JPH03209895A

JPH03209895A - 半導体レーザ

Info

Publication number: JPH03209895A
Application number: JP488790A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Someno; 義博染野; Yuichi Umeda; 裕一梅田; Toshio Hirai; 平井　敏雄; Makoto Sasaki; 佐々木　眞
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 1990-01-12
Filing date: 1990-01-12
Publication date: 1991-09-12
Anticipated expiration: 2013-04-22
Also published as: JP2743106B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、発光部分の活性層からレーザ光が反射鏡を透
過して放射される半導体レーザに係り、特に反射鏡の保
護膜を十分な保護機能を有するものにして設計の自由度
を高め製品の低コスト化を図ることができると共に、保
護膜を他の部分と線膨張係数の近いものとして加熱時の
熱歪みが生じることを防ぐことができる半導体レーザに
関する。

〔従来の技術］第６図は従来の半導体レーザの構造を示す説明図である
。

従来から、半導体レーザでは、発光部分であるＡβＧ、
Ａ、活性層１の両側をｐ型ＡρＧ、Ａ。

ブラッド層２とｎ型Ａ、ｆ２Ｇ、Ａ、ブラッド層３でサ
ンドイッチにしたダブルへテロ（ＤＨ）構造が採用され
ている。上記ｐ型グラッド層２およびｎ型グラッド層３
にはそれぞれｐ型電極４およびｎ型電極５が設けられて
いる。

また活性層１内で光を増幅するために、光の進行方向の
結晶端面（へき開面）を反射鏡６として、内部で定在波
が立つような構造をとり、これによりファブリ・ベロー
共振器を構成している。

この反射鏡６の反射率は通常３１〜３２％に設定されて
いる。

ただし、ＡｆｉＧ、Ａ、はそのままでは時間の経過と共
に酸化され、重大な劣化を引き起してしまう。そのため
、反射鏡６の劣化を防ぐために反射鏡６にＡｌ２２０３
などの保護膜７を形成することが従来から行われている
。この保護膜は、透明でその膜厚がλ／２（んはレーザ
光の波長）であれば、反射率に変化はないのでこれを設
けても共振器としての特性に大きな変化はない。

また第７図（ａ）〜（ｅ）は第６図に示す半導体レーザ
の従来の製造プロセスを示す説明図である。

この製造プロセスにおいては、まず処理済ウェハー１１
（第７図（ａ）参照）をスライスしく第７図（ｂ）参照
）、このスライスしたウェハー１１の反射鏡６に八β２
０８の保護膜７をスパッタリング法により形成するよう
にしている（第７図（ｃ）参照）。この保護膜７の膜厚
はλ／２としている。そして、さらにこのウェハー１１
を上記保護膜７と直交する方向にスライスして（第７図
（ｄ）参照）レーザチップｌｌａを形成するようにして
いる（第７図（ｅ）　参照）。なお、第７図（ｅ）中の
符号１２は基板、１３はインジウムである。

［発明が解決しようとする課題］ところで、前述のような反射鏡６の劣化を防止するため
の保護膜に要求される性質としては、以下のようなもの
がある。

（１）絶縁膜であること。

（２）透明であり、表面が平滑であること。

（３）膜厚がん／２であること（反射率を変えないとき
）。

（４）線膨張係数がＡｌ２Ｇ、Ａ、に近く、結晶に熱歪
を与えないこと。

（５）化学的、熱的に安定な膜であること。

（６）均一でピンホール等の欠陥が無いこと。

（７）膜形成時にＡ４２Ｇ、Ａ、結晶に影響を与えない
こと。

これらのうち、（２）と（３）は反射機能を示し、（５
）と（６）は保護機能を示している。

しかしながら、従来から一般に保護膜として用いられて
いるＡｊ２ａＯ＠膜は、とくに前述のようにスパックリ
ング法で形成されているためピンホールが生じやすく、
また化学的・熱的な安定性も十分ではなく、上記（５）
および（６）の保護機能が不十分であった。そのためそ
れを補うためにレーザチップを窒素ガスを封入したケー
ス内に入れて扱うようにしており、このためコストも高
くなりまた設計の自由度が小さいという問題があった。

またＡｇ２Ｏ３膜は、その線膨張係数（８〜９　Ｘ　１
０−’／　Ｋ　）がＡＲＧ、Ａ、の線膨張係数（６Ｘ１
０−’／Ｋ）とかなりの差があるため、上記（４）の要
件についても不十分であるという欠点があった。

