JPH03211749A - Semiconductor manufacturing device - Google Patents

Semiconductor manufacturing device

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JPH03211749A
JPH03211749A JP2005434A JP543490A JPH03211749A JP H03211749 A JPH03211749 A JP H03211749A JP 2005434 A JP2005434 A JP 2005434A JP 543490 A JP543490 A JP 543490A JP H03211749 A JPH03211749 A JP H03211749A
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修 平河
Yasuhiro Sakamoto
泰大 坂本
Yoshio Iwakiri
岩切 純郎
Masami Akumoto
飽本 正己
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To sharply reduce the dusting from a board to be processed, occurrence and adherence of dust to the board to be processed, during its transfer by arranging the constitution such that a first transfer mechanism catches the margin of the board to be processed at plurality of points by the aid of a plurality of claws for holding the board and that a second transfer mechanism can suck the board to be processed by vacuum. CONSTITUTION:A wafer holder 50 is provided with a ring-shaped supporting frame 52 at the top of an arm 51. Three pieces of supporting members 60 are attached at approximately regular intervals to the supporting frame 52 so that the supporting members at the tops may project inward from the supporting frame 52. It is to be desired that these supporting members 60 should be made of material which hardly produce dust and is small in thermal conductivity. The suction pinsette 204 of a cassette station 200 sucks and holds by vacuum the substance to be processed at the suction face 22, which is provided at the top of a pinsette body 21 and whose contact area with a wafer W is made extremely small, so the mutual contact area with the substance to be processed becomes small, and the dust occurrence at the time of holding the substance to be processed with this suction pinsette 204 can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention] 【産業上の利用分野】[Industrial application field]

この発明は、半導体製造装置に関する。 The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment.

【従来の技術】[Conventional technology]

半導体製造においては、被処理基板例えば半導体ウェー
ハは複数の処理工程で各種の処理を受けるが、近年、半
導体ウェーハに形成される半導体素子の高集積度化に伴
い、処理工程は増加し、また、複雑化している。例えば
半導体ウェーハのレジスト処理工程もより微細化されて
おり、このためレジスト処理装置は、例えば半導体ウェ
ーハをヘキサメチルジシラン(HMDS)等の密着強化
剤を表面処理するユニット、これにレジスト液を塗布す
るユニット、これをべ一牛ングするユニット、さらにこ
れを現像処理するユニット等を有する。 このように複数の処理ユニットが必要である場合に、各
処理ユニットをライン状に配列した場合には、処理上程
の変更に対応することができないので、装置全体をフレ
キシブルな構成とすることにより、複ガ1な処理1′、
程や、工程の変更に対してえ1処できるようにした改良
されたレジスト処理装置が提案されている。この改良型
のレジスト処理装置においては、レジスト処理装置内に
通路(トラック)を設け、このトラック内を搬送装置と
してのハンドリング装置が、移動することにより、塗4
1ユニットやヘーキンクユニットなどの各処理ユニット
のうちから必要なものを選択することができるようにし
ている。 上記のレジスト処理装置におけるハンドリング装置は、
複数枚例えば25枚程度のウェーハが収容されるカセッ
トから、つl  ’Xを1枚ずつ搬出する必要があるた
め、真空吸着方式のウェー71ピンセツトが従来から用
いられる。 この従来の真空吸着方式のウェー71ピンセツトは、例
えば第15図に示すように、U字状のつ工−ハ載置面1
の所定領域に渡ってU字状に真空吸着部2が形成されて
いる。そして、半導体ウェーハ3の裏面がウェーハ載置
面1の全面と接触した状態で、真空吸着部2によって半
導体ウェーハ3が、このピンセットで真空吸着保持され
る。
In semiconductor manufacturing, a substrate to be processed, such as a semiconductor wafer, undergoes various treatments in multiple processing steps.In recent years, with the increase in the degree of integration of semiconductor elements formed on semiconductor wafers, the number of processing steps has increased. It's getting complicated. For example, the resist processing process for semiconductor wafers has become more fine-grained, and for this reason, resist processing equipment includes, for example, a unit that treats the surface of semiconductor wafers with an adhesion enhancer such as hexamethyldisilane (HMDS), and a unit that applies a resist solution to this. It has a unit, a unit that monitors the unit, a unit that develops the unit, and the like. When multiple processing units are required in this way, if the processing units are arranged in a line, it will not be possible to respond to changes in the processing process, so by making the entire device flexible, Complex processing 1',
Improved resist processing apparatuses have been proposed that allow for flexibility in changing processes. In this improved type of resist processing apparatus, a passageway (track) is provided in the resist processing apparatus, and a handling device serving as a conveying device moves within the track, thereby transferring the coating material.
It is possible to select the necessary one from among various processing units such as 1 unit and Hökink unit. The handling device in the above resist processing device is
Since it is necessary to take out the wafers one by one from a cassette containing a plurality of wafers, for example, about 25 wafers, vacuum suction type wafer 71 tweezers are conventionally used. This conventional vacuum suction type wafer 71 tweezers, for example, as shown in FIG.
A vacuum suction section 2 is formed in a U-shape over a predetermined area. Then, with the back surface of the semiconductor wafer 3 in contact with the entire surface of the wafer mounting surface 1, the semiconductor wafer 3 is held by vacuum suction by the vacuum suction unit 2 using the tweezers.

【発明が解決しようとする課題】[Problem to be solved by the invention]

ところで、゛t′−導体製造の環境は、上記処理工程の
微細化にけってダストやパーティクルの付着による゛1
1導体素子の欠陥を防止するために、よりクリーン度の
高いことが要求されており、半導体製造装置自体からの
発塵も厳しく管理して低減する必要がある。 ところが、従来のウェーハ吸着ピンセットは、上述した
ように比較的広い面積のウェーハ載置面1の全面が゛μ
導体ウェーハの裏面に接触する構造となっているために
、次のような欠点がある。 すなわら、半導体ウェーハ3の裏面をミクロ的に考察す
ると、この裏面は比較的ざらざらしており、山形の突起
状部が多数存在した状態である。 ウェーハピンセットの載置面1は、このウェーI\3の
裏面の山形の突起状部に比較的広範囲に渡って接触する
ことになり、しかも、比較的広い開口面積を有する真空
吸着部2にて゛ト導体ウニ”3を成骨することにより、
ウェーハ3の裏面の突起状部が破損し、これがダストと
して半導体製造装置内に飛散してしまうという問題があ
る。 このような吸着方式のハンドリング装置の不都合を解消
するために、例えばU S P 4,507.0711
1号公報には、リング状の部材を用いて半導体ウェーハ
を保持するハンドリング装置が開示されている。 このようなハンドリング装置によれば、゛1′−導体ウ
ェーハがリング状の部材に嵌まりこむだけで保持される
ので、゛1′−導体つJC”へのダスト付n量が大幅に
低減される。 ところが、このリング状部材を用いる方式では、ウエー
ハカセッ]・から半導体ウェーI\を搬出することが困
難である。 また、通常、レジスト処理装置では、HMD S処理時
、レジスト塗布時、現像処理時などにおける半導体ウェ
ーハの温度がそれぞれ異なるため、各処理工程の前工程
でウェーハを温度調整する。 ところが、上記のウェーハ吸着ピンセットやリング状部
材を使用するハンドリング装置では、半導体ウェーハと
の相互接触部分が比較的広く、この相互接触部分を介し
て熱交換が行われるので、lq導体ウェーハ周縁部と中
央部とに温度差が生じ、後工程に悪影響が及ぶ場合があ
る。このため、レジスト処理時のウェーハ温度を厳密に
管理することができず、レジスト膜厚が目標の厚さにな
らないなどの問題を生じる欠点がある。 この発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、ダスト
の点でも、温度管理の点でも優れたハンドリング装置を
倫えた半導体製造装置を提供しようとするものである。
By the way, the environment for manufacturing ゛t'-conductors has been affected by the adhesion of dust and particles due to the miniaturization of the above-mentioned processing steps.
