JPH03211749A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

この発明は、半導体製造装置に関する。

【従来の技術】

半導体製造においては、被処理基板例えば半導体ウェー
ハは複数の処理工程で各種の処理を受けるが、近年、半
導体ウェーハに形成される半導体素子の高集積度化に伴
い、処理工程は増加し、また、複雑化している。例えば
半導体ウェーハのレジスト処理工程もより微細化されて
おり、このためレジスト処理装置は、例えば半導体ウェ
ーハをヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）等の密着強化
剤を表面処理するユニット、これにレジスト液を塗布す
るユニット、これをべ一牛ングするユニット、さらにこ
れを現像処理するユニット等を有する。 このように複数の処理ユニットが必要である場合に、各
処理ユニットをライン状に配列した場合には、処理上程
の変更に対応することができないので、装置全体をフレ
キシブルな構成とすることにより、複ガ１な処理１′、
程や、工程の変更に対してえ１処できるようにした改良
されたレジスト処理装置が提案されている。この改良型
のレジスト処理装置においては、レジスト処理装置内に
通路（トラック）を設け、このトラック内を搬送装置と
してのハンドリング装置が、移動することにより、塗４
１ユニットやヘーキンクユニットなどの各処理ユニット
のうちから必要なものを選択することができるようにし
ている。 上記のレジスト処理装置におけるハンドリング装置は、
複数枚例えば２５枚程度のウェーハが収容されるカセッ
トから、つｌ　　’Ｘを１枚ずつ搬出する必要があるた
め、真空吸着方式のウェー７１ピンセツトが従来から用
いられる。 この従来の真空吸着方式のウェー７１ピンセツトは、例
えば第１５図に示すように、Ｕ字状のつ工−ハ載置面１
の所定領域に渡ってＵ字状に真空吸着部２が形成されて
いる。そして、半導体ウェーハ３の裏面がウェーハ載置
面１の全面と接触した状態で、真空吸着部２によって半
導体ウェーハ３が、このピンセットで真空吸着保持され
る。

【発明が解決しようとする課題】

ところで、゛ｔ′−導体製造の環境は、上記処理工程の
微細化にけってダストやパーティクルの付着による゛１
１導体素子の欠陥を防止するために、よりクリーン度の
高いことが要求されており、半導体製造装置自体からの
発塵も厳しく管理して低減する必要がある。 ところが、従来のウェーハ吸着ピンセットは、上述した
ように比較的広い面積のウェーハ載置面１の全面が゛μ
導体ウェーハの裏面に接触する構造となっているために
、次のような欠点がある。 すなわら、半導体ウェーハ３の裏面をミクロ的に考察す
ると、この裏面は比較的ざらざらしており、山形の突起
状部が多数存在した状態である。 ウェーハピンセットの載置面１は、このウェーＩ＼３の
裏面の山形の突起状部に比較的広範囲に渡って接触する
ことになり、しかも、比較的広い開口面積を有する真空
吸着部２にて゛ト導体ウニ”３を成骨することにより、
ウェーハ３の裏面の突起状部が破損し、これがダストと
して半導体製造装置内に飛散してしまうという問題があ
る。 このような吸着方式のハンドリング装置の不都合を解消
するために、例えばＵ　Ｓ　Ｐ　４，５０７．０７１１
１号公報には、リング状の部材を用いて半導体ウェーハ
を保持するハンドリング装置が開示されている。 このようなハンドリング装置によれば、゛１′−導体ウ
ェーハがリング状の部材に嵌まりこむだけで保持される
ので、゛１′−導体つＪＣ”へのダスト付ｎ量が大幅に
低減される。 ところが、このリング状部材を用いる方式では、ウエー
ハカセッ］・から半導体ウェーＩ＼を搬出することが困
難である。 また、通常、レジスト処理装置では、ＨＭＤ　Ｓ処理時
、レジスト塗布時、現像処理時などにおける半導体ウェ
ーハの温度がそれぞれ異なるため、各処理工程の前工程
でウェーハを温度調整する。 ところが、上記のウェーハ吸着ピンセットやリング状部
材を使用するハンドリング装置では、半導体ウェーハと
の相互接触部分が比較的広く、この相互接触部分を介し
て熱交換が行われるので、ｌｑ導体ウェーハ周縁部と中
央部とに温度差が生じ、後工程に悪影響が及ぶ場合があ
る。このため、レジスト処理時のウェーハ温度を厳密に
管理することができず、レジスト膜厚が目標の厚さにな
らないなどの問題を生じる欠点がある。 この発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、ダスト
