JPH03212888A - Semiconductor memory device - Google Patents
Semiconductor memory deviceInfo
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- JPH03212888A JPH03212888A JP2006152A JP615290A JPH03212888A JP H03212888 A JPH03212888 A JP H03212888A JP 2006152 A JP2006152 A JP 2006152A JP 615290 A JP615290 A JP 615290A JP H03212888 A JPH03212888 A JP H03212888A
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- data
- read
- writing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンピュータの半導体記憶装置に係シ、データ
の読出し書込みを指定した規則に従って行なう半導体記
憶装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a semiconductor memory device for a computer, and more particularly to a semiconductor memory device that reads and writes data according to specified rules.
従来の半導体記憶装置(メモリ)には、データの読出し
書込み用メモリはRA M (−)ンダム・アクセス・
メモリ)、データの読出し専用メモリはROM(リード
・オンリー・メモリ)、さらに、特開昭59−1513
7号公報に記載のように、データの読出し書込みを同時
に行なえるメモリにはデエアルφボート・メモリがあっ
た0〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、半導体記憶装置(メモリ)へのデータ
の読出し書込みにおいて、例えば、読出し書込みを交互
に行なう場合、ソフトウェアの制御で実現していたので
、規則的な読出し書込みを行なうデータのハードウェア
によるプロテクトについて考慮がされておらず、この点
に問題があったO
本発明の主な目的は、規則的な読出し書込みを行なうデ
ータに対し、この規則に合わせたデータの続出し書込み
を行なう半導体記憶装置を提供するととにある@
さらに、他の目的はハードウェアによるデータ・プロテ
クトを実現すること(ある。In conventional semiconductor storage devices (memory), the memory for reading and writing data is RAM (-) random access memory.
ROM (read-only memory), which is a read-only memory for data;
As described in Publication No. 7, a memory capable of reading and writing data at the same time was a DAIR φ boat memory.0 [Problem to be solved by the invention] When reading and writing data, for example, when reading and writing are performed alternately, this has been achieved through software control, so no consideration has been given to hardware protection of data that is regularly read and written. The main object of the present invention is to provide a semiconductor memory device that continuously writes data according to the regular reading and writing rules. The purpose of this is to realize data protection using hardware.
上記目的を達成するために1本発明は、半導体記憶装置
の中に、M、出し書込み規則制御部やリード/ライト切
換えスイッチを設けた〇
また、データ・プロテクトによるエラー検出のために、
割込み線を設けた口
また、読出し書込み規則を登録するためにモード朦を設
けた〇
〔作用〕
半導体記憶装R(メモリ)で、読出し書込み規則制御部
は、データ記憶部のデータの読出しと書込みの規則を制
御する。例えば、読出し書込みを交互にする・また、読
出しを五回した後、書込みを二回する。これをくシ返す
などである。In order to achieve the above object, the present invention provides a semiconductor memory device with an M, an output/write rule control section, and a read/write switch.In addition, for error detection by data protection,
A port provided with an interrupt line is also provided with a mode switch for registering read/write rules. [Function] In the semiconductor memory device R (memory), the read/write rule control unit controls reading and writing of data in the data storage unit. control the rules of For example, read and write are alternated, and after reading five times, writing is performed twice. This can be combed back.
また、このような規則を登録するために、モード線を設
け、同一アドレスで読出し書込み規則制御部とデータ記
憶部のデータバスのアクセスを切換え、続出し書込み規
則制御部に上記の順序規則等を登録する。In addition, in order to register such a rule, a mode line is provided, the access of the data bus of the read/write rule control unit and the data storage unit is switched at the same address, and the above order rules etc. are applied to the continuous write rule control unit. register.
