JPH03224223A - 選択ｃｖｄ法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置製造の念めの金属膜の膜付は方法
、及びその方法を可能ならしめる膜付は装置に関する。

〔従来の技術〕

シリコン基板を用いる半導体装置の製造において、配線
金属と不純物を高濃度にドープしたシリコン層との間の
オーミンクコンタクトのコンタクト抵抗を低くする之め
、あるいは配線金属とシリコンとの固相反応を抑制する
ために、それらの間にシリサイド膜を設けることが試み
られている。

あるいはま之、高濃度シリコン層のシート抵抗を低くす
る九めに、シリサイド膜を高濃度シリコン層の上に設け
る、いわゆるシリサイド膜の張り付けが試みられている
。このような目的に用いるシリサイド膜としては、抵抗
の低いチタンシリサイド膜が好適である。

従来、シリコンの表面にシリサイド膜を設ける手法とし
ては、シリサイドのターゲットを用いてスパッタ法によ
ってシリサイド膜を堆積するか、あるいは、金属のター
ゲットを用いてスパッタ法によって金属膜をシリコンの
表面に堆積し、熱処理により金属とシリコンを反応させ
てシリサイド膜を形成する手法が用いられてきた。しか
しながら、上記のスパッタ法は、ステップカバレッジが
悪い友め、パターンサイズが小さくなるに従って、例、
ｔば、コンタクトホールの中に膜を均一に堆積させるこ
とができなくなってき念。そのため、スパッタ法に代わ
るステップカバレッジの良い金属膜の膜付は方法が要望
されている。

ＣＶＤ（化学的気相成長）法は、原料ガスが加熱された
物体の表面で分解するため、コンタクトホールの底の部
分にも均一に膜を堆積することができる特性を待ってい
る。このＣＶＤ法は、膜を基板の全面に一様に成長させ
るブランケットＣ％つ法が一般的であるが、最近、特定
の材料の表面のみにしか膜を成長させない選択的（至）
法がいくつかの材料について開発された。高濃度シリコ
ン層の表面にチタンシリサイド膜を設けるには、この選
択的ＣＶＤ法が最適である。

従来、チタンシリサイド膜の選択的ＣＶＤ法としては、
Ｂｏｕｔｅｖｉｌｌｅ　　等の報告（Ｊｏｕｒｎａｌ　
ｏｆＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｅａＩ　５ｏｃｉｅｔｙ
　：　５ＯＬＩＤ−８ＴＡＴＥＳＣＩＥＮＣＥ　ＡＮＤ
　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ、Ｖｏ　ｌ　、　１３４．Ｎｏ
　、　８゜（１９８７）２０８０）とＩｌｄｓｒｓｍ等
の報告（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔ＠ｒ
ｓ、Ｖｏｌ、　５３．Ｎｏ、８（１９８８）６８８）が
ある、しかしながら、Ｂｏｕｔｅｖｉｌｌ・等は、原料
ガスとして水素（Ｈ２）ガスと四塩化チタン（’ｒｔｃ
ｚ、）ガスを用い、チタンシリサイドのシリコンの供給
を基板のシリコンから行なつ之ため、チタンシリサイド
膜がシリコン基板を大きく侵食してしまう結果をもたら
した。−！！念、膜の成長が島状に進んでしまう、いわ
ゆる著しい核状成長（ｎｕｃｌ・ａｔｉｏｎ）の問題を
提起し之。他方、ｌ１ｄｓｒ＠ｍ等の手法は、選択成長
といっても、チタンシリサイド膜を直接シリコンの表面
に選択的に成長させるわけではなく、チタンシリサイド
膜の成長に先立ってあらかじめポリシリコン膜を全面に
成長させてからチタンシリサイド膜を成長させる手法で
あり、絶縁膜上のポリシリコンは、チタンシリサイド膜
の成長中にエツチングされてなくなってしまうというも
のである。この手法により、彼らは薄くて表面のなめら
かなチタンシリサイド膜を得ているが、完全な選択性は
得られておらず、絶縁膜上に残りが生じてしまっていた
。彼らは原料ガスとしてＴｉｃｔ。

ガスとシラン（ＳｉＨ，）ガスを用いたが下地のシリコ
ンの消費を少なくすることはできなかつ念。本発明者等
のＩｌｄｅｒｅｍ等の手法を用いた類似の実験によれば
、絶縁膜上の残りを少なくしようとしてチタンシリサイ
ド膜の成長時間を多口にすると、シリコン上に成長し念
チタンシリサイド膜は、下地のシリコンを大きく消費し
、その童は、チタンシリサイド膜の厚さの１００％以上
にもなってしまった。

半導体装置の製造において、チタンシリサイド膜のニー
ズは高いにもかかわらず、そのＣＶＤ法に関しては、ま
だ、あ１り実験例がない。その理由の一つは、好適な（
至）装置が開発されていないことによる。チタンシリサ
イド膜のＣＶＤでは、原料ガスとしてＴ　ｉ　Ｃ１，ガ
スを用いるのが最も簡便である。ところが、Ｔ　ｉ　Ｃ
１，ガスを用いて、低抵抗のチタンシリサイド膜をシリ
コン上に成長させる九めには、シリコン基板を６５０℃
程度以上の高温に加熱しなければならない。しかも、良
い選択性を出すためには、コールドウオール型にする必
要がある。ま友、気相での反応を避ける之めと、成長速
度を小さくして適度々速度とするために、ガスの流れが
分子流となるような低圧にまで原料ガスの圧力を下げる
ことが必要である。

チタンシリサイド膜は、金属膜であるから基板を加熱す
るのに誘導加熱等の手法が使えず、ま之、光を吸収して
通さない友め、単純なランプ加熱等の手法が使えない。

更に、ＴｉＣｔ、ガスの分解により生成する塩素や塩素
化合物は、腐食性ガスであり、金属等を腐食させてしま
り。このような複数の難点がチタンシリサイド膜のＣＶ
Ｄを安定に行なえる装置の開発を阻んでい念。

従来の金属膜のＣＶＤ装置の例として以下に示す装置を
挙げることができる。このＣＶＤ装置は、主にタングス
テン（Ｗ）の選択（２）のために開発され友ものである
。

ランプ加熱型でコールドウオール型の枚葉処理Ｏ■装置
において、従来の装置の欠点であった窓の曇りを不活性
ガスの流れを利用して防止する方法を用いたＣＶＤ装置
が提案された（特開昭６３＝２６３６６号公報）。すな
わち、第９図のように、反応室１０内に設置したサセプ
タ１７に保持されるウェハ１１を窓１２を通してランプ
ヒータ１３によって加熱し、ソースガス１４を導入して
ウェハ１１の表面に膜を成長させる際に、窓１２とウェ
ハ１１の間にパージガス導出部１５を設け、これからパ
ージガスを導出してパージガスの流れ１６を形成する。

