JPH03211279A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPH03211279A JPH03211279A JP565290A JP565290A JPH03211279A JP H03211279 A JPH03211279 A JP H03211279A JP 565290 A JP565290 A JP 565290A JP 565290 A JP565290 A JP 565290A JP H03211279 A JPH03211279 A JP H03211279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- exhaust duct
- chemical vapor
- thin film
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は常圧（大気圧）下でウェハに対して薄膜を形成
する場合に使用する化学気相成長装置に関し、特に薄膜
の形成時に発生する異物の低減化を図るものである。
する場合に使用する化学気相成長装置に関し、特に薄膜
の形成時に発生する異物の低減化を図るものである。
第３図Ａは従来の化学気相成長装置を示す側面断面図、
第３図Ｂはその正面断面図である。
第３図Ｂはその正面断面図である。
図において、１はウェハ３を載せるトレイ、２は上記ウ
ェハ３を下方から加熱する加熱ヒータ、４は上記ウェハ
３に反応ガスを吹きつけるためのガスディスバージョン
ヘッド、５は該ガスディスバージョンヘッド４に反応ガ
スを供給するための反応ガス導入パイプ、６は反応後の
ガスを装置外へ排気するための排気ダクトである。
ェハ３を下方から加熱する加熱ヒータ、４は上記ウェハ
３に反応ガスを吹きつけるためのガスディスバージョン
ヘッド、５は該ガスディスバージョンヘッド４に反応ガ
スを供給するための反応ガス導入パイプ、６は反応後の
ガスを装置外へ排気するための排気ダクトである。
次に動作を眉間絶縁膜の一種であるＳｉＯ□膜を形成す
る場合について説明する。
る場合について説明する。
トレイ１上に載置したウェハ３をヒータ２によって所望
の温度３５０〜４５０℃にまで加熱する。
の温度３５０〜４５０℃にまで加熱する。
この状態で反応ガスの一種であるモノシラン（ＳｉＨ４
）及び酸化剤である酸素（０２）を反応ガス導入パイプ
５より導入し、ガスディスバージョンヘッド４より吹出
させる。ガスディスバージョンヘッド４より吹出したガ
スはウェハ３上で酸化膜（ＳｉＯ２）を形成する。この
ときの反応は次の反応式で与えられる。
）及び酸化剤である酸素（０２）を反応ガス導入パイプ
５より導入し、ガスディスバージョンヘッド４より吹出
させる。ガスディスバージョンヘッド４より吹出したガ
スはウェハ３上で酸化膜（ＳｉＯ２）を形成する。この
ときの反応は次の反応式で与えられる。
５ｉＨａ”２０ｔ → Ｓ ｓ Ｏｘ ＋ ２
Ｈ２０そして、反応後のガス及び未反応のガスは排気
ダクト６を通過して装置外へ排出される。
Ｈ２０そして、反応後のガス及び未反応のガスは排気
ダクト６を通過して装置外へ排出される。
従来の化学気相成長装置は以上のように構成されており
、反応後のガス及び未反応のガスが排気ダクト６を通過
して装置外へ排出される際、ウェハ３上で反応堆積せず
に気相中で成長した異物が排気ダクトの内壁に付着する
。このため、処理を行うにつれて内壁に付着する異物量
が増加し、排気の差圧が変動し、膜質の制御が困難にな
るという問題点があった。
、反応後のガス及び未反応のガスが排気ダクト６を通過
して装置外へ排出される際、ウェハ３上で反応堆積せず
に気相中で成長した異物が排気ダクトの内壁に付着する
。このため、処理を行うにつれて内壁に付着する異物量
が増加し、排気の差圧が変動し、膜質の制御が困難にな
るという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、異物を低減し膜質の安定性を図ることのでき
る化学気相成長装置を得ることを目的とする。
たもので、異物を低減し膜質の安定性を図ることのでき
る化学気相成長装置を得ることを目的とする。
この発明に係る化学気相成長装置は、排気ダクトの周囲
またはガスディスバージョンヘッドに異物発生を抑制す
る加熱ヒータを設けたものである。
またはガスディスバージョンヘッドに異物発生を抑制す
る加熱ヒータを設けたものである。
この発明においては、排気ダクトの周囲に加熱し−タを
設けたから、排気ダクト内に異物が発生することがない
。あるいはガスディスバージョンヘッド下部に加熱ヒー
タを設けたから、ガスディスパーションヘッド下部周囲
に付着する異物の発生を抑制することができ、ウェハ上
への異物の落下を防ぐことができる。
設けたから、排気ダクト内に異物が発生することがない
。あるいはガスディスバージョンヘッド下部に加熱ヒー
タを設けたから、ガスディスパーションヘッド下部周囲
に付着する異物の発生を抑制することができ、ウェハ上
への異物の落下を防ぐことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図Ａは本発明の一実施例による化学気相成長装置を
示す側面断面図、第１図Ｂはその正面断面図である。図
において第３図と同一符号は同一部分を示し、７は排気
ダクト６の周囲に設けた加熱機構である加熱ヒータ、８
は異物トラップである。
示す側面断面図、第１図Ｂはその正面断面図である。図
において第３図と同一符号は同一部分を示し、７は排気
ダクト６の周囲に設けた加熱機構である加熱ヒータ、８
は異物トラップである。
次に動作について説明する。
ウェハ３上で反応した後のガス及び未反応のガスは排気
ダクト６中を流れる。ここで、反応時の温度と成膜状態
との関係を第２図を用いて説明する。
ダクト６中を流れる。ここで、反応時の温度と成膜状態
との関係を第２図を用いて説明する。
図において横軸は温度であり、通常の膜形成は３５０〜
４５０℃の範囲で行われる。温度が低い場合、即ち、常
温から２００℃の範囲においては膜は形成されず、粒状
