JPH03208331A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

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JPH03208331A
JPH03208331A JP2003267A JP326790A JPH03208331A JP H03208331 A JPH03208331 A JP H03208331A JP 2003267 A JP2003267 A JP 2003267A JP 326790 A JP326790 A JP 326790A JP H03208331 A JPH03208331 A JP H03208331A
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cooling
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units
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JP2003267A
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Kimiharu Matsumura
松村 公治
Hiroyuki Sakai
宏之 境
Masaaki Murakami
政明 村上
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はレジスト膜処理装置に関する。
[従来の技術] 半導体製造工程、特にレジスト塗布、露光、現像工程に
おいてはレジスト塗布から洗浄までの一連の工程をコー
タ、デベロッパ、ヒータ等の各種処理ユニットを備えた
処理装置で連続して行っている。
このような処理装置は1例えば第3図に示すように複数
のレジスト塗布あるいはアドヒージヨン処理等の塗布ユ
ニット10、複数の加熱プレート、冷却プレートの処理
ユニット11等を配置し、更にそれらユニット間に被処
理体であるウェハを搬送するための搬送装置13を配置
したもので、各加熱ユニット及び各冷却ユニットは各加
熱手段及び/又は冷却手段を備え、レジスト塗布前のウ
ェハを所定温度に予備加熱し、塗布後のウェハを所定温
度に冷却し、あるいは洗浄後のウェハを加熱するように
構成されている。
一般に加熱プレートは、ヒータ等の電熱手段を内蔵する
熱板から成り、この熱板上に直接あるいは、この熱板上
に埋め込まれたセラミックスあるいは石英のボールを介
してウェハが載置されヒータへの電流を制御することに
より、熱板の設定温度すなわちウェハの加熱温度をコン
トロールしている。
又、冷却プレートは、熱板と同様にボールの埋め込まれ
た冷却板と冷却板を冷却するための冷媒の流路とから成
り、冷媒の供給源において冷媒の温度を所定温度に設定
することにより冷却温度をコントロールしている。
更に、塗布ユニットでも上記のような電熱板と冷却手段
を備えたものがあり、このようなものにおいては冷媒の
供給あるいはヒータを制御することにより処理温度を厳
密にコントロールすることができるように構成されてい
る。これらは例えば特開昭61−23321号、特開昭
61−67224号に記載され周知である。
[発明が解決しようとする課題] ところで、このような従来のレジスト膜処理装置におい
ては、個々の処理ユニットはそれら処理の種類によって
要求される設定温度が異なるので、処理ユニット毎に各
々その温度を制御するように構成されている。この場合
、電熱器の制御は電力のコントロールのみで行えるので
、共通の制御系で行うことが可能であるが、冷却の場合
、冷媒の温度を設定する必要上各ユニット毎に所定の温
度調整手段を備えた冷媒供給源、冷媒を冷却ユニットに
供給するための配管とを設けなければならなかった。従
ってこのような冷却ユニットを組み合わせた処理装置で
は、全体として非常に大型化し、しかも、集中管理がで
きないので保守、操作等の負担も大きかった。
[発明の目的コ この発明はこのような従来の問題点を解決し、複数の処
理ユニットの温度コントロールを一括して行うレジスト
膜処理装置を提供することを目的とする。更に本発明は
このようなレジスト膜処理装置の装置全体として小型化
、製造、保守コストの低減を目的とする。
[課題を解決するための手段] このような目的を達成する本発明のレジスト膜処理装置
は、少なくともアドヒージヨン処理、ホットプレート、
冷却プレートを備えた装置において、前記処理ユニット
は各々加熱手段と冷却手段とを有し且つ前記ユニットの
各冷却手段は共通の温度制御手段を有するものである。
[作用] 複数のレジスト膜処理ユニットの各冷却手段を共通の温
度制御手段で単一にコントロールすると共に、各加熱手
段を併用することにより各ユニットを所望の処理温度に
設定する。
[実施例] 以下、本発明のレジスト膜処理装置をレジスト塗布装置
に適用した実施例について図面を参照して説明する。
第1図において、処理ユニットLA、IB、ICは各々
