JPH03214492A - Multi-port memory - Google Patents

Multi-port memory

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JPH03214492A
JPH03214492A JP2009685A JP968590A JPH03214492A JP H03214492 A JPH03214492 A JP H03214492A JP 2009685 A JP2009685 A JP 2009685A JP 968590 A JP968590 A JP 968590A JP H03214492 A JPH03214492 A JP H03214492A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
port
memory cell
line
bit line
ports
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009685A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toru Ishikawa
透 石川
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH03214492A publication Critical patent/JPH03214492A/en
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Abstract

PURPOSE:To delete a signal line for bypass at the outside of a memory cell array by transferring data from a port on one side to the port on the other side by selecting the same memory cell with two ports. CONSTITUTION:A both port same cell selection circuit 40 connected to word lines 21-24, 31-34 at port A and B sides and bit line selection signals 27, 28, 37, and 38 at port A and B sides of the memory cell array 10 is provided. In such configuration, both ports A and B select a memory cell 14 when a both port same cell selection signal is set at a high level, and the bit line 27 at the port A is connected to the bit line 37 at the port B. In such a way, it is possible to delete the signal line for bypass at the outside of the dual-port memory cell array 10.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、マルチポートメモリに関し、特に一つのポー
トから他のポートへ直接データを転送するマルチポート
メモリに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to multi-port memories, and more particularly to multi-port memories that transfer data directly from one port to another.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、この種のマルチポート間での直接のデータ転送に
は、バイパス回路が用いられていた。
Conventionally, a bypass circuit has been used for this type of direct data transfer between multiple ports.

第3図はこのデュアルポートメモリの一例を示すブロッ
ク図である。このデュアルポ−1・メモリは、Aポート
側データ線6】をデュアルポートメモリセルアレイ10
のAポート側ビット線27,28またはバイパス線74
と接続する切換スイッチ71およびBポート側データ線
62をデュアルポートメモリセルアレイ10のBポート
側ビット線37.38又はバイパス線74と接続する切
換スイッチ72とを有している。
FIG. 3 is a block diagram showing an example of this dual port memory. This dual port 1 memory connects the A port side data line 6 to the dual port memory cell array 10.
A port side bit lines 27, 28 or bypass line 74
and a changeover switch 72 that connects the B port side data line 62 to the B port side bit line 37, 38 or bypass line 74 of the dual port memory cell array 10.

この構成において、切換信号73をハイレベルとした場
合、Aポート側データ線6】がパイバス線74を通して
、Bポート側データ線62と接続される。
In this configuration, when the switching signal 73 is set to high level, the A port side data line 6] is connected to the B port side data line 62 through the pie bus line 74.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上述した従来のマルチポートメモリは、メモリセルアレ
イ10の外部にバイパス用の信号線74を必要とする横
成となっているため、このバイパス信号線用の領域が必
要であるという欠点がある。
The above-described conventional multi-port memory has a horizontal structure that requires a bypass signal line 74 outside the memory cell array 10, and therefore has the disadvantage that an area for this bypass signal line is required.

本発明の目的は、バイパス信号線を必要とせず、メモリ
セルアルイ内のメモリセルを通し、両ポート間のデータ
転送を行うことができるマルチポートメモリを提供する
ことにある。
An object of the present invention is to provide a multiport memory that can transfer data between both ports through memory cells in a memory cell array without requiring a bypass signal line.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明の横或は、複数の入出力ボー1〜を有し、これら
入出力ポートうちの1つのポートから他のポートにデー
タを直接出力する機能を有するマルチポートメモリにお
いて、前記複数の入出力ポートに対して同一メモリセル
を選択する同一メモリセル選択回路を備え、その同一メ
モリセルをセル選択信号により選択し、このメモリセル
を介して前記1つのポートから他のポートへデータを転
送するようにしたことを特徴とする。
Alternatively, in a multi-port memory having a plurality of input/output ports 1 to 1 and having a function of directly outputting data from one port of these input/output ports to another port, the plurality of input/output ports A same memory cell selection circuit is provided for selecting the same memory cell for a port, the same memory cell is selected by a cell selection signal, and data is transferred from the one port to another port via this memory cell. It is characterized by the following.

〔実施例〕〔Example〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例の回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention.

メモリアレイは、簡略化し、4×2構成のデュアルポー
トメモリセルアレイとしている。デュアルボ−1−メモ
リセルアレイ10は、A,B両ポート共通のメモリセル
11〜18と、各々のメモリセルのゲートを制御するA
ポート側ワード線21〜,24及びBポート側ワード線
31〜34と、Aポートとデータ入出力を行うAポート
側ビット線27.28及びBポートとデータ入出力を行
うBポート側ビット線37.38と、Aポートのビット
線の選択を行うAポート側ビット選択信号25,26及
びBポートのビット線の選択を行うBポート側ビット線
選択信号35.36とから横成される。
The memory array is simplified to a dual port memory cell array with a 4×2 configuration. The dual-board 1-memory cell array 10 includes memory cells 11 to 18 that are common to both ports A and B, and an A port that controls the gate of each memory cell.
Port side word lines 21 to 24, B port side word lines 31 to 34, A port side bit lines 27 and 28 that perform data input/output with the A port, and B port side bit line 37 that performs data input/output with the B port. .38, A port side bit selection signals 25 and 26 for selecting the bit line of the A port, and B port side bit line selection signals 35 and 36 for selecting the B port bit line.

