JPH03209376A - ジヒドロピラン誘導体、これらの製造方法及び使用 - Google Patents
ジヒドロピラン誘導体、これらの製造方法及び使用Info
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- JPH03209376A JPH03209376A JP2336848A JP33684890A JPH03209376A JP H03209376 A JPH03209376 A JP H03209376A JP 2336848 A JP2336848 A JP 2336848A JP 33684890 A JP33684890 A JP 33684890A JP H03209376 A JPH03209376 A JP H03209376A
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- C07C403/14—Derivatives of cyclohexane or of a cyclohexene or of cyclohexadiene, having a side-chain containing an acyclic unsaturated part of at least four carbon atoms, this part being directly attached to the cyclohexane or cyclohexene or cyclohexadiene rings, e.g. vitamin A, beta-carotene, beta-ionone having side-chains substituted by doubly-bound oxygen atoms
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- C07C45/56—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds
- C07C45/57—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds with oxygen as the only heteroatom
- C07C45/60—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds from heterocyclic compounds with oxygen as the only heteroatom in six-membered rings
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- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D309/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings
- C07D309/16—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member
- C07D309/28—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom, not condensed with other rings having one double bond between ring members or between a ring member and a non-ring member with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、新規なジヒドロピラン誘導体、その製造方法
及び種々のビタミン、特にビタミンＡ及びＥの製造にお
けるその使用に関する。
及び種々のビタミン、特にビタミンＡ及びＥの製造にお
けるその使用に関する。
本発明を要約すれば、本発明は、新規なビラン誘導体及
びその製造方法及びその使用に関する。
びその製造方法及びその使用に関する。
これらの誘導体は、ブレナールのリチウムジエノレート
とアルデヒド又はケトンとの縮合により製造される。
とアルデヒド又はケトンとの縮合により製造される。
β−イオニリデンアセトアルデヒドから製造したピラン
誘導体は、触媒の存在下に処理すると、直接レチナール
を導く。
誘導体は、触媒の存在下に処理すると、直接レチナール
を導く。
４一位置にアルキル基を有しそして場合により２一位置
にヒドロキシル基を有するジヒドロビラン誘導体の加水
分解により、ビタミンＡ中間体を製造することは、特願
昭５３−１０１３０８号及び５３−１０１３０９号に従
って知られている。
にヒドロキシル基を有するジヒドロビラン誘導体の加水
分解により、ビタミンＡ中間体を製造することは、特願
昭５３−１０１３０８号及び５３−１０１３０９号に従
って知られている。
これらの誘導体は、これらの誘導体は６一位置では決し
て置換されておらず、それらを製造する方法は、パラジ
ウム又は白金をベースとする触媒上での過酸化水素の水
素化により行なわれる。この方法は、６一位置でポリエ
