JPH03208331A - Equipment for processing resist film - Google Patents
Equipment for processing resist filmInfo
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- JPH03208331A JPH03208331A JP2003267A JP326790A JPH03208331A JP H03208331 A JPH03208331 A JP H03208331A JP 2003267 A JP2003267 A JP 2003267A JP 326790 A JP326790 A JP 326790A JP H03208331 A JPH03208331 A JP H03208331A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はレジスト膜処理装置に関する。[Detailed description of the invention] [Industrial application field] The present invention relates to a resist film processing apparatus.
[従来の技術]
半導体製造工程、特にレジスト塗布、露光、現像工程に
おいてはレジスト塗布から洗浄までの一連の工程をコー
タ、デベロッパ、ヒータ等の各種処理ユニットを備えた
処理装置で連続して行っている。[Prior Art] In semiconductor manufacturing processes, particularly resist coating, exposure, and development processes, a series of processes from resist coating to cleaning are performed continuously using processing equipment equipped with various processing units such as coaters, developers, and heaters. There is.
このような処理装置は1例えば第3図に示すように複数
のレジスト塗布あるいはアドヒージヨン処理等の塗布ユ
ニット10、複数の加熱プレート、冷却プレートの処理
ユニット11等を配置し、更にそれらユニット間に被処
理体であるウェハを搬送するための搬送装置13を配置
したもので、各加熱ユニット及び各冷却ユニットは各加
熱手段及び/又は冷却手段を備え、レジスト塗布前のウ
ェハを所定温度に予備加熱し、塗布後のウェハを所定温
度に冷却し、あるいは洗浄後のウェハを加熱するように
構成されている。For example, as shown in FIG. 3, such a processing apparatus has a plurality of coating units 10 for resist coating or adhesion processing, a plurality of processing units 11 for heating plates, cooling plates, etc., and further includes a coating between these units. A transport device 13 is arranged for transporting a wafer as a processing object, and each heating unit and each cooling unit are equipped with respective heating means and/or cooling means to preheat the wafer to a predetermined temperature before resist coating. , the wafer after coating is cooled to a predetermined temperature, or the wafer after cleaning is heated.
一般に加熱プレートは、ヒータ等の電熱手段を内蔵する
熱板から成り、この熱板上に直接あるいは、この熱板上
に埋め込まれたセラミックスあるいは石英のボールを介
してウェハが載置されヒータへの電流を制御することに
より、熱板の設定温度すなわちウェハの加熱温度をコン
トロールしている。In general, a heating plate consists of a heating plate with a built-in electric heating means such as a heater, and a wafer is placed on this heating plate either directly or via a ceramic or quartz ball embedded in the heating plate, and the wafer is placed on the heating plate and connected to the heater. By controlling the current, the set temperature of the hot plate, that is, the heating temperature of the wafer is controlled.
又、冷却プレートは、熱板と同様にボールの埋め込まれ
た冷却板と冷却板を冷却するための冷媒の流路とから成
り、冷媒の供給源において冷媒の温度を所定温度に設定
することにより冷却温度をコントロールしている。Similarly to a hot plate, a cooling plate is made up of a cooling plate with embedded balls and a refrigerant flow path for cooling the cooling plate. Controls cooling temperature.
更に、塗布ユニットでも上記のような電熱板と冷却手段
を備えたものがあり、このようなものにおいては冷媒の
供給あるいはヒータを制御することにより処理温度を厳
密にコントロールすることができるように構成されてい
る。これらは例えば特開昭61−23321号、特開昭
61−67224号に記載され周知である。Furthermore, some coating units are equipped with an electric heating plate and cooling means as described above, and such units are configured so that the processing temperature can be strictly controlled by controlling the supply of refrigerant or the heater. has been done. These are described in, for example, JP-A-61-23321 and JP-A-61-67224 and are well known.