本実施例は、メモリセルアレイ10のA及びBボー1・
側ワード線21〜24.31〜34とA及びBポート側
ビット線選択信号27.28,37,38に接続される
両ポート同一セル選択回路40を備え、両ポート同一セ
ル選択信号41をハイレベルとした場合、A,B両ポー
トともメモリセル14を選択し、Aポート側ビット線2
7はBポート側ビット線37と接続される。
In this embodiment, A and B baud 1 and 1 of the memory cell array 10 are
Both port same cell selection circuits 40 are connected to side word lines 21 to 24, 31 to 34 and A and B port side bit line selection signals 27, 28, 37, 38, and both port same cell selection signals 41 are set to high. When the level is set, memory cell 14 is selected for both ports A and B, and bit line 2 on the A port side is selected.
7 is connected to the B port side bit line 37.

第2図は本発明の第2の実施例のブロック図である。デ
ュアルポートメモリセルアレイ10のワード線21〜2
4.31〜34及びビット線選択信号25.26,35
.36に両ポート同一セル選択回路40aが接続される
FIG. 2 is a block diagram of a second embodiment of the invention. Word lines 21 to 2 of dual port memory cell array 10
4.31-34 and bit line selection signals 25.26, 35
.. A both-port same cell selection circuit 40a is connected to 36.

本実施例では、両ポート同一セル選択回路40a内に1
ビットレジスタ50を備え、両ポート同一セル選択信号
41によって選択されるメモリセルを変更することがで
きるため、メモリセルのデータが8換わってもよいメモ
リセルを選んでそれをデータ転送用のメモリセルをする
ことができる利点がある。
In this embodiment, one cell selection circuit 40a for both ports has one
Since it is equipped with a bit register 50 and can change the memory cell selected by the same cell selection signal 41 for both ports, it selects a memory cell whose data can be changed by 8 and selects it as a memory cell for data transfer. It has the advantage of being able to

例えば、1ビットレジスタ50が「1」の場合、ワード
線24.34がデータ転送用のワード線となり、逆に1
ビットレジスタ50が「O」の場合、ワード前23.3
3がデータ転送用のワード線となる。
For example, when the 1-bit register 50 is "1", the word line 24.34 becomes the word line for data transfer, and vice versa.
If bit register 50 is “O”, 23.3 before word
3 is a word line for data transfer.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、両ポートから同−のメモ
リセルを選択さぜることにより、そのメモリセルをして
一方のポートより他方のポートへデータを転送すること
が可能であり、メモリセルアレイの外部にあるバイパス
用の信号線を削除できるという効果がある。
As explained above, in the present invention, by selecting the same memory cell from both ports, data can be transferred from one port to the other port using the memory cell. This has the effect of eliminating bypass signal lines outside the cell array.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図,第2図は本発明の第1および第2の実施例を示
すデュアルポートメモリのブロック図、第3図は、従来
のデータバイパス機能を有するデュアルポートメモリの
一例のブロック図である。 10・・・デュアルポートメモリセルアレイ、11〜1
8・・・メモリセル、21〜24・・・Aポート側ワー
ド線、25.26・・・Aポート側ビット線選択信号、
27.28・・・Aポート側ビット線、31〜34・・
・Bポート側ワード線、35.36・・・Bポート側ビ
ット線選択信号、37.38・・・Bポート側ビット線
、40.40a・・・両ポート同一セル選択回路、41
・・・両ポート同一セル選択信号、50・・・1ビット
レジスタ、61・・・Aポート側データ線、62・・・
Bポート側テータ線、71.72・・・切換スイッチ、
73・・・切換信号、74・・・バイパス線。
1 and 2 are block diagrams of dual port memories showing first and second embodiments of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram of an example of a conventional dual port memory having a data bypass function. . 10...Dual port memory cell array, 11-1
8...Memory cell, 21-24...A port side word line, 25.26...A port side bit line selection signal,
27.28...A port side bit line, 31-34...
・B port side word line, 35.36...B port side bit line selection signal, 37.38...B port side bit line, 40.40a...Both ports same cell selection circuit, 41
...Same cell selection signal for both ports, 50...1-bit register, 61...A port side data line, 62...
B port side theta wire, 71.72... changeover switch,
73...Switching signal, 74...Bypass line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 複数の入出力ポートを有し、これら入出力ポートうちの
1つのポートから他のポートにデータを直接出力する機
能を有するマルチポートメモリにおいて、前記複数の入
出力ポートに対して同一メモリセルを選択する同一メモ
リセル選択回路を備え、その同一メモリセルをセル選択
信号により選択し、このメモリセルを介して前記1つの
ポートから他のポートへデータを転送するようにしたこ
とを特徴とするマルチポートメモリ。
In a multi-port memory that has multiple input/output ports and has a function of directly outputting data from one of these input/output ports to another port, selecting the same memory cell for the multiple input/output ports. The multi-port is characterized in that the same memory cell is selected by a cell selection signal, and data is transferred from the one port to another port via the memory cell. memory.
JP2009685A 1990-01-19 1990-01-19 Multi-port memory Pending JPH03214492A (en)

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JP2009685A JPH03214492A (en) 1990-01-19 1990-01-19 Multi-port memory

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JP2009685A JPH03214492A (en) 1990-01-19 1990-01-19 Multi-port memory

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Publication Number Publication Date
JPH03214492A true JPH03214492A (en) 1991-09-19

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ID=11727066

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JP2009685A Pending JPH03214492A (en) 1990-01-19 1990-01-19 Multi-port memory

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