JPH03209817A - バッチ式熱処理装置 - Google Patents
バッチ式熱処理装置Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、バッチ式熱処理装置に関する。
（従来の技術）
近年、半導体装置の製造工程において、成膜工程や熱拡
散工程等で使用される熱処理装置としてローディング、
アンローディングの容易性、省スペース化、省エネルギ
ー化、被処理物である半導体ウェハの大口径化への対応
が容易であること等の理由から縦型熱処理装置、すなわ
ち垂直方向に棚積み配列された複数の半導体ウェハをバ
ッチ式で処理する熱処理装置が開発されつつある。
散工程等で使用される熱処理装置としてローディング、
アンローディングの容易性、省スペース化、省エネルギ
ー化、被処理物である半導体ウェハの大口径化への対応
が容易であること等の理由から縦型熱処理装置、すなわ
ち垂直方向に棚積み配列された複数の半導体ウェハをバ
ッチ式で処理する熱処理装置が開発されつつある。
ところで、多数の半導体ウェハに対して例えばＳｉエピ
タキシャル成長膜等を成膜する場合、１枚の半導体ウェ
ハの面内における膜厚や同一処理ロット内での膜厚を均
一化することが重要である。
タキシャル成長膜等を成膜する場合、１枚の半導体ウェ
ハの面内における膜厚や同一処理ロット内での膜厚を均
一化することが重要である。
そこで、上述したような縦型熱処理装置を用いて成膜処
理を行うためには、原料ガスを各半導体ウェハに対して
平行な一方向から均一に流動供給する必要がある。
理を行うためには、原料ガスを各半導体ウェハに対して
平行な一方向から均一に流動供給する必要がある。
第５図は、原料ガスの供給方式を成膜品質を安定化する
よう改良した縦型熱処理装置の一例である（Ｓｅｍｉｃ
ｏｎ ＮＥＷＳ １９８９．５ Ｐ３４〜Ｐ４０参照）
。すなわち、被処理物である半導体ウェハ１は、所定の
間隔でウェハボート２に棚積み配列されて２重管式の円
筒状の反応容器３内に収容されており、このウェハボー
ト２は反応容器３外部に配置された回転駆動機構に連結
されたターンテーブル４上に塔載されている。
よう改良した縦型熱処理装置の一例である（Ｓｅｍｉｃ
ｏｎ ＮＥＷＳ １９８９．５ Ｐ３４〜Ｐ４０参照）
。すなわち、被処理物である半導体ウェハ１は、所定の
間隔でウェハボート２に棚積み配列されて２重管式の円
筒状の反応容器３内に収容されており、このウェハボー
ト２は反応容器３外部に配置された回転駆動機構に連結
されたターンテーブル４上に塔載されている。
また、成膜時の原料ガスとなる反応ガス、例えば５ＩＣ
Ｉ ４、＋１２ 、Ｉ（ＣＩ等を供給する、例えば石英
からなるガス導入管５は、ウェハボート２に収容された
各半導体ウェハ１の面方向に開口された複数のノズル５
ａを有しており、ｔ′１１気管６は同様に各半導体ウェ
ハ１の面方向に上記ノズル５ａに対向して開口された複
数の排気口６ａを有しており、これらにより反応ガスの
一方向からの均一供給および排気を実現している。
Ｉ ４、＋１２ 、Ｉ（ＣＩ等を供給する、例えば石英
からなるガス導入管５は、ウェハボート２に収容された
各半導体ウェハ１の面方向に開口された複数のノズル５
ａを有しており、ｔ′１１気管６は同様に各半導体ウェ
ハ１の面方向に上記ノズル５ａに対向して開口された複
数の排気口６ａを有しており、これらにより反応ガスの
一方向からの均一供給および排気を実現している。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上述した縦型熱処理装置では、ガス導入管５
を２重管構造とし、内管５ｂ側に反応ガスを流通させ、
外管５ｃから反応性ガスおよび導入管そのものを冷却す
るための水素ガス等を供給することによって、ガス導入
管５内やノズル５ａ内へのＳｊの析出を防止しているが
、ガス導入管５自体が反応容器３の内筒３ａ内の高温域
に存在しているため、上記冷却ガスのみではＳｔの析着
を充分に防止することができず、Ｓｉの析着は避けられ
ない問題として存在する。
を２重管構造とし、内管５ｂ側に反応ガスを流通させ、
外管５ｃから反応性ガスおよび導入管そのものを冷却す
るための水素ガス等を供給することによって、ガス導入
管５内やノズル５ａ内へのＳｊの析出を防止しているが
、ガス導入管５自体が反応容器３の内筒３ａ内の高温域
に存在しているため、上記冷却ガスのみではＳｔの析着
を充分に防止することができず、Ｓｉの析着は避けられ
