JPH03215800A - Ｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線露光方法Info
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- JPH03215800A JPH03215800A JP2011129A JP1112990A JPH03215800A JP H03215800 A JPH03215800 A JP H03215800A JP 2011129 A JP2011129 A JP 2011129A JP 1112990 A JP1112990 A JP 1112990A JP H03215800 A JPH03215800 A JP H03215800A
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- ray
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/7015—Details of optical elements
-
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- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
Ｘ線露光方法における光源に関し、
大気中へのＸ線の取り出し面積を出来るだけ大きくし、
且つ、出来るだけ強いＸ線強度を取り出すようにするこ
とを目的とし、 シンクロトロン放射光を光源とするＸ線露光方法におい
て、 高真空中において前記シンクロトロン放射光をビームラ
インより取り出し、シンクロトロン放射光の発散光をト
ロイダルミラーあるいはシリンドリカルミラーによって
反射させて集光し、集光させて幅をもった一定形状のＸ
線を同様形状のベリリウム窓を介して大気中に取り出し
、該一定形状のＸ線を照射光として利用して露光するよ
うにしたことを特徴とする。
且つ、出来るだけ強いＸ線強度を取り出すようにするこ
とを目的とし、 シンクロトロン放射光を光源とするＸ線露光方法におい
て、 高真空中において前記シンクロトロン放射光をビームラ
インより取り出し、シンクロトロン放射光の発散光をト
ロイダルミラーあるいはシリンドリカルミラーによって
反射させて集光し、集光させて幅をもった一定形状のＸ
線を同様形状のベリリウム窓を介して大気中に取り出し
、該一定形状のＸ線を照射光として利用して露光するよ
うにしたことを特徴とする。
本発明はＸ線露光方法にかかり、特にその光源に関して
いる。
いる。
ＬＳＩなどの半導体デバイスは３．４年毎に集積度を約
４倍に向上する傾向が続いており、この集積度の向上の
ためにはデバイスの寸法を減少させることが要求される
。本発明は限界に達した従来のフォト露光法に代わるＸ
線露光法の光源Ｇこ関する提案である。
４倍に向上する傾向が続いており、この集積度の向上の
ためにはデバイスの寸法を減少させることが要求される
。本発明は限界に達した従来のフォト露光法に代わるＸ
線露光法の光源Ｇこ関する提案である。
〔従来の技術）
従来、紫外線または遠紫外線を用いてマスク（あるいは
レチクル）に描画したデバイスパターンをウエハー面に
転写していた。しかし、ウエノ−一面に転写すべきデハ
イスパターンの寸法が紫外線，遠紫外線の露光波長と同
程度あるいはその約２倍程度の大きさに微細化されてき
たために、ウエハー面にパターンを精度良く転写するこ
とが極めて困難になってきた。そのため、露光装置の高
ＮＡ化．露光の短波長化，処理法の改善などを工夫して
きたが、それらはいずれも技術的限界に近づきつつある
。
レチクル）に描画したデバイスパターンをウエハー面に
転写していた。しかし、ウエノ−一面に転写すべきデハ
イスパターンの寸法が紫外線，遠紫外線の露光波長と同