の点でも、温度管理の点でも優れたハンドリング装置を
倫えた半導体製造装置を提供しようとするものである。

【課題を解決するための手段】

この発明による半導体製造装置は、 被処理基板の搬送経路に沿って設けられた複数の処理ユ
ニットと、 上記搬送経路に沿って移動可能で、上記複数の処理ユニ
ットに対して上記被処理基板の受け渡しが可能な第１の
搬送機構と、 複数個の被処理基板を収容可能な収容容器に対し、上記
被処理基板を搬入および／又は搬出するための第２の搬
送機構と、 上記第１の搬送機構と上記第２の搬送機構との間に設け
られ、上記被処理基板を上記第１の搬送機構と第２の搬
送機構との間で受け渡しを行なうための受け渡し台とを
有し、 上記第１の搬送機構は、複数の基板保持用爪によって、
上記被処理基板の周縁部を：娶数点で保持するように構
成され、 上記第２の搬送機構は、上記被処理基板を真空吸着可能
としたことを特徴とする。 また、上記受け渡し台に」−泥波処理基板の位置決め調
整手段を設けたことを特徴とする。

【作用】

複数枚の被処理基板を収容可能な収容容器にχ１し、被
処理基板を搬入又は搬出する際には、真空吸着部を有す
る第２の搬送機構が用いられる。 そして、被処理基板は受け渡し台を介して、この第２の
搬送機構と第１の搬送機構との間で受け渡しが行われる
。受け渡し台に位置決め調整手段がある時は、これによ
り被処理基板は、受け渡し台の所定の位置に位置決めさ
れる。 第１の搬送機構は、搬送経路を移動して、複数の処理ユ
ニットに対して被処理基板を搬入及び搬出する。 この場合に、この発明では搬送機構が２つに分けられ、
第２の搬送機構は収容容器に対する被処理基板の搬入、
搬出のため真空吸着部を有するが、第１の搬送機構は、
真空吸着部をＨしないと共に、複数の基板保持用爪によ
って、上記被処理基板の周縁部を複数点で保持するもの
であるから、基板と間での擦れなどによるパーティクル
の発生は殆どない。 そして、第２の搬送機構は上記のように被処理基板の収
容容器に対する搬入、搬出にだけ使用され、複数の処理
ユニットへの被処理基板の搬入搬出は第１の搬送機構が
用いられるから、全体としてパーティクルの発生は少な
くなり、半導体製造装置内のクリーン度を非常に高く保
つことができる。 さらに、第１の搬送機構では、被処理基板との接触面積
が非常に少ないので、搬送時に被処理基板から流出ある
いは流入する熱量が減少する。したがって、被処理基板
は所定の処理温度で良好に処理を行なうことができる。 受け渡し台に被処理基板の位置決め手段が設けられてい
る場合には、第１及び第２の搬送機構自身には被処理基
板の位置決め機構を設ける必要はないから、これら搬送
機構の構成を簡略化できる。

【実施例】

以ド、この発明による゛］６導体製造装置の一実施例を
レジスト処理装置に適用した場合を例にとって、図を参
照しながら説明する。 第１図は、レジスト処理装置ｌＯを示す平面図で、この
例のレジスト処理装置ＩＯは、プロセスステーション１
００とカセットステーション２００とて構成されている
。両ステーションに含まれる６種装置の動作は、コンピ
ュータシステム（図示せず）により自動制御されるよう
になっている。 カセットステーション２００の、プロセスステーション
１００との連結部近傍にウェーハ受け渡し台２０１が設
けられ、このウェーハ受渡し台２０１を介してカセット
ステーション２００からプロセスステーション１００に
１′−導体ウェーハＷが受け渡されるようになっている
。 トラックｔｘｔが、プロセスステーション！００の中央
をＹ軸に沿って延び、ウェーハ受け渡し台２０１の後方
から露光ユニット（図示せず）の前方まで設けられてい
る。トラックｌＩｉにはレール１１２が敷設され、第１
の搬送機構の例としてのロボット１１０がレール＋１２
上に載置されている。ロボット１１０は、半導体ウェー
ハＷをプロセスステーション１００の後述する各処理ユ
ニット１０１，１０２゜１０３．１０４．１０５．１０
Ｂ、１０７，１０８に搬送し、搬入、搬出するための移
動・ハンドリング機構を有している。 次に、カセットステーション２００について詳しく説明
する。 運搬ロボット（図示せず）により搬入されたカセット２
０２がステーション２００の一方側（図の下側）の待機
位置に載置されている。そして、各カセット２０２には
例えば２５枚の未処理（レジスト処理前）の半導体ウェ
ーハＷが収容されている。 また、カセットステーション２００の他方側（図の上側
