JPH09148259A - 横型反応装置 - Google Patents
横型反応装置Info
- Publication number
- JPH09148259A JPH09148259A JP7305336A JP30533695A JPH09148259A JP H09148259 A JPH09148259 A JP H09148259A JP 7305336 A JP7305336 A JP 7305336A JP 30533695 A JP30533695 A JP 30533695A JP H09148259 A JPH09148259 A JP H09148259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- furnace core
- core tube
- horizontal reactor
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハ１４の表面処理を行なう横型反応装置に
おいて、発塵源となる複雑な可動機構を必要とせずウェ
ハの表面処理を均一にする。 【解決手段】炉芯管６の上部に配置されるとともに複数
枚並べられたウェハ１４の列にわたり反応ガスを噴出す
る複数のガス吹き出し口３ａ，３ｂ，３ｃと、この吹き
出し口３ａ，３ｂ，３ｃに対向して炉芯管６の下部に複
数の排気口４とを設け、上方から下方への反応ガスの流
れを層流状態で流す。
おいて、発塵源となる複雑な可動機構を必要とせずウェ
ハの表面処理を均一にする。 【解決手段】炉芯管６の上部に配置されるとともに複数
枚並べられたウェハ１４の列にわたり反応ガスを噴出す
る複数のガス吹き出し口３ａ，３ｂ，３ｃと、この吹き
出し口３ａ，３ｂ，３ｃに対向して炉芯管６の下部に複
数の排気口４とを設け、上方から下方への反応ガスの流
れを層流状態で流す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、横方向に載置され
る長尺な炉芯管に挿入され高温加熱されるとともに反応
ガスの雰囲気のもとで半導体基板を酸化・拡散処理また
は多結晶シリコン膜，窒化膜等を成膜する横型反応装置
に関する。
る長尺な炉芯管に挿入され高温加熱されるとともに反応
ガスの雰囲気のもとで半導体基板を酸化・拡散処理また
は多結晶シリコン膜，窒化膜等を成膜する横型反応装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の横型反応装置は、半導体
基板（以下単にウェハと記す）の表面に酸化膜の形成や
不純物の拡散あるいは窒化膜や多結晶シリコンの形成な
どに用いられていた。しかしながら、このような表面処
理は時間がかかるため、より能率を良くするために複数
枚のウェハを同時に処理していた。
基板（以下単にウェハと記す）の表面に酸化膜の形成や
不純物の拡散あるいは窒化膜や多結晶シリコンの形成な
どに用いられていた。しかしながら、このような表面処
理は時間がかかるため、より能率を良くするために複数
枚のウェハを同時に処理していた。
【０００３】図２は従来の横型反応装置の一例を示す模
式断面図である。多数枚のウェハを処理する横型反応装
置は、図３に示すように、多数のウェハ１４を一方向に
並べ載置するボート１３を収納する炉芯管１１と、この
炉芯管１１の内部を高温加熱するヒータ１２とを備えて
いる。そして、炉芯管１１の一方より反応ガスを導入し
炉芯管１１内を一定の圧力にしてから、酸化・拡散処理
または多結晶シリコン膜，窒化膜等の成長を行ってい
た。
式断面図である。多数枚のウェハを処理する横型反応装
置は、図３に示すように、多数のウェハ１４を一方向に
並べ載置するボート１３を収納する炉芯管１１と、この
炉芯管１１の内部を高温加熱するヒータ１２とを備えて
いる。そして、炉芯管１１の一方より反応ガスを導入し
炉芯管１１内を一定の圧力にしてから、酸化・拡散処理
または多結晶シリコン膜，窒化膜等の成長を行ってい
た。
【０００４】しかしながら、この種の横型反応装置で
は、０．５Ｔｏｒｒ程度の圧力で粘性流の領域にかかわ
らずガス供給口に近い方が反応ガスの濃度が高く炉口側
では低くなる。その結果、ウェハ１４と接触する反応ガ
スの活性分子にむらが生じ、ボート１３に載置されたウ
ェハ１４の間に表面処理のばらつきが生ずる恐れがあっ
た。
は、０．５Ｔｏｒｒ程度の圧力で粘性流の領域にかかわ
らずガス供給口に近い方が反応ガスの濃度が高く炉口側
では低くなる。その結果、ウェハ１４と接触する反応ガ
スの活性分子にむらが生じ、ボート１３に載置されたウ
ェハ１４の間に表面処理のばらつきが生ずる恐れがあっ
た。
【０００５】図３（ａ）および（ｂ）は従来の横型反応
装置の他の例を示す縦断面図および横断面図である。膜
厚を均一に成長させるためにガス供給機構を改良した横
型反応装置の一種である気相成長装置として、特開昭５
８−２５２２４号公報に開示されている。この横型反応
装置である気相成長装置は、図３に示すように、複数の
噴射口を有し反応管１１ａの内壁に沿って管内を移動し
ながら反応ガスを供給するガス供給管１０を反応管内に
備えている。
装置の他の例を示す縦断面図および横断面図である。膜
厚を均一に成長させるためにガス供給機構を改良した横
型反応装置の一種である気相成長装置として、特開昭５
８−２５２２４号公報に開示されている。この横型反応
装置である気相成長装置は、図３に示すように、複数の
噴射口を有し反応管１１ａの内壁に沿って管内を移動し
ながら反応ガスを供給するガス供給管１０を反応管内に
備えている。
【０００６】そして、この気相成長装置では、ガス供給
管１０からのガスの噴射方向を反応管の軸中心から１０
°ないし３０°外れた方向の角度をもって管内を移動し
ながらガスを噴射することにより、サセプタ９に載置さ
れるウェハ１４上に供給するガス供給方法を改善し、成
膜される膜厚を均一性を向上させようとしていることを
特徴としている。