程度あるいはその約２倍程度の大きさに微細化されてき
たために、ウエハー面にパターンを精度良く転写するこ
とが極めて困難になってきた。そのため、露光装置の高
ＮＡ化．露光の短波長化，処理法の改善などを工夫して
きたが、それらはいずれも技術的限界に近づきつつある
。
この難題を解決するために、露光波長が２〜３桁小さい
Ｘ線を利用する技術の開発が進められている。しかし、
これまでのＸ線源は熱電子衝撃型やピンチ・プラズマの
発生であって、Ｘ線強度が小さく、また、発散光源のた
めに露光装置、特に位置合わせ構造に負担が掛かる等の
欠点があった。
Ｘ線を利用する技術の開発が進められている。しかし、
これまでのＸ線源は熱電子衝撃型やピンチ・プラズマの
発生であって、Ｘ線強度が小さく、また、発散光源のた
めに露光装置、特に位置合わせ構造に負担が掛かる等の
欠点があった。
従って、極めて大きな強度のＸ線源としてシンクロトロ
ン放射光（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏ
ｎ ； ＳＲ）を利用する露光方法が研究されており、
スループットの改善なども期待されるとして注目されて
いる方法である。
ン放射光（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏ
ｎ ； ＳＲ）を利用する露光方法が研究されており、
スループットの改善なども期待されるとして注目されて
いる方法である。
以下に、そのシンクロトロン放射光を用いたＸ線リソグ
ラフィ技術について概要を説明すると、このシンクロト
ロン放射光（以下、ＳＲ光と称する）はそれから得られ
る軟Ｘ線を照射してパターン転写をおこなうもので、そ
のようなＳＲ光は電子蓄積リングで作成される。この電
子蓄積リングとは電子を制御する偏向電磁石などの各種
電磁石，電子にエネルギーを補給するための加速空胴，
その他を配した超高真空の環状真空ダクトからなり、直
線加速器から加速された電子線を蓄積リングに入射させ
てリング中を周回させておき、光速に近い速度で運動し
ているときに進行方向を変化させて接線方向に強い光を
放射させ、そのＳＲ光をビームラインから取り出して微
細加工のリソグラフィ技術に利用するものである。
ラフィ技術について概要を説明すると、このシンクロト
ロン放射光（以下、ＳＲ光と称する）はそれから得られ
る軟Ｘ線を照射してパターン転写をおこなうもので、そ
のようなＳＲ光は電子蓄積リングで作成される。この電
子蓄積リングとは電子を制御する偏向電磁石などの各種
電磁石，電子にエネルギーを補給するための加速空胴，
その他を配した超高真空の環状真空ダクトからなり、直
線加速器から加速された電子線を蓄積リングに入射させ
てリング中を周回させておき、光速に近い速度で運動し
ているときに進行方向を変化させて接線方向に強い光を
放射させ、そのＳＲ光をビームラインから取り出して微
細加工のリソグラフィ技術に利用するものである。
第５図はその電子蓄積リングの概要図を示しており、１
０は直線加速器，１１は蓄積リング，１２は偏向電磁石
， １３は加速空胴，１４は真空ダクトｌ５はビームラ
イン，托はＳＲ光である。なお、電磁石として他に四極
電磁石，六極電磁石，補正電磁石などが偏向電磁石と同
様に配設されている。
０は直線加速器，１１は蓄積リング，１２は偏向電磁石
， １３は加速空胴，１４は真空ダクトｌ５はビームラ
イン，托はＳＲ光である。なお、電磁石として他に四極
電磁石，六極電磁石，補正電磁石などが偏向電磁石と同
様に配設されている。
ところで、このような電子蓄積リングから放射されたＳ
Ｒ光を照射するＸ線露光方法においては、ＳＲ光がマイ
クロ波帯からＸ線領域までの広い波長領域の連続スペク
トルをもっているために、全反射ミラーによる短波長Ｘ
線成分の除去とベリリウム窓などの吸収フィルタによる
長波長成分の除去をおごなって、５人より少し長い波長
