2 (ja) | 1994-11-09 |
Family
ID=18341047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1340867A Expired - Fee Related JPH0689001B2 (ja) | 1989-12-30 | 1989-12-30 | ビス(オクタアルキルフタロシアニナート)ランタノイド化合物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5110916A (ja) |
| JP (1) | JPH0689001B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06157535A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-03 | Univ Tohoku | キラルなフタロシアニン誘導体の希土類錯体およびその製造方法 |
| JP2008031120A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Nara Institute Of Science & Technology | 希土類錯体およびその利用 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100773089B1 (ko) * | 2007-04-30 | 2007-11-05 | 씨엠에스테크놀로지(주) | 감마선에 감응하는 폴리 가교형 프탈로시아닌 화합물 및 그를 포함하는 잉크 조성물 |
| EP2116578B1 (en) * | 2008-05-09 | 2011-08-31 | NANOCMS Co., Ltd. | Gamma ray-sensitive phthalocyanine compound of poly cross-linking type and ink composition comprising the same |
| CN101941972B (zh) * | 2010-09-15 | 2013-05-01 | 西北大学 | 镧系三明治型酞菁类配合物的制备方法及其在Li/SOCl2电池中的应用 |
| RU2691011C1 (ru) * | 2018-12-20 | 2019-06-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Физиологически Активных Веществ Российской Академии Наук (Ифав Ран) | Способ получения сэндвичевых бис(фталоцианинатов) и/или трис(фталоцианинатов) редкоземельных элементов |
| CN110187602B (zh) * | 2019-05-14 | 2020-10-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色光刻胶组合物 |
| CN110333644A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-10-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色光刻胶组合物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177075A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-09-11 | クリスチヤン クラリス | 金属ジフタロシアニンの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4031109A (en) * | 1968-08-30 | 1977-06-21 | Xerox Corporation | Method for the preparation of X-form metal phthalocyanine and X-form metal free compounds |
| US4784736A (en) * | 1986-07-07 | 1988-11-15 | Bend Research, Inc. | Functional, photochemically active, and chemically asymmetric membranes by interfacial polymerization of derivatized multifunctional prepolymers |
-
1989
- 1989-12-30 JP JP1340867A patent/JPH0689001B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-12-21 US US07/633,248 patent/US5110916A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60177075A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-09-11 | クリスチヤン クラリス | 金属ジフタロシアニンの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06157535A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-03 | Univ Tohoku | キラルなフタロシアニン誘導体の希土類錯体およびその製造方法 |
| JP2008031120A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Nara Institute Of Science & Technology | 希土類錯体およびその利用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5110916A (en) | 1992-05-05 |
| JPH0689001B2 (ja) | 1994-11-09 |
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