管１０からのガスの噴射方向を反応管の軸中心から１０
°ないし３０°外れた方向の角度をもって管内を移動し
ながらガスを噴射することにより、サセプタ９に載置さ
れるウェハ１４上に供給するガス供給方法を改善し、成
膜される膜厚を均一性を向上させようとしていることを
特徴としている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の横型反
応装置では、ガス噴射口をもつガス供給管を回転させな
がら移動しガスを供給し膜厚の均一化が図れるものの、
成長膜や不純物拡散によっても、ガスの噴射方向を変え
ななければならず、極めて操作性が悪いという欠点があ
る。また、ガス供給管を管内に移動する機構が必要とな
ることから設備コストが高くなる欠点もある。さらに、
移動しながら旋回する機構が発塵源となり、ウェハの成
膜を汚染させる品質に重大な欠陥をもたらすという問題
がある。
応装置では、ガス噴射口をもつガス供給管を回転させな
がら移動しガスを供給し膜厚の均一化が図れるものの、
成長膜や不純物拡散によっても、ガスの噴射方向を変え
ななければならず、極めて操作性が悪いという欠点があ
る。また、ガス供給管を管内に移動する機構が必要とな
ることから設備コストが高くなる欠点もある。さらに、
移動しながら旋回する機構が発塵源となり、ウェハの成
膜を汚染させる品質に重大な欠陥をもたらすという問題
がある。
【０００８】従って、本発明の目的は、発塵源となる複
雑な可動機構を必要とせずウェハの表面処理を均一にで
きる横型反応装置を提供することである。
雑な可動機構を必要とせずウェハの表面処理を均一にで
きる横型反応装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、横方向
に長尺な炉芯管内に挿入され高温加熱されるとともに反
応ガスの雰囲気のもとで半導体基板を酸化・拡散処理ま
たは多結晶シリコン膜，窒化膜等を成膜する横型反応装
置において、前記炉芯管内の上部に配置されるとともに
前記反応ガスを導入するガス吹き出し口の複数個が横方
向に並べ配設されるガス供給機構と、前記炉芯管内の下
部に前記ガス吹き出し口に対向して配設されるとともに
前記反応ガスを排気するガス排気口を具備するガス排出
管とを備える横型反応装置である。また、前記ガス供給
機構は、前記ガス吹き出し口の一つを具備する複数のガ
ス導入管を備えることが望ましい。
に長尺な炉芯管内に挿入され高温加熱されるとともに反
応ガスの雰囲気のもとで半導体基板を酸化・拡散処理ま
たは多結晶シリコン膜，窒化膜等を成膜する横型反応装
置において、前記炉芯管内の上部に配置されるとともに
前記反応ガスを導入するガス吹き出し口の複数個が横方
向に並べ配設されるガス供給機構と、前記炉芯管内の下
部に前記ガス吹き出し口に対向して配設されるとともに
前記反応ガスを排気するガス排気口を具備するガス排出
管とを備える横型反応装置である。また、前記ガス供給
機構は、前記ガス吹き出し口の一つを具備する複数のガ
ス導入管を備えることが望ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１１】図１（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施
の形態における横型反応装置を示す模式縦断面図および
模式横は横断面図である。この横型反応装置は、図１に
示すように、炉芯管６内の上部に配置されるとともに前
記反応ガスを導入するガス吹き出し口３ａ，３ｂ，３ｃ
の複数個が横方向に並べ配設されるガス供給機構１と、
炉芯管内の下部にガス吹き出し口３ａ，３ｂ，３ｃに対
向して配設されるとともに反応ガスを排気するガス排気
口４を具備するガス排出管２とを設けたことである。そ
れ以外は、図２で説明した従来の横型反応装置と同じで
ある。
の形態における横型反応装置を示す模式縦断面図および
模式横は横断面図である。この横型反応装置は、図１に
示すように、炉芯管６内の上部に配置されるとともに前
記反応ガスを導入するガス吹き出し口３ａ，３ｂ，３ｃ
の複数個が横方向に並べ配設されるガス供給機構１と、
炉芯管内の下部にガス吹き出し口３ａ，３ｂ，３ｃに対
向して配設されるとともに反応ガスを排気するガス排気
口４を具備するガス排出管２とを設けたことである。そ
れ以外は、図２で説明した従来の横型反応装置と同じで
ある。
【００１２】ガス供給機構１は、複数のガス導入管１
ａ，１ｂ，１ｃで構成され、ガス吹き出し口３ａ，３
ｂ，３ｃでの反応ガスの流量が一定になるように、それ
ぞれのガス導入管１ａ，１ｂ，１ｃには独立して流量弁
（図示せず）が設けられている。また、ガス吹き出し口
３ａ，３ｂ，３ｃは、ボート５に並べ載置されたウェハ
１４に一様に供給されるように、長手方向に等間隔に配
置されている。
ａ，１ｂ，１ｃで構成され、ガス吹き出し口３ａ，３
ｂ，３ｃでの反応ガスの流量が一定になるように、それ
ぞれのガス導入管１ａ，１ｂ，１ｃには独立して流量弁
（図示せず）が設けられている。また、ガス吹き出し口
３ａ，３ｂ，３ｃは、ボート５に並べ載置されたウェハ
１４に一様に供給されるように、長手方向に等間隔に配
置されている。
【００１３】一方、炉芯管６の下部には、ガス吹き出し
口３ａ，３ｂ，３ｃのそれぞれに対向してガス排気口４
をもつガス排出管２が配設されている。ボート５のウェ
ハ１４の間を層流の状態で反応ガスを一様に流し、常
に、活性分子を多く含む新鮮で濃度が一様な反応ガスを
ウェハ１４に接触させている。また、より流れを一様に
するためには、このガス排出管２を各排気口４を独立し
てもつ分岐配管にし、これら分岐された配管に排気抵抗
を調節できる調節弁を設け、それぞれを調節し、ウェハ
１４の間の流れを一様にすれば良い。
口３ａ，３ｂ，３ｃのそれぞれに対向してガス排気口４
をもつガス排出管２が配設されている。ボート５のウェ
ハ１４の間を層流の状態で反応ガスを一様に流し、常