）の待機位置に複数のカセット２０３が載置されている
。各カセット２０３には処理済み（レジスト処理後）の
゛１′、導体ウェーハＷが例えば２５枚収容ｉｉＪ能で
ある。 そして、真空吸む式のウェーハ吸着ピンセット２０４が
、ウェーハ受け渡し台２０１及び各カセット２０２　、
２０３の間を移動ＩＩＪ能に設けられている。ピンセッ
ト２０４は、Ｘ軸移動機構２０５、Ｙ軸移動機構２０６
、並びにθ回転機構２０７に支持されている。 なお、６カセツト２０２，２０３はｙｒ降機構（図示せ
ず）に支持されており、それぞれの待機位置にてピンセ
ット２０４に連動して各カセット２０２　２０３が上下
動するようになっている。この連動動作によってカセッ
ト２０２　２０３とピンセット２０４との高さ方向の位
置１週整がなされ、ピンセット２０奢によりカセット２
０２から未処理ウェーハＷが取り出され、また、カセッ
ト２０３に処理済みのウェーハＷがもどされる。 ウェーハ受け渡し台２０１は、ガイドレール２０８．１
対のスライダ２０９ａ、　２０９ｂ、　３本の一組の支
持ピン２１０を有する。スライダ２０９ａ、　２０９ｂ
の相互対向面は、ウェーハＷの外周に沿ってカーブし、
上径が１径より小さいすり鉢土のテーバに形成されてい
る。１対のスライダ２０９ａ、　２０９ｂは、駆動モー
タ（図示せず）によりガイドレール２０８上を互いに反
対方向にスライドするように設けられている。 すなわち、スライダ２０９ａ、　２０９ｂをスライドさ
せると両者の間隔が広がったり縮まったりする。 ３本の支持ピン２！０が、スライダ２０９ａ、　２０９
ｂｉ７）中間位置の鉛直下方に立設され、ピン４降装置
（図示せず）により上下動するように設けられている。 これらのビン２！口及びスライダ２０９ａ、　２０９ｂ
によりウェーハＷが、ロボット１１０に対してセンタリ
ング（位置決め）される。 第２図及び第３図は、上記カセットステーション２００
の吸着ピンセット２０４の一例を詳細に示している。ピ
ンセット本体２！はアーム状板からなり、この本体２１
の先端部には吸着面２２が形成され、半導体ウェーハＷ
は、この吸着面２２に真空吸着される。吸着面２２はウ
ェーハＷとの接触面積が極力小さくなるように形成され
ており、ピンセット２１表面のゴミの付着を防１１−す
る効果がある。吸着面２２には、開口した真空吸着のた
めの吸引口２３が設けられている。 次に、プロセスステーション！００について詳しく説明
する。 各種の処理ユニットがトラックＩＩＩの両側に配置され
ている。この例ではトラック目１の一方側にはカセット
ステーション２００に近いほうから順に、ＨＭＤＳ処理
ユニット１０１１第１のプリベークユニット１０２、第
１の冷却ユニットＩ０３、第２のプリベークユニット１
０４、第２の冷却ユニット１０５が配列されている。ま
た、トラックＩｌｌの他方側にはカセットステーション
２００に近いほうから順に、第１の塗布ユニット１０６
、第２の塗布ユニッ）１０７、表面被覆層塗布ユニット
１０８が配列されている。 ＨＭＤＳ処理ユニット１０１は、親水性のＨＭＤＳ溶液
を半導体ウェつハＷのパターン形成面に塗布し、レジス
ト膜の定着性（付る力）を向上させるためのものである
。第１のプリベークユニット１０２は、ウェーハＷに塗
布された第１層［１のレジスト中に残存する溶剤を加熱
・蒸発させるためのものである。第１の冷却ユニット＋
０３は、第１のプリベークユニット１０２で加熱処理さ
れたウェーハＷを冷却するためのものである。第２のプ
リベークユニット１０４は、第２層目ののレジスト中に
残存する溶剤を加熱処理するためのものである。 第１の塗布ユニット１０６及び第２の塗布ユニット１０
７は、第１層１１及び第２層［−１のレジストをそれぞ
れスピンコーディングするためのものである。 表面被覆層塗布ユニット１０８は、すでに塗布されたレ
ジスト膜の上に更にＣＥＬ膜などの表面被覆層を塗布形
成するためのものである。 次に、プロセスステーション１００の搬送機構の例とし
てのロボットｌ　１．０について説明する。 ロボット１１０は、ウェーハ保持部５０を備えたハンド
リング機構を含む。この場合、このハンドリング機構に
は、ウェーハＷを保持するための２つのウェーハ保持部
５０が上Ｆに重畳されて取り付けられている。この２つ
のウェーハ保持部５０はそれぞれ独立にＸ方向（縦方向
）、Ｙ方向（横方向）に移動０■能で、重畳されたウェ
ーハ保持部５０は同時に２方向（垂直方向）に下行移動
がｉ＋Ｊ能で、またθ方向に回動することができる。２
つのウェーハ保持部５０の、このような平行移動及び回