In order to prevent defects in single-conductor elements, higher cleanliness is required, and it is also necessary to strictly control and reduce dust generation from the semiconductor manufacturing equipment itself. However, in the conventional wafer suction tweezers, as mentioned above, the entire surface of the wafer mounting surface 1, which has a relatively large area, is
Since it has a structure in which it contacts the back surface of the conductor wafer, it has the following drawbacks. In other words, microscopically considering the back surface of the semiconductor wafer 3, the back surface is relatively rough and has many chevron-shaped protrusions. The mounting surface 1 of the wafer tweezers comes into contact with the chevron-shaped protrusion on the back surface of the wafer I\3 over a relatively wide range, and the vacuum suction section 2 having a relatively wide opening area By growing the conductor sea urchin 3,
There is a problem in that the protrusions on the back surface of the wafer 3 are damaged, and the protrusions are scattered as dust into the semiconductor manufacturing equipment. In order to solve the disadvantages of such a suction type handling device, for example, USP 4,507.0711
No. 1 discloses a handling device that holds a semiconductor wafer using a ring-shaped member. According to such a handling device, the "1'-conductor wafer is held by simply fitting into the ring-shaped member, so the amount of dust attached to the "1'-conductor JC" is greatly reduced. However, with this method using a ring-shaped member, it is difficult to carry out the semiconductor wafer I\ from the wafer cassette.Also, normally, in a resist processing apparatus, during HMD S processing, resist coating, and development. Since the temperature of each semiconductor wafer differs during processing, the temperature of the wafer is adjusted in the pre-process of each processing step.However, with the above-mentioned handling equipment that uses wafer suction tweezers or ring-shaped members, mutual contact with the semiconductor wafer is prevented. Since the area is relatively wide and heat exchange takes place through this mutual contact area, a temperature difference occurs between the periphery and the center of the lq conductor wafer, which may have an adverse effect on subsequent processes.For this reason, resist processing It is not possible to strictly control the wafer temperature during the process, which causes problems such as the resist film thickness not reaching the target thickness.This invention was made in view of the above points, and The present invention aims to provide a semiconductor manufacturing device equipped with a handling device that is excellent both in terms of temperature control and temperature control.

【課題を解決するための手段】[Means to solve the problem]

この発明による半導体製造装置は、 被処理基板の搬送経路に沿って設けられた複数の処理ユ
ニットと、 上記搬送経路に沿って移動可能で、上記複数の処理ユニ
ットに対して上記被処理基板の受け渡しが可能な第1の
搬送機構と、 複数個の被処理基板を収容可能な収容容器に対し、上記
被処理基板を搬入および/又は搬出するための第2の搬
送機構と、 上記第1の搬送機構と上記第2の搬送機構との間に設け
られ、上記被処理基板を上記第1の搬送機構と第2の搬
送機構との間で受け渡しを行なうための受け渡し台とを
有し、 上記第1の搬送機構は、複数の基板保持用爪によって、
上記被処理基板の周縁部を:娶数点で保持するように構
成され、 上記第2の搬送機構は、上記被処理基板を真空吸着可能
としたことを特徴とする。 また、上記受け渡し台に」−泥波処理基板の位置決め調
整手段を設けたことを特徴とする。
A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a plurality of processing units provided along a transport path for a substrate to be processed, and a semiconductor manufacturing apparatus that is movable along the transport path and delivers and receives the substrate to be processed to the plurality of processing units. a first transport mechanism capable of carrying a plurality of substrates to be processed; a second transport mechanism for carrying in and/or carrying out the substrate to be processed into and/or out of a storage container capable of accommodating a plurality of substrates to be processed; a transfer table provided between the mechanism and the second transfer mechanism for transferring the substrate to be processed between the first transfer mechanism and the second transfer mechanism; The first transport mechanism uses a plurality of substrate holding claws.
The second transport mechanism is configured to hold the peripheral edge of the substrate to be processed at several points, and the second transport mechanism is capable of vacuum suction of the substrate to be processed. The present invention is also characterized in that the transfer table is provided with means for positioning and adjusting the mud wave treatment substrate.

【作用】[Effect]

複数枚の被処理基板を収容可能な収容容器にχ1し、被
処理基板を搬入又は搬出する際には、真空吸着部を有す
る第2の搬送機構が用いられる。 そして、被処理基板は受け渡し台を介して、この第2の
搬送機構と第1の搬送機構との間で受け渡しが行われる
。受け渡し台に位置決め調整手段がある時は、これによ
り被処理基板は、受け渡し台の所定の位置に位置決めさ
れる。 第1の搬送機構は、搬送経路を移動して、複数の処理ユ
ニットに対して被処理基板を搬入及び搬出する。 この場合に、この発明では搬送機構が2つに分けられ、
第2の搬送機構は収容容器に対する被処理基板の搬入、
搬出のため真空吸着部を有するが、第1の搬送機構は、
真空吸着部をHしないと共に、複数の基板保持用爪によ
って、上記被処理基板の周縁部を複数点で保持するもの
であるから、基板と間での擦れなどによるパーティクル
の発生は殆どない。 そして、第2の搬送機構は上記のように被処理基板の収
容容器に対する搬入、搬出にだけ使用され、複数の処理
ユニットへの被処理基板の搬入搬出は第1の搬送機構が
用いられるから、全体としてパーティクルの発生は少な
くなり、半導体製造装置内のクリーン度を非常に高く保
つことができる。 さらに、第1の搬送機構では、被処理基板との接触面積
が非常に少ないので、搬送時に被処理基板から流出ある
いは流入する熱量が減少する。したがって、被処理基板
は所定の処理温度で良好に処理を行なうことができる。 受け渡し台に被処理基板の位置決め手段が設けられてい
る場合には、第1及び第2の搬送機構自身には被処理基
板の位置決め機構を設ける必要はないから、これら搬送
機構の構成を簡略化できる。
When loading or unloading a plurality of substrates to be processed into a storage container capable of accommodating a plurality of substrates to be processed, a second transport mechanism having a vacuum suction section is used. The substrate to be processed is transferred between the second transfer mechanism and the first transfer mechanism via the transfer table. When the transfer table has a positioning adjustment means, the substrate to be processed is positioned at a predetermined position on the transfer table. The first transport mechanism moves the transport path to carry the substrates to be processed into and out of the plurality of processing units. In this case, in this invention, the transport mechanism is divided into two,
The second transport mechanism transports the substrate to be processed into the storage container;
It has a vacuum suction section for carrying out, but the first conveying mechanism is
Since the vacuum suction section is not heated and the peripheral edge of the substrate to be processed is held at a plurality of points by a plurality of substrate holding claws, there is almost no generation of particles due to friction between the substrate and the substrate. The second transport mechanism is used only for loading and unloading substrates to be processed into and out of the storage container as described above, and the first transport mechanism is used for loading and unloading substrates to be processed into a plurality of processing units. Overall, the generation of particles is reduced, and the cleanliness inside the semiconductor manufacturing equipment can be maintained at a very high level. Furthermore, since the first transport mechanism has a very small contact area with the substrate to be processed, the amount of heat that flows out or flows into the substrate to be processed during transport is reduced. Therefore, the substrate to be processed can be processed satisfactorily at a predetermined processing temperature. If the transfer table is provided with a means for positioning the substrate to be processed, it is not necessary to provide a positioning mechanism for the substrate to be processed in the first and second transport mechanisms themselves, so the configurations of these transport mechanisms can be simplified. can.

