JPH03209752A

JPH03209752A - リードフレームの製造方法

Info

Publication number: JPH03209752A
Application number: JP419690A
Authority: JP
Inventors: Koji Miyajima; 宮島　広司; Shoji Kawahara; 川原　昭二
Original assignee: Mitsui High Tec Inc
Current assignee: Mitsui High Tec Inc
Priority date: 1990-01-11
Filing date: 1990-01-11
Publication date: 1991-09-12
Anticipated expiration: 2011-03-21
Also published as: JPH0828454B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、リードフレームの製造方法に係り、特にその
めっき方法に関する。

（従来の技術）ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置用リードフレームは、フ
ォトエツチング法またはプレス加工のいずれかの方法に
よって、金属帯状材料の形状加工を行い、めっき工程を
経て形成される。

ところで、半導体装置の高密度化および高集積化に伴い
、チップ面積が増大すると共にリードビン数が増加する
ものの、パッケージは従来通りがもしくは小型化の傾向
にある。

そこで、インナーリード先端からパッケージラインまで
の距離は短くなる。

同一面積内においてインナーリードの本数か増加すれば
、当然ながらインナーリードの幅および隣接するインナ
ーリードとの間隔は狭くなる。このため、強度の低下に
よるインナーリードの変形およびその変形によるインナ
ーリード間の短絡を生じることがある。

また、ボンディング性の向上をはかるために、インナー
リード先端や半導体素子搭載部には貴金属をめっきした
構造がとられることが多い。

このため、めっき装置への搬送中にインナーリード先端
の変形を生じたり、第４図に示すように、インナーリー
ド先端部の側面にも銀（Ａｇ）などのめっき金属が付着
し、めっき領域とパッケージラインとの距離が短いため
に、実装後の半導体装置においてマイグレーションが発
生し、隣接するインナーリード間で短絡を起こしたりし
、これが信頼性低下の原因となっていた。

このような問題を解決するために、帯状材料の所定位置
に貴金属めっきを行った後、成形を行うことにより、イ
ンナーリード側面へのめっき金属の付着を防止すると共
に、めっき工程中のインナーリード先端の変形を防止す
るという方法も提案されている。

しかしながら、この方法では、高価な貴金属めっきがな
された後、所定形状にスタンピングがなされるため、ス
タンピング不良が起こった場合、貴金属めっきはまった
く無駄となり、コスト高騰の原因となっていた。

さらに、この方法では、不完全形状の帯状材料に対して
めっきが行われるため、その位置ずれの確認が困難であ
り、不良品が多量に発生するという危険があった。

そこで、めっきに先立ち、位置決めのためのパイロット
孔を設ける方法も提案されているが、パイロット孔形成
のためのスタンピング工程が必要であり、結果的にスタ
ンピングを２回行う必要があり、生産性が悪いという問
題があった。また、めっき部分をスタンピングするため
、傷が付き易く、歩留まりが悪いと言う問題もあった。

また通常の方法で成型したのち、めっき用マスクに突出
部を設け、この突出部がインナーリード間に嵌挿される
ようにし、インナーリード側面へのめっき液の侵入を防
止する方法も提案されているが、この方法もインナーリ
ードとマスクの突起部が合致しなかった場合、インナー
リードが変形する上、マスクの老朽化が早く、コストが
高いという問題があった。

さらにまた、めっき液噴射方向に対向して気体を射流さ
せ、めっき液がインナーリード間に侵入しないようにす
る方法も提案されているが、めっき装置が大掛かりとな
って設備費が高くなり、またコントロールも難しいとい
う問題がある。

さらに、めっき層を所定の厚みよりも厚く形成しておき
、その後全面エツチングを行い、側面に付着しためっき
層と共に剥離し、所定の厚みに戻す方法も提案されてい
る。しかしながらこの方法も、めっき厚が安定せず歩留
まりが悪い。

また、インナーリード先端部側面のめっき領域境界部に
切り欠きをつけ、めっき液の流出を止める方法も提案さ
れているが、この方法も、めっき液が切り欠きを越えて
流出するため確実でない上、切り欠きの存在により、イ
ンナーリード先端部の機械的強度も極端に低下するとい
う問題がある。

（発明が解決しようとする課題）このように、半導体装置の高集積化に伴い、リド間隔は
小さくなる一方であり、インナーリード先端の側面への
めっき金属の付着が、半導体装置の信頼性低下の原因と
なっていた。

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、インナー
リード先端側面へのめっき金属の付着のないリードフレ
ームを提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）そこで本発明では、リードフレームを形状加工し、めっ
きを行った後、被めっき領域を被覆した状態で剥離剤を
接触せしめ、不要部に付着しためっき層を剥離除去する
ようにしている。