動を可能とするため、ロボット＋１０にはステッピング
モータ及びこれに連結されたボールスクリュー等の図示
しない駆動機構が設けられている。２つのウェーハ保持
部５０は、一方のウェーハ保持部５０て未処理ウェーハ
を保持して処理ユニットに搬送し、この処理ユニットに
処理済みウェーハがあったとき、他方のウェーハ保持部
で処理済みウェーハをピックアップし、次に一方のウェ
ーハ保持部の未処理ウェーハをその処理ユニットにセッ
トする。 第４図に示すように、ロボット１１０のハンドリング機
構の第１の実施例のウェーハ保持部５０は、アーム５！
の先端にリング状の支持枠５２が設けられている。支持
枠５２はウェーハＷの直径より若干大きく、６インチウ
ェーハの場合、リング先端部が約７２°の範囲で切り欠
かれている。この支持枠５２は、例えば、アルミニウム
板でつくられている。 支持枠５２には、３個の爪状の支持部材８０が、その先
端の支持部６２が支持枠５２の内方に向かって突出する
ように、はぼ等間隔に取り付けられている。 これらの支持部材６０は、発塵しにくく、且つ、熱伝導
率の小さな材料でつくられていることが好ましい。例え
ば、支持部材６０は、アルミナ、窒化ケイ素等のセラミ
ックス材料やテフロン（商品名）でつくられている。 そして、第５図に示すように、各支持部材６０は支持枠
５２の裏面側からネジ５３で支持枠５２に固定されてい
る。 第６図及び第７図を参照しながら、支持部材６０の支持
部６２について詳しく説明する。支持部６２の上部にテ
ーバエツジ６４が形成されている。このテバエッジ６４
は先端に進むにしたがって下り勾配となっている。支持
部材６０のテーバエツジ６４の傾斜角度は、水平を基準
として３０°〜６０°であることが好ましく、この例で
は例えば４５°である。なお、支持部材６０のベース部
６１にネジ孔６３が形成されている。 次に、上記実施例の装置によって、゛１１導体ウェー／
％Ｗの表面にフォトレジスト膜を形成する工程を順を追
って説明する。この工程は、既述の制御システムの予め
記憶されたプログラムに基づいて実施される。 （１）吸着ピンセット２０４を１つのウェーハカセット
２０１の下方に位置させ、半導体ウェーＩ＼Ｗを１枚だ
け仮管保持する。次いで、ビンセット２０４をＸ方向に
移動させて゛１２導体ウェー／ＸＷをカセット２０２か
ら取り出す。ビンセット２０４を９〔）０回転させた後
に、Ｙ方向に移動させ、゛１６導体ウェーハＷをウェー
ハ受け渡し台２０１の上に載置する。 このとき、半導体ウニ　”Ｗは、オリエンテーションフ
ラットがトラック１０の反対側（カセットステーション
２００の側）になるようにウェーハ受け渡し台２０１上
に載置される。 （ＩＩ）ウェーハ受け渡し台２０１において３本のビン
２！０を上昇させ、１対のスライダ２０９ａ、　２０９
ｂの間隔を狭め、半導体ウェーハＷをセンタリングする
。センタリング位置決め後、ロボットＩｌＯを受け渡し
台２０１の側に移動させ、一方のウェーノー保持部５０
の支持枠５２を半導体ウェーハＷの下方に位置させる。 ロボットｌｌＯのＺテーブルを上昇させ、指示枠５２に
よりウェーハＷを３点指示する。 このとき、ウェーハ受け渡し台２０１上のウェーハＷの
センターとウェーハ保持部５０のセンターとを一致させ
る。したがって、第５図に示すように、ウェーハＷは指
示部材ＢＯのエツジ８４に沿って指示枠５２内に滑り込
み、正確に水平保持される。 （ｍ）ロボットｌＩＯをＹ軸方向に移動させ、ＨＭＤＳ
処理ユニット１０１の前面に位置させる。次いで、ウェ
ーハ保持部５０を９０°回転させた後に、Ｘ軸方向に移
動させ、さらに、下降させてユニ・ント１０１の受入れ
台（図示せず）上にウェー／）Ｗを移載する。 （ＴＶ）ウェー７＼保持部５０の支持枠５２を処理ユニ
・ソト１０１から撤去し、ウエーノ＼ＷをＨＭＤＳ処理
する。この間にカセットステーション２００では、ピン
セット２０４を移動させて２番［１のウニ　／”ＩＷを
カセット２０２から取り出し、ウェーＩ＼受け渡し台２
０１に待機させておく。最初のウェー／１をユニ・ソト
１０１に搬入し終わった後、ロボット＋１０は受け渡し
台２０１から２番ＩＩのウェー／％Ｗを一方のウェハ保
持部５０て受け取り、保持する。そして、処理ユニット
１０１で最初のウエーノ１の処理が終了するまでそのま
ま待機する。 最初のウェーハＷの処理ユニット１０１での処理が終了
したとき、ロボット１１０は次の動作を行なう。すなわ
ち、先ず、ウニ／％を保持していないウェーハ保持部５
０を処理ユニットＩＯ１内に挿入させることにより、Ｈ
ＭＤＳ処理が終了した最初のウェーハを処理ユニット＋