さらに、このような規則に反するデータの読出し書込み
があった場合には、割込み線を設けて、エラーが起った
ことを知らせる・
これらによって、半導体記憶装置へのデータの読出し書
込みが登録された規則に従って動作し、この規則に反す
る場合には、割込みによシェラ−が起ったことを知らせ
るので、ハードウェアによってデータ・プロテクトがで
き、データは壊されないO
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面によシ説明する・第2図に
1本発明の読出し書込みを規則的に行なう半導体記憶装
置(メモリ)を用いたコンビエータ・システムの一実施
例を示す0
なお、同図において、1は本発明の読出し書込みを規則
的に行なう半導体記憶装置、2はRA M。Furthermore, if there is a read or write of data that violates these rules, an interrupt line is provided to notify that an error has occurred.Thus, the read or write of data to the semiconductor memory device is registered. It operates according to the rules, and if the rules are violated, an interrupt is sent to notify that a sheller has occurred, so data can be protected by hardware and the data will not be destroyed. An embodiment will be explained with reference to the drawings. Fig. 2 shows an embodiment of a combinator system using a semiconductor storage device (memory) that regularly performs reading and writing according to the present invention. 1 is a semiconductor memory device according to the present invention that regularly performs reading and writing, and 2 is a RAM.
3はROM、4はMPU (マイクロ・プロセッサ)、
5はCRT (カソード・レイ・チ為−ブ)、6はKB
(キー悔ボード)、7はDISK(ディスク)、8はシ
リアル、9はシステム・バス、10はローカル争バスで
ある。3 is ROM, 4 is MPU (micro processor),
5 is CRT (cathode ray chip), 6 is KB
(key board), 7 is DISK, 8 is serial, 9 is system bus, and 10 is local bus.
同図において、MPUIはROM1.RAM1を使って
CRT5. にB6.DISK7を制御し、MPU2
はROM2.RAM2を使ってシリアル8を制御する0
ここで、MPUI側をシステム、MPU2@をシリアル
と呼ぶ・
本発明の読出し書込みを規則的に行なう半導体記憶装置
を従来のRAMに置換えた場合、システム側のRAM1
にあるデータをシリアル8を使ってデータを送信すると
きの制御とデータの流れを同図、並びに、第3図、第4
図のフローチャートを用いて以下に記す。In the figure, MPUI is ROM1. Using RAM1, CRT5. to B6. Controls DISK7 and MPU2
is ROM2. 0 to control serial 8 using RAM2
Here, the MPUI side is called the system, and the MPU2@ is called the serial. When the semiconductor memory device of the present invention that regularly performs reading and writing is replaced with a conventional RAM, the RAM1 on the system side
The control and data flow when transmitting data using serial 8 are shown in the same figure, as well as in Figures 3 and 4.
The process will be described below using the flowchart shown in the figure.
MPU1はRAM1にあるデータを第3図の70−チャ
ートに従って1のRAMヘライトする(21)oつまシ
、1のRAMが占有できるかどうかを調べ(22)占有
できたら、次のリード/ライト・フラグを調べ(25)
ライト−フラグであれば1のRAMへデータをライトす
る(24)。MPU 1 writes the data in RAM 1 to RAM 1 according to chart 70 in Figure 3 (21), and then checks whether RAM 1 can be occupied (22). Check the flag (25)
If it is a write-flag, data is written to RAM 1 (24).
そして、リード/ライト拳7ラグをリード・7ラグとし
く25)1のRAMの占有を゛解除する(26)。Then, read/write fist 7 lag is set to read/write 7 lag, and 25) the occupation of RAM 1 is released (26).