ン鎖で置換されたピラン誘導体を得ることを可能としな
い。
て置換されておらず、それらを製造する方法は、パラジ
ウム又は白金をベースとする触媒上での過酸化水素の水
素化により行なわれる。この方法は、６一位置でポリエ
ン鎖で置換されたピラン誘導体を得ることを可能としな
い。
本発明は、異なる製造方法により、ボリエチレン基を含
む種々の基で６一位置で置換されているピラン誘導体を
得ることを可能とする。これらのジヒドロビラン誘導体
は新規であり、それらは下記式（Ｉ）、 ９Ｈ 式中、Ｒ１及びＲ２は、同一であるか異なることができ
、そして水素又は１種又は１種より多くの、随時シクロ
アルキル又はシクロアルケニルにより置換されていても
よい線状又は分岐状アルキル、随時シクロアルキル又は
シクロアルケニルにより置換されていてもよい線状又は
分岐状アルケニル又はアリール基を表し、Ｒ＋及びＲ，
の両方が同時に水素を表すことはできない、 で表される。
む種々の基で６一位置で置換されているピラン誘導体を
得ることを可能とする。これらのジヒドロビラン誘導体
は新規であり、それらは下記式（Ｉ）、 ９Ｈ 式中、Ｒ１及びＲ２は、同一であるか異なることができ
、そして水素又は１種又は１種より多くの、随時シクロ
アルキル又はシクロアルケニルにより置換されていても
よい線状又は分岐状アルキル、随時シクロアルキル又は
シクロアルケニルにより置換されていてもよい線状又は
分岐状アルケニル又はアリール基を表し、Ｒ＋及びＲ，
の両方が同時に水素を表すことはできない、 で表される。
アルキル、アルケニル及びアリール基は好ましくは１−
１８個の炭素原子を有する。Ｒ２が水素を表しそしてＲ
１が、 式、 ０Ｈ ６−［２−メチル−４−（２．６．６−｝リメチル１−
シク口ヘキシル）ブタジエニル］基を表す、式（Ｉ）の
誘導体が特に最も好ましい。
１８個の炭素原子を有する。Ｒ２が水素を表しそしてＲ
１が、 式、 ０Ｈ ６−［２−メチル−４−（２．６．６−｝リメチル１−
シク口ヘキシル）ブタジエニル］基を表す、式（Ｉ）の
誘導体が特に最も好ましい。
式（１）のこれらの化合物は、式、
のリチウムジエノレートを、式 ＲＩ ＣＯＲ２のア
ルデヒド又はケトン、式中、Ｒ１及びＲ２は上記の意味
を有する、と接触させることから威る実施の方法に従っ
て製造される。従ってβ−イオニリデンアセトアルデヒ
ドとプレナールのリチウムジエノレートの出発物質とし
ての使用は好ましい。
ルデヒド又はケトン、式中、Ｒ１及びＲ２は上記の意味
を有する、と接触させることから威る実施の方法に従っ
て製造される。従ってβ−イオニリデンアセトアルデヒ
ドとプレナールのリチウムジエノレートの出発物質とし
ての使用は好ましい。
縮合は、好ましくはテトラヒドロフランのようなエーテ
ル及びペンタン、ヘキサン、トルエン及びキシレンのよ
うな脂肪族又は芳香族炭化水素から選ばれる、反応条件
下に不活性である溶媒の存在下に行なわれる。
ル及びペンタン、ヘキサン、トルエン及びキシレンのよ
うな脂肪族又は芳香族炭化水素から選ばれる、反応条件
下に不活性である溶媒の存在下に行なわれる。
縮合は、好ましくは−８０℃乃至＋２０℃の温度で行な
われる。
われる。
ブレナールのリチウムジエノレートの製造は、少なくと
も２つの方法に従って行うことができる。
も２つの方法に従って行うことができる。
第１の方法に従えば、下記式（ｎ）
＼Ｙ３
式中、Ｙ１、Ｙ２及びＹ，は、同一であるか又は異なる
ことができ、モして１−４個の炭素原子を含むアルキル
基、好ましくはメチル基又は、６−１２個の炭素原子を
含むアリール基、好ましくは、フェニル基を表す、 の（３−メチルブタジエニルオキシ）シランを、式Ｒ’
Ｌｉ，式中、Ｒ′は１−４個の炭素原子を含む線状又
は分岐状アルキル基、好ましくはメチル又はｔｅｒｔ−
ブチル基を表す、 のリチウム誘導体と接触させることから成る。
ことができ、モして１−４個の炭素原子を含むアルキル
基、好ましくはメチル基又は、６−１２個の炭素原子を
含むアリール基、好ましくは、フェニル基を表す、 の（３−メチルブタジエニルオキシ）シランを、式Ｒ’
Ｌｉ，式中、Ｒ′は１−４個の炭素原子を含む線状又
は分岐状アルキル基、好ましくはメチル又はｔｅｒｔ−
ブチル基を表す、 のリチウム誘導体と接触させることから成る。
反応体を接触させるのは、−８０℃乃至０℃の温度で好
ましくは行なわれる。
ましくは行なわれる。
反応体を接触させるのは、溶媒の不存在下に、又は好ま
しくはテトラヒド口フランのようなエーテル及びベンタ
ン、ヘキサン、トルエン及びキノレンのような脂肪族又
は芳香族炭化水素から選ばれる、反応条件下に不活性で
ある溶媒中で行なわれる。
しくはテトラヒド口フランのようなエーテル及びベンタ
ン、ヘキサン、トルエン及びキノレンのような脂肪族又
は芳香族炭化水素から選ばれる、反応条件下に不活性で
ある溶媒中で行なわれる。
リチウム誘導体Ｒ’ Ｌｉ対式（ｎ）の化合物のモル比
は、好ましくは１より大きく、最も特定的には１乃至１
．２である。
は、好ましくは１より大きく、最も特定的には１乃至１
．２である。
リチウム誘導体の第２の製造方法に従えば、式（Ｉ［［
）、 式中、Ｒ＃は、１−６個の炭素原子を含む線状又は分岐
状アルキル基、又は６−１２個の炭素原子を含むアリー
