JPH03209731A - 半導体素子の装着方法 - Google Patents
半導体素子の装着方法Info
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- JPH03209731A JPH03209731A JP2004285A JP428590A JPH03209731A JP H03209731 A JPH03209731 A JP H03209731A JP 2004285 A JP2004285 A JP 2004285A JP 428590 A JP428590 A JP 428590A JP H03209731 A JPH03209731 A JP H03209731A
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- semiconductor
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、基板上のダイパッドに大型半導体素子を接着
剤を用いて装着する方法に関するものである。
剤を用いて装着する方法に関するものである。
(従来の技術)
従来の基板上に設けられたダイパッドと半導体素子の接
続構造の断面図を第2図、第3図に示す。
続構造の断面図を第2図、第3図に示す。
図において、1は基板、2はダイパッド、3は接着剤、
4は半導体素子、5は接着剤内に残存したボイド、6は
接着剤の未硬化部を示す。
4は半導体素子、5は接着剤内に残存したボイド、6は
接着剤の未硬化部を示す。
(発明が解決しようとする課題)
同図からも明らかなように接着剤の硬化後において、接
着剤3内にはボイド5や未硬化部6が残存するため、後
工程で負荷される熱的及び機械的な応力により半導体素
子の脱落が発生し易くなり、接続に対する信頼性を低下
させる原因になっていた。なお、一般的に使用される接
着剤は無溶剤タイプのものが使用され、加熱により硬化
する機構になっているにもかかわらず、粘度等の調整の
ため、溶剤分が5〜15%程度混合されており、これが
硬化中に、前記の未硬化部を発生させる原因になってい
る。また、従来では接着剤内に残存するのを防ぐ目的で
、ダイボンドを行う前に脱泡やプレキュア−等の処理を
行うことがあるが、逆に接着剤の特性を劣化させたり、
接着剤が硬くなり、半導体素子をダイパッド上に平滑に
接続することが不可能であった。
着剤3内にはボイド5や未硬化部6が残存するため、後
工程で負荷される熱的及び機械的な応力により半導体素
子の脱落が発生し易くなり、接続に対する信頼性を低下
させる原因になっていた。なお、一般的に使用される接
着剤は無溶剤タイプのものが使用され、加熱により硬化
する機構になっているにもかかわらず、粘度等の調整の
ため、溶剤分が5〜15%程度混合されており、これが
硬化中に、前記の未硬化部を発生させる原因になってい
る。また、従来では接着剤内に残存するのを防ぐ目的で
、ダイボンドを行う前に脱泡やプレキュア−等の処理を
行うことがあるが、逆に接着剤の特性を劣化させたり、
接着剤が硬くなり、半導体素子をダイパッド上に平滑に
接続することが不可能であった。
(課題を解決するための手段)
本発明はこのような欠点を解決するため、半導体素子実
装用ダイパッド部に、1個又は複数個の孔を穿つことに
より、ボイドや未硬化部の残存の原因となるエアー及び
接着剤から硬化時に発生する溶剤等の気泡を除去し、大
型半導体素子とダイパッドの接続信頼性を高めることを
目的とする。
装用ダイパッド部に、1個又は複数個の孔を穿つことに
より、ボイドや未硬化部の残存の原因となるエアー及び
接着剤から硬化時に発生する溶剤等の気泡を除去し、大
型半導体素子とダイパッドの接続信頼性を高めることを
目的とする。
以下に本発明を図面により詳細に説明する。
(実施例)
第1図は本発明の実施例で1は基板、2はダイパッド、
3は接着剤、4は半導体素子、7は孔を示す。
3は接着剤、4は半導体素子、7は孔を示す。
接着剤は一般的に外周部から硬化するため、内部に残存
したエアーや溶剤分は、半導体素子4が大型になればな
るほど抜けにくくなるが、基板1とダイパッド2を貫通
する孔7を穿つことで接着剤に滞留するエアーや溶剤か
ら発生する気泡を排気、除去できる。また接着剤はフィ
ラーとして録粉を混入した導電性のものを使用するが、
この場合半導体の裏側を電気的なグランドにするためダ
イパッド自体もグランドとなる。
したエアーや溶剤分は、半導体素子4が大型になればな
るほど抜けにくくなるが、基板1とダイパッド2を貫通
する孔7を穿つことで接着剤に滞留するエアーや溶剤か
ら発生する気泡を排気、除去できる。また接着剤はフィ
ラーとして録粉を混入した導電性のものを使用するが、
この場合半導体の裏側を電気的なグランドにするためダ
イパッド自体もグランドとなる。
したかって、第1図に示す孔7の内壁をメタライズして
、基板裏面をグランドとしたときに、スルーホールとし
て、直接グランドに落とすことにも有効である。
、基板裏面をグランドとしたときに、スルーホールとし
て、直接グランドに落とすことにも有効である。
穿つ孔の径は0.8mmX0.8mm角のチップサイズ
の半導体素子であれば、ダイパッドの中心に直径0.3
mmの孔を一つ設ければ十分である。
の半導体素子であれば、ダイパッドの中心に直径0.3
mmの孔を一つ設ければ十分である。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、基板とダイパッ
ドを貫・通ずる孔を設けることで、大型半導体素子とダ
イパッドの接続に使用する接着剤中のボイドや、接着剤
の未硬化部を無くすことができ、信頼性の高い接続を行
うことができる。
ドを貫・通ずる孔を設けることで、大型半導体素子とダ
イパッドの接続に使用する接着剤中のボイドや、接着剤
の未硬化部を無くすことができ、信頼性の高い接続を行
うことができる。
第1図は本発明による実施例の断面図、第2図及び第3
図は従来の基板上に半導体素子を接続する構造を示す断
面図である。 1・・・基板、2・・・ダイパッド、3・・・接着剤、 ・半導体素子、 ボイド、 ・未硬化部、 ・孔。
図は従来の基板上に半導体素子を接続する構造を示す断
面図である。 1・・・基板、2・・・ダイパッド、3・・・接着剤、 ・半導体素子、 ボイド、 ・未硬化部、 ・孔。
Claims (1)
- 基板に設けたダイパッド上に接着剤を用いて半導体素
子を装着する方法において、前記基板とダイパッドを貫
通する1つ又は複数個の孔を穿つことにより、前記接着
剤に形成されるボイドあるいは接着剤の未硬化部に含ま
れる気泡を除去して、前記半導体素子を前記基板に装着
したことを特徴とする半導体素子の装着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004285A JPH03209731A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体素子の装着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004285A JPH03209731A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体素子の装着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209731A true JPH03209731A (ja) | 1991-09-12 |
Family
ID=11580260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004285A Pending JPH03209731A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 半導体素子の装着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03209731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004228167A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
| EP2688095A3 (en) * | 2012-07-18 | 2016-08-10 | Nichia Corporation | Semiconductor component support and semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169033A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP2004285A patent/JPH03209731A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169033A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004228167A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 |
| EP2688095A3 (en) * | 2012-07-18 | 2016-08-10 | Nichia Corporation | Semiconductor component support and semiconductor device |
| US10068821B2 (en) | 2012-07-18 | 2018-09-04 | Nichia Corporation | Semiconductor component support and semiconductor device |
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