の異物（ＳｉＯｚの粉）が生成する。ところが２００〜
３００℃の温度範囲では粒状異物も発生せずまた、膜形
成も行われないことが実験的に判明している。
４５０℃の範囲で行われる。温度が低い場合、即ち、常
温から２００℃の範囲においては膜は形成されず、粒状
の異物（ＳｉＯｚの粉）が生成する。ところが２００〜
３００℃の温度範囲では粒状異物も発生せずまた、膜形
成も行われないことが実験的に判明している。
そこで排気ダクト６の周囲に加熱機構７を設けるととも
に装置外に異物トラップ８を設け、温度を２００〜３０
０℃に上げることによって排気ダクト６内での粒状異物
の発生を抑制することができるとともに、異物を上記異
物トラップ８に堆積することで、排気ダクト６内の異物
によるつまりを防ぐことができる。
に装置外に異物トラップ８を設け、温度を２００〜３０
０℃に上げることによって排気ダクト６内での粒状異物
の発生を抑制することができるとともに、異物を上記異
物トラップ８に堆積することで、排気ダクト６内の異物
によるつまりを防ぐことができる。
このように本実施例では、排気ダクト６の周囲に異物発
生を抑制する加熱ヒータ７を設けるとともに装置外に異
物トラップ８を設け、排気ダクト６内の温度を２００〜
３００℃に上げることによって排気ダクト６内での粒状
異物の発生を抑制し、異物を異物トラップ８に堆積する
ようにしたので、排気ダクト６内の異物によるつまりを
防ぐことができ、膜質の安定化を図ることができる。
生を抑制する加熱ヒータ７を設けるとともに装置外に異
物トラップ８を設け、排気ダクト６内の温度を２００〜
３００℃に上げることによって排気ダクト６内での粒状
異物の発生を抑制し、異物を異物トラップ８に堆積する
ようにしたので、排気ダクト６内の異物によるつまりを
防ぐことができ、膜質の安定化を図ることができる。
次に本発明の他の実施例による化学気相発生装置につい
て説明する。
て説明する。
上記実施例では、排気ダクト内における異物の発生、付
着に対して加熱ヒータ７を排気ダクト６の周囲に配置し
たが、異物の発生は、これとは別にガスディスバージョ
ンへラド４の下部でも生じる。
着に対して加熱ヒータ７を排気ダクト６の周囲に配置し
たが、異物の発生は、これとは別にガスディスバージョ
ンへラド４の下部でも生じる。
詳しく説明すると、反応の際、ガスディスバージョンヘ
ッド４は水冷されているため、該へラド４上部付近でも
温度は〜８０℃程度である。このため、ヘッド４周辺に
気相成長した異物が付きやすく、−度ヘッド４周辺に付
きだすと、それらを核としてさらに異物の堆積が促進す
る。このようにしてヘッド４の周辺、特にヘッド４上部
に成長した異物は薄膜形成時にウェハ３上に落下し、デ
バイスの信頼性を下げることがある。
ッド４は水冷されているため、該へラド４上部付近でも
温度は〜８０℃程度である。このため、ヘッド４周辺に
気相成長した異物が付きやすく、−度ヘッド４周辺に付
きだすと、それらを核としてさらに異物の堆積が促進す
る。このようにしてヘッド４の周辺、特にヘッド４上部
に成長した異物は薄膜形成時にウェハ３上に落下し、デ
バイスの信頼性を下げることがある。
そこで第４図に示すように、ガスディスバージョンヘッ
ド４の下部に加熱ヒータ７を設け、加熱することで気相
中に異物が発生することを抑制することができる。
ド４の下部に加熱ヒータ７を設け、加熱することで気相
中に異物が発生することを抑制することができる。
なお、上記両方法を組み合わせて、つまり排気ダクト６
及びガスディスバージョンヘッド４の下部ともに加熱ヒ
ータ７を設けてもよく、この場合、さらに大きな効果を
図ることができる。
及びガスディスバージョンヘッド４の下部ともに加熱ヒ
ータ７を設けてもよく、この場合、さらに大きな効果を
図ることができる。
以上のように、この発明に係る化学気相成長装置よれば
、排気ダクト内に加熱機構を設け、所定の温度で加熱す
るようにしたので、排気時に異物が発生、付着せず、膜
質の安定化を向上することができる。またガスディスバ
ージョンヘッドの下部に加熱機構を設け、所定の温度で
加熱するようにしたので、成膜時の異物の発生及びヘッ
ドへの付着を防ぎ、ウェハ上に異物が落下することなく
信頼性の高い薄膜を得られる効果がある。
、排気ダクト内に加熱機構を設け、所定の温度で加熱す
るようにしたので、排気時に異物が発生、付着せず、膜
質の安定化を向上することができる。またガスディスバ
ージョンヘッドの下部に加熱機構を設け、所定の温度で
加熱するようにしたので、成膜時の異物の発生及びヘッ
ドへの付着を防ぎ、ウェハ上に異物が落下することなく
信頼性の高い薄膜を得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による化学気相成長装置を
示す図であり、第１図Ａはその側面断面図、第１図Ｂは
その正面断面図、第２図は常圧式の化学気相成長装置を
用いて薄膜を形成するときの温度と薄膜の関係を示す図
、第３図は従来の化学気相成長装置を示す図であり、第
３図Ａは側面断面図、第３図Ｂは正面断面図である。第
４図は本発明の他の実施例におけるガスディスバージョ
ンヘッドと、それに取り付けられた加熱ヒータを示す図
であり、第４図Ａは側面断面図、第４図Ｂは平面図であ
る。 １・・・トレイ、２・・・ヒータ、３・・・ウェハ、４
・・・ガスディスバージョンヘッド、５・・・反応ガス
導入バイブ、６・・・排気ダクト、７・・・加熱機構、
８・・・異物トラップ。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す図であり、第１図Ａはその側面断面図、第１図Ｂは
その正面断面図、第２図は常圧式の化学気相成長装置を
用いて薄膜を形成するときの温度と薄膜の関係を示す図
、第３図は従来の化学気相成長装置を示す図であり、第
３図Ａは側面断面図、第３図Ｂは正面断面図である。第
４図は本発明の他の実施例におけるガスディスバージョ
ンヘッドと、それに取り付けられた加熱ヒータを示す図
であり、第４図Ａは側面断面図、第４図Ｂは平面図であ
る。 １・・・トレイ、２・・・ヒータ、３・・・ウェハ、４