ル基を表す、 式（１１Ｆ）の３−メチルブタジエノールのエステルを
、式Ｒ’ Ｌｉ、式中Ｒ′は上記と同じ意味を有する、
のリチウム誘導体と接触させる。
）、 式中、Ｒ＃は、１−６個の炭素原子を含む線状又は分岐
状アルキル基、又は６−１２個の炭素原子を含むアリー
ル基を表す、 式（１１Ｆ）の３−メチルブタジエノールのエステルを
、式Ｒ’ Ｌｉ、式中Ｒ′は上記と同じ意味を有する、
のリチウム誘導体と接触させる。
式（ｍ）の誘導体の中でも、Ｒ＃がメチル基を表す誘導
体、即ち、１−アセチル−３−メチルブタジエンを使用
するのが好ましい。
体、即ち、１−アセチル−３−メチルブタジエンを使用
するのが好ましい。
式（ｍ）の誘導体とリチウム誘導体とを接触させるのは
、好ましくは−８０℃乃至Ｏ℃の温度で行なわれる。
、好ましくは−８０℃乃至Ｏ℃の温度で行なわれる。
反応体を接触させるのは、溶媒の不存在下に、又は好ま
しくはテトラヒド口フランのようなエーテル及びベンタ
ン、ヘキサン、トルエン及びキシレンのような脂肪族又
は芳香族炭化水素から選ばれる、反応条件下に不活性で
ある溶媒中で行なわれる。
しくはテトラヒド口フランのようなエーテル及びベンタ
ン、ヘキサン、トルエン及びキシレンのような脂肪族又
は芳香族炭化水素から選ばれる、反応条件下に不活性で
ある溶媒中で行なわれる。
リチウム誘導体Ｒ’ Ｌｉ対式（ＩＩ［）の化合物のモ
ル比は、好ましくは２より大きく、最も特定的には２乃
至２．２である。
ル比は、好ましくは２より大きく、最も特定的には２乃
至２．２である。
本発明は、テルベン中間体の製造、好ましくはレチナー
ルの製造のための式（Ｉ）の化合物の使用にも関する。
ルの製造のための式（Ｉ）の化合物の使用にも関する。
式（Ｉ）の化合物は、テトラヒドロフランのようなエー
テル、ジメチルホルムアミド及びＮ−メチルビロリドン
のような極性非プロトン性溶媒及びベンタン、ヘキサン
、トルエン及びキシレンのような脂肪族又は芳香族炭化
水素から選ばれる、反応の条件下に不活性である溶媒中
での酸の作用によりテルベンアルデヒドに容易に加水分
解される。
テル、ジメチルホルムアミド及びＮ−メチルビロリドン
のような極性非プロトン性溶媒及びベンタン、ヘキサン
、トルエン及びキシレンのような脂肪族又は芳香族炭化
水素から選ばれる、反応の条件下に不活性である溶媒中
での酸の作用によりテルベンアルデヒドに容易に加水分
解される。
溶媒としてジメチルホルムアミドとトルエンの混合物を
使用するのが好ましい。
使用するのが好ましい。
反応は、下記の如く図式で例示することができる。
反応の触媒作用を許容する酸を加えることは有利である
。これらの酸は好ましくは、 トリクロロ酢酸、 トリフルオ口酢酸、 トリフルオ口メタンスルホン酸、 塩化ビリジニウム、 ホウ酸、 から選ばれる。
。これらの酸は好ましくは、 トリクロロ酢酸、 トリフルオ口酢酸、 トリフルオ口メタンスルホン酸、 塩化ビリジニウム、 ホウ酸、 から選ばれる。
ホウ酸を使用するのが好ましい。
触媒量の酸は、有利には加水分解されるべき式（Ｉ）の
誘導体１モル当たり０．０１モル乃至０．０５モルであ
り、好ましくは（Ｉ）の誘導体ｌモル当たり０．０２モ
ルに等しい。
誘導体１モル当たり０．０１モル乃至０．０５モルであ
り、好ましくは（Ｉ）の誘導体ｌモル当たり０．０２モ
ルに等しい。
一連の反応、即ち、リチウム誘導体の形或、ケトン又は
アルデヒドと接触させること及びビラン環の加水分解は
、中間生成物を単離することな《確実に行うことができ
る（“ワンポット合成”）。
アルデヒドと接触させること及びビラン環の加水分解は
、中間生成物を単離することな《確実に行うことができ
る（“ワンポット合成”）。
本発明は、下記実施例により更に完全に説明するが、こ
れらの実施例は本発明を限定するものとみなすべきでは
ない。
れらの実施例は本発明を限定するものとみなすべきでは
ない。
実施例１
シリルエノールエーテルの製造
クロロトリメチルシラン（０．１２５モル、１３．６ｇ
）及びトリエチルアミン（０．１２５モル、１２．６ｇ
）をアセトニトリル（１３０ｍｌ）中のヨウ化ナトリウ
ム（０．１２５モル、１８、７ｇ）の溶液に加える。混
合物を１０℃以下の温度に冷却しそしてアルデヒド（０
．１モル）を滴下により加える。撹拌を室温で３−１２
時間続ける。懸濁液を炉過しそして生成物をペンタン（
５Ｘ４０ｍｌ）で抽出する。ペンタン相を蒸発させ、次
いで残留物を蒸留する。
）及びトリエチルアミン（０．１２５モル、１２．６ｇ
）をアセトニトリル（１３０ｍｌ）中のヨウ化ナトリウ
ム（０．１２５モル、１８、７ｇ）の溶液に加える。混
合物を１０℃以下の温度に冷却しそしてアルデヒド（０
．１モル）を滴下により加える。撹拌を室温で３−１２
時間続ける。懸濁液を炉過しそして生成物をペンタン（
５Ｘ４０ｍｌ）で抽出する。ペンタン相を蒸発させ、次
いで残留物を蒸留する。
３−メチル−１−トリメチルシロキシブタジエノッへ．
ＯＳｌＭｅ３
沸点、４８−５０℃／ １ ８ＩＩ＋ｍＨｇ，収率：７
５％。
５％。
実施例２
１−アセトキシー３−メチル−１
エンの製造
３−ブタジ
プレナール（０．３３２モル）を、バラトルエンスルホ
ン酸（１重量％）が溶解している酢酸イソブロベニル（