本発明は上記のような課題を解決するためのものであり
、反射鏡の保護膜を十分な保護機能を有するものにして
設計の自由度を高め製品の低コスト化を図ることができ
ると共に、保護膜が他の部分の線膨張係数に近く加熱時
の熱歪みが生じることを防ぐことができる半導体レーザ
を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明に係る半導体レーザは、発光部分の活性層からレ
ーザ光が反射鏡を透過して放射される半導体レーザにお
いて、前記反射鏡には、窒化アルミニウム（ＡρＮ）ま
たは酸窒化アルミニウム（Ａβ８０つＮ、）から成る保
護膜が形成されていることを特徴とするものである。

〔作　用〕

上記手段によれば、半導体レーザの反射鏡に、ピンホー
ルが少なくまた化学的・熱的に安定な窒化アルミニウム
（ＡＩ２Ｎ）または酸窒化アルミニウム（Ａｇ、Ｏ，Ｎ
、）から成る保護膜を形成するようにしているので、保
護膜に十分な保護機能をもたせることが可能となる。よ
って従来のＡρ２０３膜のように保護膜の保護機能を補
完するために窒素ガスを封入したケースを用いる必要が
なくなる。その結果、半導体レーザの設計の自由度が増
し、製造コストも小さくできるようになる。

また上記窒化アルミニウム（ＡｌＮ）または酸窒化アル
ミニウム（Ａｌ２．Ｏ，Ｎよ）の膜は、その線膨張係数
が活性層（Ａ４２Ｇ、Ａ、）の線膨張係数と近いので、
加熱時の結晶の熱歪みなどが防止されるようになる。

〔実施例］以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例に係る半導体レーザな示す説
明図、第２図（ａ）〜（ｅ）は第１図の半導体レーザの
製造プロセスを示す説明図、第３図（ａ）〜（ｅ）は第
１図の半導体レーザの他の製造プロセスを示す説明図、
第４図は半導体レーザの反射鏡に窒化アルミニウム（Ａ
ｌ２Ｎ）の保護膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置
を示す断面図、第５図は半導体レーザの反射鏡に酸窒化
アルミニウム（Ａ℃、Ｏ，Ｎ、）の保護膜を形成するた
めのプラズマＣＶＤ装置を示す断面図である。

まず本実施例に係る半導体レーザを第１図に基づいて説
明する。

図中符号１はＡΩＧ、Ａ、活性層、２はｐ型Ａ４２Ｇ、
Ａ、ブラッド層、３はｎ型ＡｆｌＧ、Ａ。

ブラッド層、４はｎ型電極、５はｎ型電極、６は結晶の
へき開面で構成される反射鏡、２７はこの反射鏡６の劣
化を防止するために形成された保護膜である。本実施例
では、この保護膜２７が従来のようにＡｌ２５Ｏｓなど
ではなく、窒化アルミニウム（Ａｌ２Ｎ）または酸窒化
アルミニウム（Ａｎ、ＯうＮ、）によって形成されてい
る点に特徴がある。

すなわち、この窒化アルミニウム（Ａｆ２Ｎ）または酸
窒化アルミニウム（Ａ９．、Ｏ，Ｎ、）の保護膜２７は
以下のような特性を有している。

■良質の絶縁体である。（絶縁耐力３　Ｘ　１０’Ｖ／
ｃｍ以上、比抵抗１０１４Ω−ｃｍ以上、結晶の場合） ■高温まで化学的に安定である。（完全共有結合性、結
晶の場合） ■熱伝導率が高く放熱効果が大きい。（３，５Ｗ／ｃｍ
・　Ｋ） ■耐酸化性（１２００℃まで酸化量はとんどなし、結晶
の場合）と耐食性に優れている。