また、1のRAMが占有できないときは待ち処理(2t
3)を経て、再度、占有処理(22)を行なう・さらI
c% ライト−7ラグで彦いときは、すでに1のRAM
を占有している(22)ので、これを解除しく29)待
ち処理(50)を経て再度占有処理(22)から始める
O
一方、MPU2は1のRAMにあるデータを第4図のフ
ローチャートに従って1のRAMからデータをリードす
る(31)。つまシ、1のRAMが占有できるかどうか
を調べ(52)占有できたら1次のり−ド/ライト・フ
ラグを調べ(53)リード・フラグであれば1のRAM
からデータをリードする(34)。そして、リード/ラ
イト−フラグをライト・フラグとし、(55)1のRA
Mの占有な解除する(36)。また、10RAIJが占
有できないときはMPtJlとちがってMPU2はシリ
アル専用なので、待ち処理をせず再度占有処理(32)
を行なう。さらに、リード・フラグでないときはすでに
1のRAMを占有している(32)ので、これを解除し
、MPU2はシリアル専用なので、待ち処理をせず再度
占有処理(32)から始める。Also, when RAM 1 cannot be occupied, wait processing (2t
After 3), perform the occupancy process (22) again.
c% Light - When it stops at 7 lag, it is already 1 RAM
(22), so we want to release it. 29) After the waiting process (50), we start again from the occupancy process (22). On the other hand, MPU 2 transfers the data in RAM 1 to 1 according to the flowchart in Figure 4. Read data from the RAM (31). Check whether RAM 1 can be occupied (52) If it can be occupied, check the primary read/write flag (53) If it is a read flag, RAM 1
Read data from (34). Then, the read/write flag is set as the write flag, and the RA of (55) 1 is set as the write flag.
M's exclusive possession is released (36). Also, when 10RAIJ cannot be occupied, unlike MPtJl, MPU2 is serial-only, so the occupancy process is performed again without waiting processing (32).
Do this. Further, if it is not a read flag, it already occupies one RAM (32), so it is released, and since the MPU 2 is dedicated to serial, it starts again from the occupancy process (32) without waiting.
本発明の読出し書込みを規則的に行なう半導体記憶装置
1の一実施例を第1図で説明する。An embodiment of a semiconductor memory device 1 that regularly performs reading and writing according to the present invention will be described with reference to FIG.
同図において、1は半導体記憶装置、10はリード/ラ
イトを交互に行なうリード/ライト切換えスイッチ、1
1は従来のRAM、12はシステム側のアドレスバス、
13はシリアル側のアドレスバス、14はシステム側の
ライト用データバス、15はシリアル側のリード用デー
タバス、16はシステム側のライトだ対する例外割込み
線、17はシリアル側のリードに対する例外割込み線、
18はシステム側のライト線、19はシリアル側のリー
ド線である〇
この半導体記憶装R1は、リード/ライト切換えスイッ
チ10によシ読出し書込みを交互に行なう。いま、第1
図の状態はシステム側のライトが許可され、シリアル側
のリードに対しては例外割込みを起こす。つまυ、シス
テム側からライト信号をライト線18に出し、アドレス
をアドレスバス12に送り、データをデータバスに送れ
ばRAM1tにデータの書込みが行なわれる◎逆に、シ
リアル側からリード信号をリード線19に出すと、その
信号がリードの例外割込みR17に割込み信号を出す。In the figure, 1 is a semiconductor memory device, 10 is a read/write switch that alternately performs reading/writing, and 1
1 is a conventional RAM, 12 is an address bus on the system side,
13 is an address bus on the serial side, 14 is a data bus for writing on the system side, 15 is a data bus for reading on the serial side, 16 is an exception interrupt line for writing on the system side, and 17 is an exception interrupt line for reading on the serial side. ,
Reference numeral 18 indicates a write line on the system side, and reference numeral 19 indicates a lead line on the serial side. In this semiconductor memory device R1, reading and writing are performed alternately by the read/write changeover switch 10. Now, the first
In the state shown in the figure, writing on the system side is permitted, and an exception interrupt is generated for reading on the serial side. Finally, if the system side sends a write signal to the write line 18, sends an address to the address bus 12, and sends data to the data bus, data is written to the RAM 1t. Conversely, the read signal is sent from the serial side to the read line 18. 19, the signal outputs an interrupt signal to the read exception interrupt R17.
また、スイッチ10の接続が切換わると、リード/ライ
トの関係は逆になる。Furthermore, when the connection of the switch 10 is changed, the read/write relationship is reversed.