０．５３２モル）中に徐々に注ぎ込み、アセトンが形威
されるにつれてアセトンを蒸留除去する。混合物の温度
は始めは９３−９４℃であり、１時間５０分の加熱後は
１１８℃である。次いで１−アセトキシー３−メチルブ
タジエンを蒸留により精製する。沸点４８−５２℃／１
３ｍｍＨｇ 実施例３ ジエンの使用 ベンズアルデヒドによる二６−フェニルー４ーメチル−
２−ヒドロキシ−２．５−ジヒドロ−２Ｈ−ビラン ２．５Ｎメチルリチウム（１０ミリモル、４ｍＡ’）を
、無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１５ｍＡ’）中
のシリルジエノールエーテル（１０ミリモル、１。５６
ｇ）の溶液に５分間かけて−２０℃で加える。反応は発
熱性であり、溶液は橙黄色になる。
ン酸（１重量％）が溶解している酢酸イソブロベニル（
０．５３２モル）中に徐々に注ぎ込み、アセトンが形威
されるにつれてアセトンを蒸留除去する。混合物の温度
は始めは９３−９４℃であり、１時間５０分の加熱後は
１１８℃である。次いで１−アセトキシー３−メチルブ
タジエンを蒸留により精製する。沸点４８−５２℃／１
３ｍｍＨｇ 実施例３ ジエンの使用 ベンズアルデヒドによる二６−フェニルー４ーメチル−
２−ヒドロキシ−２．５−ジヒドロ−２Ｈ−ビラン ２．５Ｎメチルリチウム（１０ミリモル、４ｍＡ’）を
、無水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１５ｍＡ’）中
のシリルジエノールエーテル（１０ミリモル、１。５６
ｇ）の溶液に５分間かけて−２０℃で加える。反応は発
熱性であり、溶液は橙黄色になる。
＝２０℃で１５分の後、反応媒体を−７０℃に冷却しモ
してＴＨＦ（２ｍ／）中のベンズアルデヒド（１０ミリ
モル）（実験３、表１）を導入する。混合物を−７０℃
で１５分間放置する。反応媒体の温度は、９０分かけて
−２０℃に徐々に上昇する。
してＴＨＦ（２ｍ／）中のベンズアルデヒド（１０ミリ
モル）（実験３、表１）を導入する。混合物を−７０℃
で１５分間放置する。反応媒体の温度は、９０分かけて
−２０℃に徐々に上昇する。
次いで溶液を水性飽和炭酸水素ナトリウム溶液（１５ｍ
ｌ）で−２０℃で処理する。生成物をエーテル（４ Ｘ
１ ５ｍｌ）で抽出し、有機相を硫酸マグネシウムで
乾燥しそして枦過し、溶媒を蒸発させる。
ｌ）で−２０℃で処理する。生成物をエーテル（４ Ｘ
１ ５ｍｌ）で抽出し、有機相を硫酸マグネシウムで
乾燥しそして枦過し、溶媒を蒸発させる。
粗製反応生成物をフラッシュクロマトグラフィーにより
精製する。
精製する。
溶離剤：エーテル／石油エーテル、２０：１００収率：
８３％、融点９０℃、ＩＲ：３６００−３２００（νＯ
Ｈ）；１６００（νＣ＝Ｃ）アセトアルデヒドによる：
４．６−ジメチル−２−ヒドロキシ−２．５−ジヒドロ
−２Ｈ−ピラン ０■ 溶離剤：エーテル／石油エーテル、２０：１００収率：
７４％、 ＩＲ：３６００−３２００（ｖ０ Ｈ） １６４０（νＣ＝Ｃ）。
８３％、融点９０℃、ＩＲ：３６００−３２００（νＯ
Ｈ）；１６００（νＣ＝Ｃ）アセトアルデヒドによる：
４．６−ジメチル−２−ヒドロキシ−２．５−ジヒドロ
−２Ｈ−ピラン ０■ 溶離剤：エーテル／石油エーテル、２０：１００収率：
７４％、 ＩＲ：３６００−３２００（ｖ０ Ｈ） １６４０（νＣ＝Ｃ）。
溶離剤：エーテル／石油エーテル、
２０：１００
収率：６４．
５％．
１Ｒ：３６００−３２００（ｖ
ＯＨ）；１ ６ ７ ０（νＣ＝Ｃ）。
溶離剤：エーテル／石油エーテル、
２０：１００，
収率：４５％、
ＩＲ：３６００−３２００（ｖＯ
｝｛）；１６７０（νＣ＝Ｃ）。
β−イオニリデンアセトアルデヒドによる：６ラン
０Ｈ
２．５Ｎｎ−ブチルリチウム（２．４ミリモル；０。９
６ｍ／）又は２．５Ｎメチルリチウム（２４ミリモル．
０．９６ｍｌ）を、無水テトラヒド口フラン（５ｍ／）
中に希釈された３−メチル−１トリメチルシロキシブタ
ジエン（２．４ミリモル・０．３８ｇ）の溶液に−２０
℃でアルゴン下に滴下により加える。−２０℃で半時間
の接触の後、黄色となった溶液を−４５℃に冷却する。
６ｍ／）又は２．５Ｎメチルリチウム（２４ミリモル．
０．９６ｍｌ）を、無水テトラヒド口フラン（５ｍ／）
中に希釈された３−メチル−１トリメチルシロキシブタ
ジエン（２．４ミリモル・０．３８ｇ）の溶液に−２０
℃でアルゴン下に滴下により加える。−２０℃で半時間
の接触の後、黄色となった溶液を−４５℃に冷却する。
無水ＴＨＦ（２ｍ／）中に溶解したβ−イオニリデンア
セトアルデヒド（２ミリモル：０．４３６ｇ）を、−４
５℃で５分間かけて導入する。混合物をこの温度で３時
間撹拌させる。反応の進行の程度をＴＬＣにより監視す
る。
セトアルデヒド（２ミリモル：０．４３６ｇ）を、−４
５℃で５分間かけて導入する。混合物をこの温度で３時
間撹拌させる。反応の進行の程度をＴＬＣにより監視す
る。
反応媒体を、飽和水性炭酸水素ナトリウム溶液（７ｍＡ
’）で−４５℃で処理する。生成物をエーテル（４ Ｘ
１ ０ｍ／）で抽出しそしてエーテル相を硫酸マグネ
シウムで１時間乾燥する。枦過の後、溶媒を蒸発させる
。