ない問題として存在する。
そして、ノズル５ｂ内へのＳｉの析着は、ノズル５ｂの
位置によってＳｔの析着量が異なるために、反応ガスの
吐出量がノズル位置によって変化し、反応ガスの均一供
給を妨げる結果となる。
位置によってＳｔの析着量が異なるために、反応ガスの
吐出量がノズル位置によって変化し、反応ガスの均一供
給を妨げる結果となる。
また、ガス導入管５内外に８１が折着すると、ガス導入
管５を構成する石英とＳｉとの熱膨張率の差によって管
の破損を招いてしまう。ガス導入管５は２重管構造であ
るために、洗浄や破損時の交換が容易ではなく、装置の
維持性が非常に低いという問題がある。
管５を構成する石英とＳｉとの熱膨張率の差によって管
の破損を招いてしまう。ガス導入管５は２重管構造であ
るために、洗浄や破損時の交換が容易ではなく、装置の
維持性が非常に低いという問題がある。
このように従来の縦型熱処理装置では、多数の半導体ウ
ェハに対して継続的に均一な成膜処理を行うことは実現
されておらず、これらの改善が強く望まれている。
ェハに対して継続的に均一な成膜処理を行うことは実現
されておらず、これらの改善が強く望まれている。
本発明は、このような課題に対処するべくなされたもの
で、装置内へのＳｉの析着を充分に防止し、多数の被処
理物に対して継続的に均一な反応ガスの供給を可能にし
たバッチ式熱処理装置を提供することを目的としている
。
で、装置内へのＳｉの析着を充分に防止し、多数の被処
理物に対して継続的に均一な反応ガスの供給を可能にし
たバッチ式熱処理装置を提供することを目的としている
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明のバッチ式熱処理装置は、所定の間隔で
配列された複数の被処理物を収容する反応容器と、この
反応容器を囲繞する如く設けられた加熱機構と、上記被
処理物列方向にガス流を移動走査する手段とを具備して
なることを特徴とするものである。
配列された複数の被処理物を収容する反応容器と、この
反応容器を囲繞する如く設けられた加熱機構と、上記被
処理物列方向にガス流を移動走査する手段とを具備して
なることを特徴とするものである。
また、本発明のバッチ式熱処理装置は、所定の間隔で垂
直方向に棚積み配列された複数の被処理物を収容する反
応容器と、この反応容器を囲繞する如く設けられた加熱
機構と、垂直方向に対向して開口されたガス吐出部を有
し、反応ガスを含むガスを前記反応容器内に導入する如
く設けられた少なくとも ２本のガス導入管とを具備し
、前記少なくとも ２本のガス導入管から垂直方向に吐
ｄ１されたガスどうしを衝突させ、前記反応ガスを前記
被処理物の面方向に拡散させるよう構成したことを特徴
とするものである。
直方向に棚積み配列された複数の被処理物を収容する反
応容器と、この反応容器を囲繞する如く設けられた加熱
機構と、垂直方向に対向して開口されたガス吐出部を有
し、反応ガスを含むガスを前記反応容器内に導入する如
く設けられた少なくとも ２本のガス導入管とを具備し
、前記少なくとも ２本のガス導入管から垂直方向に吐
ｄ１されたガスどうしを衝突させ、前記反応ガスを前記
被処理物の面方向に拡散させるよう構成したことを特徴
とするものである。
（作 用）
本発明のバッチ式熱処理装置では、反応ガスを含む導入
ガスどうしを垂直方向で衝突させ、この衝突によって反
応ガスを被処理物の面方向に拡散させている。これによ
り、反応ガス導入管を高温域外に配設することが可能と
なり、Ｓｔの析着が防止される。よって、反応ガスの安
定供給か実現でき、各被処理物に対して一方向から均一
に反応ガスを供給することが可能になる。
ガスどうしを垂直方向で衝突させ、この衝突によって反
応ガスを被処理物の面方向に拡散させている。これによ
り、反応ガス導入管を高温域外に配設することが可能と
なり、Ｓｔの析着が防止される。よって、反応ガスの安
定供給か実現でき、各被処理物に対して一方向から均一
に反応ガスを供給することが可能になる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
被処理物例えば半導体ウェハ１１は、石英等からなるウ
ェハボート１２に所定の間隔で平行に同軸的に棚積み配
列されており、例えば円筒状の石英管からなるほぼ垂直
に配設された反応容器１３内に、図示を省略した昇降機
構例えばボートエレベータによってローディングされる
。また、ウェハボート１２は反応容器１３外部に配置さ