に、活性分子を多く含む新鮮で濃度が一様な反応ガスを
ウェハ１４に接触させている。また、より流れを一様に
するためには、このガス排出管２を各排気口４を独立し
てもつ分岐配管にし、これら分岐された配管に排気抵抗
を調節できる調節弁を設け、それぞれを調節し、ウェハ
１４の間の流れを一様にすれば良い。
【００１４】次に、この横型反応装置の動作手順を説明
する。まず、扉７を開け、高温加熱された炉芯管６内の
ウェハ１４を装填した石英製のボート５を挿入する。次
に、扉７を閉じ、炉芯管６の上部に設けられたガス導入
管１ａ，１ｂ，１ｃのガス吹き出し口３ａ，３ｂ，３ｃ
より所望のガス（酸素，窒素等）を導入しながら、ガス
排出管４のガス排気口４より導入された反応ガスを排気
する。このことによりウェハ１４は常に濃度の一定の反
応ガスと接触し、ウェハ１４の表面を酸化したり、膜成
長したりすることができる。
する。まず、扉７を開け、高温加熱された炉芯管６内の
ウェハ１４を装填した石英製のボート５を挿入する。次
に、扉７を閉じ、炉芯管６の上部に設けられたガス導入
管１ａ，１ｂ，１ｃのガス吹き出し口３ａ，３ｂ，３ｃ
より所望のガス（酸素，窒素等）を導入しながら、ガス
排出管４のガス排気口４より導入された反応ガスを排気
する。このことによりウェハ１４は常に濃度の一定の反
応ガスと接触し、ウェハ１４の表面を酸化したり、膜成
長したりすることができる。
【００１５】ここで、図面では、炉芯管６の上部のガス
吹き出し口に対向して３箇所の排気口４を示している
が、配置が許される限り３個以上設けても良い。これに
より反応ガスは炉芯管の上部から下部へ層流状態で炉芯
管６の長手方向に対し円滑に流れ、すべてのウェハ１４
に対し、一様にガスを供給することができる。その結
果、炉芯管６内で反応にかかわるガスの濃度を均一にす
ることができ、炉芯管内に挿入された半導体基板上に酸
化もしくは成長される膜のバッチ内均一性，面内均一性
を向上させることができる。
吹き出し口に対向して３箇所の排気口４を示している
が、配置が許される限り３個以上設けても良い。これに
より反応ガスは炉芯管の上部から下部へ層流状態で炉芯
管６の長手方向に対し円滑に流れ、すべてのウェハ１４
に対し、一様にガスを供給することができる。その結
果、炉芯管６内で反応にかかわるガスの濃度を均一にす
ることができ、炉芯管内に挿入された半導体基板上に酸
化もしくは成長される膜のバッチ内均一性，面内均一性
を向上させることができる。
【００１６】また、炉芯管の上部に設けられたガス導入
管１ａ，１ｂ，１ｃは、炉の奥，中央，手前側でガスの
吹き出し量をさらに均一化するために、配置が許される
限り、前述の排気口４と同様に炉の奥，中央，手前にそ
れぞれ吹き出し口を持った３本以上の方が望ましい。
管１ａ，１ｂ，１ｃは、炉の奥，中央，手前側でガスの
吹き出し量をさらに均一化するために、配置が許される
限り、前述の排気口４と同様に炉の奥，中央，手前にそ
れぞれ吹き出し口を持った３本以上の方が望ましい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、炉芯管の
上部に配置されるとともに複数枚並べられたウェハの列
にわたり反応ガスを噴出する複数のガス吹き出し口と、
この吹き出し口に対向して炉芯管下部に複数の排気口と
を設け、上方から下方への反応ガスの流れを層流状態で
流すことにより、ウェハのそれぞれは均一の濃度の反応
ガスと接触し、ウェハの表面処理が均一にできるという
効果がある。
上部に配置されるとともに複数枚並べられたウェハの列
にわたり反応ガスを噴出する複数のガス吹き出し口と、
この吹き出し口に対向して炉芯管下部に複数の排気口と
を設け、上方から下方への反応ガスの流れを層流状態で
流すことにより、ウェハのそれぞれは均一の濃度の反応
ガスと接触し、ウェハの表面処理が均一にできるという
効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態における横型反応装置を
示す模式縦断面図および模式横は横断面図である。
示す模式縦断面図および模式横は横断面図である。
【図２】従来の横型反応装置の一例を示す模式断面図で
ある。
ある。
【図３】従来の横型反応装置の他の例を示す縦断面図お
よび横断面図である。
よび横断面図である。
１ ガス供給機構 １ａ，１ｂ，１ｃ ガス導入管 ２ ガス排出管 ３ａ，３ｂ，３ｃ ガス吹き出し口 ４ ガス排気口 ５，１３ ボート ６，１１ 炉芯管 ７ 扉 １０ ガス供給管 １１ａ 反応管 １２ ヒータ １４ ウェハ
Claims (2)
- 【請求項１】 横方向に長尺な炉芯管内に挿入され高温
加熱されるとともに反応ガスの雰囲気のもとで半導体基
板を酸化・拡散処理または多結晶シリコン膜，窒化膜等
を成膜する横型反応装置において、前記炉芯管内の上部
に配置されるとともに前記反応ガスを導入するガス吹き
出し口の複数個が横方向に並べ配設されるガス供給機構
と、前記炉芯管内の下部に前記ガス吹き出し口に対向し
て配設されるとともに前記反応ガスを排気するガス排気
口を具備するガス排出管とを備えることを特徴とする横
型反応装置。 - 【請求項２】 前記ガス供給機構は、前記ガス吹き出し
口の一つを具備する複数のガス導入管を備えることを特