[発明が解決しようとする課題]
ところで、このような従来のレジスト膜処理装置におい
ては、個々の処理ユニットはそれら処理の種類によって
要求される設定温度が異なるので、処理ユニット毎に各
々その温度を制御するように構成されている。この場合
、電熱器の制御は電力のコントロールのみで行えるので
、共通の制御系で行うことが可能であるが、冷却の場合
、冷媒の温度を設定する必要上各ユニット毎に所定の温
度調整手段を備えた冷媒供給源、冷媒を冷却ユニットに
供給するための配管とを設けなければならなかった。従
ってこのような冷却ユニットを組み合わせた処理装置で
は、全体として非常に大型化し、しかも、集中管理がで
きないので保守、操作等の負担も大きかった。[Problem to be Solved by the Invention] By the way, in such a conventional resist film processing apparatus, each processing unit has a different set temperature depending on the type of processing, so it is necessary to set the temperature for each processing unit individually. configured to control. In this case, the electric heater can be controlled only by controlling the electric power, so it can be done using a common control system, but in the case of cooling, it is necessary to set the temperature of the refrigerant, so a predetermined temperature adjustment means is required for each unit. A refrigerant supply source with a refrigerant and piping for supplying the refrigerant to the cooling unit had to be provided. Therefore, in a processing device combining such cooling units, the overall size is very large, and since centralized control is not possible, the burden of maintenance, operation, etc. is large.
[発明の目的コ
この発明はこのような従来の問題点を解決し、複数の処
理ユニットの温度コントロールを一括して行うレジスト
膜処理装置を提供することを目的とする。更に本発明は
このようなレジスト膜処理装置の装置全体として小型化
、製造、保守コストの低減を目的とする。[Object of the Invention] It is an object of the present invention to solve these conventional problems and provide a resist film processing apparatus that can collectively control the temperature of a plurality of processing units. Furthermore, the present invention aims at downsizing the resist film processing apparatus as a whole and reducing manufacturing and maintenance costs.
[課題を解決するための手段]
このような目的を達成する本発明のレジスト膜処理装置
は、少なくともアドヒージヨン処理、ホットプレート、
冷却プレートを備えた装置において、前記処理ユニット
は各々加熱手段と冷却手段とを有し且つ前記ユニットの
各冷却手段は共通の温度制御手段を有するものである。[Means for Solving the Problems] The resist film processing apparatus of the present invention that achieves the above object can perform at least adhesion processing, hot plate processing,
In the apparatus equipped with a cooling plate, each of the processing units has a heating means and a cooling means, and each cooling means of the units has a common temperature control means.
[作用]
複数のレジスト膜処理ユニットの各冷却手段を共通の温
度制御手段で単一にコントロールすると共に、各加熱手
段を併用することにより各ユニットを所望の処理温度に
設定する。[Operation] Each cooling means of a plurality of resist film processing units is controlled by a common temperature control means, and each unit is set to a desired processing temperature by using each heating means in combination.
[実施例]
以下、本発明のレジスト膜処理装置をレジスト塗布装置
に適用した実施例について図面を参照して説明する。[Example] Hereinafter, an example in which the resist film processing apparatus of the present invention is applied to a resist coating apparatus will be described with reference to the drawings.
第1図において、処理ユニットLA、IB、ICは各々
アドヒージヨンユニット、ホットプレートおよび冷却プ
レートであり、1台のレジスト塗布装置(図示せず)内
に設置されたものであり、加熱手段2と冷却手段3とを
備える。これら処理ユニットの加熱手段2は、第2図に
示すように熱板として好ましくは薄膜抵抗発熱体21を
用いたものであり、薄膜抵抗発熱体21上にセラミック
ス等の絶縁層22を設けたものが用いられる。このよう
な熱板2は通電することにより発熱体全体21が加熱さ
れるので、熱の分布が極めて均一で熱容量の大きい拡散
板等を不要とし全体として薄くできるので冷却手段2と
組み合わせた場合、熱(冷却)応答性が良好である。し
かもその温度コントロールは薄膜抵抗発熱体21への通
電量を制御すればよいので制御が容易である。In FIG. 1, processing units LA, IB, and IC are adhesion units, hot plates, and cooling plates, respectively, and are installed in one resist coating device (not shown), and heating means 2 and cooling means 3. As shown in FIG. 2, the heating means 2 of these processing units preferably use a thin film resistance heating element 21 as a hot plate, and an insulating layer 22 of ceramic or the like is provided on the thin film resistance heating element 21. is used. Since the entire heating element 21 of such a heating plate 2 is heated by energizing it, the heat distribution is extremely uniform, and there is no need for a diffusion plate with a large heat capacity, and the overall thickness can be reduced, so when combined with the cooling means 2, Good thermal (cooling) response. Furthermore, the temperature can be easily controlled by simply controlling the amount of current applied to the thin film resistance heating element 21.