そして、このパージガスの流れ１６がパージガス導出部
１５の表面を覆うようにすることによって、ソースガス
１４がパージガス導出部１５や窓１２の表面に触れない
ようにしてそれらの曇りを防止するものである。このＣ
ＶＤ法によれば、コールドウオールタイプであっても、
ソースガスの存在下でウェハを高温に加熱して比較的再
現性良くＣＶＤを行なうことができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

選択的（至）法は、表面の性質の違いによって選択性を
得るので、膜の成長の様子が、成長させんとするもの（
半導体ま之は導電体）の表面の状態に大きく影響される
。す・なわち、それらの表面の清浄度が悪いと、選択的
に成長するという性質が裏目に出て、膜が成長しなかつ
念り、核がまばらにしか成長しなかったシ、凹凸の激し
い膜が成長したりして、均一な膜を成長させることが難
しいという性質を有している。特に、成長させようとす
る表面がシリコンである場合には、酸素や水分のある雰
囲気中に晒されるとシリコン表面上に自然酸化膜がすぐ
に成長してしまうので、均一性良く、ｔｅ、選択性良く
膜を成長させることは難しかった。

すなわち、シリコン表面を有する基板を、例えば、希フ
ッ酸に浸漬して表面の償化膜を除去し、直ちにＣＶＤ装
置に装填して真９引き、ま九は空気の置換を行なっても
、シリコン表面の酸化を防ぐことはできない。あるいは
、たとえ、シリコン表面の酸化膜の除去工程を空気に触
れさせないで行なっても、真空中やガス中のわずかな水
分や酸素によってもシリコン表面の酸化は選んでしまう
という課題が６つｔ。

更に、Ｃの装置に関しては、上記の１うな、パージガス
の流れに１って窓の曇りを防止する方法を用いたＣＶＤ
装！は、反応室内のガス（ソースガス中パージガス）の
圧力１！Ｉ域が、ガスの流れが粘性流となる比較的高い
圧力領域でのみ使用可能てあり、ガスの圧力が督くて分
子流となるような圧力領域では、ソースガスとパージガ
スが瞬時に混ざり合ってしまうため、パージガス導出部
１５や窓１２の表面にソースガスが触れてしまい、それ
らの曇りを防止することができない。

更に、九とえ、粘性流領域であっても、ソースガスに付
着性の強いガスが含まれている場合には、微量の付着性
の強いガスの侵入によって、ノく一ジガス導出部１５や
窓１２が次第に曇ってしまうということがある。これは
、このようなＣＶＤ装置では、構造的にパージガスとソ
ースガスの圧力が等しくなるので、パージガスによるソ
ースガスの侵入防止効果が弱いためである。

しかるに、従来、枚葉処理型の（至）装置において付着
性の強い塩素系のソースガスを用い、分子流となる圧力
領域で、かつ、基板を５００″Ｃ以上に加熱してＣＶＤ
を行ない、高品質な薄膜を再現性良く製造することはで
きなかつ念。特に、薄膜として、不純物や結晶性が膜質
に大きな影響を与え易い金属薄膜を、塩素系のソースガ
スから成長させることによって、バルクの組成や抵抗に
近い高品質な金属薄膜を再現性良く安定に製造すること
は困難であった。

それ故、本発明の主目的は、均一性良く、しかも選択性
良くシリコン表面上に金属膜を形成できる選択ＣＶＤ法
を提供することにある。

ｔｅ、本発明の他の目的は、シリコンと配線金属との間
のコンタクト抵抗を小さくできる選択ＣＶＤ法を提供す
ることにある。

また、本発明の他の目的は、アスペクト比の大きいコン
タクトホールの底に均一な金属膜を形成できる選択ＣＶ
Ｄ法を提供することにある。

さらに本発明の他の目的は；高品質の膜を再現性良く製
造できる選択的ＣＶＤ法用（至）装置を提供することに
ある。

ｔｅ本発明の他の目的は、同じ成長条件で同じ膜質の膜
をくりかえし製造することができるＣＶＤ装置を提供す
ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的は、本発明者等の以下の発見、すなわち、シ
リコン表面のわずかな酸化によっても、膜成長初期段階
での成長核の密度が低下すること、また、このことが原
因となって、成長させ友膜の均一性や形状が悪くなるこ
とを見出し念ことに基づいて成され穴本発明によって達
成された。

すなわち、本発明の（至）法は、基板を加熱してシリコ
ン表面をシリコンの水素化物からなるガスに晒し、シリ
コン表面の自然酸化膜を還元除去した後に、引き続いて
ソースガスを反応室内に供給して、シリコン表面上に膜
を選択的に成長させることを特徴とするものである。

ま念、本発明によれば、反応室内に配置されるウェハ上
に、気相での化学反応を利用して膜を形成するＣＶＤ装
置において、ウエノ・との接触部が少くとも石英ガラス
から成りそのウエノ・の周囲のみと接触して咳ウニＩ・
を保持すると共に、前記反応室を２つの領域に分けるべ
く形成された構造を有するウェハサセプタと、このウエ
ノヘサセブタによって２分され几反応室の前記ウェハを
加熱する側の第１の領域に接続され九ノ＜−ジガス供給
機構と、前記２分された反応室の前記ウエノ・を加熱す
る側とは反対側の第２の領域に接続され次ソースガス供
給機構および排気機構と、前記第１の領域内ま之は該第
１の領域側の反応室の外側に設けられ念前記つエノ・を
加熱する加熱機構とを具備し、前記ウェハサセプタによ
り２分された前記第１と第２の領域間の隙間をできるだ
け小さくして、前記加熱機構の発熱体から発せられる輻
射光が前記ウェハに直接吸収させるようにし几（２）装
置が提供される。

〔作　用〕

シリコンの水素化物からなるガスは、シリコン表面の温
度が数１００℃に上がると、シリコン表面の自然酸化膜
を還元除去するので、清浄なシリコン表面を出すことが
できる。このようにした状態でソースガスを反応室内に
供給すれば、膜成長の初期過程で、シリコン表面に成長
する核の密度を高くすることができ、その几め、膜が均
一に成長する。マ次、清浄なシリコン表面が得られるの
で、膜成長において絶縁体との間に高い選択性が得られ
る。