なお、システム側とシリアル側はMPUが別なので、非
同期に動作できる。Note that since the system side and the serial side have separate MPUs, they can operate asynchronously.
そこで、この半導体記憶装置1を第2図の1に置く場合
、システム側のRAljにあるデータをシリアル8を使
ってデータを送信するときの制御とデータの流れを同図
、並びに、第5図、第6図の70−チャートを用いて以
下に記す。Therefore, when this semiconductor storage device 1 is placed at 1 in FIG. 2, the control and data flow when transmitting data in RAlj on the system side using the serial 8 are shown in the same figure and in FIG. 5. , will be described below using the 70-chart of FIG.
MPU1はRAMIにあるデータを第5図のフローチャ
ートに従って半導体記憶装置1ヘライトする(40)O
′)t!t、半導体記憶装置1は、上記で説明したとお
シ、読出し書込みを交互に行なう機能とこれに反したと
き例外割込みを起こす機能がついているので、いきなυ
、ライトをして(41)終わる(42)。このとき、半
導体記憶装置1が第1図のようにライトができる状態で
あれば、ライト動作をして終了するが、とのとき、リー
ドができる状態であれば、ライトの例外割込みが起こる
。The MPU 1 writes the data in the RAMI to the semiconductor memory device 1 according to the flowchart in FIG. 5 (40) O
')t! t. As explained above, the semiconductor memory device 1 has a function to perform reading and writing alternately and a function to generate an exception interrupt when this is violated, so that sudden υ
, write (41) and end (42). At this time, if the semiconductor memory device 1 is in a state where writing is possible as shown in FIG. 1, the write operation is performed and the process ends; however, if the semiconductor memory device 1 is in a state where reading is possible, a write exception interrupt occurs.
この例外割込みに対する割込み処理は第5図にあるとお
p(43)%abアドレスをハンドラ(46)にしてリ
ターン(45)する。ハンドラはその時の状!F14に
応じてスケジユーラ(47)、終了(48)、または、
再び半導体記憶装置1へのライトのどれかを実行する。The interrupt processing for this exceptional interrupt is as shown in FIG. 5, where the p(43)%ab address is used as the handler (46) and the process returns (45). The handler was in that state! Depending on F14, scheduler (47), end (48), or
One of the writes to the semiconductor storage device 1 is executed again.
一方、MPU2d半導体記憶装置1にあるデータを第6
図の70−チャートに従って半導体記憶装置1からデー
タをリードする(51)。これはMPU1と同様に、い
きなシ、リードをして(52)終わる(53)。このと
き、半導体記憶装置1が第1図のようでなく、リードが
できる状態であれば、リード動作をして終了するが、こ
のとき、ライトができる状態であれば、リードの例外割
込みが起こシ、割込み処理へ制御が移る(54)。この
割込み処理では、戻シアドレスを再び半導体記憶装置1
へのリード処理にして(55)リターン(56)する。On the other hand, data in the MPU2d semiconductor memory device 1 is transferred to the sixth
Data is read from the semiconductor memory device 1 according to the chart 70 in the figure (51). Similar to MPU1, this process begins with a read (52) and ends (53). At this time, if the semiconductor memory device 1 is not like the one shown in FIG. 1 and is in a state where reading is possible, the read operation is performed and the process ends; however, at this time, if it is in a state where writing is possible, a read exception interrupt occurs. Then, control is transferred to interrupt processing (54). In this interrupt processing, the returned address is returned to the semiconductor memory device 1.
(55) and return (56).
これは% MPU2がシリアル専用であるのが理由であ
る。The reason for this is that %MPU2 is serial-only.
以上よ)、第5図、第4図の従来方式より第1図の本発
明の半導体記憶装置1を用いた第5図。FIG. 5 shows a case where the semiconductor memory device 1 of the present invention shown in FIG. 1 is used instead of the conventional method shown in FIGS. 5 and 4.
