JPH03210610A - 交流電力位相制御回路 - Google Patents

交流電力位相制御回路

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JPH03210610A
JPH03210610A JP559190A JP559190A JPH03210610A JP H03210610 A JPH03210610 A JP H03210610A JP 559190 A JP559190 A JP 559190A JP 559190 A JP559190 A JP 559190A JP H03210610 A JPH03210610 A JP H03210610A
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JP
Japan
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trigger
diodes
voltage
switching element
power
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Application number
JP559190A
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English (en)
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Yoichi Asakura
朝倉 洋一
Susumu Asakura
進 朝倉
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  • Control Of Voltage And Current In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 1産業上の利用分野] 本発明は交流電力位相制御t!l#Iに関するものであ
る。
[従来の技鍮] 第1図は交流電力位相制御回路の基本v#!国である。
コンデンサーCIの端子電圧の位相角と半導体スイッチ
ング素子にかかる電源電圧位相角とが興なり、−1変抵
抗Vl(の抵抗値によってコンデンサー〇1の端子電圧
の位相角が変化する。このようにして制御されたコンデ
ンサーC1の端子電圧(トリガ電圧)と半導体スイッチ
ング素子にかかる電圧の位相角との関係によって出力が
決定される。然るに、その制御位相角はトリガ素子の駆
―前と1鉤後では遮ってくる。これは、放電によってコ
ンデンサーCIの充電初期条件が違ってくる為である。
この現象が電力の低制御範囲に於いて。
極めて十部会なヒステレシス現象をもたらすものである
。従来、この軽減策として補助充電、又は積極的な放電
策が取られている。
[発明が解決しようとする間層点] ヒステレシス現象は位相−路のコンデンサーの放電II
後に於いて、その初期条件が違ってくる為であることは
前述の遺りであり、これは、正員のトリガ電圧を1個の
コンデンサーで−っている為である。
E問題点を解決する為の手段、作用] 第2因が本発明の基本となる回R図である。R,C1び
Rλ、 Csの二組の位相回路の、夫々のRCC接点点
間図の方向に一個のダイオードを介して接続する。この
上うなl!!11に交流電圧をI:p7jlすると、叩
加電圧が0になった状態で、CI−とCI媚とに1度逆
方向の残留電圧ΔVが生ずる。 本願発明者等はこの残
留電圧に着目し、−ΔVの残留電圧を生じるC1の止の
端子電圧を電m電圧の正波の制御に、又十ΔVのMir
電圧を生じるCIの負の端子電圧を負波の制御に夫々分
割して使用するこンとにより、トリガ電圧(CI 、C
xの喝゛子電圧)の位相角が大きくなり(導通角が小さ
くなる)、トリガ素子の始動電圧(VgO)を得る為に
必要な本発明によらない同一のL!l#I定数の場合に
比較して、より低出力側からの位相制御が一丁能となり
、又ヒステレシス現象の問題は本質的に解決された。
[実施例] 以ト、第3図、第4図により、本発明の詳細な説明する
。第3図のVl(1,cl及びV R2、Cユは夫々遅
効のw1変1Lコンデンサーで制御用の位相回路である
。L)1、Dlは夫々ダイオードで、CI、Cユの端子
に各々逆方向の残留電圧を生じる。Dl、 02の中閏
点からトリガ用電圧を取りだし−S2のトリガ素子であ
るダイアックを通してSlの半導体スイッチング素子で
あるトライアックのゲートに接続される。電源電圧の正
波を制御する正波のトリガ電流はC1→DI−82の方
向に、又負波を制御する負波のトリガ電流はC2L−8
2−Dよの方向に夫々流れる。従ってヒステレシス現象
は全く現れない、又CIには員の残留電圧が、C1には
止の残留電圧が現れるので、制御位相角が大きくなり。
低出力から高出力までの位相制御を極めて円滑にhなわ
しめることが出来る。なお、旧は保安用であり、R,C
は誤動作防止用である。
第4図は第3図と同様の位相V路を有し、パルストラン
スを使用して直流サイリスターの逆並列接続による交流
電力の位相制御を打っている。ヒステレシス現象は全く
なく、低出力がら高出力に亙って円滑に位相制御が出来
る。 肖、R1,Rλ、R3は保安抵抗である。 以上
1本発明はトリガ素子としてダイアックを使用している
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
[発明の効果] 本発明の方法によれば、ヒステレシス現象が本質的にな
くなり、しかも、始動電圧(Vea)の比敏的高いトリ
ガ素子を使用しても、低出力からの制御が極めて円滑に
打われ、その効果は大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の技揄を説明する為の1!11図である。 第2図は本発明の詳細な説明する為の因である。第3図
、第4図は本発明の実施例を示す1!11図である。 Eは交ff1tj1.Lは電力機器、Slは双方肉性ス
イッチング素子、S2はトリガ素子、1′はパルストラ
ンス、υ+、 Dz、 Dヲ、D4はダイオード、X1
1 、1’ 2はSCに(サイリスター)である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)交流電源からの電圧をスイッチングして、電力機
    器に供給する半導体スイッチング素子と、連動の可変抵
    抗、コンデンサーを直列に配した二組の位相回路を有し
    、可変抵抗とコンデンサーとの夫々の接続点の間に、同
    一方向に2個のダイオードを直列に接続し、その中間接
    続点と半導体スイッチング素子のゲートとの間にトリガ
    素子を接続して成ることを特徴とする交流電力位相制御
    回路。
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