また、本発明のＣＶＤ装置を用いれば、ウエノ・サセプ
タは反応室を２つの領域に分け、その２分された第１と
第２の領域間の隙間が最小限となるように設置されるの
で、ソースガスの圧力が分子流となる圧力であっても、
第１の領域へのソースガスの侵入を防止する。ま之、こ
の第１の領域には、ソースガスの圧力よりも高い圧力の
パージガスを満之すことが可能となるので、ソースガス
の侵入防止効果を上げることができる。更に、上記サセ
プタは、ウェハとの接触部が石英ガラスから成るので、
ウェハとその周囲が高温に加熱されても熱膨張率がｌＪ
λさいために変形が小さく、そのためこの部位に大きな
隙間ができないので第１の領域へのソースガスの侵入が
防止される。かくして、付着性の強い塩素系のソースガ
スであっても、前記第１の領域への侵入が防止される。

まｔ、サセプタの材料である石英ガラスは、塩素に侵さ
れ難い。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。

第１図は本発明の一実施例であるコールドウオール型の
Ｇ〕装置の基本構成を示す。同図において、ウェハ２０
は絶縁材からなるウェハサセプタ（以下、サセプタ）２
１によってその周囲が保持され、その裏面が、筒状反応
室２２の外側に置かれ九ランプヒータ（発熱体）２３か
らの光によって窓２４を通して加熱される。この反応室
２２内は、ウェハ２０とサセプタ２１などにより、領域
２５と領域２６に２分されており（本例では軸方向に２
分されている）、その一方の領域２６は、筒状反応管２
２の側壁に形成されたパージガス導入口２Ｔから導入さ
れるパージガスによって充たされる。また、もう一方の
領域２５は、筒状反応管２２の軸方向端部に形成された
ソースガス導入口２８から導入されるソースガスによっ
て充たされ、そのソースガスが領域２５側にさらされた
ウェハ２０の表面に触れることによＶ該つェハ２０の表
面に膜が成長する。そして、ソースガスと膜の成長時に
生成し之反応生成ガス、およびウェハ２０とサセプタ２
１の重なり部の間隙などから領域２５側に漏れたパージ
ガスは、排気口２９から排気されるものとなっている。

一方、領域２６のパージガスの下流側に形成されたパー
ジガス排気口３０は、領域２６内に侵入してくるソース
ガスをパージガスと一緒に排気して領域２６内を清浄に
保つため、ま之、パージガスの圧力を一定に保つために
設けであるが、侵入してくるソースガスが微量で問題に
ならない場合や、パージガス排気口がなくともパージガ
スの圧力を一定に保てる場合には、特に設けなくとも良
い。

本（至）装置は、反応室２２に対し領域２５と領域２６
をウェハ２０とサセプタ２１によって分離し、ソースガ
スが領域２６内に侵入するのを防止して窓２４の表面が
曇らないようにしているのであるが、ソースガスが領域
２６内に侵入する量をできるだけ少なくするために、ウ
ェハ２０とサセプタ２１との重なり部の間隙およびサセ
プタ２１と反応室２２の内壁との間隙をできるだけ小さ
くすることが要求される。それらの間隙の内、サセプタ
２１と反応室２２の内壁との間隙を小さくすることは、
その部分が直接加熱されず、温度が高くならないので比
較的容易である。すなわち、それらの部分の加工精度を
良くしておけばよい。これに対して、ウェハ２０とサセ
プタ２１との重なり部は、ランプヒータ２３からの光や
ウェハ２０からの熱によって高温に加熱され、サセプタ
２１の熱変形によって大きな隙間ができ易い。

そこで、本実施例では、サセプタ２１に石英ガラスを加
工したものを用いる。石英ガラスを精度良く加工するに
は、超音波加工法が適している。

サセプタ２１の材料を石英ガラスにすると、石英ガラス
の熱膨張率（約０．３ｐｐｍ　　）が極めて小さい念め
、ウェハ２０に接する部分の近傍が高温になり他の部分
が低温になっても、サセプタ２１の形状がほとんど変形
しないので、ウェハ２０とサセプタ２１との重なり部に
大きな隙間が開くことはない。これに対して、もし、サ
セプタ２１を金属で作ると、金属の熱膨張率（数〜数１
０ｐｐｍ　　）が大きい友めに、サセプタの一部が高温
になるとその部分が膨張して変形し、ウェハとサセプタ
の重なｐ部に大きな隙間が開いてしまう。

ちなみに、サセプタ２１を石英ガラスで作ったトキのウ
ニ／−２０とサセプタ２１の重なり部の隙間のコンダク
タンスは、以下のようになる。ハージガス排気口３０は
閉じ、ウェハ２０には４インチ径０．５１１１１厚のＳ
ｔ　ウェハを用い、重なり部はウェハの周囲５１とし、
サセプタ２１の厚さを５ｍとして実験し念。パージガス
導入口２７からＡｒガスをＱ、Ｑｌｓｃｅｍ流し、排気
口２９から１０００ｔ／ｓｅｅの能力を有するポンプで
排気すると、領域２６内のＡｒガスの圧力は、約Ｑ、Ｉ
Ｔｏｒｒとなり、領域２５内のＡｒガスの圧力は、約２
　Ｘ　１０　　Ｔｏｒｒ　　となつ念。これからウェハ
２０とサセプタ２１の重なす部の隙間のコンダクタンス
は、約１．３ｃｅ／ｓｅｅ以下と極微少であることがわ
かる。この隙間のコンダクタンスは、サセプタ等の加工
精度によって変るが、上記の例は通常の加工法で作成し
た場合の例であり、特に高精度な加工が必要なわけでは
ない。ウェハ２０を加熱すると、領域２６内のＡｒガス
も加熱されるためその分だけ若干圧力が上昇する。しか
し、領域２５内のＡｒの圧力はほとんど変化しない。ウ
ェハ２０の温度を８００℃程度に加熱しても傾向は変わ
らない。このことは、ウェハ２０を高温に加熱しても、
ウェハ２０とサセプタ２１の重なり部の隙間（コンダク
タンス）が大きくならないことを示している。これに対
して、同じ条件で、サセプタ２１の材料を金属、例えば
、厚さ５■のチタンにすると、ウェハとサセプタの温度
上昇と共に領域２６内の圧力が低下してしまう。金属サ
セプタの熱歪により、重なり部の隙間が大きくなってし
゛まうことを示している。金属は、熱変形によって加工
歪みが開放される場合には元の形状に戻らない場合があ
る。板厚が薄くなる程そのような変形が顕著になる。