【実施例】【Example】

以ド、この発明による゛]6導体製造装置の一実施例を
レジスト処理装置に適用した場合を例にとって、図を参
照しながら説明する。 第1図は、レジスト処理装置lOを示す平面図で、この
例のレジスト処理装置IOは、プロセスステーション1
00とカセットステーション200とて構成されている
。両ステーションに含まれる6種装置の動作は、コンピ
ュータシステム(図示せず)により自動制御されるよう
になっている。 カセットステーション200の、プロセスステーション
100との連結部近傍にウェーハ受け渡し台201が設
けられ、このウェーハ受渡し台201を介してカセット
ステーション200からプロセスステーション100に
1′−導体ウェーハWが受け渡されるようになっている
。 トラックtxtが、プロセスステーション!00の中央
をY軸に沿って延び、ウェーハ受け渡し台201の後方
から露光ユニット(図示せず)の前方まで設けられてい
る。トラックlIiにはレール112が敷設され、第1
の搬送機構の例としてのロボット110がレール+12
上に載置されている。ロボット110は、半導体ウェー
ハWをプロセスステーション100の後述する各処理ユ
ニット101,102゜103.104.105.10
B、107,108に搬送し、搬入、搬出するための移
動・ハンドリング機構を有している。 次に、カセットステーション200について詳しく説明
する。 運搬ロボット(図示せず)により搬入されたカセット2
02がステーション200の一方側(図の下側)の待機
位置に載置されている。そして、各カセット202には
例えば25枚の未処理(レジスト処理前)の半導体ウェ
ーハWが収容されている。 また、カセットステーション200の他方側(図の上側
)の待機位置に複数のカセット203が載置されている
。各カセット203には処理済み(レジスト処理後)の
゛1′、導体ウェーハWが例えば25枚収容iiJ能で
ある。 そして、真空吸む式のウェーハ吸着ピンセット204が
、ウェーハ受け渡し台201及び各カセット202 、
203の間を移動IIJ能に設けられている。ピンセッ
ト204は、X軸移動機構205、Y軸移動機構206
、並びにθ回転機構207に支持されている。 なお、6カセツト202,203はyr降機構(図示せ
ず)に支持されており、それぞれの待機位置にてピンセ
ット204に連動して各カセット202 203が上下
動するようになっている。この連動動作によってカセッ
ト202 203とピンセット204との高さ方向の位
置1週整がなされ、ピンセット20奢によりカセット2
02から未処理ウェーハWが取り出され、また、カセッ
ト203に処理済みのウェーハWがもどされる。 ウェーハ受け渡し台201は、ガイドレール208.1
対のスライダ209a、 209b、 3本の一組の支
持ピン210を有する。スライダ209a、 209b
の相互対向面は、ウェーハWの外周に沿ってカーブし、
上径が1径より小さいすり鉢土のテーバに形成されてい
る。1対のスライダ209a、 209bは、駆動モー
タ(図示せず)によりガイドレール208上を互いに反
対方向にスライドするように設けられている。 すなわち、スライダ209a、 209bをスライドさ
せると両者の間隔が広がったり縮まったりする。 3本の支持ピン2!0が、スライダ209a、 209
bi7)中間位置の鉛直下方に立設され、ピン4降装置
(図示せず)により上下動するように設けられている。 これらのビン2!口及びスライダ209a、 209b
によりウェーハWが、ロボット110に対してセンタリ
ング(位置決め)される。 第2図及び第3図は、上記カセットステーション200
の吸着ピンセット204の一例を詳細に示している。ピ
ンセット本体2!はアーム状板からなり、この本体21
の先端部には吸着面22が形成され、半導体ウェーハW
は、この吸着面22に真空吸着される。吸着面22はウ
ェーハWとの接触面積が極力小さくなるように形成され
ており、ピンセット21表面のゴミの付着を防11−す
る効果がある。吸着面22には、開口した真空吸着のた
めの吸引口23が設けられている。 次に、プロセスステーション!00について詳しく説明
する。 各種の処理ユニットがトラックIIIの両側に配置され
ている。この例ではトラック目1の一方側にはカセット
ステーション200に近いほうから順に、HMDS処理
ユニット1011第1のプリベークユニット102、第
1の冷却ユニットI03、第2のプリベークユニット1
04、第2の冷却ユニット105が配列されている。ま
た、トラックIllの他方側にはカセットステーション
200に近いほうから順に、第1の塗布ユニット106
、第2の塗布ユニッ)107、表面被覆層塗布ユニット
108が配列されている。 HMDS処理ユニット101は、親水性のHMDS溶液
を半導体ウェつハWのパターン形成面に塗布し、レジス
ト膜の定着性(付る力)を向上させるためのものである
。第1のプリベークユニット102は、ウェーハWに塗
布された第1層[1のレジスト中に残存する溶剤を加熱
・蒸発させるためのものである。第1の冷却ユニット+
03は、第1のプリベークユニット102で加熱処理さ
れたウェーハWを冷却するためのものである。第2のプ
リベークユニット104は、第2層目ののレジスト中に
残存する溶剤を加熱処理するためのものである。 第1の塗布ユニット106及び第2の塗布ユニット10
7は、第1層11及び第2層[−1のレジストをそれぞ
れスピンコーディングするためのものである。 表面被覆層塗布ユニット108は、すでに塗布されたレ
ジスト膜の上に更にCEL膜などの表面被覆層を塗布形
成するためのものである。 次に、プロセスステーション100の搬送機構の例とし
てのロボットl 1.0について説明する。 ロボット110は、ウェーハ保持部50を備えたハンド
リング機構を含む。この場合、このハンドリング機構に
は、ウェーハWを保持するための2つのウェーハ保持部
50が上Fに重畳されて取り付けられている。この2つ
のウェーハ保持部50はそれぞれ独立にX方向(縦方向
)、Y方向(横方向)に移動0■能で、重畳されたウェ
ーハ保持部50は同時に2方向(垂直方向)に下行移動
がi+J能で、またθ方向に回動することができる。2
つのウェーハ保持部50の、このような平行移動及び回
動を可能とするため、ロボット+10にはステッピング
モータ及びこれに連結されたボールスクリュー等の図示
しない駆動機構が設けられている。2つのウェーハ保持
部50は、一方のウェーハ保持部50て未処理ウェーハ
を保持して処理ユニットに搬送し、この処理ユニットに
処理済みウェーハがあったとき、他方のウェーハ保持部
で処理済みウェーハをピックアップし、次に一方のウェ
ーハ保持部の未処理ウェーハをその処理ユニットにセッ
トする。 第4図に示すように、ロボット110のハンドリング機
構の第1の実施例のウェーハ保持部50は、アーム5!
の先端にリング状の支持枠52が設けられている。支持
枠52はウェーハWの直径より若干大きく、6インチウ
ェーハの場合、リング先端部が約72°の範囲で切り欠
かれている。この支持枠52は、例えば、アルミニウム
板でつくられている。 支持枠52には、3個の爪状の支持部材80が、その先
端の支持部62が支持枠52の内方に向かって突出する
ように、はぼ等間隔に取り付けられている。 これらの支持部材60は、発塵しにくく、且つ、熱伝導
率の小さな材料でつくられていることが好ましい。例え
ば、支持部材60は、アルミナ、窒化ケイ素等のセラミ
ックス材料やテフロン(商品名)でつくられている。 そして、第5図に示すように、各支持部材60は支持枠
52の裏面側からネジ53で支持枠52に固定されてい
る。 第6図及び第7図を参照しながら、支持部材60の支持
部62について詳しく説明する。支持部62の上部にテ
ーバエツジ64が形成されている。このテバエッジ64
は先端に進むにしたがって下り勾配となっている。支持
部材60のテーバエツジ64の傾斜角度は、水平を基準
として30°〜60°であることが好ましく、この例で
は例えば45°である。なお、支持部材60のベース部
61にネジ孔63が形成されている。 次に、上記実施例の装置によって、゛11導体ウェー/
%Wの表面にフォトレジスト膜を形成する工程を順を追
って説明する。この工程は、既述の制御システムの予め
記憶されたプログラムに基づいて実施される。 (1)吸着ピンセット204を1つのウェーハカセット
201の下方に位置させ、半導体ウェーI\Wを1枚だ
け仮管保持する。次いで、ビンセット204をX方向に
移動させて゛12導体ウェー/XWをカセット202か
ら取り出す。ビンセット204を9〔)0回転させた後
に、Y方向に移動させ、゛16導体ウェーハWをウェー
ハ受け渡し台201の上に載置する。 このとき、半導体ウニ ”Wは、オリエンテーションフ
ラットがトラック10の反対側(カセットステーション
200の側)になるようにウェーハ受け渡し台201上
に載置される。 (II)ウェーハ受け渡し台201において3本のビン
2!0を上昇させ、1対のスライダ209a、 209
bの間隔を狭め、半導体ウェーハWをセンタリングする
。センタリング位置決め後、ロボットIlOを受け渡し
台201の側に移動させ、一方のウェーノー保持部50
の支持枠52を半導体ウェーハWの下方に位置させる。 ロボットllOのZテーブルを上昇させ、指示枠52に
よりウェーハWを3点指示する。 このとき、ウェーハ受け渡し台201上のウェーハWの
センターとウェーハ保持部50のセンターとを一致させ
る。したがって、第5図に示すように、ウェーハWは指