れた図示を省略した回転駆動機構に連結されたターンテ
ーブル１４上に塔載されており、半導体ウェハ１１を回
転させつつ処理が行えるよう構成されている。
ェハボート１２に所定の間隔で平行に同軸的に棚積み配
列されており、例えば円筒状の石英管からなるほぼ垂直
に配設された反応容器１３内に、図示を省略した昇降機
構例えばボートエレベータによってローディングされる
。また、ウェハボート１２は反応容器１３外部に配置さ
れた図示を省略した回転駆動機構に連結されたターンテ
ーブル１４上に塔載されており、半導体ウェハ１１を回
転させつつ処理が行えるよう構成されている。
上記反応容器１３の外周囲には、外面と所定の間隔を開
けてヒーター５、例えばコイル状の抵抗加熱ヒータ、高
周波コイル、赤外線加熱ランプ等が配設されており、こ
のヒーター５を囲繞する如くその外側には断熱材層１６
が配置されている。
けてヒーター５、例えばコイル状の抵抗加熱ヒータ、高
周波コイル、赤外線加熱ランプ等が配設されており、こ
のヒーター５を囲繞する如くその外側には断熱材層１６
が配置されている。
なお、上記ヒーター５は図示しない電力供給機構に接続
されており、均熱加熱を実現するためにゾーン分割制御
、例えば上部、中央部、下部の８ゾーンの独立温度制御
が可能に構成されている。
されており、均熱加熱を実現するためにゾーン分割制御
、例えば上部、中央部、下部の８ゾーンの独立温度制御
が可能に構成されている。
上記反応容器１３の下部には、所定の反応ガスを導入す
るためのＬ字状の第１のガス導入管］７が、反応容器１
３内壁とウェハボート１２との間隙に垂設されるよう設
置されており、この第１のガス導入管１７のガス吐出部
１７ａは垂直上方に向けて開口されている。また、この
第１のガス導入管１７の延設位置は、反応容器１３の高
温領域を避けて下部の低温領域内とされている。
るためのＬ字状の第１のガス導入管］７が、反応容器１
３内壁とウェハボート１２との間隙に垂設されるよう設
置されており、この第１のガス導入管１７のガス吐出部
１７ａは垂直上方に向けて開口されている。また、この
第１のガス導入管１７の延設位置は、反応容器１３の高
温領域を避けて下部の低温領域内とされている。
第１のガス導入管１７は２重管構造を有しており、内管
が反応ガス導入管１８であって、その内部に成膜時の原
料ガスとなる反応ガスが流通される。また、その周囲を
囲うように設けられた外管はキャリアガス導入管１９で
あり、このキャリアガス導入管１９と反応ガス導入管１
８との間隙にキャリアガス、例えば水素ガスや窒素ガス
のような不活性ガスを流通させる。このキャリアガスは
反応ガスの冷却剤としても機能する。
が反応ガス導入管１８であって、その内部に成膜時の原
料ガスとなる反応ガスが流通される。また、その周囲を
囲うように設けられた外管はキャリアガス導入管１９で
あり、このキャリアガス導入管１９と反応ガス導入管１
８との間隙にキャリアガス、例えば水素ガスや窒素ガス
のような不活性ガスを流通させる。このキャリアガスは
反応ガスの冷却剤としても機能する。
また、上記反応容器１３の上部には、上記第１のガス導
入管１７のガス吐出部１７ａと対向させて、垂直下方に
向けて開口されたガス吐出部２０ａを有する第２のガス
導入管２０が高温領域を避けて垂設されるよう設置され
ており、この第２のガス導入管２０からは流方向調移用
の上記同様のキャリアガスが吐出される。
入管１７のガス吐出部１７ａと対向させて、垂直下方に
向けて開口されたガス吐出部２０ａを有する第２のガス
導入管２０が高温領域を避けて垂設されるよう設置され
ており、この第２のガス導入管２０からは流方向調移用
の上記同様のキャリアガスが吐出される。
これらガス導入管１７．２０と半導体ウェハ１１を挟ん
で反対側の位置には、反応容器１３の上方および下方そ
れぞれに排気管２１．２２が設置されている。これら排
気管２１．２２の延設位置も高温領域を避けて反応容器
１３内の上部および下部の低温領域とされている。
で反対側の位置には、反応容器１３の上方および下方そ
れぞれに排気管２１．２２が設置されている。これら排
気管２１．２２の延設位置も高温領域を避けて反応容器
１３内の上部および下部の低温領域とされている。
また、これらガス導入管１７．２０および排気管２１．
２２には、それぞれ流量調節機構（図示せず）が介挿さ
れて、吐出ガス量および排気流量の調節が可能とされて
いる。
２２には、それぞれ流量調節機構（図示せず）が介挿さ
れて、吐出ガス量および排気流量の調節が可能とされて