０１から取り出す。こうして処理ユニット１０１を空に
した後、２番目のつ工−ハを保持しているウェーハ保持
部５０を動作させ、２番［Ｉのウェーハを処理ユニット
１０１にセットする。 （Ｖ）次いで、ウェーハ保持部５０を１８０°回転させ
て、支持枠５２で保持されたウェーハＷを第１の塗布ユ
ニット１０６の前面に位置させる。ウェハ支持部５０を
Ｘ軸方向に移動させ、下降させてウェーハＷを第１の塗
布ユニット１０６の受け入れ台上に移載し、ウェーハ保
持部５０の支持枠５２をユニット１０６から撤去する。 以上の動作から、２つのウェーハ保持部５０を設けた利
点が理解される。すなわち、ウェーハ保持部が１つしか
ない場合には、ロボット１１０は先ず最初のウェーハを
処理ユニット＋０１から取り出し、これを処理ユニット
１０Ｂにセットし、その後に受渡し台２０１から２番目
のウェーハを受け取ってこれを処理ユニット１０１にセ
ットする動作を行なわなければならないからである。な
お、上記の動作が行われている間に、カセットステーシ
ョン２００は、ビンセット２０４によって次に処理する
３番Ｅｌのウェーハを受け渡し台２０１に待機させてお
く。 以下同様である。 次に、ロボット１１０は受け渡し台２０１から３番目の
ウェーハをウェハ支持部５０に保持する。そして、処理
ユニット１０Ｂでの処理が終了するまで待機させる。 （Ｖｌ）最初のウエーノ１の処理ユニット１０８での処
理が終了したとき、ロボット１１０はウエーノ１を保持
していない方のウェーハ保持部５０て処理ユニット１０
６内のウェー７１を取り出す。そして、ロボ・ソト１１
０をＹ軸方向に移動させ、次にプログラムされた第１の
プリベークユニット１０２の前面に位置させる。 （■）次いで、ウェー／Ｘ保持部５０を１８０　’回転
させ、これをＸ軸方向に延ばし、ウェーｌ＼Ｗをユニッ
ト１０２内の受け入れ台に移載する。ウエーノ１Ｗをユ
ニット１０２内で所定の温度に加熱する。このプリベー
ク処理の間に処理ユニット１０１における２番目のウエ
ーノ＼の処理が終了したら、ロボ・ント１１０はウェー
ハを保持していない方のウェーハ保持部５０によってこ
のウェーハを処理ユニット！Ｏ１から取り出す。そして
、他方のウェーハ保持部に保持している３番目のウェー
ハを処理ユニット！０１にセットする。そして、ウェー
ハ保持部５０を１８０’回転させ、これに保持している
２番目のウェーハを処理ユニット１０６にセットする。 なお、もし最初のウェーハの塗布工程が終了する前に、
２番目のウェーハのＨＭＤＳ処理が終了する場合には、
次のような動作を行なうようにプログラムすることも可
能である。すなわち、先ず３番１１の未処理のウェーハ
を一方のウェーハ保持部５０に保持した状態で、他方の
ウェーハ保持部５０により２番目のウェーハを処理ユニ
ット１０１から取り出す。続いて、一方のウェーハ保持
部５０に保持されている３番目のウェーハを処理ユニッ
ト］Ｏ１にセットした後、待機する。そして、処理ユニ
ット！０６における最初のウェーハの塗布工程が終了し
た後、この最初のウェーハを一方、または他方のウェー
ハ保持部で取り出し、第１のブリベ−クユニソト１０２
にセットする。この場合、レジスト塗布は、例えばレジ
スト液を滴下して回転塗布するスピンコーティング装置
により実行する。 （■）ベーキング処理後、ウェーハＷをユニット１０２
から取り出す。ウェーハＷを保持したときに、ウェーハ
Ｗと支持部（イ６０との接触部分の面積が極めて小さい
（３点支持）ので、ウェーハＷが実質的に温度変化しな
くなる。 （ＩＸ）以ドブログラムにしたがって、ロボット１１０
をトラック１１！上で走行させ、各ユニット１０１゜１
０６、１０２．１０３．１０７．１０４．１０５．１０
８の順にウェーハＷを移動させることにより、ウェーハ
Ｗのパターン形成面に所定のレジスト膜を形成する。 Ｘ）処理ユニット１０８にて表面被覆層塗布処理を終−
ｒしたウェーハＷは、ロボットｌｌＯをＹ軸方向に移動
させて、この処理済みのウェーハＷを受け渡し台２０１
上でセンタリング後、吸若ピンセッ！−２０４でウェー
ハＷを吸着保持する。吸着ビンセット２０４をＹ軸移動
、θ回転、Ｘ軸移動、Ｚ軸移動させ、アンローディング
側のウェーハカセット２０３に処理済みウェーハＷを収
納する。 以上のような実施例によれば、カセットステーション２
００の吸着ピンセット２０４は、被処理体をピンセット
本体２１の先端部に設けられ、ウェーハＷとの接触面積
が極力小さくされた吸着面２２において、真空吸着保持
するので、被処理体との相互接触面積が少なくなり、こ