示部材BOのエツジ84に沿って指示枠52内に滑り込
み、正確に水平保持される。 (m)ロボットlIOをY軸方向に移動させ、HMDS
処理ユニット101の前面に位置させる。次いで、ウェ
ーハ保持部50を90°回転させた後に、X軸方向に移
動させ、さらに、下降させてユニ・ント101の受入れ
台(図示せず)上にウェー/)Wを移載する。 (TV)ウェー7\保持部50の支持枠52を処理ユニ
・ソト101から撤去し、ウエーノ\WをHMDS処理
する。この間にカセットステーション200では、ピン
セット204を移動させて2番[1のウニ /”IWを
カセット202から取り出し、ウェーI\受け渡し台2
01に待機させておく。最初のウェー/1をユニ・ソト
101に搬入し終わった後、ロボット+10は受け渡し
台201から2番IIのウェー/%Wを一方のウェハ保
持部50て受け取り、保持する。そして、処理ユニット
101で最初のウエーノ1の処理が終了するまでそのま
ま待機する。 最初のウェーハWの処理ユニット101での処理が終了
したとき、ロボット110は次の動作を行なう。すなわ
ち、先ず、ウニ/%を保持していないウェーハ保持部5
0を処理ユニットIO1内に挿入させることにより、H
MDS処理が終了した最初のウェーハを処理ユニット+
01から取り出す。こうして処理ユニット101を空に
した後、2番目のつ工−ハを保持しているウェーハ保持
部50を動作させ、2番[Iのウェーハを処理ユニット
101にセットする。 (V)次いで、ウェーハ保持部50を180°回転させ
て、支持枠52で保持されたウェーハWを第1の塗布ユ
ニット106の前面に位置させる。ウェハ支持部50を
X軸方向に移動させ、下降させてウェーハWを第1の塗
布ユニット106の受け入れ台上に移載し、ウェーハ保
持部50の支持枠52をユニット106から撤去する。 以上の動作から、2つのウェーハ保持部50を設けた利
点が理解される。すなわち、ウェーハ保持部が1つしか
ない場合には、ロボット110は先ず最初のウェーハを
処理ユニット+01から取り出し、これを処理ユニット
10Bにセットし、その後に受渡し台201から2番目
のウェーハを受け取ってこれを処理ユニット101にセ
ットする動作を行なわなければならないからである。な
お、上記の動作が行われている間に、カセットステーシ
ョン200は、ビンセット204によって次に処理する
3番Elのウェーハを受け渡し台201に待機させてお
く。 以下同様である。 次に、ロボット110は受け渡し台201から3番目の
ウェーハをウェハ支持部50に保持する。そして、処理
ユニット10Bでの処理が終了するまで待機させる。 (Vl)最初のウエーノ1の処理ユニット108での処
理が終了したとき、ロボット110はウエーノ1を保持
していない方のウェーハ保持部50て処理ユニット10
6内のウェー71を取り出す。そして、ロボ・ソト11
0をY軸方向に移動させ、次にプログラムされた第1の
プリベークユニット102の前面に位置させる。 (■)次いで、ウェー/X保持部50を180 ’回転
させ、これをX軸方向に延ばし、ウェーl\Wをユニッ
ト102内の受け入れ台に移載する。ウエーノ1Wをユ
ニット102内で所定の温度に加熱する。このプリベー
ク処理の間に処理ユニット101における2番目のウエ
ーノ\の処理が終了したら、ロボ・ント110はウェー
ハを保持していない方のウェーハ保持部50によってこ
のウェーハを処理ユニット!O1から取り出す。そして
、他方のウェーハ保持部に保持している3番目のウェー
ハを処理ユニット!01にセットする。そして、ウェー
ハ保持部50を180’回転させ、これに保持している
2番目のウェーハを処理ユニット106にセットする。 なお、もし最初のウェーハの塗布工程が終了する前に、
2番目のウェーハのHMDS処理が終了する場合には、
次のような動作を行なうようにプログラムすることも可
能である。すなわち、先ず3番11の未処理のウェーハ
を一方のウェーハ保持部50に保持した状態で、他方の
ウェーハ保持部50により2番目のウェーハを処理ユニ
ット101から取り出す。続いて、一方のウェーハ保持
部50に保持されている3番目のウェーハを処理ユニッ
ト]O1にセットした後、待機する。そして、処理ユニ
ット!06における最初のウェーハの塗布工程が終了し
た後、この最初のウェーハを一方、または他方のウェー
ハ保持部で取り出し、第1のブリベ−クユニソト102
にセットする。この場合、レジスト塗布は、例えばレジ
スト液を滴下して回転塗布するスピンコーティング装置
により実行する。 (■)ベーキング処理後、ウェーハWをユニット102
から取り出す。ウェーハWを保持したときに、ウェーハ
Wと支持部(イ60との接触部分の面積が極めて小さい
(3点支持)ので、ウェーハWが実質的に温度変化しな
くなる。 (IX)以ドブログラムにしたがって、ロボット110
をトラック11!上で走行させ、各ユニット101゜1
06、102.103.107.104.105.10
8の順にウェーハWを移動させることにより、ウェーハ
Wのパターン形成面に所定のレジスト膜を形成する。 X)処理ユニット108にて表面被覆層塗布処理を終−
rしたウェーハWは、ロボットllOをY軸方向に移動
させて、この処理済みのウェーハWを受け渡し台201
上でセンタリング後、吸若ピンセッ!−204でウェー
ハWを吸着保持する。吸着ビンセット204をY軸移動
、θ回転、X軸移動、Z軸移動させ、アンローディング
側のウェーハカセット203に処理済みウェーハWを収
納する。 以上のような実施例によれば、カセットステーション2
00の吸着ピンセット204は、被処理体をピンセット
本体21の先端部に設けられ、ウェーハWとの接触面積
が極力小さくされた吸着面22において、真空吸着保持
するので、被処理体との相互接触面積が少なくなり、こ
の吸着ビンセット204で被処理体を保持する際の発塵
を低減できる。 また、プロセスステーション!00のウェーハ保持部5
0は、吸着部は有せず、少なくとも3点で支持するもの
であるから、やはり発塵を大幅に低減できる。 また、ウェーハ保持部50の支持部62のテーバエツジ
64にてウェーハWが3点支持されるので、つ工−ハW
と支持部材60との接触部分の面積が極めて小さくなる
。このため、ベーキング処理後のように、ウェーハWと
ウェーハ保持部50との温度差が70〜80℃もある場
合であっても、保持前後のウェーハWの温度変化を±0
.3℃の範囲に抑制することができる。この結果、塗布
むらを生じることなく、均一なレジスト膜を得ることが
できる。 また、上記第1の実施例によれば、ウェーハ受け渡し台
20!にて半導体ウェーハWをウェーハ保持部50に対
して位置決めするプリアライメント(センタリング)が
できるので、支持部材60が半導体ウェーハWに抵抗な
く滑らかに接触し、半導体ウェーハWを傷付けない。し
たがって、パーティクルの発生は少なくなる。 史に、半導体ウェーハWが支持部材60のテーバエツジ
64に沿って支持枠52内に滑り込むので、半導体ウェ
ーハWをより高精度にセンタリングすることができる。 なお、ウェーハ受け渡し台201での待機中、つ工−ハ
を直接載置部に接触させずに、作かに浮かせて載置する
ことがゴミ対策上有効である。また、待機機構はキャリ
アカセットにより構成すると更に有利である。 また、プリベーク処理ユニット102で、ウェー!\を
直接載置台に載置させずに、例えば3個の球状物によっ
てウェーハを支持し、載置台からは僅かに浮かせた状態
で加熱処理することで、ウェーハ裏面のゴミ対策上有利
になる。 また、フォトレジストの塗布工程及び/または加熱工程
が他の工程に比べて時間がかかる場合には、2つの塗布
ユニット及び/または2つの加熱ユニットを同時に使用
することも可能である。 以上の動作から明らかなように、上記実施例によれば、
半導体ウェーハの表面にフォトレジスト膜を形成するた
めに必要な複数の工程を、その順序をも含めた任意に組
み合わせて最良の工程をプログラムすることができる。 したがって、処理すべき半導体ウェーハの種類に応じて
最も効率のよい組み合わせプロセスを選択し、最大のス
ループットを得ることができる。 また、ロボット110が2つの保持部を有し、それぞれ
独立の動作をすることから、処理の自由度が高い。例え
ば次工程のユニットにウェーハが存在しているとその工
程のウェーハの入れ替えができないといった不都合がな
い。なお、ウェーハ保持部は必ずしも2つである必要は
なく、3つ以上であってもよい。 更に、プロセスステーション100では、各処理ユニッ
トをトラックillに沿ってその両側に配設しているた
め、ロボット110の動作プログラムの変更が8晶であ
る。また、処理ユニットを縦方向に積層して設置するこ
ともでき、このように処理ユニットを土ドに配置した場
合には、設置のために必要な床面積も節減される。 上記の実施例の装置は、所定のパターンで露光されたフ
ォトレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する
装置としても使用することができる。その場合には、2
つの塗布ユニット108.107の一方として現像液を
塗111するユニットが設けられる。現像装置は例えば
変速回転中のウェーノ1上に現像液をジェット状に噴出
させて現像する(h成のものを用いることができる。 また、2つの塗布ユニット106.107のいずれか一
方をフォトレジストの塗布に用い、他方を現像液の塗布
に用いることにより、フォトレジスト膜の形成及び現像
の両方を行なう装置として使用することができる。その
際、トラックl 1. lの右端にもウェーハ受け渡し