いる。
そして、上記第１のガス導入管１７から垂直上方に吐出
された、キャリアガスにその周囲を覆われた反応ガスと
、第２のガス導入管２０から垂直下方に吐出された流方
向調整用キャリアガスとは、反応容器１３内の所定の位
置で衝突し、この衝突後排気管２１．２２の作用により
、反応ガスか半導体ウニ八１１面に平行な方向に流動拡
散するよう構成されており、各排気管２１．２２は上記
半導体ウェハ１１の面方向に拡散した反応ガスか、各半
導体ウェハ１１の間隙を均一に通過するよう排気流量が
設定されている。
された、キャリアガスにその周囲を覆われた反応ガスと
、第２のガス導入管２０から垂直下方に吐出された流方
向調整用キャリアガスとは、反応容器１３内の所定の位
置で衝突し、この衝突後排気管２１．２２の作用により
、反応ガスか半導体ウニ八１１面に平行な方向に流動拡
散するよう構成されており、各排気管２１．２２は上記
半導体ウェハ１１の面方向に拡散した反応ガスか、各半
導体ウェハ１１の間隙を均一に通過するよう排気流量が
設定されている。
下方からのキャリアガスにその周囲を覆われた反応ガス
と、上方からの流動方向調整用ガスとの衝突位置は、第
１のガス導入管１７および第２のガス導入管２０からの
導入流量を流量調節機構２３によって調節し、さらに各
排気管２１．２２からの排気流量を流量調節機構２３に
よって調節することによって、上記ガス導入管１７．２
０から０ のガスの衝突位置が経時的に上下に移動するよう構成さ
れている。
と、上方からの流動方向調整用ガスとの衝突位置は、第
１のガス導入管１７および第２のガス導入管２０からの
導入流量を流量調節機構２３によって調節し、さらに各
排気管２１．２２からの排気流量を流量調節機構２３に
よって調節することによって、上記ガス導入管１７．２
０から０ のガスの衝突位置が経時的に上下に移動するよう構成さ
れている。
上記構成のこの実施例の縦型熱処理装置では、まずヒー
タ１５により例えば８００°Ｃ程度の予備加熱状態にあ
る反応容器１３内に、下部開口からボートエレベータ等
により半導体ウェハ１１を収容したウェハボート１２を
ロードする。次に、所定の温度例えば１０５０°Ｃ程度
に加熱した後、第１のガス導入管１７から反応ガスとキ
ャリアガス、例えば５ｉＣ１４、＋（、、、ＨＣＩ等と
１１２ガスおよび第２のガス導入管２０からキャリア
ガス例えばＨ２ガスを反応容器１３内に導入し、Ｓｉエ
ピタキシャル成長等の成膜処理を行う。
タ１５により例えば８００°Ｃ程度の予備加熱状態にあ
る反応容器１３内に、下部開口からボートエレベータ等
により半導体ウェハ１１を収容したウェハボート１２を
ロードする。次に、所定の温度例えば１０５０°Ｃ程度
に加熱した後、第１のガス導入管１７から反応ガスとキ
ャリアガス、例えば５ｉＣ１４、＋（、、、ＨＣＩ等と
１１２ガスおよび第２のガス導入管２０からキャリア
ガス例えばＨ２ガスを反応容器１３内に導入し、Ｓｉエ
ピタキシャル成長等の成膜処理を行う。
ここで、例えば第２図に示すように、まず第１のガス導
入管１７からの吐出流量を大とし、第２のガス導入管２
０からの吐出流量を小として、これらの実質的な衝突位
置（衝突による流方向の変更位置）を上部側に設定し、
ウェハボート１２の上部側に収容された半導体ウェハ１
１の優先的な成膜を行う（第２図−ａ）。なお、この際
には上１ 部側の排気管２１による排出量を増大させることによっ
て、反応ガスの流方向を制御する。
入管１７からの吐出流量を大とし、第２のガス導入管２
０からの吐出流量を小として、これらの実質的な衝突位
置（衝突による流方向の変更位置）を上部側に設定し、
ウェハボート１２の上部側に収容された半導体ウェハ１
１の優先的な成膜を行う（第２図−ａ）。なお、この際
には上１ 部側の排気管２１による排出量を増大させることによっ
て、反応ガスの流方向を制御する。
次に、徐々に第１のガス導入管１７および第２のガス導
入管２０からの吐出流量を変化させることによって、実
質的な衝突位置を下方側に移動させ、ウェハボート１２
の下部側に収容された半導体ウェハ１１までの全半導体
ウェハ１１の成膜を行う（第２図−ｂ）。なお、各排気
管２１．２２からの排出量は、反応ガス導入管１７およ
び流方向調整用排気管２０からの吐出流量に応じて変化
させる。
入管２０からの吐出流量を変化させることによって、実
質的な衝突位置を下方側に移動させ、ウェハボート１２
の下部側に収容された半導体ウェハ１１までの全半導体