徴とする請求項１記載の横型反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7305336A JPH09148259A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 横型反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7305336A JPH09148259A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 横型反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148259A true JPH09148259A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17943893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7305336A Pending JPH09148259A (ja) | 1995-11-24 | 1995-11-24 | 横型反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148259A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436084B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-06-12 | 주식회사 크레젠 | 반도체 웨이퍼 제조용 횡형 확산로 |
| JP2012009638A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Koyo Thermo System Kk | 連続拡散処理装置 |
| JP2012009641A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Koyo Thermo System Kk | 連続拡散処理装置 |
| CN103451624A (zh) * | 2012-05-30 | 2013-12-18 | 北大方正集团有限公司 | 一种沉积炉管及沉积薄膜的方法 |
| JP2015188095A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-10-29 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
| JP2015201650A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-11-12 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
| JP2015201651A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-11-12 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
| US10007185B2 (en) | 2016-01-05 | 2018-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam lithography method and apparatus |
| WO2019124099A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
| US11891692B2 (en) | 2017-12-22 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film-forming device |
| WO2026163273A1 (ja) * | 2025-01-28 | 2026-08-06 | ＡＴＩ Ｊａｐａｎ 株式会社 | 酸化シリコン膜をもつ基板の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02205017A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH02251136A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Nec Corp | 半導体ウェハー熱処理装置 |
| JP3122532B2 (ja) * | 1992-06-22 | 2001-01-09 | 電気化学工業株式会社 | 道路用組成物 |
-
1995
- 1995-11-24 JP JP7305336A patent/JPH09148259A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02205017A (ja) * | 1989-02-02 | 1990-08-14 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造装置 |
| JPH02251136A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-08 | Nec Corp | 半導体ウェハー熱処理装置 |
| JP3122532B2 (ja) * | 1992-06-22 | 2001-01-09 | 電気化学工業株式会社 | 道路用組成物 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436084B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-06-12 | 주식회사 크레젠 | 반도체 웨이퍼 제조용 횡형 확산로 |
| JP2012009638A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Koyo Thermo System Kk | 連続拡散処理装置 |
| JP2012009641A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Koyo Thermo System Kk | 連続拡散処理装置 |
| CN103451624A (zh) * | 2012-05-30 | 2013-12-18 | 北大方正集团有限公司 | 一种沉积炉管及沉积薄膜的方法 |