台201と同様のインターフェース機構を設け、露光装
置との間てウェーハの受け渡しを行なえるようにするこ
とにより、レジスト塗布から現像までを一貫した連続プ
ロセスとして実施することができる。 次に、第8図乃至第10図を参照しながら、ロボット目
0のウェーハ保持部の第2の実施例について説明する。 なお、第2の実施例と上記第1の実施例とが共通する部
分についての説明及び図示を省略する。 第8図に示すように、第2の実施例のウエーノ\保持部
70のアーム71の先端にリング状の支持枠72が設け
られている。支持枠72は、その内径が例えば、6イン
チ径のウェーハWより若干人きく、リング先端部が例え
ば約72@の範囲で切り欠かれている。この支持枠72
は、例えばアルミニウム板で構成されている。 6個の爪状の支持部材74が、その先端の支持部78が
支持枠72の内方に向かって突出するように、はぼ等間
隔に取り付けられている。これらの支持枠72は、アル
ミナ、窒化ケイ素等のセラミック祠料で作られている。 第9図及び第10図を参照しながら、支持部材74につ
いて更に詳しく説明する。 支持部材74は、ベース部76、ガイドテーパ部77及
び支持部78を有する。ベース部7Bにはねし孔75が
形成されている。このねじ孔75にねじ(図示せず)が
ねじ込まれて支持部材74が支持枠72に固定される。 ベース部76の一辺の長さは数ミリである。 ガイドテーパ部77は、ベース部7Bと支持部78との
間に設けられ、先端に進むに従って下り勾配となってい
る。この場合に、ガイドテーパ部77の傾斜角度は45
°である。 支持枠78は、幅がllll11で、長さが511■の
角棒状をなし、その上面79に下り勾配のテーパが設け
られている。支持部78の傾斜角度は1〜3°の範囲に
あることが好ましく、2″であることがより望ましい。 このウェーハ保持部50の第2の実施例によれば、ウェ
ーハWはテーパ部77に沿って案内され、支持部78に
落ち込み、支持部78の一部に当接した状態で支持され
る。このため、ウェーハWを確実に水平保持することが
でき、各処理ユニットへのつニーハローディング時にウ
ェーノ\Wを位置決めしやすくなる。 また、上記第2の実施例によれば、支持部材74が支持
枠72が6個取り付けであるので、オリエンテーション
フラットを有するウェー/%Wであっても、オリエンテ
ーションフラットの向きに関係なく、ウェーハWを確実
に保持することができる。 更に、ロボット110のウェーハ保持部の第3の実施例
を第11図乃至第13図に示す。 第11図に示すように、この例のウエーノ\保持部80
においては、3個の支持部材84は、支持部88が支持
枠82の内方に突出するように等間隔に支持枠82に取
り付けられている。支持部材84は、例えばねじ止めさ
れ、例えば弗化樹脂で作られている。 12図、第13図に示すように各支持部材84は長いベ
ース部86、ガイドテーバ部87、支持部88を有する
。ベース部86には2つのねじ孔85が形成されている
。ねじがねじ孔85にねじ込まれて枠82に部材84が
取り付けられている。ガイドテーパ部87は、ベース部
8Bと支持部88との間に設けられ、先端に進むにした
がって下り勾配となっている。 次に、処理ユニットを更に増加して連接したい場合には
、トラックIllの延長上に次のトラックが形成される
ように構成し、この接続部にウェーハの待機機構を設け
るようにすればよい。第14図は、その場合の例である
。 すなわち、カセット202 、202内のウェー/XW
を搬出、あるい(よりセット203 、203内ヘウエ
ーハWを搬入するピンセット204を有するキャリアス
テーシラン200と、このキャリアステーション20口
との間で、ウェー71受渡し台201でウェー/1Wの
受け渡しを行なうロボット11OAを備える第1のプロ
セスステーシラン100 Aと、この第1のプロセスス
テーション100 Aの図中右側に設けられ、ウェーハ
受渡し台201と同様のウェー/1載置台+51を有す
る待機機構150と、この待機機構150の載置台15
1でウェーハWの受け渡しを行なうロボット口OBを備
える第2のプロセスステーション100 Bとが設けら
れる。 第1のプロセスステーション100 Aには、例えば、
HMDS処理ユニット121、第1の加熱ユニット12
2、第1の冷却ユニット123、第1層目のレジストを
回転塗布する塗布ユニット124、第2層11のレジス
トを回転塗布する第2の塗布ユニット125を設け、こ
れら各処理ユニットに選択的にウェーハを搬送して処理
を行なう。 また、第2のプロセスステーション100 Bは、第1
のプロセスステーション100 AのトラックIII 
Aに連なる方向に、待機機1150を挟んでトラックI
ll Bが設けられ、ロボット110 Bがこのトラッ
クIll B上に設けられている。そして、第2のプロ
セスステーションIoOBもahの処理ユニットを有し
、この例では例えば第2の加熱ユニット131、第2の
冷却ユニット132、露光工程時の光乱反射を防止する
ためのレジスト上面にCEL膜等の表面被覆層を塗布形
成する第3の塗布ユニット133がトラック111 B
を挟んで対向配置されている。 待機機構150の載置台151は、ウェー/1Wを一枚
載置でき、第1のプロセスステーション100 Aのロ
ボット110 Aと第2のプロセスステーション100
 Bのロボット110 Bとの間で、ウェー/XWの受
け渡しを行なう。この待機機構!50の構成は、載置台
151を設けずにバッファ用カセットを設け、このカセ
ットにより複数枚のウエーノ1を待機できる構成として
もよい。このバッファ用カセ・ノドにより、ロボット1
10A及びロボットllOBの作業量の差があっても、
一方のロボットが待機する時間を少なくすることが可能
となる。 なお、図の例のように、待機機+1M150の左右だけ
でなく、待機機構150の図中上下方向にも、プロセス
ステーションを連接するようにすることもできる。 このように、待機機構1.50を介してプロセスステー
ションを複数系統とすることにより、処理ユニットの増
加に容品に対応することができると共に、高スルーブツ
ト処理が可能になる。 なお、上記実施例は、半導体製造装置としてレジストの
塗布、現像装置に適用した例について説明したが、これ
に限定するものではなく、例えばエツチング処理、CV
D処理、アッシング処理等でも同様の効果が得られる。 【発明の効果] 以上説明したように、この発明による半導体製造装置に
よれば、被処理基板の搬送機構を2つに分け、被処理基
板の収容容器に対する搬入、搬出のための第2の搬送機
構としては真空吸着部を有するものを用い、複数の処理
ユニットに対する被処理基板の搬入、搬出には真空吸着
部を有せず、複数点で保持する被処理基板との接触面積
の非常に少ないものを用いるようにしたので、従来に比
べて搬送時に、被処理基板からの発塵及びダストの発生
、付着を大幅に低減することができる。 また、複数の処理ユニットに対する搬送時に被処理基板
から流出する熱量、及び被処理基板に流人する熱量を減
少させることができ、所定の処理温度で良好な処理を行
なうことができる。 また、第1の搬送機構と第2の搬送機構との間に設けら
れるウェーハ受け渡し台に被処理基板の位置決め手段が
設けられている場合には、第1及び第2の搬送機構自身
には被処理基板の位置決め機構を設ける必要はないから
、これら搬送機構の構成を簡略化でき、被処理基板との
余分の接触部を少なくすることができる。このことも搬
送時の被処理基板からの発塵及びダストの発生、付着の
低減に寄Ijする。 上記のような効果を有する結果、この発明の装置は、プ
ロセス全体の信頼性が大幅に向上し、1′。 導体ウェーハの生産性の向上を図ることができる。 4、図面のfiI′l (Itな説明 第1図はこの発明による半導体製造装置の一実施例のレ
ジスト処理装置の構成図、第2図及び第3図は、第2の
搬送機構の例としてのキャリアステーションの吸むビン
セットの一例を示す図、第4図〜第7図は第1の搬送機
構の例としてのプロセスステーションのウェーハ保持部
の第1の実施例を示す図、第8図〜第10図は、ウェー
ハ保持部の第2の実施例を示す図、第11図〜第13図
は、ウェーハ保持部の第3の実施例を示す図、第14図
はこの発明による半導体製造装置の他の実施例の構成図
、第15図は従来のウェーハ吸着ビンセットの例を示す
図である。 100;プロセスステージジン 101〜108;処理ユニット 11O−ロボット 50;ウェーハ保持部 52;支持枠 60;支持部材 62;支持部 64;テーパエツジ 200:キャリアステーション 201;ウェーハ受け渡し台 202.203  、カセット 204;仮管ピンセット 21;ビンセット本体 2 ;吸着面 3 ;吸引口
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an example in which an embodiment of the six-conductor manufacturing apparatus according to the present invention is applied to a resist processing apparatus will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view showing the resist processing apparatus IO, and the resist processing apparatus IO in this example includes a process station 1.