第6図の方式の方が、ソフトウェアのオーバーヘッドが
少なく高速である。The method shown in FIG. 6 has less software overhead and is faster.
さらに、半導体記憶装置1は第1図の実施例のみならず
、第7図、第8図の実施例も考えられる。Furthermore, the semiconductor memory device 1 is not limited to the embodiment shown in FIG. 1, but may also include embodiments shown in FIGS. 7 and 8.
まず、第7図はシングルMPtlのとき、胱出し書込み
を交互に行なう半導体記憶装置1である。First, FIG. 7 shows a semiconductor memory device 1 in which writing is performed alternately in the case of a single MPtl.
同図において、61はアドレスバス、62はデータバス
、63はRAM、64はライト線、65はリード線、6
6はOR回路、67は割込み線、68はリード/ライト
を交互に行なうリード/ライト切換えスイッチである。In the figure, 61 is an address bus, 62 is a data bus, 63 is a RAM, 64 is a write line, 65 is a read line, and 6
6 is an OR circuit, 67 is an interrupt line, and 68 is a read/write switch for alternately performing read/write.
いま、ライト線に信号が送られてくるとスイッチ68は
つながっているのでRAM65にデータを書き込む。逆
に、リード線に信号が送られてくるとスイッチが切れて
いるのでRAM 65からデータを続出せず、OR回路
66を通シ割込み線67に信号を出す・
以上の動作によって、続出し書込みを交互に行なう半導
体記憶装置1となる。Now, when a signal is sent to the write line, the switch 68 is connected, so data is written to the RAM 65. Conversely, when a signal is sent to the lead wire, the switch is turned off, so data cannot be continuously output from the RAM 65, and a signal is sent through the OR circuit 66 to the interrupt line 67. The semiconductor memory device 1 alternately performs the following operations.
では、次に第8図の実施例について説明する。Next, the embodiment shown in FIG. 8 will be described.
同図において、70はデータ記憶部、71は読出し書込
み規則制御部、72はアドレスバス、73はデータバス
、74は読出し許可線、75は書込み許可線、76はラ
イト線、77はリード線、78は割込み線、79はモー
ド線である◇
この半導体記憶装置」は、任意の胱出し書込み規則を登
録し、この規則に従って読出し書込みを行なう。この規
則だ反する場合には、割込みを起こす。In the figure, 70 is a data storage section, 71 is a read/write rule control section, 72 is an address bus, 73 is a data bus, 74 is a read permission line, 75 is a write permission line, 76 is a write line, 77 is a read line, Reference numeral 78 indicates an interrupt line, and reference numeral 79 indicates a mode line. This semiconductor memory device registers an arbitrary write-in rule and performs reading and writing in accordance with this rule. If this rule is violated, an interrupt will be generated.
では、任意の続出し書込み規則の登録はモード信号を登
録状態にしてライト信号を出すと、アドレスバス72、
データバス73は読出し書込み規則制御部71をアクセ
スする。そして、登録に必要なデータをライトする0次
に、モード信号をリード/ライト状態にすると、アドレ
スバス72、データバス73はデータ記憶部70をアク
セスする。そして、リード、または、ライト信号を送る
と、胱出し書込み規則制御部で、リード、または、ライ
トを受付けてよいかを判断し、よけれはIJ +ド信号
に対して読出し許可74を送シ、また、ライト信号に対
して書込み許可75を送る。その後、データ記tt部y
oのデータをアドレスバス72の値をもとに続出し書
込みをデータバス73を用いて行なう。Then, to register an arbitrary continuous write rule, when the mode signal is set to the registered state and a write signal is issued, the address bus 72,
Data bus 73 accesses read/write rule control section 71 . Then, when data necessary for registration is written, the mode signal is set to the read/write state, and the address bus 72 and data bus 73 access the data storage section 70. When a read or write signal is sent, the output write rule control unit determines whether or not to accept the read or write. Also, write permission 75 is sent in response to the write signal. After that, the data record section y
Based on the value of the address bus 72, the data of o is successively written using the data bus 73.
