JPS5893273A - 薄膜半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の属する技術分骨 本発明は非晶質基板上に形成される薄膜半導体装置に関
する。

（２）従来技術とその問題へ 最近ガラス等の非晶質基板上にシリコンやＣｄＳｅ等の
半導体薄膜中堆積し、そこに表示デバイス用の磁界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）を形成することが試みられてい
る。しかし例えば非晶質基板として硼珪酸ガラス（商品
名コーニング７０５９　）を使用した場合、その上に半
導体薄膜を堆積するとき、或いは唯積した半導体薄膜を
熱処理するとき、基板温度を４００°Ｃ以上にすると基
板からＮａ、Ｂ等の不純物が半導体薄膜中に浸入、拡赦
し、素子の成気的特性を著しく劣化させることがわかっ
た。

（３）発明の目的 本発明はかかる事情に鑑みなされたもので、非晶質基板
中の不純物が半、薄体′４映中に浸透しないようにして
素子の・ｄ気特性を向上させたＮ膜半導体装置を提供す
るものである。

（４）発明の概要 即ち本発明は、非晶質基板と半導体薄膜との間に無機絶
縁性薄膜を介在さ亡たことを特徴とするものである。

第１図にその構造の基本構成を示す。１は非晶ノｎ基板
、２は不純物の浸透を防止する無機絶嫌暎で、３は素子
を形成する半導体、１膜である。このようにして倚られ
だ基板は、単に基板中の不純吻の浸透を防ぐだけでなく
、強酸や強アルカリの処理にも耐性があり、この薬品処
理が不可能な硼珪酸ガラス等の狭面の保護もすることが
わかった。

（５）発明の実施例 具体的な実施例は次のようにして行なわれた。

５９ｉｉ＋角、厚さ１＃ｌＩＩの硼珪ｆ俊ガラス（部品
名コーニング７０５９）を基板（１）とし、この上にス
パッタで’ｒａ２０５　（２）を２ｎｏｏｕ堆積した。

スパッタの条件はＲＦ出力Ｉ　ＫＷであり、導入ガスは
Ａｔｒ　６ｍｔｎｒｒ。

０２がＱ、ｆｉｍｔｏｒｒであり、鋸板゛晶硬は１５０
℃であった。その上に半導体４模（３）として、基板温
度５５０°０でプラズマＣＵＤ法で多結晶シリコンを６
０００λｌ佳積ｌ−だ。この多結晶シリコン膜（２）を
用いて、公知の半導体素子製造工程で作製した素子（Ｆ
’　Ｅ’Ｕ’　）　ハＴａ２０５４　ｉｌ　ｉ２）を唯
積Ｌ＆い＆ｆ上に形成しだ素子よりも相互コンダクタン
スが約５倍になった。これは単に゛ｒａ２０５薄喚（２
）が硼珪酸ガラス中のＮａ、　Ｂが半導体薄膜（３）中
に浸入するのを防ぐだけでな（、Ｔａ２０５薄膜（２）
がガラス（１１表面を保穫し、強酸、強アルカリの液に
よる竺理が可能になったことにもよることがわかった。

（６）発明の他の実施例 本発明は無機絶縁性薄膜が裏面にもつけられた第２図の
ような構造に対しても有効である。非晶質基板ｔｌ）と
しては単に硼珪酸ガラスだけでなく、その他の桶々のガ
ラス、溶融石英、アルミナのようなセラミックスに対し
ても有効である。また絶縁性薄膜（２）としてはＴａ２
０５だけでなく、Ｓ　ｔ　Ｏ２ｒ３ｉ３Ｎ４．アルミナ
、それにそれを主成分とする無機絶縁物に対しても有効
である。また半導体ｔＶ膜（３）としては、≠に多結晶
シリコンだけでなくアモルファスシリコン、単結晶シリ
コンその他種々の化合物半導体に対しても有効である。

まだその絶縁膜や半導体嘆を形成する方法も上記以外の
真空蒸層法、　　ＣＶＤ法等の方法によってもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明の構造を示す断面図である。 １．４・・・非晶質基板、２，５．６・・・黒磯絶縁膜
、３．７・・・半導体薄膜。。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非晶質基板上に形成した薄膜半導体装置において、該非
   晶質基板と半導体薄膜との間に無機絶縁性薄膜を介在さ
   せ、非晶質基板中の不純物が半導体薄膜中に浸透するこ
   とを防いだ構造を有する薄膜半導体装置。