JPH0321462A - サーマルヘッド基板とその製造方法 - Google Patents
サーマルヘッド基板とその製造方法Info
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- JPH0321462A JPH0321462A JP15769189A JP15769189A JPH0321462A JP H0321462 A JPH0321462 A JP H0321462A JP 15769189 A JP15769189 A JP 15769189A JP 15769189 A JP15769189 A JP 15769189A JP H0321462 A JPH0321462 A JP H0321462A
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Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はサーマルヘッド基板およびその製造方法に関し
、特に電極体の膜構或に関する。
、特に電極体の膜構或に関する。
サーマルヘッド基板は、一般に絶縁基板上に抵抗体や、
それに接続する金属配線パターンを膜技術で形成してい
る． 第４図（ａ）及び（ｂ）は従来のサーマルヘッド基板の
一例の電極構造の一部の平面図及びＡ−Ａ’線断面図で
ある。
それに接続する金属配線パターンを膜技術で形成してい
る． 第４図（ａ）及び（ｂ）は従来のサーマルヘッド基板の
一例の電極構造の一部の平面図及びＡ−Ａ’線断面図で
ある。
サーマルヘッド基板は、グレーズドアルミナ基板１上に
抵抗体層２が設けられ、この表面両端に接続して電力を
供給するための電極体１４ａ，１４ｂが設けられている
。
抵抗体層２が設けられ、この表面両端に接続して電力を
供給するための電極体１４ａ，１４ｂが設けられている
。
電極体１４ａ，１４ｂがエッチング除去された抵抗体層
２の領域は発熱部３となる。
２の領域は発熱部３となる。
発熱部３と電極体１４ａ，１４ｂの表面には耐摩耗層１
７が設けられている。
７が設けられている。
上述した従来のサーマルへ，ド基板を用いて印字を行う
場合、発熱部３が感熱紙８を介してプラテン９に押しつ
けられる。
場合、発熱部３が感熱紙８を介してプラテン９に押しつ
けられる。
この種のサーマルヘッド基板に於いては、電極体１４ａ
，１４ｂの厚み分だけドット状の発熱部ｌ３が下方に位
置しているので、リード状の電極体１４ａ，１４ｂの発
熱部３近傍の左右端縁Ｐが感熱紙８に接触し、発熱部３
が確実に感熱８紙に接触しないおそれがあり、十分な印
字濃度が得られない場合が生じる． また、無理な力が電極体１４ａ，１４ｂの左右端縁に付
加される結果、耐摩耗層１７が電極耐の左右端部Ｐに於
いて引き剥がされるおそれもある。
，１４ｂの厚み分だけドット状の発熱部ｌ３が下方に位
置しているので、リード状の電極体１４ａ，１４ｂの発
熱部３近傍の左右端縁Ｐが感熱紙８に接触し、発熱部３
が確実に感熱８紙に接触しないおそれがあり、十分な印
字濃度が得られない場合が生じる． また、無理な力が電極体１４ａ，１４ｂの左右端縁に付
加される結果、耐摩耗層１７が電極耐の左右端部Ｐに於
いて引き剥がされるおそれもある。
このおそれをなくすため電極体の膜厚を薄くすれば良い
が、膜厚は電極体の導体抵抗値の増加を最小限に保つ必
要があるので、薄くするには限界がある。
が、膜厚は電極体の導体抵抗値の増加を最小限に保つ必
要があるので、薄くするには限界がある。
本発明のサーマルヘッド基板は、絶縁基板の表面に形成
されかつ一部に発熱部を有する抵抗体層と、前記発熱部
以外の前記抵抗体層の表面に形成された下電極体層と、
前記発熱部を含みその周縁部を除いて、前記下電極体層
の上に形成された上電極体層とを有して構或されている
。
されかつ一部に発熱部を有する抵抗体層と、前記発熱部
以外の前記抵抗体層の表面に形成された下電極体層と、
前記発熱部を含みその周縁部を除いて、前記下電極体層
の上に形成された上電極体層とを有して構或されている
。
また本発明のサーマルヘッド基板の製造方法は、絶縁基
板上に抵抗体層を形成後、下電極体層と選択エッチング
可能な中間金属層と前記下電極体層と同材質からなる上
電極体層を順次積層して形成し、次に前記抵抗体層の一
部の発熱部を含み該発熱部領域の面積よりも広い面積に
わたって前記上電極体層をエッチング除去し、次に中間
金属層をエッチング除去した後、前記下電極体層と前記
抵抗体層とからなる導体回路を形成し、次に前記発熱部
表面の前記下電極体層を除去する工程とを有している， 〔実施例〕 第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例の導体
配置を示す部分平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（
ａ）〜（ｅ）は第１図のサーマＡｔへ，ド基板の電極体
構造及びその製造方法を説明するための工程順に示した
仕掛基板の断面図である。
板上に抵抗体層を形成後、下電極体層と選択エッチング