■線膨張係数（５Ｘ１０−’／Ｋ）がＡｌ２Ｇ、Ａ、の
線膨張係数（６Ｘｌ０−６７　Ｋ）に近い。

■結晶構造は六方晶形のウルツ鉱型であり、圧電効果を
もつ。

■透明である。

■プラズマＣＶＤ法で形成されるためピンホール等がな
く均一である。

特に上記■および■は、この窒化アルミニウム（Ａ４２
Ｎ）または酸窒化アルミニウム（Ａｌ２゜０、Ｎ、）の
保護膜２７が、従来のＡｌ２２０３の膜に比べて、より
十分な保護機能を有していることを示している。したが
って、この窒化アルミニウム（Ａ４２Ｎ）または酸窒化
アルミニウム（Ａｊ２．Ｏ，Ｎ、）の保護膜２７を使用
することによって、従来のように窒素ガスを封入したケ
ースを用いることが不要となるので、半導体レーザの低
コスト化が可能となる。また窒素ガスを封入したケース
が不要となりチップレベルでの取扱いが可能となるので
、半導体レーザの設計の自由度を高めることができるよ
うになる。

また上記■は、この窒化アルミニウム（ＡρＮ）または
酸窒化アルミニウム（Ａρ８０ｙＮ、）の保護膜２７が
、従来のＡ　ｆ２ｘ　Ｏｓの膜に比べて、Ａ４２Ｇ、Ａ
、の線膨張係数に近いことを示している。そのため、こ
の窒化アルミニウム（ＡεＮ）または酸窒化アルミニウ
ム（Ａ℃。

０、Ｎ、）の保護膜２７を使用することにより加熱時の
結晶の熱歪みを大幅に抑えることができるようになる。

なお、下表は窒化アルミニウム（Ａｌ２Ｎ）の保護膜と
従来のＡβ２０３の保護膜との特性を比較するためのも
のである。

１３欣に、この第１図に示す半導体レーザの製造プロセスを
第２図に基づいて説明する。

第２図に示すの製造プロセスにおいては、まず処理済ウ
ェハー１１（第２図（ａ）参照）をスライスしく第２図
（ｂ）　参照）、このスライスしたウェハー１１の反射
鏡６に窒化アルミニウム（ＡＩ２Ｎ）または酸窒化アル
ミニウム（計し０、Ｎ、）の保護膜２７を後述するプラ
ズマＣＶＤ法により形成するようにしている（第２図（
Ｃ）参照）。この保護膜２７の膜厚はん／２としている
。そして、さらにこのウェハー１１を上記保護膜２７と
直交する方向にスライスして（第２図（ｄ）参照）レー
ザチップｌｌａを形成するようにしている（第２図（ｅ
）参照）。なお、第２図（ｅ）中符号１２は基板、１３
はインジウムである。

ここで、前記第２図（Ｃ）において、ウェハー１１の反
射鏡６に窒化アルミニウム（ＡＩ２Ｎ）または酸窒化ア
ルミニウム（Ａε、ＯｙＮ、）の保護膜を形成する方法
を第４図〜第５図に基づいて説明する。

まず、第４図は上記反射鏡６に窒化アルミニウム（Ａρ
Ｎ）の膜を形成するためのＣＶＤ装置を示す。第４図に
おいて、符号３１は石英管などによって形成された反応
管であり、その内部が反応室Ａとなっている。符号３２
はマイクロ波プラズマ発生装置である。３２ａはマイク
ロ波発振器であり、この実施例では、サイクロトロンに
より２．４５Ｇ　Ｈｚのマイクロ波が発振される。３２
ｂは導波管、３２ｃは整合器、３２ｄは反射板である。

そして第２図（ｂ）に示す上記ウェハー１１は、反応室
Ａ内にて支持部材３４上に設置される。

反応室Ａの上端にはガス供給ノズル３７が配置されてい
る。このガス供給ノズル３７は多重管であり、この実施
例の場合には二重管となっている。ソース供給部には、
恒温室４１が設けられ、その内部にバブラ４２が配置さ
れている。このバブラ４２内に反応性ガス源として臭化
アルミニウム（、Ａｌ２Ｂｒ１）が充填されている。ま
た４３は導入ガスである水素ガス（Ｎ２）のボンベ、４
４は窒素ガス（Ｎ２）のボンベである。また符号４５は
同じく窒素ガス（Ｎ２）のボンベである。

４６と４７は流量調節器である。バブラ４２側から供給
されるガスは、二重管のガス供給ノズル３７の内管から
反応室Ａ内に供給され、ボンベ４５が使用される場合に
は、これから供給される窒素ガスはガス供給ノズル３７
の外管から反応室Ａに供給される。また２１はメカニカ
ルブースフポンプ、２２はロークリポンプである。両ポ
ンプのいずれかによって反応室Ａ内の真空圧が設定され
る。

