JPH03212970A - 強誘電体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は強誘電体装置の電極材料構成に関する［従来の
技術］ 従来、強誘電体装置は、Ｐｔ、Ｐａ、Ｒｈ等の貴金属電
極に挾んで強誘電体を形成するのが通例であった。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、上記従来技術によると、強誘電体と電極との反
応が抑制されはするが、コストが高いと云う課題があっ
た。

本発明は、かかる従来技術を解決し、強誘電体との反応
が抑制でき、且つ、低コストの新らしい強誘電体装置用
の電極材料構成を提供する事を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明は強誘電体装置に関
し、少（とも強誘電体と接する電極材料をＴｉＮとなす
手段をとる事を基本とする。

［実施例コ 以下；実施例により本発明を詳述する。

第１図は本発明の一実施例で且つ本発明の基本構成を示
す強誘電体装置の断面図である。すなわち、ＢａＴｉＯ
３、ＰｂＺｒＴｉＯ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ５Ｇｅ、Ｏ，、
、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｏ，！等から成る強誘電体２は２つのＴ
ｉＮ（１）１及びＴ　ｉ　Ｎ　（２１５から成る電極に
挾まれて成る。

第２図は、本発明の他の実施例を示す半導体装置上の強
誘電体装置の断面図である。すなわち、８１１１の基板
には拡散層１２及びＳｉＯ□１３から成る半導体装置が
有り、該半導体装置の前記拡散層１２上にはＴ１膜をス
パッタ蒸着して形成後、窒素雰囲気中にて加熱処理する
ことにより下地Ｓ１から成る拡散層１２との反応層とし
てのＴｉ５ｉ１４と、窒素雰囲気との反応層Ｔ　ｉ　Ｎ
　ｆＪ）１５を形成するか、あるいは、ＴｉＮをスパッ
タ蒸着して形成する等して、下部電極となし、該下部電
極上にスパッタ蒸着やゾル、ゲル法等により前記例示材
料と同様の強誘電体膜１６を形成後、スパッタ蒸着等に
より上部電極としてＴ　ｉ　Ｎ　（２１１７を形成後、
ガラス１８を形成し、引出し電像として前記ＴｉＮ（２
１１７の上部電極に接続してＡｔ１９を形成したもので
ある。

［発明の効果コ 本発明により、強誘電体と電極との反応が抑制され、且
つ低コストの電極材料による強誘電体装置を提供するこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の実施例を示す強誘電体装置
の要部の断面図である。 １　・・・・・・・・・　Ｔ　　ｉ　　Ｎ　（１）２・
・・・・・・・・強誘電体 ３　・・・・・・・・・　Ｔ　　ｉ　　Ｎ　Ｔ２）１１
　・・・・・・　５１ １２・・・・・・拡散層 １３・・・・・・５１０２ １４　・・―・・・　Ｔｉ５ｉ １５　・・・・・・　Ｔ　　ｉ　　Ｎ　（１）１６・・
・・・・強誘電体膜 １７・・・・・・Ｔ　ｉ　Ｎ　（２＋ １８・・・・・・ガラス １９　・・・・・・　Ａ　　ｔ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　強誘電体には２つのＴｉＮから成る電極に挾まれて成
   る事を特徴とする強誘電体装置。