’）で−４５℃で処理する。生成物をエーテル（４ Ｘ
１ ０ｍ／）で抽出しそしてエーテル相を硫酸マグネ
シウムで１時間乾燥する。枦過の後、溶媒を蒸発させる
。
粗製生成物をフラッシュクロマトグラフィーにより精製
する。直径５■のカラム及びシリカ（粗製生成物０．５
ｇについて約２０ｇ）をｕｓにより使用する。未反応β
−イオニリデンアセトアルデヒド（２５％）、次いで“
Ｃ２。”ビラン誘導体を引き続いて単離する。
する。直径５■のカラム及びシリカ（粗製生成物０．５
ｇについて約２０ｇ）をｕｓにより使用する。未反応β
−イオニリデンアセトアルデヒド（２５％）、次いで“
Ｃ２。”ビラン誘導体を引き続いて単離する。
溶離剤：エーテル／石油エーテル、２０＋１００、収率
：６６％、ＩＲ：３６００−３２００＋（νＯＨ）＋
１６５０（νＣ＝Ｃ）。
：６６％、ＩＲ：３６００−３２００＋（νＯＨ）＋
１６５０（νＣ＝Ｃ）。
２）１−アセトキシー３−メチルブタジエンの使用
イソバレルアルデヒドによる：６−イソブチルー４−メ
チル−２−ヒドロキシ−２．５−ジヒドロー２Ｈ−ピラ
ン ＯＲ １．６Ｎメチルリチウム（２０ミリモル＝１２．５ｍｍ
！）を、無水ＴＨＦ（１５ｍｌ）中の３−メチル−１−
アセトキシブタジェン（１０ミリモル）の溶液に５分間
かけて−３０℃で加える。−３０℃で１５分の後、反応
媒体を−７０℃に冷却しモしてＴＨＦ（２ｍｌ）中のイ
ソバレルアルデヒド（８．５ミリモル）を導入する。温
度を１時間かけて２０℃に上昇させる。反応媒体を飽和
水性炭酸水素ナトリウム溶液（１５ｍｌ）で−４０℃で
処理する。
チル−２−ヒドロキシ−２．５−ジヒドロー２Ｈ−ピラ
ン ＯＲ １．６Ｎメチルリチウム（２０ミリモル＝１２．５ｍｍ
！）を、無水ＴＨＦ（１５ｍｌ）中の３−メチル−１−
アセトキシブタジェン（１０ミリモル）の溶液に５分間
かけて−３０℃で加える。−３０℃で１５分の後、反応
媒体を−７０℃に冷却しモしてＴＨＦ（２ｍｌ）中のイ
ソバレルアルデヒド（８．５ミリモル）を導入する。温
度を１時間かけて２０℃に上昇させる。反応媒体を飽和
水性炭酸水素ナトリウム溶液（１５ｍｌ）で−４０℃で
処理する。
生威物をエーテル（４Ｘ１５ｍＡ’）で抽出し、有機相
を硫酸マグネシウムで乾燥し、炉過し、溶媒を蒸発させ
る。粗製反応生戒物をフラッシュクロマトグラフィーに
より精製する。
を硫酸マグネシウムで乾燥し、炉過し、溶媒を蒸発させ
る。粗製反応生戒物をフラッシュクロマトグラフィーに
より精製する。
溶離剤：エーテル／石油エーテル、２０＋１００収率；
７４％、ＩＲ：３６００−３２００（νＯＨ）；１ ６
５ ０（νＣ＝Ｃ＞。
７４％、ＩＲ：３６００−３２００（νＯＨ）；１ ６
５ ０（νＣ＝Ｃ＞。
アセトンによる：４．６．
６−トリメチル−２一
ヒドロキシ−２．５−ジヒドロ−２Ｈ−ビラン溶離剤・
エーテル／石油エーテル、２０：１００収率・２５％、
ＩＲ：３６００−３２００（νＯＨ）；１６５０（νＣ
＝Ｃ）。
エーテル／石油エーテル、２０：１００収率・２５％、
ＩＲ：３６００−３２００（νＯＨ）；１６５０（νＣ
＝Ｃ）。
集約的結果を表１に示す。
実施例４
ビラン誘導体のポリエンアルデヒドへの転化（表２及び
３） レチナール（表２） シメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（１．２ｍＡ’）とト
ルエン（４、８ｍｌ）との混合物で希釈され、次いでホ
ウ酸（０．０９ｍＡ！，５．６ｍＡ’）で希釈され、Ｄ
ＭＦ（１ｍＡ’）に溶解された（表２、実験４参照）ビ
ラン誘導体（１ミリモル、０．３ｇ）を、温度計とコン
デンサを備えた２５ｍｌの二口フラスコに不活性雰囲気
下に導入する。
３） レチナール（表２） シメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（１．２ｍＡ’）とト
ルエン（４、８ｍｌ）との混合物で希釈され、次いでホ
ウ酸（０．０９ｍＡ！，５．６ｍＡ’）で希釈され、Ｄ
ＭＦ（１ｍＡ’）に溶解された（表２、実験４参照）ビ
ラン誘導体（１ミリモル、０．３ｇ）を、温度計とコン
デンサを備えた２５ｍｌの二口フラスコに不活性雰囲気
下に導入する。
反応混合物を、前以て１１０℃に加熱された油浴に入れ
る。この温度で１５分後、“Ｃ２Ｏ”ビラン誘導体のス
ポットをＴＬＣにおいて完全に消失した。次いで溶液を
室温に冷却し、次いで飽和水性炭酸水素ナトリウム溶液
（５ｍＩＶ）で中和する。水性相をエーテル（４１０ｍ
ｌ）で抽出し、次いでエーテル相を硫酸マグネシウムで
乾燥しそして溶媒をイオノールの存在下に濃縮する。生
成物を、シリカによるフラッシュクロマトグラフィーに
より精製する。
る。この温度で１５分後、“Ｃ２Ｏ”ビラン誘導体のス
ポットをＴＬＣにおいて完全に消失した。次いで溶液を
室温に冷却し、次いで飽和水性炭酸水素ナトリウム溶液
（５ｍＩＶ）で中和する。水性相をエーテル（４１０ｍ
ｌ）で抽出し、次いでエーテル相を硫酸マグネシウムで
乾燥しそして溶媒をイオノールの存在下に濃縮する。生
成物を、シリカによるフラッシュクロマトグラフィーに
より精製する。
溶離剤：エーテル／石油エーテル、５：１００レチナー
ルを６０％収率で単離する。
ルを６０％収率で単離する。