なお、実施例の装置では、ウェハー１１の表面位置をマ
イクロ波の通路中心よりも尼、たけ高くし、ガス供給ノ
ズ・ルアの下端位置をウェハーｌ］の表面よりもρ２だ
け高くして、Ｉ２．ｌ　と２２を共に４０ｍｍに設定し
ている。これは、成形部材３４の位置を下げると、成膜
されたＡ、　ｆｌ　Ｎが分解しやすくなるからであり、
またガス供給ノズルの下端位置を下げると、ノズル内面
に成膜されやすくなるからである。

このＣＶＤ装置では、混合気体を放電させプラズマ化す
るために例えば２．４５Ｇ　Ｈｚのマイクロ波を使用し
、これにより、５００℃以下程度の低温にてＡｌ２Ｎを
析出するようにしている。これは、プラズマ中における
励起が、物質の比誘電率と誘電体損失角に関係すること
に着目したことによる。

すなわち、ソースとして臭化アルミニウム（ＡＲＢ　ｒ
ｓ）が使用され、これと窒素ガス（Ｎ２）ならびに水素
ガス（Ｎ２）が混合されて、この気体がマイクロ波によ
って放電されてプラズマ化されると、Ａｌ２とＢｒ、Ｎ
とＨ，Ａ、＋２とＮ、Ａ、９とＢｒとＨｌなどの組み合
わせのラジカル、イオンが存在するようになる。例えば
２．４５Ｇ　Ｈｚのマイクロ波によって励起された場合
には、比誘電率ならびに誘電体損失角とがマイクロ波の
影響を受け、上記組み合わせのラジカル、イオンが共振
状態となり、各々の元素ごとに分かれ、Ａ℃やＮが熱力
学的平衡状態を保つようになる。そしてこれがウェハー
１１の反射鏡６にて反応し、第２図（ｃ）に示すような
ＡεＮの薄膜が形成される。この場合、ＡρＢｒｓとＮ
２とのモル比を最適なもの（例えばＮ　２　／　Ａ　＋
２　Ｂ　ｒ　ｍのモル比が１５程度）とすれば、４３０
℃程度の低温下において、ミラー指数が（００℃）配向
となった多結晶のＡｆｉＮの薄膜を得ることができる。

また薄膜の表面粗さも非常に滑らかなものとなる。

また第５図は上記反射鏡６に酸窒化アルミニウムの膜を
形成するために使用されるＣＶＤ装置を示す。なお、第
５図中第４図と共通する部分には同一の符号が付されて
いる。

第５図中符号３６は三重管から成るガス供給ノズル、４
９は酸素原子を供給するための笑気ガス（Ｎ２　ｏ）の
ボンベ、５１はアルゴンガス（Δｒ）を供給するだめの
ボンベ、４７ａ〜４７ｄはそれぞれ流量調節器、４８ａ
〜４８ｄはバルブである。

前記ガス供給ノズル３６は三重管であるが、英気ガス（
Ｎ、ｏ）は中心の管３６ａから反応室Ａ内に供給される
。また窒素ガス（Ｎ２）は中間の管３６ｂから、臭化ア
ルミニウム（Ａ　Ｉ２Ｂ　ｒ、）はさらに外側の管３６
ｃからそれぞれ反応室Ａへ供給される。このように各ガ
スを三重管を用いて別々の経路にて反応室Ａへ供給する
ことにより、管内にて各ガスが混合されるのを防止しま
たプラズマにより管内壁に合成物が析出されるのが防止
される。

またアルゴンガス（Ａｒ　）は前記ガス供給ノズル３６
とは別の経路にて反応室Ａの上方（図では左上方）から
供給される。これはアルゴンガスな反応室Ａ内のプラズ
マ発生領域の外側から供給するためである。プラズマ中
にその外部からアルゴンガスな供給することにより、プ
ラズマ中における中性粒子、イオン、電子などへの分離
が促進されるようになる。しかも同軸線路型マイクロ波
プラズマＣＶＤの場合、プラズマが電界の影響を受けや
すく、反応室の管壁部分で電界が強く、反応させる基板
が設置されている中心部では弱くなってプラズマの領域
が不均一となるが、アルゴンガスなプラズマ域外から供
給することにより、プラズマ域が拡大するようになる。