（作用）本発明の方法によれば、インナーリード先端のめっき領
域を被覆した状態で、剥離剤を接触せしめ、不要部に付
着しためっき層を剥離除去するようにしているため、特
別の設備を必要とすることなく通常の設備で製造でき、
極めて容易に、めっき厚さが均一でインナーリード側面
にめっきの付着のないリードフレームを得ることが可能
となる。

（実施例）以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。

第１図（ａ）および第１図（ｂ）は、本発明実施例の方
法で製造されたリードフレームおよびそのインナーリー
ド先端部の要部図である。

インナーリード先端のめっき領域には均一なめっき層が
形成されており、側面へのめつきもれもなく良好なめっ
き領域を形成している。

第２図および第３図はリードフレームの製造工程を示す
図である。

まず、スタンピング法により、帯状材料を加工し、ダイ
パッド２と対峙するインナーリード４、アウターリード
８、タイバー７などを含む通常のリードフレームの形状
に成型する。１はサイドバーである。

次いで、コイニング処理を行い、インナーリード先端部
の平坦幅を確保したのち、先端部にめっきを行うめっき
を行う。Ｍはめっき領域を示す。

このとき必要に応じて、インナーリード先端部のボンデ
ィングエリアを避けるように熱硬化性樹脂を介して絶縁
性テープを貼着し、加熱工程を経て硬化させ、固定する
ようにしてもよい。

こののち、第２図に示すようなめっき剥離装置に、この
ように形状加工およびめっきのなされたリードフレーム
を装着し、不要部に付着しためつきを剥離除去する。こ
のめっき剥離装置は、電解法を用いたもので、容器１０
内に、テンションロール１２およびドライブロール１３
によってリードフレーム１を走行せしめ、アノードコン
タクタ−１５をリードフレームに接触させることによっ
て帯電させるとともに、カソード電極１４を介して剥離
液を噴射し、マイナス電荷を印加した剥離液を、リード
フレームの非めっき面側に供給するようにしている。そ
して、容器１０内では、第３図に示すようにリードフレ
ーム１のめつき面側にはシリコンで形成されたバックプ
レート１１がテンションロール１２によって押圧しつつ
密着せしめられ、めっき領域を保護するようになってい
る。

リードフレームはこのめっき剥離装置内を走行しつつ、
インナーリード先端部側面に付着した不要な除去され、
めっき領域には均一なめっき層が形成された良好なリー
ドフレームとなる。

このようにして形成されたリードフレームは、インナー
リード先端部側面はめっき金属の付着しない状態で、得
ることができ、マイグレーションの発生を抑制すること
が可能となる。

また、めっき工程後に、めっき剥離装置中を走行せしめ
るめっき剥離工程を付加するのみで、通常のリードフレ
ーム製造設備を変更することなくそのまま形成でき、極
めて容易に信頼性の高いリードフレームを提供すること
が可能となる。

なお、前記実施例では、めっき剥離に、剥離液に電荷を
印加しつつ噴射する電解法を用いたが、必ずしも電解法
を用いる必要はなく、剥離液中にリードフレームを浸漬
し、剥離する浸漬法等他の方法を用いても良いことはい
うまでもない。

また、前記実施例では、めっき剥離工程におけるめっき
領域の保護は、バックプレートにめっき領域形成面を密
着させることによって行うようにしたが、テープを貼着
するなど他の方法を用いても良い。

〔発明の効果〕

以上説明してきたように、本発明の方法によれば、イン
ナーリード先端のめっき領域を被覆した状態で、剥離剤
を接触せしめ、不要部に付着しためっき層を剥離除去す
るようにしているため、製造工程を変更することなく極
めて容易に、めっき厚さが均一でインナーリード側面に
めっきの付着がなく信頼性の高いリードフレームを得る
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および第１図（１〕）は本発明実施例の製
造方法で形成されたリードフレームを示す図、第２図お
よび第３図は本発明実施例の方法に用いられるめっき剥
離装置を示す図、第４図は従来の方法で形成されたリー
ドフレームのインナーリードの先端部を示す図である。１・・・サイドバー　２・・・ダイパッド、４・・・イ
ンナーリード、７・・・タイバー　８・・・アウターリ
ード、９・・・サポートバー、Ｍ・・・めっき領域、Ｐ
・・・バ・ンケ−シライン、１０・・・容器、１１・・
・バックプレート、１２・・・テンションロール、１３
・・・ドライブロール、１４・・・カソード電極、１５
・・・アノードコンタクタ。（ｂ）第１図

Claims

【特許請求の範囲】　半導体素子搭載部の周縁から所定の間隔をおいて伸長
する複数のインナーリードと、各インナーリードにそれぞれ連設されたアウターリード
と、を具備してなるリードフレームの製造方法において、前記インナーリード先端を含む被めっき領域にめっきを
おこなうめっき工程と、前記被めっき領域を被覆した状態で剥離剤を接触せしめ
、不要部に付着しためっき層を剥離除去する剥離工程と
を含むようにしたことを特徴とするリードフレームの製
造方法。