| JP2015188095A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-10-29 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
| JP2015201650A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-11-12 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
| JP2015201651A (ja) * | 2015-05-20 | 2015-11-12 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
| US10007185B2 (en) | 2016-01-05 | 2018-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electron beam lithography method and apparatus |
| WO2019124099A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
| CN111465714A (zh) * | 2017-12-22 | 2020-07-28 | 株式会社村田制作所 | 成膜装置 |
| JPWO2019124099A1 (ja) * | 2017-12-22 | 2020-09-10 | 株式会社村田製作所 | 成膜装置 |
| CN111465714B (zh) * | 2017-12-22 | 2022-06-28 | 株式会社村田制作所 | 成膜装置 |
| US11377731B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-07-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film-forming device |
| US11891692B2 (en) | 2017-12-22 | 2024-02-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Film-forming device |
| WO2026163273A1 (ja) * | 2025-01-28 | 2026-08-06 | ＡＴＩ Ｊａｐａｎ 株式会社 | 酸化シリコン膜をもつ基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1388891B1 (en) | System for heat treating semiconductor | |
| US7482283B2 (en) | Thin film forming method and thin film forming device | |
| JP3819660B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| US6863732B2 (en) | Heat treatment system and method | |
| US6204194B1 (en) | Method and apparatus for producing a semiconductor device | |
| US9551069B2 (en) | Reaction apparatus having multiple adjustable exhaust ports | |
| US5164012A (en) | Heat treatment apparatus and method of forming a thin film using the apparatus | |
| US8303712B2 (en) | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, and process tube | |
| CN112602170A (zh) | 氢辅助的大气自由基氧化 | |
| JP2000311862A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20010110291A (ko) | 기판처리방법 | |
| KR100697801B1 (ko) | 반도체 장치의 제조방법 및 반도체 제조장치 | |
| JPH11195611A (ja) | 反応装置及び半導体部材の製造方法 | |
| JPH0997768A (ja) | 縦型拡散炉 | |
| JPS6383275A (ja) | 被処理体の処理方法 | |
| JP2751015B2 (ja) | 被処理体の処理方法 | |
| JPH06302566A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
| JP2006351582A (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
| JPS62249411A (ja) | 処理装置 | |
| JPH01306568A (ja) | ホットウォール型減圧ｃｖｄ装置 | |
| JP2005142579A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2006210950A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| JPS63161608A (ja) | Ｃｖｄ蒸着装置 | |
| JP2005032929A (ja) | 基板保持具及び基板処理装置 | |
| JPH02148842A (ja) | 処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980303 |