ウェハ１１の成膜を行う（第２図−ｂ）。なお、各排気
管２１．２２からの排出量は、反応ガス導入管１７およ
び流方向調整用排気管２０からの吐出流量に応じて変化
させる。
そして、成膜工程中に経時的に上記衝突位置の移動を行
うことによって、全半導体ウェハ１１に対して均一に成
膜処理を行う。
うことによって、全半導体ウェハ１１に対して均一に成
膜処理を行う。
また、ウェハボート１２に収容された半導体ウェハ１１
のうち、例えば上部側に収容された半導体ウェハ１１へ
の膜厚を選択的に増大させたいような場合には、第３図
に示すように、下部側の排気管２２からもキャリアガス
を吐Ｓ−１させることによって、選択成長を実施するこ
とも可能である。
のうち、例えば上部側に収容された半導体ウェハ１１へ
の膜厚を選択的に増大させたいような場合には、第３図
に示すように、下部側の排気管２２からもキャリアガス
を吐Ｓ−１させることによって、選択成長を実施するこ
とも可能である。
２
なお、この逆も同様である。
上記構成の縦型熱処理装置を用い、処理温度を１０５０
°Ｃ１チヤージ量を半導体ウェハ５０枚、半導体ウェハ
の間隔を約０．５ｎｕｎ （３／１Ｇｉｎ）とし、反応
ガスとしてＳｉＨ２ＣＩ２を平均０．８ｓｅｃ／ｍｉｎ
％ ＰＩ（３を平均０．１ｓｃｃ／ｍｉｎ 、 １
１２を平均２０ｓｅｃ／ｍｉｎ 、第１のガス導入管１
７側のキャリアガスとしてＨ２を平均１０ｓｅｃ／ｍｉ
ｎ 、第２のガス導入管２０側のキャリアガスとして１
１２を平均１０ｓｅｃ／ｍｉｎで導入し、実際にＳｉエ
ピタキシャル成長を行った。なお、各導入ガスの流量は
経時的に変化させた。
°Ｃ１チヤージ量を半導体ウェハ５０枚、半導体ウェハ
の間隔を約０．５ｎｕｎ （３／１Ｇｉｎ）とし、反応
ガスとしてＳｉＨ２ＣＩ２を平均０．８ｓｅｃ／ｍｉｎ
％ ＰＩ（３を平均０．１ｓｃｃ／ｍｉｎ 、 １
１２を平均２０ｓｅｃ／ｍｉｎ 、第１のガス導入管１
７側のキャリアガスとしてＨ２を平均１０ｓｅｃ／ｍｉ
ｎ 、第２のガス導入管２０側のキャリアガスとして１
１２を平均１０ｓｅｃ／ｍｉｎで導入し、実際にＳｉエ
ピタキシャル成長を行った。なお、各導入ガスの流量は
経時的に変化させた。
その結果、膜の成長速度として０．２μｍ／ｍｉｎが得
られ、各半導体ウェハ間の膜厚のばらつきも±７％以下
という良好な値が得られた。
られ、各半導体ウェハ間の膜厚のばらつきも±７％以下
という良好な値が得られた。
このように、上記構成の縦型熱処理装置によれば、半導
体ウェハ面と平行な方向への反応ガスの拡散を、反応ガ
スとキャリアガスとを衝突させることによって実現し、
この衝突位置を経時的に移動させているため、多数の半
導体ウェハに対して均一に一方向から反応ガスを供給す
ることが可能３ となる。また、反応ガス導入管の配設位置を反応容器内
の高温領域を避けることが可能となるため、ガス吐出部
に対するＳｉの析着が防止でき、たえず想定量のガスを
吐出させることが可能となる。よって、各半導体ウェハ
に対して均一な膜厚て成膜を実施することができる。
体ウェハ面と平行な方向への反応ガスの拡散を、反応ガ
スとキャリアガスとを衝突させることによって実現し、
この衝突位置を経時的に移動させているため、多数の半
導体ウェハに対して均一に一方向から反応ガスを供給す
ることが可能３ となる。また、反応ガス導入管の配設位置を反応容器内
の高温領域を避けることが可能となるため、ガス吐出部
に対するＳｉの析着が防止でき、たえず想定量のガスを
吐出させることが可能となる。よって、各半導体ウェハ
に対して均一な膜厚て成膜を実施することができる。
また、反応ガス導入管へのＳｉの析着を防止でき、かつ
排気管に対するＳｔの折着も防止できることから、メン
テナンス性も向上する。さらに、反応ガスは衝突位置ま
でキャリアガスによって囲われているため、不要な位置
での熱分解か防止でき、これによって装置内への不要な
Ｓｔの析出が抑制できると共に、効率的に成膜を行うこ
とが可能となる。
排気管に対するＳｔの折着も防止できることから、メン
テナンス性も向上する。さらに、反応ガスは衝突位置ま
でキャリアガスによって囲われているため、不要な位置
での熱分解か防止でき、これによって装置内への不要な
Ｓｔの析出が抑制できると共に、効率的に成膜を行うこ
とが可能となる。
なお、上記実施例では反応ガスを下方のみから導入する
例について説明したが、さらに成膜の精密な制御を必要
とするような場合には、第４図に示すように、第２のガ
ス導入管２０を下方の第１のガス導入管１７と同様な２
