JPH0697810B2 - 交流制御回路 - Google Patents

交流制御回路

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JPH0697810B2
JPH0697810B2 JP1167721A JP16772189A JPH0697810B2 JP H0697810 B2 JPH0697810 B2 JP H0697810B2 JP 1167721 A JP1167721 A JP 1167721A JP 16772189 A JP16772189 A JP 16772189A JP H0697810 B2 JPH0697810 B2 JP H0697810B2
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Japan
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capacitor
voltage
variable resistor
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resistor
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宏之 高見
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Matsushita Electric Works Ltd
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    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

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  • Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
  • Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
  • Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、双方向サイリスタまたは逆並列接続した2
個の逆阻止サイリスタ等を位相制御素子として用い、交
流電源から負荷への供給電力を位相制御する交流制御回
路に関するものである。
〔従来の技術〕
第4図に従来の一般的な交流制御回路を示す。
第4図において、Eは交流電源、LDは白熱ランプ等の負
荷、T1は例えば双方向サイリスタからなる位相制御素
子、T2は例えば双方向トリガダイオードからなるトリリ
ガ素子である。VR1は可変抵抗、C1はコンデンサで、こ
れらは位相制御素子T1のトリガタイミングを決める。R1
は可変抵抗VR1の抵抗値が零になったときの保護用に設
けられており、抵抗R1の抵抗値で最大負荷電力が決ま
る。
この交流制御回路は、周知のように、抵抗R1および可変
抵抗VR1を通して充電されるコンデンサC1の電圧がトリ
ガ素子T2のブレークオーバー電圧VB を超えたときにト
リガ素子T2が導通して位相制御素子T1を導通させる。こ
の動作は交流電源Eの電圧の半波毎に繰り返され、可変
抵抗VR1の抵抗値を変化させて位相制御素子T1のトリガ
タイミングを変化させることにより、負荷LDの供給電力
を制御することができる。この場合、例えば白熱ランプ
の明るさを加減することになる。
第5図は可変抵抗VR1の抵抗値を大きくしたときの第4
図の各部の波形図で、第6図は可変抵抗VR1の抵抗値を
小さくしたときの第4図の各部の波形図で、各図におい
て、(a)は負荷電流ILDを、(b)はコンデンサC1の電圧VC
を示している。
〔発明が解決しようとする課題〕
第4図の交流制御回路では、可変抵抗VR1の抵抗値をさ
らに大きくすると、交流電源Eの電圧の半波の間にコン
デンサC1の電圧がトリガ素子T2のブレークオーバー電圧
VB に到達せず、トリガ素子T2が導通しない状態、すな
わち位相制御素子T1が全遮断状態になる。この状態で
は、コンデンサC1に交流電源Eの電圧の各周期の最後に
おいて電荷が残留し、コンデンサC1に電圧VXが残る。こ
の電圧VXは、つぎの半波における電圧極性と逆であり、
コンデンサC1の残留電荷を放出してからコンデンサC1
充電が始まることになる。
第7図は可変抵抗VR1の抵抗値が十分に大きくトリガ素
子T2が導通しない状態における第4図の各部の波形図
で、(a),(b)はそれぞれ第5図および第6図と同一部位
の波形を示している。
上記のように、コンデンサC1に電荷が残留すると、可変
抵抗VR1の抵抗値を減少させて負荷LDへの給電を開始さ
せる場合、残留電荷の分だけ余計に可変抵抗VR1の抵抗
値を小さくしなければならない。したがって、可変抵抗
VR1の抵抗値を減少させて負荷LDへの給電を開始させる
場合の給電開始時の抵抗値と可変抵抗VR1の抵抗値を増
加させて負荷LDへの給電を停止させる場合の給電停止時
の抵抗値とが異なるヒステリシス現象が生じる。この結
果、給電が開始する時の可変抵抗VR1のつまみの位置と
給電が停止する時の可変抵抗VR1のつまみの位置とが同
じでなくなる。
第8図は可変抵抗VR1の抵抗値と負荷LDへの供給電力と
の関係(ヒステリシス特性)を示し、第9図はスライド
型の可変抵抗器1を示し、第10図は回転型の可変抵抗器
2を示している。第8図の符号A〜Dは第9図の可変抵
抗器1のつまみ1aの位置A〜Dならびに第10図の可変抵
抗器2のつまみ2aの目印2bの位置A〜Dにそれぞれ対応
している。
第9図および第10図の可変抵抗器1,2において、つまみ1
a,2aをDの位置からC,Aの位置を経由してBの位置へ移
動させ、その後Bの位置からA,Cの位置を経由してDの
位置に戻したときに、そのときの抵抗値の変化に伴って
負荷LDへの供給電力が第8図のように変化することにな
る。したがって、負荷LDへの電力供給を開始させるに
は、つまみ1a,2aをAの位置まで移動させ、負荷LDへの
電力供給を停止させるにはつまみ1a,2aをCの位置まで
戻す必要がある。
以上のように、従来の交流制御回路では、可変抵抗VR1
の抵抗値と負荷LDへの供給電力との間にヒステリシス特
性があるので、供給電力の調整操作を円滑に行うことが
できないという問題があった。