00 and a cassette station 200. The operations of the six types of devices included in both stations are automatically controlled by a computer system (not shown). A wafer transfer table 201 is provided near the connection portion of the cassette station 200 with the process station 100, and a 1'-conductor wafer W is transferred from the cassette station 200 to the process station 100 via the wafer transfer table 201. It has become. Truck txt is a process station! 00 along the Y axis, and is provided from the rear of the wafer transfer table 201 to the front of the exposure unit (not shown). A rail 112 is laid on the track IIi, and the first
The robot 110 as an example of the transport mechanism is on the rail +12
is placed on top. The robot 110 moves the semiconductor wafer W to each processing unit 101, 102, 103, 104, 105, 10, which will be described later, of the process station 100.
B, 107, 108, and has a movement/handling mechanism for carrying in and carrying out. Next, the cassette station 200 will be explained in detail. Cassette 2 carried in by a transport robot (not shown)
02 is placed in a standby position on one side of the station 200 (lower side in the figure). Each cassette 202 stores, for example, 25 unprocessed (before resist processing) semiconductor wafers W. Further, a plurality of cassettes 203 are placed at a standby position on the other side (upper side in the figure) of the cassette station 200. Each cassette 203 can accommodate, for example, 25 processed (after resist processing) conductor wafers W. Vacuum suction type wafer suction tweezers 204 are attached to the wafer transfer table 201 and each cassette 202,
203 is provided for movement IIJ function. The tweezers 204 include an X-axis moving mechanism 205 and a Y-axis moving mechanism 206.
, and the θ rotation mechanism 207. The six cassettes 202 and 203 are supported by an yr lowering mechanism (not shown), and each cassette 202 and 203 moves up and down in conjunction with the tweezers 204 at their respective standby positions. Through this interlocking operation, the positions of the cassettes 202 and 203 and the tweezers 204 in the height direction are adjusted for one week, and the tweezers 20 and 204 align the cassettes
An unprocessed wafer W is taken out from the cassette 202, and a processed wafer W is returned to the cassette 203. The wafer transfer table 201 has a guide rail 208.1.
It has a pair of sliders 209a, 209b, and a set of three support pins 210. Sliders 209a, 209b
The mutually opposing surfaces of are curved along the outer periphery of the wafer W,
It is formed in a theba of mortar soil with an upper diameter smaller than 1 diameter. The pair of sliders 209a and 209b are provided to slide in opposite directions on the guide rail 208 by a drive motor (not shown). That is, when the sliders 209a and 209b are slid, the distance between them increases or decreases. The three support pins 2!0 are the sliders 209a, 209
bi7) It is installed vertically downward at an intermediate position and is provided so as to be moved up and down by a pin 4 lowering device (not shown). Bin 2 of these! Mouth and slider 209a, 209b
Accordingly, the wafer W is centered (positioned) with respect to the robot 110. 2 and 3 show the cassette station 200
An example of the suction tweezers 204 is shown in detail. Tweezers body 2! consists of an arm-shaped plate, and this main body 21
A suction surface 22 is formed at the tip of the semiconductor wafer W.
is vacuum-adsorbed to this suction surface 22. The suction surface 22 is formed so that its contact area with the wafer W is as small as possible, and has the effect of preventing dust from adhering to the surface of the tweezers 21. The suction surface 22 is provided with an open suction port 23 for vacuum suction. Next, the process station! 00 will be explained in detail. Various processing units are arranged on both sides of track III. In this example, on one side of track 1, in order from the one closest to the cassette station 200, there are an HMDS processing unit 1011, a first pre-bake unit 102, a first cooling unit I03, and a second pre-bake unit 1.
04, the second cooling unit 105 is arranged. Further, on the other side of the track Ill, there are first coating units 106 in order from the one closest to the cassette station 200.
, a second coating unit) 107, and a surface coating layer coating unit 108 are arranged. The HMDS processing unit 101 is for applying a hydrophilic HMDS solution to the pattern formation surface of the semiconductor wafer W to improve the fixing properties (adhering force) of the resist film. The first pre-bake unit 102 is for heating and evaporating the solvent remaining in the resist of the first layer [1] applied to the wafer W. First cooling unit +
03 is for cooling the wafer W that has been heat-treated in the first pre-bake unit 102. The second pre-bake unit 104 is for heat-treating the solvent remaining in the second layer resist. First coating unit 106 and second coating unit 10
7 is for spin-coding the resists of the first layer 11 and the second layer [-1, respectively. The surface coating layer coating unit 108 is used to further coat and form a surface coating layer such as a CEL film on the already coated resist film. Next, the robot l 1.0 as an example of the transport mechanism of the process station 100 will be described. Robot 110 includes a handling mechanism that includes a wafer holder 50 . In this case, two wafer holders 50 for holding the wafer W are attached to the handling mechanism so as to be superimposed on the upper F. These two wafer holders 50 can each independently move in the X direction (vertical direction) and Y direction (horizontal direction), and the superimposed wafer holder 50 can move downward in two directions (vertical direction) at the same time. With i+J function, it can also rotate in the θ direction. 2
In order to enable such parallel movement and rotation of the two wafer holders 50, the robot +10 is provided with a driving mechanism (not shown) such as a stepping motor and a ball screw connected thereto. The two wafer holders 50 are configured such that one wafer holder 50 holds an unprocessed wafer and transports it to a processing unit, and when there is a processed wafer in this processing unit, the other wafer holder 50 transfers the processed wafer. The unprocessed wafers in one wafer holder are then set in the processing unit. As shown in FIG. 4, the wafer holding section 50 of the first embodiment of the handling mechanism of the robot 110 has an arm 5!
A ring-shaped support frame 52 is provided at the tip. The support frame 52 is slightly larger than the diameter of the wafer W, and in the case of a 6-inch wafer, the tip of the ring is cut out within a range of approximately 72°. This support frame 52 is made of, for example, an aluminum plate. Three claw-shaped support members 80 are attached to the support frame 52 at approximately equal intervals so that the support portions 62 at the tips thereof protrude inwardly from the support frame 52 . These support members 60 are preferably made of a material that does not easily generate dust and has low thermal conductivity. For example, the support member 60 is made of a ceramic material such as alumina or silicon nitride, or Teflon (trade name). As shown in FIG. 5, each support member 60 is fixed to the support frame 52 from the back side of the support frame 52 with screws 53. The support portion 62 of the support member 60 will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7. A taber edge 64 is formed on the upper part of the support part 62. This Teva Edge 64
The slope slopes downward toward the tip. The inclination angle of the taber edge 64 of the support member 60 is preferably 30° to 60° with respect to the horizontal, and in this example is 45°, for example. Note that a screw hole 63 is formed in the base portion 61 of the support member 60. Next, by using the apparatus of the above embodiment, "11 conductor wafers/
The process of forming a photoresist film on the surface of %W will be explained step by step. This step is performed based on a pre-stored program of the control system described above. (1) The suction tweezers 204 are positioned below one wafer cassette 201 to hold only one semiconductor wafer I\W in a temporary tube. Next, the bin set 204 is moved in the X direction to take out the 12 conductor wafers/XW from the cassette 202. After rotating the bin set 204 by 9[)0, it is moved in the Y direction and the 16 conductor wafer W is placed on the wafer transfer table 201. At this time, the semiconductor urchin "W" is placed on the wafer transfer table 201 so that the orientation flat is on the opposite side of the track 10 (the side of the cassette station 200). (II) On the wafer transfer table 201, the three Raise the bin 2!0 and move the pair of sliders 209a, 209
The distance b is narrowed to center the semiconductor wafer W. After centering and positioning, the robot IlO is moved to the side of the transfer table 201, and one of the wafer holding parts 50
The supporting frame 52 is positioned below the semiconductor wafer W. The Z table of the robot 11O is raised, and three points on the wafer W are indicated using the instruction frame 52. At this time, the center of the wafer W on the wafer transfer table 201 and the center of the wafer holder 50 are aligned. Therefore, as shown in FIG. 5, the wafer W slides into the pointing frame 52 along the edge 84 of the pointing member BO and is accurately held horizontally. (m) Move the robot IIO in the Y-axis direction and
It is located in front of the processing unit 101. Next, the wafer holder 50 is rotated 90 degrees, moved in the X-axis direction, and further lowered to transfer the wafer W onto a receiving table (not shown) of the unit 101. (TV) The support frame 52 of the way 7\holding section 50 is removed from the processing unit 101, and the way 7\W is processed by HMDS. During this time, at the cassette station 200, the tweezers 204 are moved to take out the 2nd [1] IW from the cassette 202, and
Leave it on standby at 01. After the first wafer/1 has been carried into the Uni-Soto 101, the robot +10 receives the wafer No. 2 II/%W from the transfer table 201 and holds it in one wafer holding section 50. Then, the processing unit 101 waits until the processing of the first Ueno 1 is completed. When the processing of the first wafer W in the processing unit 101 is completed, the robot 110 performs the following operation. That is, first, the wafer holding section 5 that does not hold sea urchins/%
By inserting 0 into processing unit IO1, H
The first wafer that has undergone MDS processing is transferred to the processing unit +
Take it out from 01. After the processing unit 101 is emptied in this way, the wafer holding section 50 holding the second wafer is operated, and the wafer No. 2 [I is set in the processing unit 101. (V) Next, the wafer holding section 50 is rotated 180 degrees to position the wafer W held by the support frame 52 in front of the first coating unit 106. The wafer support section 50 is moved in the X-axis direction and lowered to transfer the wafer W onto the receiving table of the first coating unit 106, and the support frame 52 of the wafer holding section 50 is removed from the unit 106. From the above operation, the advantage of providing two wafer holders 50 can be understood. That is, when there is only one wafer holding section, the robot 110 first takes out the first wafer from the processing unit +01, sets it in the processing unit 10B, and then receives the second wafer from the transfer table 201. This is because it is necessary to set this in the processing unit 101. Note that while the above operation is being performed, the cassette station 200 keeps the wafer No. 3 El to be processed next by the bin set 204 on standby on the transfer table 201. The same applies below. Next, the robot 110 holds the third wafer from the transfer table 201 on the wafer support section 50 . Then, the processing unit 10B waits until the processing in the processing unit 10B is completed. (Vl) When the processing of the first wafer 1 in the processing unit 108 is completed, the robot 110 moves the wafer holder 50 that does not hold the wafer 1 to the processing unit 108.