以上によう、任意の読出し書込み規則を行危う半導体記
憶装置1が実現する。As described above, a semiconductor memory device 1 capable of implementing arbitrary read/write rules is realized.
さらに、第1図、第7図、第8図の半導体記憶装置1を
チップ化することも容易に考えられる◎〔発明の効果〕
本発明は、以上説明し九よりに構成されているので以下
に記載されるような効果を奏する。すなわち、リード/
ライトの切換えスイッチを設けること罠より、半導体記
憶装置(メモリ)が読出し書込みを規則的に行なうこと
ができる〇また、読出し書込み規則制御部を設けること
によシ、半導体記憶装置(メモリ)が任意の読出し書込
みを規則的に行なうことができる・割込み線を設けるこ
とで、データへの誤ったアクセスに対するエラー検出が
できる。Furthermore, it is easily possible to form the semiconductor memory device 1 shown in FIGS. 1, 7, and 8 into a chip. [Effects of the Invention] The present invention is composed of nine parts as described above, so the following will be explained below. It produces the effects described in . That is, lead/
By providing a write changeover switch, the semiconductor storage device (memory) can read and write regularly. Also, by providing a read/write rule control section, the semiconductor storage device (memory) can perform reading and writing regularly. Reading and writing can be carried out regularly. - By providing an interrupt line, errors in erroneous access to data can be detected.
また、モード線を設けることで、読出し書込みの規則を
登録できる。Further, by providing a mode line, reading and writing rules can be registered.
さらに1本発明の半導体記憶装置(メモリ)の利用によ
シ、ソフトウェア開発規模を小さくし、かつ、性能向上
ができる。Furthermore, by using the semiconductor storage device (memory) of the present invention, it is possible to reduce the scale of software development and improve performance.
さらにまた、本発明の半導体記憶装置(メモリ)の利用
によシ、ハードウェアによるデータ・プロテクトができ
る。Furthermore, by using the semiconductor storage device (memory) of the present invention, data can be protected by hardware.
第1図、第7図、第8図は本発明の一5A施例の読出し
書込みを規則的に行なう半導体記憶装置の説明図、第2
図は第1図を用いたコンピュータ・システムのブロック
図、第3図、第4図は従来のRAMを用いたときの制御
方法のフローチャート、第5図、第6図は第1図を用い
たときの制御方法の20−チャートである。
1・・・半導体記憶装置(メモリ)、11・・・RAM
。
12.15・・・アドレスバス、14.15・・・デー
タバス、16・・・ライト用割込み線。1, 7, and 8 are explanatory diagrams of a semiconductor memory device in which reading and writing are performed regularly according to a 15A embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a block diagram of a computer system using Figure 1, Figures 3 and 4 are flowcharts of a control method when using conventional RAM, and Figures 5 and 6 are based on Figure 1. It is a 20-chart of the control method when. 1... Semiconductor storage device (memory), 11... RAM
. 12.15 Address bus, 14.15 Data bus, 16 Write interrupt line.
Claims (1)
則を用いて読出し書込みの制御をする読出し書込み制御
部と、規則に反する読出し書込みに対するエラー検出用
割込みとを設けたことを特徴とする半導体記憶装置。[Scope of Claims] 1. In a semiconductor memory device that performs reading and writing, a mechanism for registering arbitrary reading and writing rules, a reading and writing control unit that controls reading and writing using the registered rules, and a reading and writing that violates the rules. A semiconductor memory device characterized by providing an interrupt for detecting an error in writing.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006152A JPH03212888A (en) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006152A JPH03212888A (en) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | Semiconductor memory device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03212888A true JPH03212888A (en) | 1991-09-18 |
Family
ID=11630559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006152A Pending JPH03212888A (en) | 1990-01-17 | 1990-01-17 | Semiconductor memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03212888A (en) |
-
1990
- 1990-01-17 JP JP2006152A patent/JPH03212888A/en active Pending
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