サセプタ２１は、第１図に示されているように、ウェハ
２０の周囲のみと接触するように中心部にウェハ２０を
載置できる段部Ａを持った穴２１ｍが開けられる。この
ような構造にしであるのは以下の理由による。ソースガ
スがウェハ２０との重なシ部に回り込んで、重なり部の
サセプタ２１の表面に膜が成長してしまう念め、その膜
がヒータの放射光に対して不透明な場合には、その膜に
熱が吸収されてしまい、その部位の上にあるウェハの温
度は下がってしまう。そこで、本（至）装置では、ウェ
ハ２０とサセプタ２１の重なり部の面積を最小限にし、
かつ、２つの領域２５と領域２６との間の隙間を最小限
にする念めにウェハ２０の周囲のみがサセプタ２１と接
触する構造にしている。

サセプタ２１の構造は、第１図に示し次構造に限らない
。例えば、第２図に示すように、高温に加熱される部分
のみに石英ガラス部５３を用い、高温に加熱されない部
分を金属部５４で構成してもよい。石英ガラス５３との
接触部５５や反応室壁との接触部５６などの高い面精度
を要する部分は、施盤を用い几加工が適している。金属
部５４ば、熱膨張を抑える九めに水冷してもよい。

一方、領域２５内にソースガスを導入してＣＶＤを行な
う際に、領域２６を形成する反応室２２の側壁の窓２４
の表面が曇らないようにするには、領域２５内のソース
ガスの圧力よりも領域２６内のパージガスの圧力の方を
高くしておけばよい。

それらの圧力差が大きい程、ソースガスの領域２６内へ
の侵入を：り効果的に防止することができるが、通常は
、０．１Ｔｏｒｒ程度あれば充分である。パージガスの
圧力を大幅に高くすると、パージガスの圧力でウェハ２
０が浮いてしまう、パージガスの圧力を高くする場合に
は、第４図に示すように、サセプタ２１上に置かれ几ウ
ェハ２０の周囲をウェハ押え具３１で押え、ウェハ２０
が浮かないようにすれば良い。

ここで、サセプタ２１が石英ガラスから成る場合のもう
一つの利点について述べる。後述するように、本願の他
の態様であるこのｃｖＤ装置を用いたＣＶＤ法の発明に
おいては、ソースガスの一つとして四塩化チタン（Ｔｉ
Ｃｌ２）ガスを用いる。膜形成時の反応では、ＴｌＣ１
，が分解して塩素（Ｃｔ、）や塩化水素（Ｉ（Ｃｔ）を
生ずるのであるが、Ｃ４２やＨＣｌは腐食性が強く、シ
リコンなどをエツチングするエツチングガスでもある。

しかしながら、ｓｉｏ、はこれらの塩素系ガスに侵され
難いという性質を持っている。石英ガラスはＳ　ｔＯ，
から成るので、これら塩素系ガスにエツチングされない
。

このような構成のｃｖＤ装置を用いて、シリコン表面と
絶縁体表面を有する基板を用いてシリコン表面に選択的
に膜を形成する方法を説明する。なお、この装置には前
述しｆｔ−ｏ−ドロック機構が設けられ、ウェハ２０を
加熱した状態でも反応室２２内の残留ガスが２Ｘ１０　
　Ｔｏｒｒ　以下になるように排気されている。ま九、
導入口２８から供給されるソースガスは塩素を含むガス
であり、その流れが分子流となるような低い圧力範囲で
あっても、高温での使用に耐えるようにされている。ま
た、領域２６にはソースガスが侵入しないようにソース
ガスよシも高い圧力のパージガスが導入口２Ｔから供給
されている。膜成長に際しては、基板としてシリコン（
ｓＢ　（１００）ウェハ２０を用い、そのＳｉウェハを
熱酸化した後、ホトリソグラフィーと湿式エツチングに
よフ熱酸化膜をバタン化し次（第３図（ａ））。そのウ
ェハを希７ツ酸に浸漬してｓｉ衣表面自然酸化膜（第３
図（ａ）のｆ工）を除去し、水洗・乾燥後、空気中に所
定の時間放置し次。

このウェハを前記のＣＶＤ装置に装填し、約７２０℃に
加熱してからソースガスとしてシラン（Ｓｉｎ、）ガス
と四塩化チタン（ＴｉＣ４，）ガスを同時に供給し、Ｓ
１表面のみにチタンシリサイド（Ｔｉ　５ｉｘ）膜を選
択的に成長させＡ、　ＳｉＨ，ガスの供給流量は１１０
５ＣＣ，圧力は１ｍＴｏｒｒ　　であり、Ｔ　Ｉ　Ｃ１
，ガスの圧力は５〜１０　ｘ　１０　　Ｔｏｒｒである
。成長時間は、約１分で、この間に２００〜３００Ａ高
さの核または膜が成長する。

この結果、前記の希フッ酸処理後の空気中放置時間の長
短が、成長するチタンシリサイドの核密度に大きく影響
することがわかった。すなわち、長時間空気中に放蓋し
、８１面の疎水性が弱くなったり、なくなつ友シした場
合には、核密度は非常に低く、数〜数１０μｍ口の領域
に１細根度しか核が成長しないが、空気中放置時間が数
分でＳｔ面の疎水性が明瞭にある場合には、核密度は非
常に高く、０．１〜０．数μｍ口　の領域に１細根度の
核が成長することがわかつ之。

次に、希フッ酸処理後、数分間空気中に放置し念ウェハ
を上記ＣＶＤ装置に装填し、チタンシリサイドを成長さ
せる前に、ウェハを約７２０℃程度に加熱し、反応室に
ＳｉＨ，ガスのみを供給し、ＳｉＨ４ガスの自然酸化膜
に対する還元作用を利用して希フッ酸処理後にＳｉ表面
に成長し次自然酸化膜を還元・除去し念後（第３図伽）
）、引き続いて、ＳｉＨ，ガスによる自然酸化膜の還元
処理を行なわない前記の成長法と同じ工程、すなわち、
ソースガスとしてＳ　ＩＨ，ガスと’ｒｔｃｚ、ガスを
同時に供給して８１表面のみにチタンシリサイド膜を選
択的に成長させ念（第３図（ｅ）のｆ、）。Ｓ　ｉＨ，
ガスによる自然酸化膜の還元処理を行なってからチタン
シリサイド膜を選択成長させる。