The wafer 71 in 6 is taken out. And Robo Soto 11
0 in the Y-axis direction and then positioned in front of the programmed first pre-bake unit 102. (■) Next, the way/X holding section 50 is rotated 180', extended in the X-axis direction, and the way l\W is transferred to the receiving table in the unit 102. Ueno 1W is heated to a predetermined temperature within the unit 102. When the processing of the second wafer in the processing unit 101 is completed during this pre-bake processing, the robot 110 transfers this wafer to the processing unit using the wafer holder 50 that does not hold the wafer. Take it out from O1. Then, the third wafer held in the other wafer holder is transferred to the processing unit! Set to 01. Then, the wafer holder 50 is rotated 180', and the second wafer held therein is set in the processing unit 106. In addition, if the coating process for the first wafer is completed,
When the HMDS processing of the second wafer is finished,
It is also possible to program the following operations. That is, first, while unprocessed wafer No. 3 and 11 is held in one wafer holder 50, the second wafer is taken out from the processing unit 101 by the other wafer holder 50. Subsequently, the third wafer held in one of the wafer holding sections 50 is set in the processing unit O1, and then the processing unit waits. And the processing unit! After the first wafer coating process in step 06 is completed, the first wafer is taken out by one or the other wafer holder and transferred to the first unbaked unit 102.
Set to . In this case, the resist coating is performed using, for example, a spin coating device that drops a resist solution and spins the coating. (■) After the baking process, the wafer W is placed in the unit 102.
Take it out. When the wafer W is held, the area of contact between the wafer W and the support part (A 60) is extremely small (3-point support), so the temperature of the wafer W does not substantially change. , robot 110
Track 11! Run it on the top, each unit 101゜1
06, 102.103.107.104.105.10
By moving the wafer W in the order of 8, a predetermined resist film is formed on the pattern formation surface of the wafer W. X) Finish the surface coating layer coating process in the processing unit 108.
The processed wafer W is transferred to the transfer table 201 by moving the robot IIO in the Y-axis direction.
After centering on top, suck young tweezers! -204 holds the wafer W by suction. The suction bin set 204 is moved in the Y axis, rotated θ, moved in the X axis, and moved in the Z axis, and the processed wafer W is stored in the wafer cassette 203 on the unloading side. According to the above embodiment, the cassette station 2
The suction tweezers 204 of No. 00 hold the object to be processed by vacuum suction on the suction surface 22 provided at the tip of the tweezers main body 21 and whose contact area with the wafer W is minimized, thereby preventing mutual contact with the object to be processed. The area is reduced, and dust generation when holding objects to be processed with this suction bottle set 204 can be reduced. Also a process station! 00 wafer holding part 5
No. 0 does not have a suction part and is supported at at least three points, so it is possible to significantly reduce dust generation. In addition, since the wafer W is supported at three points by the taber edge 64 of the support part 62 of the wafer holding part 50, the wafer W
The area of the contact portion between the support member 60 and the supporting member 60 becomes extremely small. Therefore, even if the temperature difference between the wafer W and the wafer holder 50 is as much as 70 to 80 degrees Celsius, such as after baking, the temperature change of the wafer W before and after holding can be reduced to ±0.
.. It can be suppressed to a range of 3°C. As a result, a uniform resist film can be obtained without causing uneven coating. Further, according to the first embodiment, the wafer transfer table 20! Since pre-alignment (centering) for positioning the semiconductor wafer W with respect to the wafer holder 50 can be performed in the step, the support member 60 smoothly contacts the semiconductor wafer W without resistance and does not damage the semiconductor wafer W. Therefore, fewer particles are generated. Since the semiconductor wafer W slides into the support frame 52 along the tabular edge 64 of the support member 60, the semiconductor wafer W can be centered with higher precision. Note that while waiting on the wafer transfer table 201, it is effective to prevent dust by floating the wafer on the wafer without directly contacting the wafer placement section. Further, it is further advantageous if the standby mechanism is constituted by a carrier cassette. Also, in the pre-bake processing unit 102, Wa! By supporting the wafer with, for example, three spherical objects without directly placing it on the mounting table, and performing the heat treatment while slightly floating above the mounting table, it is advantageous in terms of dust prevention on the back side of the wafer. Furthermore, if the photoresist coating process and/or heating process takes more time than other processes, it is also possible to use two coating units and/or two heating units at the same time. As is clear from the above operation, according to the above embodiment,
The optimal process can be programmed by arbitrarily combining the plurality of processes necessary to form a photoresist film on the surface of a semiconductor wafer, including their order. Therefore, it is possible to select the most efficient combination process depending on the type of semiconductor wafer to be processed and obtain the maximum throughput. Further, since the robot 110 has two holding parts, each of which operates independently, the degree of freedom in processing is high. For example, if a wafer exists in a unit for the next process, there is no inconvenience such as not being able to replace the wafer for that process. Note that the number of wafer holding parts does not necessarily have to be two, and may be three or more. Furthermore, in the process station 100, since each processing unit is arranged on both sides of the track ill, the operation program of the robot 110 can be changed in eight steps. Furthermore, the processing units can be installed in a vertically stacked manner, and when the processing units are arranged on the ground in this way, the floor space required for installation is also reduced. The apparatus of the above embodiment can also be used as an apparatus for developing a photoresist film exposed in a predetermined pattern to form a resist pattern. In that case, 2
A unit for applying a developer 111 is provided as one of the two application units 108 and 107. For example, the developing device jets a developer onto the wafer 1 which is rotating at variable speeds to develop the image. By using one for coating the photoresist film and the other for coating the developer, it can be used as an apparatus for both forming and developing a photoresist film.In this case, there is also a wafer transfer table at the right end of the track l. By providing an interface mechanism similar to 201 and allowing wafers to be transferred to and from the exposure apparatus, processes from resist coating to development can be carried out as an integrated continuous process. A second embodiment of the wafer holding section of robot eye 0 will be described with reference to FIGS. As shown in Fig. 8, a ring-shaped support frame 72 is provided at the tip of the arm 71 of the ueno\ holding part 70 of the second embodiment.The support frame 72 has an inner diameter of, for example, This support frame 72 is slightly larger than the 6-inch diameter wafer W, and the tip of the ring is notched in a range of about 72@, for example.