可能な中間金属層と前記下電極体層と同材質からなる上
電極体層を順次積層して形成し、次に前記抵抗体層の一
部の発熱部を含み該発熱部領域の面積よりも広い面積に
わたって前記上電極体層をエッチング除去し、次に中間
金属層をエッチング除去した後、前記下電極体層と前記
抵抗体層とからなる導体回路を形成し、次に前記発熱部
表面の前記下電極体層を除去する工程とを有している， 〔実施例〕 第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施例の導体
配置を示す部分平面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（
ａ）〜（ｅ）は第１図のサーマＡｔへ，ド基板の電極体
構造及びその製造方法を説明するための工程順に示した
仕掛基板の断面図である。
まず、第２図（ａ）に示すように、グレーズドアルミナ
基板１上に抵抗体層２としてＴ．Ｓｉ０２膜を約０．１
〜０．２μｍ厚に或膜し次に下電極体層４としてＡＩｌ
膜を約０．３μｍ厚に成膜後、中間金属層５としてＴ．
ＳｉＯ２約０． １ 〜０． ２ ｐ ｍ厚に或膜後、
更に上電極体層６として、ＡＡ膜を約０．７μｍ厚にそ
れぞれスパッタリング法により或膜する．次に第２図（
ｂ）に示すように、ホトレジスト処理技術によりＡ［膜
の上電極体層６の一部として発熱領域３．含みかつその
面積よりも広い面積をリン酸と硝酸系のエッチャントで
エッチング除去してＴ．ＳｉＯｚ膜の中間金属層５の露
出した上電極体層６のＡＡパターンを形成する。
基板１上に抵抗体層２としてＴ．Ｓｉ０２膜を約０．１
〜０．２μｍ厚に或膜し次に下電極体層４としてＡＩｌ
膜を約０．３μｍ厚に成膜後、中間金属層５としてＴ．
ＳｉＯ２約０． １ 〜０． ２ ｐ ｍ厚に或膜後、
更に上電極体層６として、ＡＡ膜を約０．７μｍ厚にそ
れぞれスパッタリング法により或膜する．次に第２図（
ｂ）に示すように、ホトレジスト処理技術によりＡ［膜
の上電極体層６の一部として発熱領域３．含みかつその
面積よりも広い面積をリン酸と硝酸系のエッチャントで
エッチング除去してＴ．ＳｉＯｚ膜の中間金属層５の露
出した上電極体層６のＡＡパターンを形成する。
次に第２図（Ｃ）に示すように、０２＋ＣＦ４ガスを用
いたドライエッチングを行い、Ｔ ａ Ｓ ｉＯ ２膜
の中関金属層５を除去する。
いたドライエッチングを行い、Ｔ ａ Ｓ ｉＯ ２膜
の中関金属層５を除去する。
このときＴ ａ Ｓ ｉＯ ２膜は下電極体Ｍ４である
Ａｉ＋膜と上電極体層６であるＡβ膜を選択分離する。
Ａｉ＋膜と上電極体層６であるＡβ膜を選択分離する。
次に第２図（ｄ）に示すように、Ａｎｏ下電極体層４の
一部をリン酸と硝酸系のエッチャントでエッチングして
Ａ［のパターンを形成し、続いてその下の抵抗体層２を
フッ酸と硝酸の混合系エッチャントでエッチングして除
去してＡＡ導体パターンを形成する． Ｌ 次に第オ図（ｅ）に示すうように、上述のＡｎ導体パタ
ーン形成後、同様のホトレジスト処理技術により発熱領
域３．部分以外をホトレジストでマスキングして、リン
酸と硝酸系のエッチャントで除去し発熱部３を形成する
。
一部をリン酸と硝酸系のエッチャントでエッチングして
Ａ［のパターンを形成し、続いてその下の抵抗体層２を
フッ酸と硝酸の混合系エッチャントでエッチングして除
去してＡＡ導体パターンを形成する． Ｌ 次に第オ図（ｅ）に示すうように、上述のＡｎ導体パタ
ーン形成後、同様のホトレジスト処理技術により発熱領
域３．部分以外をホトレジストでマスキングして、リン
酸と硝酸系のエッチャントで除去し発熱部３を形成する
。
最後に第１図（ｂ）に示すように、発熱部３下電極体層
４．、４，及び上電極体層の６から形成した共通電極６
０個別電極体６，の表面を耐摩耗層７で覆い、サーマル
ヘッド基板が出来上がる。
４．、４，及び上電極体層の６から形成した共通電極６
０個別電極体６，の表面を耐摩耗層７で覆い、サーマル
ヘッド基板が出来上がる。
第１図（ａ） ， （ｂ）に示すように、サーマルヘッ
ド基板は、抵抗耐層２の発熱部３に通電するための導体
回路１０が中間金属層５，をはさんで重膜となっており
、更に抵抗体層２上の発熱部３側の電極体の端縁が二段
構造になている。
ド基板は、抵抗耐層２の発熱部３に通電するための導体
回路１０が中間金属層５，をはさんで重膜となっており
、更に抵抗体層２上の発熱部３側の電極体の端縁が二段
構造になている。
この様に導体抵抗値を最小限に保ちながら、発熱部３近
傍の電極耐膜厚を下電極体層の１段にして薄くする事に
より、発熱部３と感熱紙８を介したプラテンローラー９
が充分接触でき十分な印字導体配置を示す平面図及びＡ
−Ａ’線断面図である。
傍の電極耐膜厚を下電極体層の１段にして薄くする事に
より、発熱部３と感熱紙８を介したプラテンローラー９
が充分接触でき十分な印字導体配置を示す平面図及びＡ
−Ａ’線断面図である。
第３図（ａ）に示すように、下電極体層４としてＡＡ膜
を約１．０μｍ厚、中間金属層２として、Ｎ ｉ Ｃ
ｒ膜を約０． １μｍ厚、上電極体層６としてＡｊ７膜