この実施例の方法で成長させたチタンシリサイドの核密
度は、ＳｉＨ，ガスによる自然酸化膜の還元処理を行な
わなかつ次場合に比べてより高くなつｔｏこの結果と、
ＳＩＨ，ガスによる還元処理を行なわなかつ念場合の結
果とを比較すると、希フッ酸処理後の８１表面の僅かな
酸化や汚染が、チタンシリサイドの成長核密度に影響を
及ぼしていることが分かる。

次に、上記の第１の実験例で用いたＳｉ　　ウェハとは
表面状態の異なる８１　ウェハを用い九場合の第２の実
験例について述べる。

Ｓ　ｉ　（１００）ウェハを熱酸化し、ホトリソグラフ
ィーとドライエツチングにより熱酸化膜をバタン化した
。そのウェハを希フッ酸に浸漬してｓｉ　表面の自然酸
化膜を除去し、水洗・乾燥後、空気中に所定の時間放置
した。このウェハの表面状態は、希フッ酸に浸漬してｓ
ｉ衣表面自然酸化膜を除去した時点では、Ｓ１面の疎水
性が明瞭に確認できたが、水洗中に疎水性が完全に失わ
れるものであった。このウェハを用いて上記の第１の実
験例と同じ条件でチタンシリサイド膜を選択的に成長さ
せえ。

その結果、希７ツ酸処理後の空気中放置時間の長短にか
かわらず、核密度は非常に低く、数１０μｍ口の領域に
１細根度しか核が成長しなかった。

これに対して、希７ツ酸処理後、数分間空気中に放置し
たウェハを、上記の５ＩＨ４ガスによる自然酸化膜の還
元処理と同じ方法で還元してからチタン７リサイド漠を
選択的に成長させ九場合に社、Ｏ０数μｍ口の領域に１
個権度、緻密に核が成長することが分かった。更に、希
フッ酸処理後、数時間空気中に放置したウエノ・でも、
５ｉｎ４ガスによって自然酸化膜を還元処理できること
が分かった。

そのウェハにチタンシリサイド膜を選択的に成長させた
場合にも、０．数μｍ口の領域に１細根度、緻密に核が
成長することが分かった。

超高真空中でＳｔ基板を高温に加熱すると、３１表面の
自然酸化膜が蒸発して清浄なＳｔ面が得られることが良
く知られているが、本発明の効果は、この高温加熱によ
る効果ではないことが次の実験によって明らかである。

すなわち、上記の第２の実験例と同様に希フッ酸処理し
九つエノ・を水洗・乾燥して空気中に数分間放置し、反
応室内でソースガスを供給せずに、ＳｉＨ４ガスによっ
て自然酸化膜を還元するに要する時間（通常は、数分間
）の３倍以上の時間にわたって自然酸化膜還元時と同じ
温度に加熱してから５ＩＨ４ガスとＴｌＣ１４ガスをほ
ぼ同時く供給してチタンシリティドを成長させた場合、
核密度は高くならず、加熱時間が短かい場合とほぼ同様
の核密度になった。この結果から、自然酸化膜の還元が
ウェハの真空中加熱によって成されたのではないことが
分かった。

５ＩＨ４ガスの自然酸化膜に対する還元作用は、９００
℃程度以上の高温で起こることは良く知られているが、
上記の実験により、７００℃〜７５０℃程度でも起こる
ことが明らかとなった。ＳｉＨ４ガスが自然酸化膜を還
元していることは、Ｓ　ｉ　Ｈ４ガスを供給し続けると
、Ｓｔ衣表面Ｓｔが結晶性良くエピタキシャル成長する
ことから裏付けられる。

Ｓｉ表面に自然酸化膜が残っていると、成長するｓｉは
結晶性良くエピタキシャル成長せず、双晶が出たシ多結
晶Ｓ１になるはずである。このような低温での５ＩＨ４
ガスの自然酸化膜に対する還元作用については、ホット
ウォール型ＣＶＤ装置を用い九ウルトラクリーン雰囲気
中でのＳｉのエピタキシャル成長の実験結果から窒出等
も推測している（電子情報通信学会技術研究報告、Ｖ・
１．８８、嵐１６２．９〜１３頁、１９８８年（８ＤＭ
Ｓ８−３）、及び、Ａｐｐｔｌｓｄ　Ｐｈｙｓｉｃ＠Ｌ
＊ｔｔ４ｒｓｅＶｏｊ、５４＊Ｎａ１１　（１９８９）
１００７．）。本発明者等は上記のチタンシリサイド膜
の選択成長と８１の選択エピタキシャル成長の実験によ
プ、低温での５ＩＨａガスの自然酸化膜の還元作用を確
信に至らせた（Ｊａｐａｎａｓａ　Ｊｏｗｒｎａｔｏｆ
　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ｖｅ４２９　、Ｎ
ａｌ　（１９９０）　Ｌ　１８５．　）。

５ＩＨ４ガスによる自然酸化膜の還元の終了時点につい
ては、反応室壁に設は九ガラス窓を通してＨｅ−Ｎ＠レ
ーザ光をウェハのＳｉ表ｉ１に当てておき、Ｓｌがエピ
タキシャル成長し始めるときの８１核成長によって生ず
るレーザ光の散乱光を検知することによって終了時点と
じ九。この散、乱光は、５ＩＨ４ガスを反応室内に供給
してから数１０秒〜数分のオフセット時間の後に徐々に
現われてくる。

自然酸化膜の還元は、このオフセット時間中に行なわれ
ているものと考えられる。３１核成長は、ウェハの面方
位によって著しく生ずる場合と余り生じない場合とがあ
るが、本実験のようＫ（１００）基板を用いた場合には
、著しく生ずる。ただし、この場合、基板面に対して斜
めの面の成長速度が早い丸め、成長を続けるとほぼ完全
に平坦な膜になる。この膜成長の様子から３１膜が結晶
性良くエピタキシャル成長し九ことが分かるが、成長初
期の核の状態でも電子線回折による分析で双晶や多結晶
を伴なわずに結晶性良くエピタキシャル成長しているこ
とが確認できる。

以上に述べたように、チタンシリサイドの選択的ＣＶＤ
においては、Ｓｉ表面の清浄度によって、膜成長の初期
過１での核密度が著しく影響を受けることが判明した。

膜成長の初期過程において、チタンシリサイドの核密度
が低いと、薄くて緻密な膜を成長させることはできず、
また、厚くした場合で４、凹凸の激しい膜になってしま
う。８１表面の自然酸化膜の厚さが著しく厚かつ九シ、
著しく汚れている場合には、チタンシリサイド膜を選択
的に成長させることすら困難である。