更に熱板2は絶縁層22に3ヶ所φ4程度の凹部22a
が設けられており、この凹部にセラミックス等の絶縁性
のボール4が埋め込まれている。Furthermore, the heating plate 2 has three recesses 22a of about φ4 in the insulating layer 22.
is provided, and an insulating ball 4 made of ceramic or the like is embedded in this recess.
被処理体であるウェハ5はこのボール4を介して熱板2
上に載置され、所定の温度に加熱あるいは冷却される。The wafer 5, which is the object to be processed, is passed through the ball 4 to the hot plate 2.
It is placed on top and heated or cooled to a predetermined temperature.
次に冷却手段3は熱伝導性の優れた材料から成る板状体
31内に冷媒の流路32が設けられたものである。Next, the cooling means 3 includes a plate-shaped body 31 made of a material with excellent thermal conductivity, and a coolant flow path 32 provided therein.
各処理ユニットIA〜ICの各流路32はユニット外部
の配管33を介して共通の温度制御手段である冷媒供給
装置6に連結されている。冷媒供給装置6は冷媒を一定
の流量で循環させるためのポンプと、冷媒を一定温度に
保つための温調装置とを備えたものである。Each flow path 32 of each of the processing units IA to IC is connected to a refrigerant supply device 6, which is a common temperature control means, via a pipe 33 outside the unit. The refrigerant supply device 6 includes a pump for circulating the refrigerant at a constant flow rate and a temperature control device for maintaining the refrigerant at a constant temperature.
温調装置は、例えば各ユニットから戻った冷媒を減圧化
で気化させて低温にした後、液化するものなどで慣用の
装置を用いることができる。尚、冷媒としては、水、フ
ロリナート(商品名)等の公知の流体が用いられる。As the temperature control device, a conventional device can be used, for example, one that vaporizes the refrigerant returned from each unit by reducing pressure to lower the temperature and then liquefies it. Note that, as the refrigerant, known fluids such as water and Fluorinert (trade name) are used.
以上のような構成において、本実施例における制御方法
について説明する。In the above configuration, a control method in this embodiment will be explained.
処理ユニットIA、IB、ICは各々異なる設定温度、
例えば25℃、30℃、23℃で載置されたウェハを処
理するとする。この場合、冷媒供給装置6では一定温度
例えば23℃に調節された冷媒をポンプによって各処理
ユニットの冷却手段3に供給する。従って各冷却手段3
は一様に約23℃に保たれている。ここで、冷却プレー
トICについてはその設定温度が23℃であるが、他の
処理ユニットIA、IBでは冷却手段3で保持された温
度(23℃)と設定温度とのギャップがあるのでこの温
度ギャップをなくすように各処理ユニットIA、IBの
熱板2の薄膜抵抗発熱体21に通電する。通電量を各温
度ギャップに応じて異ならせることにより、各々を所望
の設定温度に設定することができる。Processing units IA, IB, and IC each have different set temperatures,
For example, assume that wafers placed at 25°C, 30°C, and 23°C are processed. In this case, the refrigerant supply device 6 supplies refrigerant adjusted to a constant temperature, for example, 23° C., to the cooling means 3 of each processing unit using a pump. Therefore, each cooling means 3
is uniformly maintained at about 23°C. Here, the set temperature of the cooling plate IC is 23°C, but in the other processing units IA and IB, there is a gap between the temperature maintained by the cooling means 3 (23°C) and the set temperature, so this temperature gap exists. The thin film resistance heating elements 21 of the hot plates 2 of each processing unit IA and IB are energized so as to eliminate the By varying the amount of energization depending on each temperature gap, each can be set to a desired set temperature.