の吸着ビンセット２０４で被処理体を保持する際の発塵
を低減できる。 また、プロセスステーション！００のウェーハ保持部５
０は、吸着部は有せず、少なくとも３点で支持するもの
であるから、やはり発塵を大幅に低減できる。 また、ウェーハ保持部５０の支持部６２のテーバエツジ
６４にてウェーハＷが３点支持されるので、つ工−ハＷ
と支持部材６０との接触部分の面積が極めて小さくなる
。このため、ベーキング処理後のように、ウェーハＷと
ウェーハ保持部５０との温度差が７０〜８０℃もある場
合であっても、保持前後のウェーハＷの温度変化を±０
．３℃の範囲に抑制することができる。この結果、塗布
むらを生じることなく、均一なレジスト膜を得ることが
できる。 また、上記第１の実施例によれば、ウェーハ受け渡し台
２０！にて半導体ウェーハＷをウェーハ保持部５０に対
して位置決めするプリアライメント（センタリング）が
できるので、支持部材６０が半導体ウェーハＷに抵抗な
く滑らかに接触し、半導体ウェーハＷを傷付けない。し
たがって、パーティクルの発生は少なくなる。 史に、半導体ウェーハＷが支持部材６０のテーバエツジ
６４に沿って支持枠５２内に滑り込むので、半導体ウェ
ーハＷをより高精度にセンタリングすることができる。 なお、ウェーハ受け渡し台２０１での待機中、つ工−ハ
を直接載置部に接触させずに、作かに浮かせて載置する
ことがゴミ対策上有効である。また、待機機構はキャリ
アカセットにより構成すると更に有利である。 また、プリベーク処理ユニット１０２で、ウェー！＼を
直接載置台に載置させずに、例えば３個の球状物によっ
てウェーハを支持し、載置台からは僅かに浮かせた状態
で加熱処理することで、ウェーハ裏面のゴミ対策上有利
になる。 また、フォトレジストの塗布工程及び／または加熱工程
が他の工程に比べて時間がかかる場合には、２つの塗布
ユニット及び／または２つの加熱ユニットを同時に使用
することも可能である。 以上の動作から明らかなように、上記実施例によれば、
半導体ウェーハの表面にフォトレジスト膜を形成するた
めに必要な複数の工程を、その順序をも含めた任意に組
み合わせて最良の工程をプログラムすることができる。 したがって、処理すべき半導体ウェーハの種類に応じて
最も効率のよい組み合わせプロセスを選択し、最大のス
ループットを得ることができる。 また、ロボット１１０が２つの保持部を有し、それぞれ
独立の動作をすることから、処理の自由度が高い。例え
ば次工程のユニットにウェーハが存在しているとその工
程のウェーハの入れ替えができないといった不都合がな
い。なお、ウェーハ保持部は必ずしも２つである必要は
なく、３つ以上であってもよい。 更に、プロセスステーション１００では、各処理ユニッ
トをトラックｉｌｌに沿ってその両側に配設しているた
め、ロボット１１０の動作プログラムの変更が８晶であ
る。また、処理ユニットを縦方向に積層して設置するこ
ともでき、このように処理ユニットを土ドに配置した場
合には、設置のために必要な床面積も節減される。 上記の実施例の装置は、所定のパターンで露光されたフ
ォトレジスト膜を現像し、レジストパターンを形成する
装置としても使用することができる。その場合には、２
つの塗布ユニット１０８．１０７の一方として現像液を
塗１１１するユニットが設けられる。現像装置は例えば
変速回転中のウェーノ１上に現像液をジェット状に噴出
させて現像する（ｈ成のものを用いることができる。 また、２つの塗布ユニット１０６．１０７のいずれか一
方をフォトレジストの塗布に用い、他方を現像液の塗布
に用いることにより、フォトレジスト膜の形成及び現像
の両方を行なう装置として使用することができる。その
際、トラックｌ　１．　ｌの右端にもウェーハ受け渡し
台２０１と同様のインターフェース機構を設け、露光装
置との間てウェーハの受け渡しを行なえるようにするこ
とにより、レジスト塗布から現像までを一貫した連続プ
ロセスとして実施することができる。 次に、第８図乃至第１０図を参照しながら、ロボット目
０のウェーハ保持部の第２の実施例について説明する。 なお、第２の実施例と上記第１の実施例とが共通する部
分についての説明及び図示を省略する。 第８図に示すように、第２の実施例のウエーノ＼保持部
７０のアーム７１の先端にリング状の支持枠７２が設け
られている。支持枠７２は、その内径が例えば、６イン
チ径のウェーハＷより若干人きく、リング先端部が例え
ば約７２＠の範囲で切り欠かれている。この支持枠７２