、例えば、５〜１５人の波長帯のＸ線を利用して露光す
るものである。
Ｒ光を照射するＸ線露光方法においては、ＳＲ光がマイ
クロ波帯からＸ線領域までの広い波長領域の連続スペク
トルをもっているために、全反射ミラーによる短波長Ｘ
線成分の除去とベリリウム窓などの吸収フィルタによる
長波長成分の除去をおごなって、５人より少し長い波長
、例えば、５〜１５人の波長帯のＸ線を利用して露光す
るものである。
しかしながら、ＳＲ光によるＸ線であっても、大気中を
長距離に亙って引き出すと減衰が激しく、出来れば真空
中で露光するとか、あるいは、大気中の走行距離が１０
ｍｍ以下にすることが重要で、そのために高真空（真空
度１０−’〜１０−” Ｔｏｒｒ）に保持したビームラ
イン（真空ダクトで構成されている）を用いて、発生し
たＸ線を減衰させることなく必要な位置まで高真空中に
導びく方法が採られている。しかし、高真空中では取扱
が困難になる等の理由から、露光は大気中でおこなうこ
とが望まれ、ビームラインの終端にはＸ線を透過し易い
ベリリウム（Ｂｅ）窓が用いられて、大気中に取り出す
方法が考えられている。このベリリウムは原子番号が小
さく、機械的強度が大きいためにＸ線透過窓として適し
ているが、厚みを１０〜１００μｍ程度にすることが適
当で、厚みを薄くすると機械的強度が弱くて破損し易く
、又、厚みを厚くするとＸ線が減衰してＸ線強度が低下
することになる。
長距離に亙って引き出すと減衰が激しく、出来れば真空
中で露光するとか、あるいは、大気中の走行距離が１０
ｍｍ以下にすることが重要で、そのために高真空（真空
度１０−’〜１０−” Ｔｏｒｒ）に保持したビームラ
イン（真空ダクトで構成されている）を用いて、発生し
たＸ線を減衰させることなく必要な位置まで高真空中に
導びく方法が採られている。しかし、高真空中では取扱
が困難になる等の理由から、露光は大気中でおこなうこ
とが望まれ、ビームラインの終端にはＸ線を透過し易い
ベリリウム（Ｂｅ）窓が用いられて、大気中に取り出す
方法が考えられている。このベリリウムは原子番号が小
さく、機械的強度が大きいためにＸ線透過窓として適し
ているが、厚みを１０〜１００μｍ程度にすることが適
当で、厚みを薄くすると機械的強度が弱くて破損し易く
、又、厚みを厚くするとＸ線が減衰してＸ線強度が低下
することになる。
一方、ベリリウム（Ｂｅ）窓の厚みと大きさ（幅×長さ
）との関係は大気圧に耐える限度で決定されるが、その
値は大気圧によって生じるベリリウムの内部応力を約４
５Ｋｇ／ｍｓ＋ｚ以下にする必要がある。しかも、Ｘ線
強度を大きくするためには取リ込み角（ＳＲ光から取り
出す面積）を大きくしなければならない。
）との関係は大気圧に耐える限度で決定されるが、その
値は大気圧によって生じるベリリウムの内部応力を約４
５Ｋｇ／ｍｓ＋ｚ以下にする必要がある。しかも、Ｘ線
強度を大きくするためには取リ込み角（ＳＲ光から取り
出す面積）を大きくしなければならない。
本発明はこのような問題点を改善して、大気中へのＸ線
の取り出し面積を出来るだけ大きくし、且つ、出来るだ
け強いＸ線強度を取り出すようにすることを目的とした
Ｘ線露光方法を提案するものである。
の取り出し面積を出来るだけ大きくし、且つ、出来るだ
け強いＸ線強度を取り出すようにすることを目的とした
Ｘ線露光方法を提案するものである。
（課題を解決するための手段〕
その課題は、高真空中において前記シンクロトロン放射
光をビームラインより取り出し、シンクロ１・ロン放射
光の発散光をトロイダルミラーあるいはシリンドリカル
ミラーによって反射させて集光し、集光させて幅をもっ
た一定形状のＸ線を同様形状のベリリウム窓を介して大
気中に取り出し、該一定形状のＸ線を照射光として利用
して露光するようにしたＸ線露光方法によって解決され
る。
光をビームラインより取り出し、シンクロ１・ロン放射
光の発散光をトロイダルミラーあるいはシリンドリカル