・・・ガスディスバージョンヘッド、５・・・反応ガス
導入バイブ、６・・・排気ダクト、７・・・加熱機構、
８・・・異物トラップ。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）加熱したウェハ上に薄膜形成用反応ガスをガスデ
ィスパーションヘッドより吹き付けることによって薄膜
を形成する化学気相成長装置において、 排気ダクトにヒータ機構を設けたことを特徴とする化学
気相成長装置。 - （２）該排気ダクトに代えて、ガスディスバージョンヘ
ッドにヒータ機構を設けたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP565290A JPH03211279A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP565290A JPH03211279A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03211279A true JPH03211279A (ja) | 1991-09-17 |
Family
ID=11617062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP565290A Pending JPH03211279A (ja) | 1990-01-11 | 1990-01-11 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03211279A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
| US6364954B2 (en) | 1998-12-14 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition chamber |
-
1990
- 1990-01-11 JP JP565290A patent/JPH03211279A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071797A (en) * | 1995-10-12 | 2000-06-06 | Nec Corporation | Method for forming amorphous carbon thin film by plasma chemical vapor deposition |
| US6364954B2 (en) | 1998-12-14 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition chamber |
| WO2000036179A3 (en) * | 1998-12-14 | 2002-10-17 | Applied Materials Inc | High temperature chemical vapor deposition chamber |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03224223A (ja) | 選択ｃｖｄ法 | |
| JP4044762B2 (ja) | 高純度・超微粉ＳｉＯｘ粉及びその製造方法 | |
| TW200406501A (en) | Deposition of a solid by thermal decomposition of a gaseous substance in a cup reactor | |
| JPS632330A (ja) | 化学気相成長方法 | |
| JPH03211279A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JPH06235829A (ja) | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法および装置 | |
| JP4866461B2 (ja) | ドーナッツ状の触媒金属層を利用したシリコンナノチューブの製造方法 | |
| JP2991830B2 (ja) | 化学気相成長装置およびそれを用いた化学気相成長方法 | |
| JP2504611B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| JP4251074B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 | |
| JPH05251359A (ja) | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 | |
| JPH07161646A (ja) | 多結晶膜作成方法 | |
| JPH05263248A (ja) | 配管クリーニング機構 | |
| JPH0323624A (ja) | 気相成長方法およびその装置 | |
| JP2584088B2 (ja) | 膜堆積装置 | |
| JP3089684B2 (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| JPH03236221A (ja) | 気相成長装置 | |
| JP2003002627A (ja) | シリコンの製造方法 | |
| JPS623035A (ja) | 多孔質石英ガラス母材の製造方法 | |
| JPS61127119A (ja) | シリコン結晶の成長方法 | |
| JPH02271612A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0715133Y2 (ja) | 半導体薄膜形成装置の反応管 | |
| JPH03273616A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH08100264A (ja) | 薄膜の形成方法およびその装置 | |
| JP3110386B2 (ja) | 減圧ｃｖｄ装置 |