JPH03212811A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH03212811A JPH03212811A JP616490A JP616490A JPH03212811A JP H03212811 A JPH03212811 A JP H03212811A JP 616490 A JP616490 A JP 616490A JP 616490 A JP616490 A JP 616490A JP H03212811 A JPH03212811 A JP H03212811A
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- Japan
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- holding jig
- workpiece
- jig
- work pieces
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜磁気ヘッドのドライエツチングプロセス
におけるヘッドブロック加工用治具に関する。
におけるヘッドブロック加工用治具に関する。
従来の薄膜磁気ヘッドの加工方法は、特開昭６０１３６
０２５号広報に記載のように、ヘッドスライダ端面のエ
ツチング防止用の保護膜を形成したことを特徴としてい
る。
０２５号広報に記載のように、ヘッドスライダ端面のエ
ツチング防止用の保護膜を形成したことを特徴としてい
る。
上記従来技術は、ヘッドスライダ端面の保護膜形成を述
べているが、ヘッドスライダとへラドスライダ、あるい
は、ヘッドスライダとその保持治具とのすき間の保護膜
形成、さらに、治具面上の保護膜の形成の点について考
慮がされておらず、ヘッドスライダ側面、及び、治具面
がエツチングされる問題があった。
べているが、ヘッドスライダとへラドスライダ、あるい
は、ヘッドスライダとその保持治具とのすき間の保護膜
形成、さらに、治具面上の保護膜の形成の点について考
慮がされておらず、ヘッドスライダ側面、及び、治具面
がエツチングされる問題があった。
本発明の目的はへラドスライダ側面、及び、治具面のエ
ツチングを防止すること、さらに、ヘッドスライダ及び
治具面に均一な膜厚の保護膜を形成することにあり、さ
らに、均一な保護膜形成によって、ヘッドスライダのエ
ツチング寸法精度を向上することにより、浮上性の優れ
た磁気ヘッド及びに磁気ディスク装置を提供することに
ある。
ツチングを防止すること、さらに、ヘッドスライダ及び
治具面に均一な膜厚の保護膜を形成することにあり、さ
らに、均一な保護膜形成によって、ヘッドスライダのエ
ツチング寸法精度を向上することにより、浮上性の優れ
た磁気ヘッド及びに磁気ディスク装置を提供することに
ある。
上記目的を達成するために、被加工物の保持治具に溝形
状を形成し、被加工物と保持治具上面とのすき間、およ
び、段差を規定したものである。
状を形成し、被加工物と保持治具上面とのすき間、およ
び、段差を規定したものである。
また、被加工物と保持治具との壁間に、有機系レジスト
、あるいは、シリコン系樹脂を注入し、含浸させること
にしたものである。
、あるいは、シリコン系樹脂を注入し、含浸させること
にしたものである。
さらに、以上の被加工物と保持治具を連続して均一な耐
エツチング保護膜を形成したものである１〔作用〕 被加工物をその保持治具の溝形成状部に挿入し、被加工
物と保持治具とのすき間と段差を規定することにより、
耐エツチング保護膜は、被加工物と保持治具間で切断す
ることなく連続して膜の形成ができる。
エツチング保護膜を形成したものである１〔作用〕 被加工物をその保持治具の溝形成状部に挿入し、被加工
物と保持治具とのすき間と段差を規定することにより、
耐エツチング保護膜は、被加工物と保持治具間で切断す
ることなく連続して膜の形成ができる。
また、被加工間と保持治具とのすき間に、有機系レジス
ト、あるいは、シリコン系樹脂を注入し、含浸させるこ
とによって、被加工物の側面に保護膜を形成できるので
、被加工物の側面の素子回路のエツチングを防ぐことが
できる。
ト、あるいは、シリコン系樹脂を注入し、含浸させるこ
とによって、被加工物の側面に保護膜を形成できるので
、被加工物の側面の素子回路のエツチングを防ぐことが
できる。
さらに、被加工物と保持治具上に有機系レジストを均一
に塗布することによって、被加工物のエツチングの寸法
精度を向上することができ、さらに、保持治具上にも保
護膜を形成しているので、保持治具のエツチングを防止
することによって、保持治具の形状寸法を維持すること
ができ、くり返し使用できる効果が生じる。
に塗布することによって、被加工物のエツチングの寸法
精度を向上することができ、さらに、保持治具上にも保
護膜を形成しているので、保持治具のエツチングを防止
することによって、保持治具の形状寸法を維持すること
ができ、くり返し使用できる効果が生じる。
以下、本発明の一実施例を第１図ないし第５図により説
明する。第１図において、保持治具１の溝形状部分に被
加工物２を挿入している。被加工物２及び保持治具１の
上面に、有機系保護膜を塗布した場合、保持治具１と被
加工物２とのすき間、および、段差と保護膜の膜厚ばら
つきの関係を第２図と第３図に示す。保護膜厚の均一化
のためには、たとえば、膜厚のばらつきを１０％以内と
するには、被加工物２と保持治具１とのすき間を２５０
μｍ以内、段差を３０μｍ以内に規定する必要があり、
この規定は保護膜の均一化に効果がある。
明する。第１図において、保持治具１の溝形状部分に被
加工物２を挿入している。被加工物２及び保持治具１の