この発明の目的は、供給電力の調整操作を円滑に行うこ
とができる交流制御回路を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
この発明の交流制御回路は、交流電源から負荷への給電
経路中に位相制御素子を介挿し、交流電源から給電され
る可変抵抗および第1のコンデンサの直列回路と、第1
のコンデンサの両端電圧が所定値を超えたときに導通し
て位相制御素子をトリガするトリガ素子を設け、交流電
源から給電される抵抗および第2のコンデンサの直列回
路と、第1のコンデンサに並列接続され前記第2のコン
デンサの両端電圧が所定値を超えたときに導通する3端
子スイッチング素子とを設けている。
この場合、3端子スイッチング素子が交流電源の電圧の
半波毎の終端で導通するように抵抗および第2のコンデ
ンサの直列回路の時定数を設定している。
〔作用〕
この発明の構成によれば、交流電源の電圧の各半波の終
端で3端子スイッチング素子が導通し、第1のコンデン
サを強制的に放電させることになる。この結果、可変抵
抗の抵抗値が十分に大きくて半波の間にトリガ素子が導
通しない場合であっても、半波の終端で第1のコンデン
サの残留電荷を零にすることができ、残留電荷によって
生じる可変抵抗の抵抗値と負荷への供給電力との間のヒ
ステリシス特性を解消することができる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図面を参照しながら説明す
る。
第1図にこの発明の一実施例の交流制御回路の回路図を
示す。この交流制御回路は、可変抵抗VR1およびコンデ
ンサC1の直列回路に対して抵抗R2およびコンデンサC2
直列回路を並列に接続し、例えばSBS(あるいは必要な
電位を得るために抵抗およびコンデンサを外付けした同
等の素子)からなる双方向の3端子スイッチング素子T3
をコンデンサC1に並列接続し、コンデンサC2の電圧を3
端子スイッチング素子T3のゲートに加えている。
この場合、抵抗R2とコンデンサC2の時定数を交流電源E
の電圧の各半波の終端で3端子スイッチング素子T3が導
通するように設定している。
その他の構成は第4図の交流制御回路と同様である。
この交流制御回路では、交流電源Eの半波毎にコンデン
サC2が抵抗R2を通して充電され、交流電源Eの電圧の半
波の終端で3端子スイッチング素子T3が導通してコンデ
ンサC1の電荷を放出することになる。この結果、可変抵
抗VR1を十分に大きくしてトリガ素子T2が半波の間に全
く導通しない状態、すなわち負荷LDへの給電がなくなっ
た状態でも、コンデンサC1の電荷が各半波の終端で放電
され、コンデンサC1に残留電荷は生じない。したがっ
て、従来例で述べたような可変抵抗VR1の抵抗値と負荷L
Dへの供給電力との間のヒステリシス特性の問題は解消
されることになる。したがって、可変抵抗VR1の調整に
よる負荷LDへの供給電力の調整操作を円滑に行うことが
できる。
なお、可変抵抗VR1の抵抗値が小さくて交流電源Eの電
圧の半波の終端までにトリガ素子T2が導通して位相制御
素子T1をトリガする場合の動作は第4図の従来例と同様
であり、この場合にも、3端子スイッチング素子T3は交
流電源Eの電圧の半波の終端で一度導通することにな
る。
第2図は可変抵抗VR1の抵抗値と負荷LDへの電力との関
係(無ヒステリシス特性)を示している。
第3図は可変抵抗VR1の抵抗値を十分に大きくトリガ素
子T2が導通しない状態における波形図で、(a)は負荷電
流ILDを、(b)はコンデンサC1の電圧VC を示してい
る。この図から交流電源Eの電圧の半波の終端でコンデ
ンサC1の電荷が放出され、コンデンサC1の電圧VC が零
になっていることが明らかである。
なお、上記実施例では、位相制御素子T1として双方向サ
イリスタ、いわゆるトライアックを用いたが、逆並列接
続した2個のサイリスタを用いてもよい。また、トリガ
素子T2も、実施例にて挙げたものの他、種々の電圧応答
スイッチング素子を使用することが可能である。
〔発明の効果〕
この発明の交流制御回路によれば、第2の抵抗,第2の
コンデンサおよび3端子スイッチング素子を設けて第1
のコンデンサの電荷を交流電源の電圧の半波の終端で放
出しているので、可変抵抗の抵抗値と負荷への供給電力
との間のヒステリシス特性を解消することができ、可変
抵抗の調整による負荷への供給電力の調整操作を円滑に
行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の交流制御回路の回路図、
第2図は第1図の回路における可変抵抗の抵抗値と負荷
への供給電力との関係を示す特性図、第3図は可変抵抗
の抵抗値を十分に大きく設定したときの第1図の回路の
各部の波形図、第4図は交流制御回路の従来例の回路
図、第5図は可変抵抗の抵抗値を大きく設定したときの
第4図の各部の波形図、第6図は可変抵抗の抵抗値を小
さく設定したときの第4図の各部の波形図、第7図は可
変抵抗の抵抗値を十分に大きく設定したときの第4図の
回路の各部の波形図、第8図は第4図の回路における可
変抵抗の抵抗値と負荷への供給電力との関係を示す特性
図、第9図はスライド型の可変抵抗器の斜視図、第10図
は回転型の可変抵抗器の外観の斜視図である。 E……交流電源、LD……負荷、T1……位相制御素子、T2
……トリガ素子、T3……3端子スイッチング素子、VR1
……可変抵抗、R2……抵抗、C1,C2……コンデンサ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】交流電源から負荷への給電経路中に介挿し
    た位相制御素子と、前記交流電源から給電される可変抵
    抗および第1のコンデンサの直列回路と、前記第1のコ
    ンデンサの両端電圧が所定値を超えたときに導通して前
    記位相制御素子をトリガするトリガ素子と、前記交流電
    源から給電される抵抗および第2のコンデンサの直列回
    路と、前記第1のコンデンサに並列接続され前記第2の
    コンデンサの電圧がゲートに加えられる3端子スイッチ
    ング素子とを備え、 前記3端子スイッチング素子が前記交流電源の電圧の各
    半波の終端で導通するように前記抵抗および第2のコン
    デンサの直列回路の時定数を設定した交流制御回路。
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