重管構造とし、中心管２０ａから反応ガスを導入するこ
とが可能なような構造としてもよい。
例について説明したが、さらに成膜の精密な制御を必要
とするような場合には、第４図に示すように、第２のガ
ス導入管２０を下方の第１のガス導入管１７と同様な２
重管構造とし、中心管２０ａから反応ガスを導入するこ
とが可能なような構造としてもよい。
４
なお、上記実施例では縦型熱処理装置に適用した例につ
いて説明したが、横型熱処理装置に適用してもよい。
いて説明したが、横型熱処理装置に適用してもよい。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明のハツチ式熱処理装置によ
れば、ガス導入管等への反応ガス成分の析着を防止しつ
つ、−列に収容された被処理物に対して一方向から均一
に反応ガスを供給することが可能となる。よって、例え
ば多数の被処理物に対して均一な膜厚での成膜処理を実
現することが可能となる。
れば、ガス導入管等への反応ガス成分の析着を防止しつ
つ、−列に収容された被処理物に対して一方向から均一
に反応ガスを供給することが可能となる。よって、例え
ば多数の被処理物に対して均一な膜厚での成膜処理を実
現することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置を示す構成
図、第２図はその動作状態を説明するための図、第３図
はその変形例を示す図、第４図は他の実施例の縦型熱処
理装置を示す構成図、第５図は従来の縦型熱処理装置を
示す構成図である。 １１・・・・・・半導体ウェハ、１２・・・・・・ウェ
ハボート、１３・・・・・・反応容器、１５・・・・・
・ヒータ、１７・・・・・・第１のガス導入管、１７８
％ ２０ ａ・・・・・・ガス吐出）５ ズル、１８・・・・・・反応ガス導入管、１９・・・・
・・キャリアガス導入管、２０・・・・・・第２のカス
導入管、２１．２２・・・・・・排気管。 ■願人
図、第２図はその動作状態を説明するための図、第３図
はその変形例を示す図、第４図は他の実施例の縦型熱処
理装置を示す構成図、第５図は従来の縦型熱処理装置を
示す構成図である。 １１・・・・・・半導体ウェハ、１２・・・・・・ウェ
ハボート、１３・・・・・・反応容器、１５・・・・・
・ヒータ、１７・・・・・・第１のガス導入管、１７８
％ ２０ ａ・・・・・・ガス吐出）５ ズル、１８・・・・・・反応ガス導入管、１９・・・・
・・キャリアガス導入管、２０・・・・・・第２のカス
導入管、２１．２２・・・・・・排気管。 ■願人
Claims (3)
- （１）所定の間隔で配列された複数の被処理物を収容す
る反応容器と、 この反応容器を囲繞する如く設けられた加熱機構と、 上記被処理物列方向にガス流を移動走査する手段と を具備してなることを特徴とするバッチ式熱処理装置。 - （２）所定の間隔で配列された複数の被処理物を収容す
る反応容器と、 この反応容器を囲繞する如く設けられた加熱機構と、 前記被処理物の配列方向の両端側に、反応ガスを含むガ
スを前記反応容器内に導入する如く設けられた少なくと
も２本のガス導入管とを具備し、前記少なくとも２本の
ガス導入管から垂直方向に吐出されたガスどうしを衝突
させ、前記反応ガスを前記被処理物の面方向に拡散させ
るよう構成したことを特徴とするバッチ式熱処理装置。 - （３）請求項２記載の熱処理装置において、前記ガス導
入管に吐出ガス量を変化させる流量調節機構を設け、前
記反応ガスの拡散位置を経時的に移動させるよう構成し
たことを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004921A JP2662722B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | バッチ式熱処理装置 |
| KR1019900020491A KR0151782B1 (ko) | 1990-01-12 | 1990-12-13 | 열처리 장치 및 이를 사용한 박막형성 방법 |
| US07/635,209 US5164012A (en) | 1990-01-12 | 1990-12-28 | Heat treatment apparatus and method of forming a thin film using the apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004921A JP2662722B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | バッチ式熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03209817A true JPH03209817A (ja) | 1991-09-12 |
| JP2662722B2 JP2662722B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=11597080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004921A Expired - Lifetime JP2662722B2 (ja) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | バッチ式熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164012A (ja) |
| JP (1) | JP2662722B2 (ja) |
| KR (1) | KR0151782B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH10270453A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-09 | Koyo Lindberg Ltd | 半導体熱処理装置およびこれを用いた半導体基板の昇降温方法 |
| JP2010283336A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-12-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置 |
| JP2012104720A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP2015164192A (ja) * | 2015-03-25 | 2015-09-10 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2016174158A (ja) * | 2016-04-08 | 2016-09-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2020218483A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 |
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-
1990
- 1990-01-12 JP JP2004921A patent/JP2662722B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-13 KR KR1019900020491A patent/KR0151782B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1990-12-28 US US07/635,209 patent/US5164012A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
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| US12209328B2 (en) | 2019-04-26 | 2025-01-28 | Kwansei Gakuin Educational Foundation | Method of manufacturing semiconductor substrate and epitaxial growth method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910015003A (ko) | 1991-08-31 |
| US5164012A (en) | 1992-11-17 |
| JP2662722B2 (ja) | 1997-10-15 |
| KR0151782B1 (ko) | 1998-12-01 |
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