選択的ＣＶ　Ｄｉ　Ｋお叶るこのような表面清浄度の影
響は、他の系、例えば、トリイソブチルアルミニウムガ
スを用いたアルミニウムの選択的ＣＶＤ法（％開昭６３
−３３５６９号公報）や、タングステンの選択的ＣＶＤ
法等にも見られる。

以上、Ｓｉ表面の清浄度の僅かな差が、膜成長初期の核
密度に大きな影響を及ぼすことを見出した実験について
本発明の一実施例と共に述べ九が、本発明は、上記の一
実施例に限られるものではない。ＳｉＨ４ガスの自然酸
化膜の還元・除去作用は、ＳｉＨ４ガスの供給流量や圧
力、及び基板温度に対して大きな幅がある。その幅は、
８ｋＨａガスによって自然酸化膜が付い九８１面上に８
１　をエピタキシャル成長させ得る流量、圧力及び基板
温度の範囲とほぼ等しいものと考えられる。５ｋＨａガ
スの代わりにジシラン（８１２Ｈ＆）ガスを用いても同
様の結果を得ることができる。上記の実施例のように、
チタンシリサイド膜を選択成長させる場合には、ＳｉＨ
４ガスによって自然酸化膜を還元・除去するときの基板
温度とチタンシリサイドを成長させるときの基板温度と
を等しくすることができる。また、ＳｉＨ毒ガスの流量
と圧力についても等しくすることができる。従ってこの
場合には、基板温度と５ＩＨ４ガスの流量・圧力を一定
に保ち、自然酸化膜の還元の終点を検出した後、時間を
置かずに直ちにＴｉＣ１，ガスを供給してチタンシリサ
イド膜を成長させることができる。ウェハの加熱系にラ
ンプヒータ等の温度変化の時定数の短いものを用いると
％　　５ＩＨ４ガスによる自然酸化膜の還元処理時の基
板温度と、その後の膜の選択成長時の基板温度が異なる
場合であっても、迅速に基板温度を変えることができる
ので、Ｓｉ表面の酸化や汚染を最小限にして膜を成長さ
せることができる。

次に、本発明の他の態様でめるＣＶＤ装置の他の構成を
第５図に示す。第１図に示した実施例と同じものには同
じ番号を付し、説明を省略する。

第１の実施例と異なる点は、窓２４とラングヒータ２３
が無く、その代わりに領域２６内にコイルヒータ等のヒ
ータ（発熱体）６０と熱反射板６１が設けられているこ
とである。ヒータ６０は絶縁ガイシ６２などによって保
持されている。ヒータ６０からの輻射光は、ウェハ２０
の裏面に直接違してウェハ２Ｇを加熱するようになされ
ている。

熱反射板６１は、ヒータ６０からの輻射光を反射したシ
再輻射することによって、反応室の壁などが過熱される
のを防止するために設けられている。

ヒータ６０の材料としては、タンタル（Ｔａ）やタング
ステン（Ｗ）が適している。これらの線をコイル状に密
に巻き、表面積を大きくして輻射光量が大きくなるよう
にする。熱反射板６１は、モリブデン（Ｍｏ）、タンタ
ル（Ｔａ）、タングステン■等の高融点金属が適してい
る。また、絶縁ガイシ６２は、高融点の絶縁物で６れば
良いが、ヒータ６０の温度を余シ高くしなければ石英ガ
ラスでも良い。例えば、ヒータ８ＱＫＴａ、熱反射板６
１にＭｏ、絶縁ガイシ６２に石英ガラスを用いたとき、
Ｓｉウェハ２０１に：１０００℃糧度まで加熱すること
ができる。

第５図において、ヒータ６Ｇに高い電圧を印加して加熱
するように設計すると、反応室２２の領域２６内をパー
ジガスで満たした時、放電によってヒータ６０が破壊さ
れ易くなるので、そのような時には、パージガスの圧力
は余り高くしない方が良い。

以上説明した第１と第２の実施例のＣＶＤ装置の主要な
相違は、ヒータの輻射光の波長分布が異なることである
。すなわち、ランプヒータ２３を用いる第１の実施例で
は、発熱体の温度を高くすることができるので、可視成
分を多くすることができるのニ対し、コイルヒータ６０
等を用いる第２の実施例では、パージガスによる冷却効
果がほとんどないことから、絶縁ガイ７６２等の局部的
な過熱による故障が発生し易くなるので、余り発熱体の
輝度を高めることができず、赤外成分の多い状態で使用
することＫなる。この差は、ウエノ・２０として、波長
の長い赤外光を良く透過してしまう３ｉウエハを用いる
とき顕著になる。即ち、第２の実施例では、Ｓｉウニ・
・を透過する赤外光が多くなシ、この赤外光は、Ｓｌウ
ェハの表面に金属膜を成長させたとき、金属膜に吸収さ
れてその温度を上昇させるという作用をする。したがっ
て、金属膜の成長中に表面の温度を一定に保とうとする
場合には、第４の実施例の方が制御し易いものと推察さ
れる。

上記の第１図ないしは第５図により示した実施例は、い
ずれも、ウェハ２０の表面（ソースガスに晒される方の
面）が上向きの場合を示しているが、ヒータやサセプタ
などの上下を逆にしてウェハの表面を下向きにしてもよ
い。その場合には、ヒータやサセプタを保持すると共に
１　ウェハを例えば第４図に示したウェハ押え具３１の
ようなものでサセプタ２１に押し付けるようにすればよ
い。

ウェハの保持部を若干改造することにより、ウニ・・を
立ててその表面を横向きにすることも勿論可能である。

次に、チタンシリサイド膜の成長に６たって、チタンシ
リサイド膜の抵抗と下地のシリコンの消費量を精密に制
御する方法について述べる。以下の実施例で詳細に述べ
るように、下地のシリコンの消費量の抑制は、反応室に
供給するシランガスの流量に対して四塩化チタンガスの
流量の比を他の通常のＣＶＤで行なわれる複数のソース
ガスの流量比に比較し極端に小さくすることで、達成で
きることが見い出された。