アドヒージヨンユニット、ホットプレートおよび冷却プ
レートであり、1台のレジスト塗布装置(図示せず)内
に設置されたものであり、加熱手段2と冷却手段3とを
備える。これら処理ユニットの加熱手段2は、第2図に
示すように熱板として好ましくは薄膜抵抗発熱体21を
用いたものであり、薄膜抵抗発熱体21上にセラミック
ス等の絶縁層22を設けたものが用いられる。このよう
な熱板2は通電することにより発熱体全体21が加熱さ
れるので、熱の分布が極めて均一で熱容量の大きい拡散
板等を不要とし全体として薄くできるので冷却手段2と
組み合わせた場合、熱(冷却)応答性が良好である。し
かもその温度コントロールは薄膜抵抗発熱体21への通
電量を制御すればよいので制御が容易である。
更に熱板2は絶縁層22に3ヶ所φ4程度の凹部22a
が設けられており、この凹部にセラミックス等の絶縁性
のボール4が埋め込まれている。
被処理体であるウェハ5はこのボール4を介して熱板2
上に載置され、所定の温度に加熱あるいは冷却される。
次に冷却手段3は熱伝導性の優れた材料から成る板状体
31内に冷媒の流路32が設けられたものである。
各処理ユニットIA〜ICの各流路32はユニット外部
の配管33を介して共通の温度制御手段である冷媒供給
装置6に連結されている。冷媒供給装置6は冷媒を一定
の流量で循環させるためのポンプと、冷媒を一定温度に
保つための温調装置とを備えたものである。
温調装置は、例えば各ユニットから戻った冷媒を減圧化
で気化させて低温にした後、液化するものなどで慣用の
装置を用いることができる。尚、冷媒としては、水、フ
ロリナート(商品名)等の公知の流体が用いられる。
以上のような構成において、本実施例における制御方法
について説明する。
処理ユニットIA、IB、ICは各々異なる設定温度、
例えば25℃、30℃、23℃で載置されたウェハを処
理するとする。この場合、冷媒供給装置6では一定温度
例えば23℃に調節された冷媒をポンプによって各処理
ユニットの冷却手段3に供給する。従って各冷却手段3
は一様に約23℃に保たれている。ここで、冷却プレー
トICについてはその設定温度が23℃であるが、他の
処理ユニットIA、IBでは冷却手段3で保持された温
度(23℃)と設定温度とのギャップがあるのでこの温
度ギャップをなくすように各処理ユニットIA、IBの
熱板2の薄膜抵抗発熱体21に通電する。通電量を各温
度ギャップに応じて異ならせることにより、各々を所望
の設定温度に設定することができる。
尚、本実施例においてはレジスト膜処理装置のユニット
として処理ユニットの場合について説明したが、本発明
は冷却手段を有するユニットであればすべて適用可能で
あり、例えば、搬送手段が冷却手段を有している時、こ
のような搬送手段にも共通の冷媒供給手段により冷媒を
供給するように構成することができる。
又、本実施例においては、一つのレジスト塗布装置内の
処理ユニットについて述べたが、併設された複数のレジ
スト塗布装置の各処理ユニットについて本発明のレジス
ト膜処理装置が適用できるのはいうまでもない。
[発明の効果] 以上の説明からも明らかなように、本発明のレジスト膜
処理装置によれば、複数の処理ユニットの温度制御装置
を一本化したので装置全体として小型化、低コスト化を
図ることができる。更に本発明のレジスト膜処理装置に
よれば、設定温度の異なる処理装置における微細な温度
コントロールを、電熱手段と冷却手段とを組み合わせる
ことにより、極めて容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のレジスト膜処理装置が適用されるレジ
スト塗布装置の一実施例を示す図、第2図は本発明に係
る処理ユニットの一実施例を示す図、第3図は従来のレ
ジスト塗布装置を示す図である。 第1図 1A、IB、IC・・・・・・処理ユニット2・・・・
・・・・・熱板(加熱手段)3・・・・・・・・・冷却
手段 5・・・・・・・・・基板(ウェハ)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  少なくともアドヒージヨン処理、ホットプレート、冷
    却プレートを備えた装置において、前記処理ユニットは
    各々加熱手段と冷却手段とを有し且つ前記ユニットの各
    冷却手段は共通の温度制御手段を有することを特徴とす
    るレジスト膜処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001093830A (ja) * 1999-07-19 2001-04-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001093830A (ja) * 1999-07-19 2001-04-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板処理方法

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