JPH03211603A - 定電流回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体集積回路において一般に用いられる定電
流回路に関するものである。

従来の技術 第２図は従来の定電流回路を示す回路図である。従来回
路に於ては、ツェナーダイオードＺＤのカソードに生じ
る電圧Ｖｚ　よりＮＰＮ　トランジスタＱ１のベース・
エミッタ間電圧ＶＩＩＥＩ　だけ電圧降下した電圧がエ
ミッタに生じる為、エミッタ電流はＶｚ　　Ｖａε１を
エミッタ抵抗Ｒ４で割ったほぼ等しい電流を供給する構
成となっていた。

発明が解決しようとする課題 このような従来の回路では、ツェナーダイオードＺＤに
より生じる電圧ＶＺ、ＮＰＮ）ランジスタＱ１のベース
・エミッタ間電圧ＶＢＥＩ＋　エミッタ抵抗Ｒ４の温度
依存性により、定電流の温度に対する変化を抑えること
ができず、温度依存性の少ない定電流回路を実現できな
い。

本発明はかかる点に鑑みてなされたもので温度依存性の
少ない簡易な構成の定電流回路を提供することを目的と
している。

課題を解決するための手段 本発明は上記課題を解決するため、定電圧を供給するツ
ェナーダイオード、第１のトランジスタ、電流を決定す
る抵抗に加え、温度特性補償用の第２のトランジスタと
第２．第３の抵抗を第１のトランジスタのエミッタと電
流を決定する抵抗との間に挿入した構成の定電流回路で
ある。

作用 本発明は上記した構成により、ツェナーダイオード電圧
、トランジスタのベース・エミッタ間電圧、電流決定用
の抵抗を持つ温度依存性に対し、第２．第３の抵抗の比
を調整することにより温度依存性の少ない簡易な構成の
定電流回路が実現できる。

実施例 第１図は本発明の定電流回路の実施例を示す回路図であ
る。第１図に於てＺＤはツェナーダイオード、Ｑｌ、Ｑ
２はＮＰＮトランジスタ、Ｒ１はツェナーダイオードＺ
Ｄ、ＮＰＮ）ランジスタＱ１を駆動する為の抵抗、Ｒ２
，Ｒ３は温度特性補償用の抵抗、Ｒ４は電流値を決定す
る抵抗である。

ツェナーダイオード電圧をＶｚ、ＮＰＮ）ランジスタＱ
ｌ、Ｑ２のベース・エミ・ツタ間電圧を■ＢＥｌ＋　ｖ
ＢＥ２、−！！−！−Ｌ−１とするとＮＰＮトランシタ
１＋ｈｐＥ りＱｌのコレクタより供給される電流ｒｃはで表され、
ＶｌｌＥｌ”ＶＢＥ２ｓｌＶ［ｌＥであるのでｄＩ・は となる。この式よりＩｃの温度変化　ｄＴ皿、１　ｃ匹
−（２＋−３’二）１軒 ｄＴ　　　　Ｒ４ｄＴ　　　　Ｒ３ １１、、１ｄＲ＋ ”（（２＋　Ｒ「）■ａｇ−ｖｚＥ　Ｒ，・ｄＴ　　）
となる。シリコン基板に於いてツェナーダイオード電圧
Ｖｚは約６Ｖ、ＮＰＮトランジスタのベース・エミッタ
間電圧は約Ｑ、ＴＶ、Ｖｚの温度変化前述の式、 右辺の係数 にすれば良い。

上式に定数を代入すると、 Ｘ１０ ’−（２＋−’−’−）Ｘ２Ｘ１０−’３ となるので の少ない簡易な構成の定電流回路が実現できる。

発明の効果 以上述べたように本発明に於て温度依存性の少ない簡易
な構成の定電流回路が実現でき、実用的に極めて有用で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の定電流回路の一実施例を示す回路図、
第２図は従来の定電流回路の回路図である。 Ｑｌ、Ｑ２・・・・・・ＮＰＮトランジスタ、ｚＤ・・
・・・・ツェナーダイオード、Ｒ１−Ｒ４・・・・・・
抵抗、Ｉ　ｃ　−・・・供給定電流、１・・・・・・電
源電圧端子、２・・・・・・接地端子、３・・・・・・
電流供給端子。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 第１、第２の電源端子間に直列に接続された第１の抵抗
   およびツェナーダイオードと、ベースが上記第１の抵抗
   とツェナーダイオードの接続点に接続され、コレクタが
   電流供給端子に接続された第１のトランジスタと、上記
   第１のトランジスタのエミッタと上記第２の電源端子の
   間に直列に接続された第２、第３、第４の抵抗と、コレ
   クタ、ベース、エミッタが上記第１のトランジスタのエ
   ミッタと上記第２の抵抗の接続点、上記第２、第３の抵
   抗の接続点、上記第３、第４の抵抗の接続点にそれぞれ
   接続された上記第１のトランジスタと同極性の第２のト
   ランジスタとを備えた定電流回路。