本実施例では、第６図に示すＣＶＤ装置を用いる。

この装置は、第５図のＣＶＤ装置に四塩化チタンガスの
微少流量制御機構を付加したものである。第５図と同じ
部分は説明を省略する。４２は、液状の四塩化チタンが
貯えられたタンク、４３はこのタンク４２に連なるマス
フローコントローラ、４４はこのコントローラ４３の出
力と反応室２２のソースガス導入口２Ｂとの間に配置さ
れる微少流量制御部でらる。この微少流量制御部４４は
、バルブ４５および４６、コンダクタンスバルブ４７お
よび４８、真空排気ポンプ４９、および圧力計５０で構
成される。

このような構成において、タンク４２に貯えられた液体
の四塩化チタンから蒸発した四塩化チタンガスハ、マス
フローコントローラ４３Ｋｉ−ｔの流量が制御されて微
少流量制御部４４に供給される。この微少流量制御部４
４において、四塩化チタンガスの流量は、コンダクタン
スバルブ４７および４８の開閉度（コンダクタンス）′
に設定することで調整する。バルブ４５は四塩化チタン
ガスを供給しているときには常に開けておき、圧力計５
０で測定する四塩化チタンガスの圧力を一定に保ってお
く。バルブ４８の開閉によって四塩化チタンガスの反応
室２２への供給が開始または停止される。ここで、真空
排気ポンプ４９は、ターボ分子ポンプ等の高真空排気が
可能なポンプが適している。以上のようなガス流量１１
Ｊ御機構を設けることにより、四塩化チタンガスの微少
流量の供給が可能である。

シランガス５１の供給については、その流量が比較的多
いため、−膜内に用いられるマス７ａ−コントローラ５
２で流量制御できる。

以上説明したＣＶＤ装置を用いて四塩化チタンガスの微
少流量を制御し、シリコンウェハ表面にチタンシリサイ
ド膜を成長させた。シリコンウェハは、面方位が（１０
０）の単結晶ウニ・・で、熱酸化膜を湿式エツチング法
で窓明けしたものを用い友。

面方位が（１１１）のウェハでも同様な結果が得られ、
チタンシリサイド膜成長に関してシリコンの面方位依存
性は少ない。チタンシリサイド膜の成長に先立ち、シリ
コンウェハを希フッ酸に浸漬して表面の自然酸化膜を除
去した。そのウェハをロードロック機構により反応室２
２内のウエハサセプタ上にセットし、６５０〜７２０℃
に加熱してシランガスのみを１１０８ＣＣ，１ｍＴｏｒ
ｒ供給し、シリコン表面の清浄化処理を行なった。この
清牛化処理に要した時間は、１０秒〜４分であった。次
に、ウェハ温度を変化させずに引き続いて四塩化チタン
ガスを０．０５〜０．３　ＳＣＣＭ１２〜１８　Ｘ　１
Ｏ−５Ｔｏｒｒ供給し、シランガスｋ　５０　ＳＣＣＭ
、　２　ｍ　Ｔｏｒｒ供給してチタンシリサイド膜を約
５分間で６００〜１２００＾成長させた。ここで、四塩
化チタンガスの反応室に供給される流量は、流量が反応
室内の圧力に比例するものと仮定して既知の流量と圧力
から外押して求めた。

第７図および第８図は上記の成長条件により得られたチ
タンシリサイド膜のデータで１）、四塩化チタンガスの
供給流量に対する膜の比抵抗（＠７図）およびシリコン
消費量（チタンシリサイド膜成長前のシリコン表面から
の成長後のチタンシリサイド／シリコン界面の深さをチ
タンシリサイド膜厚のパーセントで表した値）（第８図
）である。チタンシリサイド膜の比抵抗は四探針抵抗測
定器により求め、シリコンの消費量は、試料の断面を走
査電子顕微鏡で観察して求めた。

第７図の曲線（＆）、（ｂ）および（Ｃ）は、ウェハの
温度が約７２０℃の場合であシ、シリコン面の露出面積
が、それぞれ、約、２．８および２４ｃＩｌのときの値
である。比抵抗は四塩化チタンガスの流量が小さくなる
と急激に増大しておシ、増大し始める流量はシリコン天
の露出面積が大きい程多くなっている。このようなシリ
コン面の露出面積による比抵抗の変化は、ローディング
効果の存在を示している。このときのシリコン消費量は
、それぞれ、第８図の直線（・）、（ｆ）および（ｇ）
の如くで６プ、シリコン消費量も比抵抗と同様にローデ
ィング効果が存在していることが分かる。シリコン消費
量は四塩化チタンガスの流量にほぼ比例して増大してい
る。第７図と第８図とから、チタンシリサイド膜の比抵
抗が低く、かつ、シリコン消費量が小さくなる四塩化チ
タンガスの流量は、比抵抗が増大し始める流量であるこ
とが分かる。このときのシリコン消費量は、チタンシリ
サイド膜厚のほぼ５０慢である。

第７図（ｄ）Ｃ１曲線および第８図（ｈ）の直線は、ウ
ェハ温度が約６５０℃でシリコン露出面積が約８ｃＩｉ
のときのデータであシ、ウニＩ・温度が低くなると、比
抵抗の低いチタンシリサイド膜を成長させるには、四塩
化チタンガスの流量を増やす必要のめることが分かる。

また、第７図の（ｄ）曲線と第８図の（ｈ）直線とから
、比抵抗が増大し始めるときのシリコン消費量は、ウエ
ノ・温度が高いときよシも小さい（約２０慢）ことが分
かる。ウエノ・温度が６５０℃程度でもシランガスによ
るシリコン表面の清浄化が可能である。清浄化に要する
時間は、温度が高いときよシも長くなる傾向に６るが、
数分間である。ウェハ温度が低くても、シランガスによ
る清浄化処理を行なえば、緻密で抵抗の低−チタンシリ
サイド膜が成長する。

なお、第７図の各画＃（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｅ）
および（ｄ）に対する成長条件を第１表に１第８図の各
曲線（＠）　、　（ｆ）　。

（ｘ）および伽）に対する成長条件を第２表にそれぞれ
示す。

第１表 第 表 以上の実施例においては、 チタンシリサイ ド膜 は、シリコン表面が露出した部分のみに成長し、絶縁属
上には全く成長しなかった。また、成長させたチタンシ
リサイド膜のｘＭ回折パターンは、Ｃ５４型のＴｉ８１
雪でめった。

本発明のＣＶＤ装置にあっては、上述の実施例のように
して、チタンシリサイド膜を繰シ返し成長させても、領
域２６内にンースガスがほとんど侵入しないため、長時
間の使用でも窓２４の曇りやヒータ６０の絶縁破壊は起
こらなかった。また、同じ成長条件にすれば、はぼ同じ
品質のチタンシリサイド膜を何回でも繰ね返し製造する
ことができた。