ＩＲ：１６６５（ｍ Ｃ＝Ｏ）；１５８０（ｍ Ｃ＝Ｃ
）。
）。
同じ条件下に、塩化ピリジニウム（０．０９ミリモル、
ｌＯｍｇ）を使用して、レチナールが６５％の収率で得
られる（表２、実験３）。
ｌＯｍｇ）を使用して、レチナールが６５％の収率で得
られる（表２、実験３）。
レチナールの製造についての種々の結果を表２に示す。
実験３の条件下に触媒として塩化ピリジニウムを使用し
て、式（１）のピラン誘導体の加水分解により製造され
た種々のポリエンアルデヒドを表３に示す。
て、式（１）のピラン誘導体の加水分解により製造され
た種々のポリエンアルデヒドを表３に示す。
本発明の主なる特徴及び態様は以下のとおりである。
１．式（Ｉ）
式中、Ｒ１及びＲ！は、水素、１−１８個の炭素原子を
含む、随時シクロアルキル又はシクロアルケニルにより
置換されていてもよい線状又は分岐状アルキル、随時シ
クロアルキル又はシクロアルケニルにより置換されてい
てもよい線状又は分岐状アルケニル及びアリール基から
選ばれる１種又は１種より多くの同一の又は異なる基を
表す、のジヒドロビラン誘導体を製造する方法であって
、ブレナールのリチウムジエノレートを、式Ｒ，ＣＯＲ
，、式中、Ｒ１及びＲ２は前記の意味と同じ意味を有し
そして同時に水素を表すことはない、のアルデヒド又は
ケトンと接触させることを特徴とする方法。
含む、随時シクロアルキル又はシクロアルケニルにより
置換されていてもよい線状又は分岐状アルキル、随時シ
クロアルキル又はシクロアルケニルにより置換されてい
てもよい線状又は分岐状アルケニル及びアリール基から
選ばれる１種又は１種より多くの同一の又は異なる基を
表す、のジヒドロビラン誘導体を製造する方法であって
、ブレナールのリチウムジエノレートを、式Ｒ，ＣＯＲ
，、式中、Ｒ１及びＲ２は前記の意味と同じ意味を有し
そして同時に水素を表すことはない、のアルデヒド又は
ケトンと接触させることを特徴とする方法。
２．Ｒ．ＣＯＲ，が、式
のβ−イオニリデンアセトアルデヒドを表す、上記１に
記載の誘導体を製造する方法。
記載の誘導体を製造する方法。
３。ブレナールのリチウムジエノレートを製造する方法
であって、 下記式（ＩＦ） ＼Ｙ３ 式中、Ｙ１、Ｙ！及びＹｌは、同一であるか又は異なる
ことができ、そしてアルキル基、好ましくはメチル基、
又はアリール基、好ましくはフェニル基を表す、の（３
−メチルブタジエニルオキシ）一シランを、式 Ｒ’
Ｌ１％式中、Ｒ′は線状又は分岐状アルキル基、好まし
くはメチル又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す、のリチウム
誘導体と接触させることを特徴とする方法。
であって、 下記式（ＩＦ） ＼Ｙ３ 式中、Ｙ１、Ｙ！及びＹｌは、同一であるか又は異なる
ことができ、そしてアルキル基、好ましくはメチル基、
又はアリール基、好ましくはフェニル基を表す、の（３
−メチルブタジエニルオキシ）一シランを、式 Ｒ’
Ｌ１％式中、Ｒ′は線状又は分岐状アルキル基、好まし
くはメチル又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す、のリチウム
誘導体と接触させることを特徴とする方法。
４，式（■）
式中、Ｒ′は、１−６個の炭素原子を含む線状又は分岐
状アルキル基又はアリール基を表す、の３−メチルブタ
ジエノールのエステルを、式、Ｒ’Ｌｉ 式中、Ｒ′
は前記の意味と同じ意味を有する、のリチウム誘導体と
接触させる、リチウムジエノレートを製造する方法。
状アルキル基又はアリール基を表す、の３−メチルブタ
ジエノールのエステルを、式、Ｒ’Ｌｉ 式中、Ｒ′
は前記の意味と同じ意味を有する、のリチウム誘導体と
接触させる、リチウムジエノレートを製造する方法。
５，Ｒ’ Ｌｉ／式（ＩＩ）の誘導体のモル比が１乃至
１．２となるような量のリチウム誘導体Ｒ’Ｌｉを接触
させる、上記３に記載の方法。
１．２となるような量のリチウム誘導体Ｒ’Ｌｉを接触
させる、上記３に記載の方法。
６，Ｒ’ Ｌｉ／式（ＩＩ［）の誘導体のモル比が２乃
至２ ２となるような量のリチウム誘導体Ｒ’Ｌｉを接
触させる、上記４に記載の方法。
至２ ２となるような量のリチウム誘導体Ｒ’Ｌｉを接
触させる、上記４に記載の方法。
７．土記２に記載のビラン誘導体を、触媒の存在下に加
水分解する、レチナールの製造のための式（Ｉ）のビラ
ン誘導体の使用。
水分解する、レチナールの製造のための式（Ｉ）のビラ
ン誘導体の使用。
８ 触媒が、トリクロ口酢酸、トリフルオロ酢酸、ホウ
酸及び塩化ピリジニウムから選ばれる、上記７に記載の
使用。
酸及び塩化ピリジニウムから選ばれる、上記７に記載の
使用。
９．式（ｒ）
Ｒ＋及びＲ２が上記１に記載の意味と同じ定義を有する
、 のビラン誘導体。
、 のビラン誘導体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は、水素、１−１８個の炭素原
子を含む、随時シクロアルキル又はシクロアルケニルに
より置換されていてもよい線状又は分岐状アルキル、随
時シクロアルキル又はシクロアルケニルにより置換され
ていてもよい線状又は分岐状アルケニル及びアリール基