は、例えばアルミニウム板で構成されている。 ６個の爪状の支持部材７４が、その先端の支持部７８が
支持枠７２の内方に向かって突出するように、はぼ等間
隔に取り付けられている。これらの支持枠７２は、アル
ミナ、窒化ケイ素等のセラミック祠料で作られている。 第９図及び第１０図を参照しながら、支持部材７４につ
いて更に詳しく説明する。 支持部材７４は、ベース部７６、ガイドテーパ部７７及
び支持部７８を有する。ベース部７Ｂにはねし孔７５が
形成されている。このねじ孔７５にねじ（図示せず）が
ねじ込まれて支持部材７４が支持枠７２に固定される。 ベース部７６の一辺の長さは数ミリである。 ガイドテーパ部７７は、ベース部７Ｂと支持部７８との
間に設けられ、先端に進むに従って下り勾配となってい
る。この場合に、ガイドテーパ部７７の傾斜角度は４５
°である。 支持枠７８は、幅がｌｌｌｌ１１で、長さが５１１■の
角棒状をなし、その上面７９に下り勾配のテーパが設け
られている。支持部７８の傾斜角度は１〜３°の範囲に
あることが好ましく、２″であることがより望ましい。 このウェーハ保持部５０の第２の実施例によれば、ウェ
ーハＷはテーパ部７７に沿って案内され、支持部７８に
落ち込み、支持部７８の一部に当接した状態で支持され
る。このため、ウェーハＷを確実に水平保持することが
でき、各処理ユニットへのつニーハローディング時にウ
ェーノ＼Ｗを位置決めしやすくなる。 また、上記第２の実施例によれば、支持部材７４が支持
枠７２が６個取り付けであるので、オリエンテーション
フラットを有するウェー／％Ｗであっても、オリエンテ
ーションフラットの向きに関係なく、ウェーハＷを確実
に保持することができる。 更に、ロボット１１０のウェーハ保持部の第３の実施例
を第１１図乃至第１３図に示す。 第１１図に示すように、この例のウエーノ＼保持部８０
においては、３個の支持部材８４は、支持部８８が支持
枠８２の内方に突出するように等間隔に支持枠８２に取
り付けられている。支持部材８４は、例えばねじ止めさ
れ、例えば弗化樹脂で作られている。 １２図、第１３図に示すように各支持部材８４は長いベ
ース部８６、ガイドテーバ部８７、支持部８８を有する
。ベース部８６には２つのねじ孔８５が形成されている
。ねじがねじ孔８５にねじ込まれて枠８２に部材８４が
取り付けられている。ガイドテーパ部８７は、ベース部
８Ｂと支持部８８との間に設けられ、先端に進むにした
がって下り勾配となっている。 次に、処理ユニットを更に増加して連接したい場合には
、トラックＩｌｌの延長上に次のトラックが形成される
ように構成し、この接続部にウェーハの待機機構を設け
るようにすればよい。第１４図は、その場合の例である
。 すなわち、カセット２０２　、２０２内のウェー／ＸＷ
を搬出、あるい（よりセット２０３　、２０３内ヘウエ
ーハＷを搬入するピンセット２０４を有するキャリアス
テーシラン２００と、このキャリアステーション２０口
との間で、ウェー７１受渡し台２０１でウェー／１Ｗの
受け渡しを行なうロボット１１ＯＡを備える第１のプロ
セスステーシラン１００　Ａと、この第１のプロセスス
テーション１００　Ａの図中右側に設けられ、ウェーハ
受渡し台２０１と同様のウェー／１載置台＋５１を有す
る待機機構１５０と、この待機機構１５０の載置台１５
１でウェーハＷの受け渡しを行なうロボット口ＯＢを備
える第２のプロセスステーション１００　Ｂとが設けら
れる。 第１のプロセスステーション１００　Ａには、例えば、
ＨＭＤＳ処理ユニット１２１、第１の加熱ユニット１２
２、第１の冷却ユニット１２３、第１層目のレジストを
回転塗布する塗布ユニット１２４、第２層１１のレジス
トを回転塗布する第２の塗布ユニット１２５を設け、こ
れら各処理ユニットに選択的にウェーハを搬送して処理
を行なう。 また、第２のプロセスステーション１００　Ｂは、第１
のプロセスステーション１００　ＡのトラックＩＩＩ　
Ａに連なる方向に、待機機１１５０を挟んでトラックＩ
ｌｌ　Ｂが設けられ、ロボット１１０　Ｂがこのトラッ
クＩｌｌ　Ｂ上に設けられている。そして、第２のプロ
セスステーションＩｏＯＢもａｈの処理ユニットを有し
、この例では例えば第２の加熱ユニット１３１、第２の
冷却ユニット１３２、露光工程時の光乱反射を防止する
ためのレジスト上面にＣＥＬ膜等の表面被覆層を塗布形
成する第３の塗布ユニット１３３がトラック１１１　Ｂ
を挟んで対向配置されている。 待機機構１５０の載置台１５１は、ウェー／１Ｗを一枚
載置でき、第１のプロセスステーション１００　Ａのロ
ボット１１０　Ａと第２のプロセスステーション１００