またアルゴンガスなどのような単原子分子の場合には、
プラズマ中にて分解されると再結合しにくく、また再結
合する場合であっても周囲のエネルギーを奪うことがな
く、安定して分解を継続する。よって、これが一種の着
火源になってプラズマ域が拡大されるものと予測される
。これは従来のプラズマＣＶＤにおいて真空度を高くし
たのと同じ状態であり、しかも真空圧を単純に上げた場
合のようなデメリット、例えばエレクトロンの密度が上
がり成膜速度が低下するような不都合が生じるのを避け
ることができるようになる。このようなプラズマ域の拡
大とラジカル解離率の向上により、安定した合成ができ
、また成膜速度も速まることになる。

ただし、アルゴンガスなプラズマ域外から供給すること
が必要であり、仮にアルゴンガスなどをノズルからプラ
ズマ中にてウェハー１１に直接吹きかけたりすると、逆
にアルゴンによるスパッタ状態となり成膜速度が低下す
ることになる。

なお第４図に示すＣＶＤ装置によりＡ、ｆ２Ｎを合９成する場合においても、同様にＡｒガスをプラズマ発生
領域の外部から供給することにより、同様の効果を得ら
れる。

また符号２１ａは反応室Ａ内を真空圧にするための排気
管であり、メカニカルブースフポンプやロータリポンプ
が接続されている。

なお、実施例の装置では、ウェハー１１の表面位置をマ
イクロ波の通路中心よりｆ２１だけ高くし、ガス供給ノ
ズル３６の下端位置をウェハー１１表面よりも１２２だ
け高くして、Ｊ２＋と１２２を共に４０ｍｍに設定して
いる。これは反応室Ａ内ではプラズマ発生領域の中心か
ら外れた上部または下部が最も合成が促進されやすく、
しかもプラズマの下部にウェハー１１を設置した場合に
は、ガス供給ノズル３６の噴出口がプラズマ領域中とな
り、管内で反応が生じ、管内面に合成物が析出してしま
うからである。

上記第５図のＣＶＤ装置では、混合気体を放電させプラ
ズマ化するためにマイクロ波（例えば周波数が２．４５
Ｇ　Ｈ，１を使用し、これにより　５００　℃以０下程度の低温にて酸窒化アルミニウムを析出できるよう
にした。これはプラズマ中における励起が、物質の比誘
電率と誘電体損失角に関係することに着目したことによ
る。すなわち、ソースとして臭化アルミニウム（Ａｒ２
Ｂｒ、）が使用され、これと窒素ガス（Ｎ２）ならびに
笑気ガス（Ｎ２０）が混合されて、この気体がマイクロ
波によって放電されてプラズマ化されると、Ａ、９とＢ
ｒ、ＮとＨ，Ａｊ２とＮ、Ａｒ２と０、ＡｆｌとＢｒと
Ｈなどの組合わせのラジカルな結合が存在するようにな
る。さらにマイクロ波によって励起されると、比誘電率
ならびに誘電体損失角とがマイクロ波の影響を受け、上
記組合わせのラジカルな結合が共振状態となり、各々の
元素ごとに分かれ、Ａ！！、やＯやＮが熱力学的平衡状
態を保つようになる。そしてこれがウェハー１１の反射
鏡６にて反応し酸窒化アルミニウム（Ａｒ２．ＯッＮ、
）の薄膜が形成される。

このように、このＣＶＤ装置では、アルミニウム源とし
て臭化アルミニウムを使用し、また窒素源として笑気ガ
スを使用することにより、プラズマＣＶＤ法にて第２図
（ｃ）に示すような酸窒化アルミニウムの膜を合成する
ようにしている。

なおこの場合、上記笑気ガスの供給流量を変化させるこ
とにより、析出された酸窒化アルミニウムの酸素原子と
窒素原子との配分比を変え、屈折率を任意に設定するこ
とが可能である。

以上のように、上記第４図〜第５図に示すようなプラズ
マＣＶＤ法を使用して窒化アルミニウム（ＡｌＮ）また
は酸窒化アルミニウム（Ａｌ２゜０、Ｎ、）の保護膜２
７を形成することにより、従来のスパッタリング法によ
りＡｌ２２０ｓの保護膜を形成した場合に比べて、ピン
ホールがなく均一な保護膜を実現できるようになる。

また、上記第４図〜第５図に示すプラズマＣＶＤ法を用
いて窒化アルミニウム（Ａｌ２Ｎ）または酸窒化アルミ
ニウム（Ａｌ２．Ｏ，Ｎ、）の保護膜２７を形成する場
合には、前述のように保護膜の屈折率を自由に調整でき
ようになるので、光集積回路に適する半導体レーザな提
供できるよう　３になる。