を約３．０μｍ厚を形成後、共通電極耐６．のみを中間
金属層５，のＮ ｉ Ｃ ｒをはさんだ下電極体層４，
のＡｆ［と共通電極体６，のＡ｛膜の重膜としたもので
ある。
を約１．０μｍ厚、中間金属層２として、Ｎ ｉ Ｃ
ｒ膜を約０． １μｍ厚、上電極体層６としてＡｊ７膜
を約３．０μｍ厚を形成後、共通電極耐６．のみを中間
金属層５，のＮ ｉ Ｃ ｒをはさんだ下電極体層４，
のＡｆ［と共通電極体６，のＡ｛膜の重膜としたもので
ある。
製造プロセスは第一の実施例と同様であるが、ＮｉＣｒ
膜のエッチング液として、硝酸第２セリウムアンモンと
過塩素酸の混合液を用いてＡｎ膜との選択エッチングを
行う。
膜のエッチング液として、硝酸第２セリウムアンモンと
過塩素酸の混合液を用いてＡｎ膜との選択エッチングを
行う。
この実施例では発熱部３の周縁の電極体４，，４，の左
右端縁でのプラテンローラとの接触よりも、共通電極部
の導体抵抗値を下げるために共通電極部６．を厚くする
ことを重点におくのに有効である． また中間金属層５としてＮｉＣｒを使用すればドライエ
ッチング装置は不用であり、ウェットエッチングで選択
工，チングが可能であるので簡便である。
右端縁でのプラテンローラとの接触よりも、共通電極部
の導体抵抗値を下げるために共通電極部６．を厚くする
ことを重点におくのに有効である． また中間金属層５としてＮｉＣｒを使用すればドライエ
ッチング装置は不用であり、ウェットエッチングで選択
工，チングが可能であるので簡便である。
本実施例は、大電流の流れる共通電極体のみを重膜とす
ることで大電流を流した場合にもその電圧降下による基
板の印字位置による印加電圧差を小さくでき、良好な印
字を得る事ができる。
ることで大電流を流した場合にもその電圧降下による基
板の印字位置による印加電圧差を小さくでき、良好な印
字を得る事ができる。
以上説明した本発明は、先ず絶縁基板の表面に形成され
抵抗体層２０発熱部以外の表面に下電極体層を設け、発
熱部を含みそれよりも大きい領域を除いて下電極体層の
表面に上電極体層を設け、発熱部周縁の電極体を二段構
造にしてプラテンローラと発熱部との耐摩耗層を介する
接触を良好ならしめる効果がある。
抵抗体層２０発熱部以外の表面に下電極体層を設け、発
熱部を含みそれよりも大きい領域を除いて下電極体層の
表面に上電極体層を設け、発熱部周縁の電極体を二段構
造にしてプラテンローラと発熱部との耐摩耗層を介する
接触を良好ならしめる効果がある。
７・・・・・・耐摩耗層、８感熱紙、９・・・・・・プ
ラテンローラ、１０・・・・・・導体回路。
ラテンローラ、１０・・・・・・導体回路。
Claims (2)
- （１）絶縁基板の表面に形成されかつ一部に発熱部を有
する抵抗体層と、前記発熱部以外の前記抵抗体層の表面
に形成された下電極体層と、前記発熱部を含みその周縁
部を除いて、前記下電極体層の上に形成された上電極体
層とを有することを特徴とするサーマルヘッド基板。 - （２）絶縁基板上に抵抗体層を形成後、下電極体層と選
択エッチング可能な中間金属層と前記下電極体層と同材
質からなる上電極体層を順次積層して形成し、次に前記
抵抗体層の一部の発熱部を含み該発熱部領域の面積より
も広い面積にわたって前記上電極体層をエッチング除去
し、次に中間金属層をエッチング除去した後、前記下電
極体層と前記抵抗体層とからなる導体回路を形成し、次
に前記発熱部表面の前記下電極体層を除去する工程とを
含むことを特徴とするサーマルヘッド基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15769189A JPH0321462A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | サーマルヘッド基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15769189A JPH0321462A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | サーマルヘッド基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0321462A true JPH0321462A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15655278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15769189A Pending JPH0321462A (ja) | 1989-06-19 | 1989-06-19 | サーマルヘッド基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0321462A (ja) |
-
1989
- 1989-06-19 JP JP15769189A patent/JPH0321462A/ja active Pending
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