尚、本実施例においてはレジスト膜処理装置のユニット
として処理ユニットの場合について説明したが、本発明
は冷却手段を有するユニットであればすべて適用可能で
あり、例えば、搬送手段が冷却手段を有している時、こ
のような搬送手段にも共通の冷媒供給手段により冷媒を
供給するように構成することができる。In this embodiment, a processing unit is used as a unit of a resist film processing apparatus, but the present invention can be applied to any unit having a cooling means. For example, if the conveying means has a cooling means, When the refrigerant is used, the refrigerant can be supplied to such a conveying means by a common refrigerant supply means.
又、本実施例においては、一つのレジスト塗布装置内の
処理ユニットについて述べたが、併設された複数のレジ
スト塗布装置の各処理ユニットについて本発明のレジス
ト膜処理装置が適用できるのはいうまでもない。Further, in this embodiment, the processing unit in one resist coating apparatus has been described, but it goes without saying that the resist film processing apparatus of the present invention can be applied to each processing unit of a plurality of resist coating apparatuses installed together. do not have.
[発明の効果]
以上の説明からも明らかなように、本発明のレジスト膜
処理装置によれば、複数の処理ユニットの温度制御装置
を一本化したので装置全体として小型化、低コスト化を
図ることができる。更に本発明のレジスト膜処理装置に
よれば、設定温度の異なる処理装置における微細な温度
コントロールを、電熱手段と冷却手段とを組み合わせる
ことにより、極めて容易に行うことができる。[Effects of the Invention] As is clear from the above description, according to the resist film processing apparatus of the present invention, the temperature control devices of the plurality of processing units are integrated, so that the entire apparatus can be made smaller and lower in cost. can be achieved. Further, according to the resist film processing apparatus of the present invention, fine temperature control in processing apparatuses having different set temperatures can be performed extremely easily by combining electric heating means and cooling means.
第1図は本発明のレジスト膜処理装置が適用されるレジ
スト塗布装置の一実施例を示す図、第2図は本発明に係
る処理ユニットの一実施例を示す図、第3図は従来のレ
ジスト塗布装置を示す図である。
第1図
1A、IB、IC・・・・・・処理ユニット2・・・・
・・・・・熱板(加熱手段)3・・・・・・・・・冷却
手段
5・・・・・・・・・基板(ウェハ)FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a resist coating apparatus to which a resist film processing apparatus of the present invention is applied, FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of a processing unit according to the present invention, and FIG. FIG. 2 is a diagram showing a resist coating device. Fig. 1 1A, IB, IC... Processing unit 2...
...Hot plate (heating means) 3 ...Cooling means 5 ...Substrate (wafer)
Claims (1)
却プレートを備えた装置において、前記処理ユニットは
各々加熱手段と冷却手段とを有し且つ前記ユニットの各
冷却手段は共通の温度制御手段を有することを特徴とす
るレジスト膜処理装置。A resist apparatus comprising at least an adhesion treatment, a hot plate, and a cooling plate, wherein each of the processing units has a heating means and a cooling means, and each cooling means of the units has a common temperature control means. Membrane processing equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003267A JP2815446B2 (en) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | Processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003267A JP2815446B2 (en) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | Processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03208331A true JPH03208331A (en) | 1991-09-11 |
| JP2815446B2 JP2815446B2 (en) | 1998-10-27 |
Family
ID=11552685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003267A Expired - Fee Related JP2815446B2 (en) | 1990-01-10 | 1990-01-10 | Processing equipment |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2815446B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001093830A (en) * | 1999-07-19 | 2001-04-06 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
-
1990
- 1990-01-10 JP JP2003267A patent/JP2815446B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001093830A (en) * | 1999-07-19 | 2001-04-06 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815446B2 (en) | 1998-10-27 |
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