から選ばれる１種又は１種より多くの同一の又は異なる
基を表す、のジヒドロピラン誘導体を製造する方法であ
って、プレナールのリチウムジエノレートを、式Ｒ＿１
ＣＯＲ＿２、式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は前記の意味と同
じ意味を有しそして同時に水素を表すことはない、のケ
トンと接触させることを特徴とする方法。 ２、Ｒ＿１ＣＯＲ＿２が、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ のβ−イオニリデンアセトアルデヒドを表す、特許請求
の範囲第１項記載の誘導体を製造する方法。 ３、プレナールのリチウムジエノレートを製造する方法
であって、 下記式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 式中、Ｙ＿１、Ｙ＿２及びＹ＿３は、同一であるか又は
異なることができ、そしてアルキル基、好ましくはメチ
ル基、又はアリール基、好ましくはフェニル基を表す、
の（３−メチルブタジエニルオキシ）−シランを、式Ｒ
′Ｌｉ、式中、Ｒ′は線状又は分岐状アルキル基、好ま
しくはメチル又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す、のリチウ
ム誘導体と接触させることを特徴とする方法。 ４、式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） 式中、Ｒ″は、１−６個の炭素原子を含む線状又は分岐
状アルキル基又はアリール基を表す、の３−メチルブタ
ジエノールのエステルを、式、Ｒ′Ｌｉ式中、Ｒ′は前
記の意味と同じ意味を有する、のリチウム誘導体と接触
させる、リチウムジエノレートを製造する方法。 ５、特許請求の範囲第２項記載のピラン誘導体を、触媒
の存在下に加水分解する、レチナールの製造のための式
（ I ）のピラン誘導体の使用。 ６、式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） Ｒ＿１及びＲ＿２が特許請求の範囲第１項記載の意味と
同じ定義を有する、 のピラン誘導体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8915869 | 1989-12-01 | ||
| FR8915869A FR2655341B1 (fr) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | Derives dihydropyranniques, leurs procedes de preparation et leur utilisation. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209376A true JPH03209376A (ja) | 1991-09-12 |
| JP2714598B2 JP2714598B2 (ja) | 1998-02-16 |
Family
ID=9388027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2336848A Expired - Lifetime JP2714598B2 (ja) | 1989-12-01 | 1990-11-30 | ジヒドロピラン誘導体、これらの製造方法及び使用 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5157133A (ja) |
| EP (1) | EP0430808B1 (ja) |
| JP (1) | JP2714598B2 (ja) |
| AT (1) | ATE120458T1 (ja) |
| CA (1) | CA2031240A1 (ja) |
| DE (1) | DE69018206T2 (ja) |
| DK (1) | DK0430808T3 (ja) |
| ES (1) | ES2070293T3 (ja) |
| FR (1) | FR2655341B1 (ja) |
| GR (1) | GR3015563T3 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| WO1994024082A1 (en) * | 1993-04-21 | 1994-10-27 | Ligand Pharmaceuticals Incorporated | Stereospecific synthesis of polyene compounds |
| FR2707631A1 (fr) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Rhone Poulenc Chimie | Procédé de préparation d'un composé hydrocarbonyle. |
| US6300106B1 (en) * | 2000-11-22 | 2001-10-09 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Method of preparing 3-[2-{(Methylsulfonyl)oxy}-ethoxy ]-4-(triphenylmethoxy)-1-butanol, methane sulfonate |