さらに、上記第４図〜第５図に示すプラズマＣＶＤ法は
比較的低温下にて行うことができるので、品質および量
産性の良い半導体レーザな実現できるようになる。

次に第３図は本発明による半導体レーザの他の製造プロ
セスを示している。第３図中第２図と共通する部分には
同一の符号が付されている。

この第３図に示す他の製造プロセスにおいては、（ａ）
から（ｂ）までのプロセスは第２図と同様であるが、（
Ｃ）以後のプロセスが異なっている。すなわち、処理済
ウェハー１１をスライスした（第３図（ｂ）参照）後、
さらにこれを反射鏡６と直交する方向にスライスし、こ
れによって形成されたレーザチップｌｌａをインジウム
１３を介して基板１２に固定させる（第３図（ｄ）参照
）。そしてその後このレーザチップ１１ａを基板１２と
共に第４図〜第５図に示すＣＶＤ装置の反応室Ａに入れ
て反応させ、窒化アルミニウム（Ａ４２Ｎ）または酸窒
化アルミニウム（Ａｌ２．Ｏ，Ｎ、）の膜２７ａを形成
するようにしている（第３図（ｅ）参照）。

この第３図に示す製造プロセスにおいては、第３図（ｅ
）に示すように、窒化アルミニウム（ＡρＮ）または酸
窒化アルミニウム（，６Ｉ２゜ＯつＮ、）の膜２７ａを
レーザチップｌｌａの全面に被覆できるようになる。そ
のため、レーザチップｌｌａの全面を酸化などの劣化か
ら保護することが可能になる。また前述のように窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）または酸窒化アルミニウム（Ａｌ
２．Ｏ，Ｎ、）の膜は熱伝導率が高いのでこのようにレ
ーザチップｌｌａの全面を覆うようにしても高い放熱効
果を発揮することができる。

〔効果〕

以上のように本発明によれば、半導体レーザの反射鏡に
、ピンホールがなくまた化学的・熱的に安定な窒化アル
ミニウム（ＡｌＮ）または酸窒化アルミニウム（Ａβ、
Ｏ，Ｎ、）から成る保護膜を形成するようにしているの
で、保護膜に十分な保護機能をもたせることが可能とな
る。よって従来のＡｌ２．Ｏ，膜のように保護膜の保護
機能を補完するために窒素ガスを封入したケースを用い
る必要がなくなる。その結果、半導体レーザの設計の自
由度が増し、製造コストも小さくできるようになる。

また上記窒化アルミニウム（Ａｌ２Ｎ）または酸窒化ア
ルミニウム（Ａｌ２．Ｏ，Ｎ、）の膜は、その線膨張係
数が活性層（ＡｐＧ、Ａ、）の線膨張係数と近いので、
加熱時の結晶の熱歪みなどが防止されるようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に係る半導体レーザを示す説
明図、第２図（ａ）〜（ｅ）は第１図の半導体レーザの
製造プロセスを示す説明図、第３図（ａ）〜（ｅ）は本
発明による半導体レーザの他の製造プロセスを示す説明
図、第４図は半導体レーザの反射鏡に窒化アルミニウム
（Ａｌ２Ｎ）の保護膜を形成するためのプラズマＣＶＤ
装置を示す断面図、第５図は半導体レーザの反射鏡に酸
窒化アルミニウム（Ａｌ２．Ｏ，Ｎ、）の保護膜を形成
するためのプラズマＣＶＤ装置を示す断面図、第６図は
従来の半導体レーザの構造を示す説明図、第７図（ａ）
〜（ｅ）は第６図に示す半導体レーザの従来の製造プロ
セスを示す説明図である。１・・・活性層、６・・・反射鏡、２７・・・保護膜。区７区Ｃ）綜区

Claims

【特許請求の範囲】１、発光部分の活性層からレーザ光が反射鏡を透過して
放射される半導体レーザにおいて、前記反射鏡には、窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）から成る保護膜が形成されて
いることを特徴とする半導体レーザ２、発光部分の活性層からレーザ光が反射鏡を透過して
放射される半導体レーザにおいて、前記反射鏡には、酸
窒化アルミニウム（Ａｌ＿ｘＯ＿ｙＮ＿２）から成る保
護膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