　Ｂのロボット１１０　Ｂとの間で、ウェー／ＸＷの受
け渡しを行なう。この待機機構！５０の構成は、載置台
１５１を設けずにバッファ用カセットを設け、このカセ
ットにより複数枚のウエーノ１を待機できる構成として
もよい。このバッファ用カセ・ノドにより、ロボット１
１０Ａ及びロボットｌｌＯＢの作業量の差があっても、
一方のロボットが待機する時間を少なくすることが可能
となる。 なお、図の例のように、待機機＋１Ｍ１５０の左右だけ
でなく、待機機構１５０の図中上下方向にも、プロセス
ステーションを連接するようにすることもできる。 このように、待機機構１．５０を介してプロセスステー
ションを複数系統とすることにより、処理ユニットの増
加に容品に対応することができると共に、高スルーブツ
ト処理が可能になる。 なお、上記実施例は、半導体製造装置としてレジストの
塗布、現像装置に適用した例について説明したが、これ
に限定するものではなく、例えばエツチング処理、ＣＶ
Ｄ処理、アッシング処理等でも同様の効果が得られる。 【発明の効果］ 以上説明したように、この発明による半導体製造装置に
よれば、被処理基板の搬送機構を２つに分け、被処理基
板の収容容器に対する搬入、搬出のための第２の搬送機
構としては真空吸着部を有するものを用い、複数の処理
ユニットに対する被処理基板の搬入、搬出には真空吸着
部を有せず、複数点で保持する被処理基板との接触面積
の非常に少ないものを用いるようにしたので、従来に比
べて搬送時に、被処理基板からの発塵及びダストの発生
、付着を大幅に低減することができる。 また、複数の処理ユニットに対する搬送時に被処理基板
から流出する熱量、及び被処理基板に流人する熱量を減
少させることができ、所定の処理温度で良好な処理を行
なうことができる。 また、第１の搬送機構と第２の搬送機構との間に設けら
れるウェーハ受け渡し台に被処理基板の位置決め手段が
設けられている場合には、第１及び第２の搬送機構自身
には被処理基板の位置決め機構を設ける必要はないから
、これら搬送機構の構成を簡略化でき、被処理基板との
余分の接触部を少なくすることができる。このことも搬
送時の被処理基板からの発塵及びダストの発生、付着の
低減に寄Ｉｊする。 上記のような効果を有する結果、この発明の装置は、プ
ロセス全体の信頼性が大幅に向上し、１′。 導体ウェーハの生産性の向上を図ることができる。 ４、図面のｆｉＩ′ｌ　（Ｉｔな説明 第１図はこの発明による半導体製造装置の一実施例のレ
ジスト処理装置の構成図、第２図及び第３図は、第２の
搬送機構の例としてのキャリアステーションの吸むビン
セットの一例を示す図、第４図〜第７図は第１の搬送機
構の例としてのプロセスステーションのウェーハ保持部
の第１の実施例を示す図、第８図〜第１０図は、ウェー
ハ保持部の第２の実施例を示す図、第１１図〜第１３図
は、ウェーハ保持部の第３の実施例を示す図、第１４図
はこの発明による半導体製造装置の他の実施例の構成図
、第１５図は従来のウェーハ吸着ビンセットの例を示す
図である。 １００；プロセスステージジン １０１〜１０８；処理ユニット １１Ｏ−ロボット ５０；ウェーハ保持部 ５２；支持枠 ６０；支持部材 ６２；支持部 ６４；テーパエツジ ２００：キャリアステーション ２０１；ウェーハ受け渡し台 ２０２．２０３　　、カセット ２０４；仮管ピンセット ２１；ビンセット本体 ２ ；吸着面 ３ ；吸引口

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）被処理基板の搬送経路に沿って設けられた複数の
   処理ユニットと、 上記搬送経路に沿って移動可能で、上記複数の処理ユニ
   ットに対して上記被処理基板の受け渡しが可能な第１の
   搬送機構と、 複数個の被処理基板を収容可能な収容容器に対し、上記
   被処理基板を搬入および／又は搬出するための第２の搬
   送機構と、 上記第１の搬送機構と上記第２の搬送機構との間に設け
   られ、上記被処理基板を上記第１の搬送機構と第２の搬
   送機構との間で受け渡しを行なうための受け渡し台とを
   有し、 上記第１の搬送機構は、複数の基板保持用爪によって、
   上記被処理基板の周縁部を複数点で保持するように構成
   され、 上記第２の搬送機構は、上記被処理基板を真空吸着可能
   としたことを特徴とする半導体製造装置。
2. （２）上記受け渡し台に上記被処理基板の位置決め調整
   手段を設けたことを特徴とする請求項（１）記載の半導
   体製造装置。