上面に、有機系保護膜を塗布した場合、保持治具１と被
加工物２とのすき間、および、段差と保護膜の膜厚ばら
つきの関係を第２図と第３図に示す。保護膜厚の均一化
のためには、たとえば、膜厚のばらつきを１０％以内と
するには、被加工物２と保持治具１とのすき間を２５０
μｍ以内、段差を３０μｍ以内に規定する必要があり、
この規定は保護膜の均一化に効果がある。
次に、第４図により本実施例を説明する。被加工物２は
、保護治具１の溝部分に挿入している。
、保護治具１の溝部分に挿入している。
保護治具１と被加工物２とのすき間に、有機系レジスト
あるいはシリコン系樹脂３を注入充填しである。本実施
例によれば、充填した有機系レジストあるいはシリコン
系樹脂３が被加工物２の側面を保護しているので、被加
工物２の側面をエツチングすることを防ぐことができる
。
あるいはシリコン系樹脂３を注入充填しである。本実施
例によれば、充填した有機系レジストあるいはシリコン
系樹脂３が被加工物２の側面を保護しているので、被加
工物２の側面をエツチングすることを防ぐことができる
。
なお、第５図は、被加工物２と保持治具１とのすき間、
および、段差を規定し、そのすき間に保護膜を注入充填
し、さらに、被加工物２と保持治具ｌの上面に、有機系
レジストを均一に塗布している状態を示している。
および、段差を規定し、そのすき間に保護膜を注入充填
し、さらに、被加工物２と保持治具ｌの上面に、有機系
レジストを均一に塗布している状態を示している。
さらに、他の実施例について、第６図、第７図により説
明する。厚さの異なる被加工物２を保持治具１に挿入す
ると、段差が大きくなる。保持治具ｌには、溝部深さ設
定治具５を内蔵している。
明する。厚さの異なる被加工物２を保持治具１に挿入す
ると、段差が大きくなる。保持治具ｌには、溝部深さ設
定治具５を内蔵している。
この深さ設定治具５を上、下に移動させることにより、
被加工物２と保持治具１との段差を規定値３０μｍ以内
とすることができる。この上下位置の調整により、被加
工物２と保持治具１の上面の保護膜の膜厚を均一化する
ことができる。
被加工物２と保持治具１との段差を規定値３０μｍ以内
とすることができる。この上下位置の調整により、被加
工物２と保持治具１の上面の保護膜の膜厚を均一化する
ことができる。
さらに、他の実施例について、第８図により説明する。
保持治具１の溝部分の巾に比べて、小さい被加工物２を
挿入している場合、有機系レジスト、あるいは、シリコ
ン系樹脂によって形成しであるシート６、及び、７を、
被加工物２の厚みに応じて溝部分に挿入する。シート６
及びシート７により、被加工物２の厚みばらつきが生じ
ても、すき間を２５０１ｔ ｍ以内と規定でき、所要の
保護膜厚の均一化を図ることができる。
挿入している場合、有機系レジスト、あるいは、シリコ
ン系樹脂によって形成しであるシート６、及び、７を、
被加工物２の厚みに応じて溝部分に挿入する。シート６
及びシート７により、被加工物２の厚みばらつきが生じ
ても、すき間を２５０１ｔ ｍ以内と規定でき、所要の
保護膜厚の均一化を図ることができる。
さらに、他の実施例の一つを第９図により説明する。保
持治具１の溝部分の壁面に、多孔質部８と、保持治具に
連通する貫通孔９がある０本実施例によれば、被加工物
２と保持治具１とのすき間に有機系レジスト、あるいは
、シリコン系樹脂を加熱乾燥する時、溶液に含有する溶
剤が気化する時、多孔質部８及び貫通孔９より、保持治
具１の外周ににがすことができるので、溶剤が被加工物
２の上面方向に抜ける量が低減できる。従って、溶剤の
気化による、被加工物２の上面に気化痕（あぶく）の発
生を低減できるので、上面の保護膜の膜厚の均一化に効
果がある。
持治具１の溝部分の壁面に、多孔質部８と、保持治具に
連通する貫通孔９がある０本実施例によれば、被加工物
２と保持治具１とのすき間に有機系レジスト、あるいは
、シリコン系樹脂を加熱乾燥する時、溶液に含有する溶
剤が気化する時、多孔質部８及び貫通孔９より、保持治
具１の外周ににがすことができるので、溶剤が被加工物
２の上面方向に抜ける量が低減できる。従って、溶剤の
気化による、被加工物２の上面に気化痕（あぶく）の発
生を低減できるので、上面の保護膜の膜厚の均一化に効
果がある。
し発明の効果〕
本発明によれば、被加工物、及び、保持治具とのすき間
及び段差を規定し、そのすき間に保護膜を充填し、被加
工物及び保持治具の上面に均一に保護膜を形成でき、し
かも、被加工物の側面に保護膜を形成することができる
。以上の膜形成により、被加工物の側面のエツチングを
防止でき、しかも、被加工物の保護膜を均一化できるの
で、被加工物のエツチングの寸法精度を向上することが
できる。
及び段差を規定し、そのすき間に保護膜を充填し、被加
工物及び保持治具の上面に均一に保護膜を形成でき、し
かも、被加工物の側面に保護膜を形成することができる
。以上の膜形成により、被加工物の側面のエツチングを
防止でき、しかも、被加工物の保護膜を均一化できるの
で、被加工物のエツチングの寸法精度を向上することが
できる。
第１図は本発明の一実施例の被加工物の保持状態を示す
断面図、第２図及び第３図は、被加工物の保持条件と保
護膜のばらつきの関係の示す特性図、第４図は被加工物
と保持治具とのすき間への保護膜の充填状態を示す断面
図、第５図は被加工物と保持治具上面に保護膜を形成し
た状態を示す□、□６□５１．２４よ、ゆ。□つ１−す
被加工物と保持治具との関係を示す断面図である。 ｌ・・・・・・・・・保持治具 ２・・・・・・・・・被加工物 ３・・・・・・・・・有機系レジストあるいはシリコン