is made of, for example, an aluminum plate. Six claw-shaped support members 74 are attached at approximately equal intervals so that the support portions 78 at the tips of the support members 74 protrude inward from the support frame 72. These support frames 72 are made of ceramic abrasive material such as alumina and silicon nitride. The support member 74 will be explained in more detail with reference to FIGS. 9 and 10. The support member 74 has a base portion 76, a guide tapered portion 77, and a support portion 78. A punch hole 75 is formed in the base portion 7B. A screw (not shown) is screwed into this screw hole 75 to fix the support member 74 to the support frame 72. The length of one side of the base portion 76 is several millimeters. The guide tapered portion 77 is provided between the base portion 7B and the support portion 78, and has a downward slope toward the tip. In this case, the inclination angle of the guide taper portion 77 is 45
°. The support frame 78 has a rectangular rod shape with a width of 1111 mm and a length of 511 square meters, and its upper surface 79 is tapered downward. The inclination angle of the support part 78 is preferably in the range of 1 to 3 degrees, and more preferably 2''. The wafer W is guided along the wafer, falls into the support part 78, and is supported while being in contact with a part of the support part 78. Therefore, the wafer W can be reliably held horizontally, and knee loading to each processing unit is prevented. In addition, according to the second embodiment, since the support member 74 has six support frames 72 attached, even if the wane/%W has an orientation flat, The wafer W can be held securely regardless of the orientation of the orientation flat. Furthermore, a third embodiment of the wafer holding section of the robot 110 is shown in FIGS. 11 to 13. As shown in FIG. In this example, Ueno\holding part 80
In this case, the three supporting members 84 are attached to the supporting frame 82 at equal intervals so that the supporting parts 88 protrude inward of the supporting frame 82. The support member 84 is screwed, for example, and is made of, for example, fluorinated resin. As shown in FIGS. 12 and 13, each support member 84 has a long base portion 86, a guide tapered portion 87, and a support portion 88. Two screw holes 85 are formed in the base portion 86 . A member 84 is attached to the frame 82 by screwing into a screw hole 85. The guide tapered portion 87 is provided between the base portion 8B and the support portion 88, and has a downward slope toward the tip. Next, if it is desired to further increase the number of processing units and connect them, the next track may be formed as an extension of track Ill, and a wafer standby mechanism may be provided at this connection. FIG. 14 is an example of that case. That is, the way/XW in the cassettes 202, 202
The wafer/1W is transferred between the carrier station run 200 having the tweezers 204 for carrying the wafer W into the set 203, 203, and this carrier station 20 port on the wafer 71 transfer table 201. A first process station run 100A including a robot 11OA; a standby mechanism 150 provided on the right side of the first process station 100A in the figure and having a wafer/1 loading table +51 similar to the wafer transfer table 201; The mounting table 15 of this standby mechanism 150
A second process station 100B having a robot port OB for transferring wafers W is provided. The first process station 100A includes, for example,
HMDS processing unit 121, first heating unit 12
2. A first cooling unit 123, a coating unit 124 for spin-coating the first layer of resist, and a second coating unit 125 for spin-coating the second layer 11 are provided, and each of these processing units is selectively The wafer is transported and processed. Further, the second process station 100B
Track III of process station 100A
In the direction leading to A, the truck I is placed across the standby aircraft 1150.
Ill B is provided, and a robot 110 B is provided on this track Ill B. The second process station IoOB also has a processing unit of ah. A third coating unit 133 that coats and forms a surface coating layer such as a film is on the track 111B.
are placed opposite each other. The mounting table 151 of the standby mechanism 150 can place one wafer/1W, and the robot 110A of the first process station 100A and the second process station 100
B's robot 110 Transfers ways/XWs to and from B. This standby mechanism! The configuration of 50 may be such that a buffer cassette is provided without providing the mounting table 151, and a plurality of ueno sheets 1 can be placed on standby using this cassette. With this buffer case and throat, robot 1
Even if there is a difference in the amount of work between 10A and robot 11OB,
This makes it possible to reduce the time that one robot waits. Note that, as in the example shown in the figure, process stations can be connected not only to the left and right sides of the standby machine +1M150, but also to the top and bottom directions of the standby mechanism 150 in the figure. In this way, by providing a plurality of processing stations via the standby mechanism 1.50, it is possible to accommodate an increase in the number of processing units and to handle the number of containers, and high-throughput processing becomes possible. In the above embodiment, an example was explained in which the application was applied to a resist coating and developing device as a semiconductor manufacturing device, but the invention is not limited to this, and for example, etching processing, CV
Similar effects can be obtained by D processing, ashing processing, etc. Effects of the Invention As described above, according to the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, the transport mechanism for the substrate to be processed is divided into two, and the second transport mechanism is used for carrying the substrate to be processed into and out of the storage container. The mechanism is equipped with a vacuum suction section, and the substrates to be processed are carried in and out of multiple processing units without a vacuum suction section, and the contact area with the substrates to be processed, which are held at multiple points, is extremely small. Since this method uses a substrate, it is possible to significantly reduce dust generation and adhesion from the substrate to be processed during transportation compared to the conventional method. Furthermore, the amount of heat flowing out from the substrate to be processed and the amount of heat flowing into the substrate to be processed during transportation to a plurality of processing units can be reduced, and excellent processing can be performed at a predetermined processing temperature. Furthermore, if the wafer transfer table provided between the first and second transport mechanisms is provided with positioning means for the substrate to be processed, the first and second transport mechanisms themselves are Since there is no need to provide a positioning mechanism for the substrate to be processed, the configuration of these transport mechanisms can be simplified and the number of extra contact parts with the substrate to be processed can be reduced. This also contributes to reducing dust generation and adhesion from the substrate to be processed during transportation. As a result of the above-mentioned effects, the apparatus of the present invention greatly improves the reliability of the entire process. It is possible to improve the productivity of conductor wafers. 4. FiI'l of the Drawings (Explanation of It) FIG. 1 is a block diagram of a resist processing apparatus as an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, and FIGS. 2 and 3 are an example of a second transport mechanism. FIG. 4 to FIG. 7 are diagrams showing a first embodiment of a wafer holding section of a process station as an example of the first transport mechanism. FIG. 10 is a diagram showing a second embodiment of the wafer holding section, FIGS. 11 to 13 are diagrams showing a third embodiment of the wafer holding section, and FIG. 14 is a diagram showing a semiconductor manufacturing method according to the present invention. A block diagram of another embodiment of the apparatus, FIG. 15 is a diagram showing an example of a conventional wafer suction bin set. 100; Process stage bins 101 to 108; Frame 60; Support member 62; Support part 64; Taper edge 200: Carrier station 201; Wafer transfer table 202, 203, cassette 204; Tracheid tweezers 21; Bin set body 2; Suction surface 3; Suction port

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)被処理基板の搬送経路に沿って設けられた複数の
処理ユニットと、 上記搬送経路に沿って移動可能で、上記複数の処理ユニ
ットに対して上記被処理基板の受け渡しが可能な第1の
搬送機構と、 複数個の被処理基板を収容可能な収容容器に対し、上記
被処理基板を搬入および/又は搬出するための第2の搬
送機構と、 上記第1の搬送機構と上記第2の搬送機構との間に設け
られ、上記被処理基板を上記第1の搬送機構と第2の搬
送機構との間で受け渡しを行なうための受け渡し台とを
有し、 上記第1の搬送機構は、複数の基板保持用爪によって、
上記被処理基板の周縁部を複数点で保持するように構成
され、 上記第2の搬送機構は、上記被処理基板を真空吸着可能
としたことを特徴とする半導体製造装置。
(1) a plurality of processing units provided along a transport path for the substrate to be processed; and a first processing unit that is movable along the transport path and capable of delivering and delivering the substrate to the processing unit to the plurality of processing units; a second transport mechanism for loading and/or unloading the substrate to be processed into and/or out of a storage container capable of accommodating a plurality of substrates to be processed; the first transport mechanism; and the second transport mechanism. a transfer table provided between the transfer mechanism and the transfer table for transferring the substrate to be processed between the first transfer mechanism and the second transfer mechanism, the first transfer mechanism , by multiple board holding claws,
A semiconductor manufacturing apparatus, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is configured to hold the peripheral edge of the substrate to be processed at a plurality of points, and the second transport mechanism is capable of vacuum suctioning the substrate to be processed.
(2)上記受け渡し台に上記被処理基板の位置決め調整
手段を設けたことを特徴とする請求項(1)記載の半導
体製造装置。
(2) The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the transfer table is provided with means for positioning and adjusting the substrate to be processed.
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