なお、本発明のＣＶＤ装置の使用方法の実施例ではチタ
ンシリサイド膜を形成する場合についてのみ述べ九が、
本発明のＣＶＤ装置はこれに限らず、ンースガスとして
五塩化モリブデン（Ｍ＠Ｃｔｉ）や六塩化タングステン
（ＷＣＺ・）、五塩化タンタル（Ｔ＊ＣＬ＠　）などの
ガスを用いて種々の金属膜又は金属シリナイド属を形成
するのに好適で６ろう。

〔発明の効果〕

本発明において用いられる選択ＣＶＤ法は、反応室内に
装填されるシリコン基板を加熱してそのシリコン表面上
の自然酸化膜をシリコンの水素化物からなるガスにより
還元除去し九後、引き続いてソースガスを反応室内圧供
給することによシ、シリコン表面上のみに選択的に震を
成長させるものである。

従って、半導体装置の浅い接合上に薄い金属膜を選択成
長させるところに本発明を適用すると、凹凸の少ない均
一な膜を選択性曳く成長させることができる。そのため
、低いコンタクト抵抗と接合リーク電流値を持った高性
能な半導体装置ｔ−製造することができる。また、アス
ペクト比の大きなスルーホールを金属で埋め込む場合に
本発明を適用すると、均一に埋め込むことができるので
、製造歩留まりを上げることができる。

本発明において用いられるＣＶＤ装置は、ウェハとの接
触部が少くとも石英ガラスから成夛そのウェハの周囲の
みと接触してウエノ・を保持する構造を有するウェハサ
セプタによって反応室を２分し、七の２分した反応室の
ウエノ・を加熱する側の第１の領域にパージガスを供給
し、この２分した反応室のウェハを加熱する側とは反対
側の第２の領域にソースガスを供給するとともに、排気
通路を接続する。そして、ウェハサセプタによプ２分さ
れた前記第１と第２の領域間の隙間をできるだけ小さく
して、加熱機構の発熱体から発せられる輻射光がウェハ
に直接吸収されるようにしたので、ソースガスの流れが
分子流となる圧力領域においても、付着性の強い塩素系
ガスを用いて高温でＣｖＤをすることが可能となる。し
かも、その場合に、ソースガスが、窓や加熱ヒータのめ
る領域に極めて軟量しか侵入しないように成されている
ので、その部分が汚れることがほとんどないため、同じ
成長条件で同じ膜質の金属膜を繰り返し構造することが
できる。その結果、高い再現性をもって高品質の金属膜
のＣＶＤが可能となる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明による選択ＣＶＤ法が適用されるＣＶＤ
装置の一実施例の基本構成を示す断面ス、第２図は第１
図のウェハサセプタの変形例を示す断面図、第３図は本
発明によるホール底へのチタンノリサイド膜の形成法を
示す図、第１図は第１図のウニ・・サセプタの変形例を
示す断面図、第５図は本発明による選択ＣＶＤ法が適用
されるＣＶＤ装置の他の実施例を示す基本構成図、７ｉ
４６図は四塩化チタンガスの微少流量制御部構を備えた
第４図のＣＶＤ装置の変形例を示す図、第７図は四塩化
チタンガス流量に対するチタンシリサイド膜の比抵抗を
示す特性図、第８図は四塩化チタンガス流量に対するチ
タンシリサイド膜のシリコン消費量を示す！＃性図、第
９図は従来のＣＶＤ装置の構Ｉｉｉ、ト示す概略図であ
る。 ２０−・・拳ウェハ、２１・ｅ・・ウェハサセプタ、２
２−・−拳反応室、２３・拳・・ランプヒータ、２４・
−・・窓、２５，２６・＠轡・領域、２７・・・Φパー
ジガス導入口、２８・・・・ソースガス導入口、２９・
・―・排気口、３０・・・・パージガス排気口、４２・
・−・四塩化チタン用タンク、４３１Ｉ・・・マスフロ
ーコントローフ、 ・微少流量制御部、 ０ ・ヒータ。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 　（１）シリコン表面と絶縁体表面とを有する基板を反
   応室内に配置し、この反応室内にシリコンの水素化物か
   らなるガスを供給して前記シリコン表面上の自然酸化膜
   を前記ガスにより還元除去し、ついで反応室内にソース
   ガスを供給して前記シリコン表面上のみに選択的に膜を
   形成するようにしたことを特徴とする選択ＣＶＤ法。
2. 　（２）請求項１において、還元の終了は、前記シリコ
   ン表面に照射される光の散乱光を検知するようにしたこ
   とを特徴とする選択ＣＶＤ法。
3. 　（３）請求項１において、前記基板は、第１，第２の
   領域に区分する部分に区分域の一部として配置され、こ
   の基板の一面は、基板を輻射光で加熱する第１の領域に
   面しており、前記第１の領域にはパージガスが供給され
   るようにされ、基板の他面が有する前記第２の領域には
   ソースガスが供給かつ排気されるようにされていること
   を特徴とする選択的ＣＶＤ法。
4. 　（４）請求項１において、前記基板は６５０〜７５０
   ℃に加熱され、前記ソースガスはシランガスと四塩化チ
   タンガスの混合ガスであり、前記シリコン表面上のみに
   選択的に形成する膜はチタンシリサイド膜であつて、前
   記シランガスの流量に対する前記四塩化チタンガスの流
   量の比を極端に小さくした適度な値とすることにより、
   前記チタンシリサイド膜を形成する時の下地シリコンの
   消費量を適度な量に抑制することを特徴とする選択ＣＶ
   Ｄ法。
5. 　（５）反応室内に配置されるウェハ上に、気相での化
   学反応を利用して膜を形成するＣＶＤ装置において、ウ
   ェハとの接触部が少くとも石英ガラスから成りそのウェ
   ハの周囲のみと接触して該ウェハを保持するとともに、
   前記反応室を２つの領域に分けるべく形成された構造を
   有するウェハサセプタと、このウェハサセプタによつて
   ２分された反応室の前記ウェハを加熱する側の第１の領
   域にパージガスを供給する手段と、前記２分された反応
   室の前記ウェハを加熱する側とは反対側の第２の領域に
   接続されたソースガスを供給しかつ排気する手段と、前
   記第１の領域側から前記ウェハを加熱する加熱手段とを
   具備したことを特徴とするＣＶＤ装置。