系樹脂 ４・・・・・・・・・有機系レジスト イ１図 罰２図 寸５間 乱 （ｐｍ） 股Ｌ Ｃμｍン 凭４図 ￥Ｊ５図 デ○図
断面図、第２図及び第３図は、被加工物の保持条件と保
護膜のばらつきの関係の示す特性図、第４図は被加工物
と保持治具とのすき間への保護膜の充填状態を示す断面
図、第５図は被加工物と保持治具上面に保護膜を形成し
た状態を示す□、□６□５１．２４よ、ゆ。□つ１−す
被加工物と保持治具との関係を示す断面図である。 ｌ・・・・・・・・・保持治具 ２・・・・・・・・・被加工物 ３・・・・・・・・・有機系レジストあるいはシリコン
系樹脂 ４・・・・・・・・・有機系レジスト イ１図 罰２図 寸５間 乱 （ｐｍ） 股Ｌ Ｃμｍン 凭４図 ￥Ｊ５図 デ○図
Claims (4)
- １． 被加工物の保持治具において、 前記被加工物を治具溝形状部分に挿入して保持する時、
前記被加工物と前記保持治具とのすき間および段差を規
定し、前記被加工物と前記保持治具とのすき間に有機系
レジスト、あるいは、シリコン系樹脂等を注入して充填
させ、前記被加工物および前記保持治具上に前記有期系
レジストを均一に塗布するように構成したことを特徴と
する磁気ヘッドのドライエッチング加工用治具。 - ２． 請求項１において、前期被加工物と前記保持治具
との段差を調整する機能を付加した磁気ヘッドのドライ
エッチング加工用治具。 - ３． 請求項１において、前記被加工物と前記保持治具
とのすき間に、前記有機系レジスト、あるいは前記シリ
コン系樹脂等で形成したシートを挿入させた磁気ヘッド
のドライエッチング加工用治具。 - ４． 請求項１において、前記保持治具の溝部分の壁面
に、前記保持治具の外周面に連通する貫通孔を設けてな
る磁気ヘッドのドライエッチング加工用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP616490A JP2834249B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP616490A JP2834249B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212811A true JPH03212811A (ja) | 1991-09-18 |
| JP2834249B2 JP2834249B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=11630892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP616490A Expired - Lifetime JP2834249B2 (ja) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2834249B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5824361A (en) * | 1994-08-05 | 1998-10-20 | Tdk Corporation | Method forming a uniform photoresist film using gas flow |
| US5874365A (en) * | 1993-11-04 | 1999-02-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor wafer etching method |
| US6094805A (en) * | 1995-12-28 | 2000-08-01 | Tdk Corporation | Method for manufacturing magnetic head |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP616490A patent/JP2834249B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5874365A (en) * | 1993-11-04 | 1999-02-23 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor wafer etching method |
| US6251542B1 (en) | 1993-11-04 | 2001-06-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor wafer etching method |
| US5824361A (en) * | 1994-08-05 | 1998-10-20 | Tdk Corporation | Method forming a uniform photoresist film using gas flow |
| US6037007A (en) * | 1994-08-05 | 2000-03-14 | Tdk Corporation | Method of forming a uniform photoresist film using gas flow |
| US6094805A (en) * | 1995-12-28 | 2000-08-01 | Tdk Corporation | Method for manufacturing magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2834249B2 (ja) | 1998-12-09 |
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