| EP1688432B1 (en) * | 2003-10-09 | 2011-08-03 | Chugai Seiyaku Kabushiki Kaisha | Igm high concentration stabilized solution |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53101308A (en) * | 1977-02-14 | 1978-09-04 | Kuraray Co Ltd | Derivative of 5,6-dihydro-2h-pyran and its preparation |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3159653A (en) * | 1962-10-09 | 1964-12-01 | Shell Oil Co | Hydroformylation of dihydropyrans |
| US3655695A (en) * | 1969-05-21 | 1972-04-11 | David Andrews | 6-alkyl-substituted tetrahydropyran-2-ols and process for their production |
| US3997529A (en) * | 1975-07-09 | 1976-12-14 | Hoffmann-La Roche Inc. | Intermediate compounds for the preparation of polyene aldehydes |
-
1989
- 1989-12-01 FR FR8915869A patent/FR2655341B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-11-29 AT AT90403394T patent/ATE120458T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-11-29 EP EP90403394A patent/EP0430808B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-29 DK DK90403394.1T patent/DK0430808T3/da active
- 1990-11-29 DE DE69018206T patent/DE69018206T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-11-29 ES ES90403394T patent/ES2070293T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-30 CA CA002031240A patent/CA2031240A1/fr not_active Abandoned
- 1990-11-30 JP JP2336848A patent/JP2714598B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-03 US US07/620,609 patent/US5157133A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-30 GR GR940403297T patent/GR3015563T3/el unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53101308A (en) * | 1977-02-14 | 1978-09-04 | Kuraray Co Ltd | Derivative of 5,6-dihydro-2h-pyran and its preparation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| DE69018206D1 (de) | 1995-05-04 |
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| ES2070293T3 (es) | 1995-06-01 |
| FR2655341A1 (fr) | 1991-06-07 |
| EP0430808A1 (fr) | 1991-06-05 |
| FR2655341B1 (fr) | 1992-02-21 |
| DK0430808T3 (da) | 1995-05-01 |
| CA2031240A1 (fr) | 1991-06-02 |
| DE69018206T2 (de) | 1995-10-26 |
| EP0430808B1 (fr) | 1995-03-29 |
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