ミラーによって反射させて集光し、集光させて幅をもっ
た一定形状のＸ線を同様形状のベリリウム窓を介して大
気中に取り出し、該一定形状のＸ線を照射光として利用
して露光するようにしたＸ線露光方法によって解決され
る。
即ち、本発明は、真空ダクトからなるビームライン中に
トロイダルミラ−（Ｔｏｒｏｉｄａｌ Ｍｉｒｒｏｒ
；環状面の鏡）あるいはシリンドリ力ルミラ−（Ｃｙ
１ｉｎｄｒｉｃａｌ Ｍｉｒｒｏｒ ；円筒状面の鏡）
を配置し、反射させて集光した一定形状（例えば、弓状
）のＸ線をヘリリウム窓を介して大気中に取り出し、そ
の一定形状のＸ線を光源として用いる。
トロイダルミラ−（Ｔｏｒｏｉｄａｌ Ｍｉｒｒｏｒ
；環状面の鏡）あるいはシリンドリ力ルミラ−（Ｃｙ
１ｉｎｄｒｉｃａｌ Ｍｉｒｒｏｒ ；円筒状面の鏡）
を配置し、反射させて集光した一定形状（例えば、弓状
）のＸ線をヘリリウム窓を介して大気中に取り出し、そ
の一定形状のＸ線を光源として用いる。
そうすると、ヘリリウム窓の形状をそれらのミラーで反
射させた一定形状にほぼ一致させて、ヘリリウム窓の幅
が小さくできる。且つ、例えば、一定形状の幅が３〜４
ｎ＋ｍの場合、ベリリウム窓の幅を４〜５ＩＩｌｌＩ１
程度に余裕を与えて作成しておく。
射させた一定形状にほぼ一致させて、ヘリリウム窓の幅
が小さくできる。且つ、例えば、一定形状の幅が３〜４
ｎ＋ｍの場合、ベリリウム窓の幅を４〜５ＩＩｌｌＩ１
程度に余裕を与えて作成しておく。
そうすると、ヘリリウムの内部応力（４５Ｋｇ／ ｍｍ
２）に耐えるために、ベリリウム窓の厚みを２５μｍま
で薄くでき、そのようにベリリウムを薄くすれば、大気
中に取り出すＸ線強度が大きくなる。
２）に耐えるために、ベリリウム窓の厚みを２５μｍま
で薄くでき、そのようにベリリウムを薄くすれば、大気
中に取り出すＸ線強度が大きくなる。
〔実 施 例］
以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
？１図は本発明にかかる一定形状のＸｉを作成する要部
図で、図は蓄積リング１１がらビームラインに取り出し
・一定形状のＸ線を作成する高真空中の構成を示してい
る。記号１ｌは蓄積リング，ｌはＳＲ光（シンクロトロ
ン放射光），２は１・ロイダルミラー．３は一定形状の
Ｘ線で、ＰＨ１は蓄積リングから取り出した］？光１の
横方向のビーム拡がり角度， Ｐｓｉは蓄積リングから
取り出したＳＲ光１の紺方向のビーム拡がり角度，Ｐは
蓄積リングとトロイダルミラーとの距離．Ｚはトロイダ
ルミラーと一定形状（弓状）のＸ線の距離で、定形状（
例えば、弓状）のＸ線３とはベリリウム窓を透過して大
気中に放射させる形状のＸ線のことである。
図で、図は蓄積リング１１がらビームラインに取り出し
・一定形状のＸ線を作成する高真空中の構成を示してい
る。記号１ｌは蓄積リング，ｌはＳＲ光（シンクロトロ
ン放射光），２は１・ロイダルミラー．３は一定形状の
Ｘ線で、ＰＨ１は蓄積リングから取り出した］？光１の
横方向のビーム拡がり角度， Ｐｓｉは蓄積リングから
取り出したＳＲ光１の紺方向のビーム拡がり角度，Ｐは
蓄積リングとトロイダルミラーとの距離．Ｚはトロイダ
ルミラーと一定形状（弓状）のＸ線の距離で、定形状（
例えば、弓状）のＸ線３とはベリリウム窓を透過して大
気中に放射させる形状のＸ線のことである。
第２図はトロイダルミラーの斜視図を示し、このトロイ
ダルミラーは−］二下左右の光を効率的に集めることが
できる形状の鏡で、ＳＲ光を反射し易い材質、例えば、
白金（Ｐｔ） ，金（Ａｕ） ，酸化シリコン（ＳｉＯ
■）で作成する。図中の記号Ｒ，はミラーへのＳＲ光の
入射方向に対する横方向の曲率半径，Ｒ２ ミラーへの
ＳＲ光の入射方向に対する縦方向の曲率半径を示してい
る。
ダルミラーは−］二下左右の光を効率的に集めることが
できる形状の鏡で、ＳＲ光を反射し易い材質、例えば、
白金（Ｐｔ） ，金（Ａｕ） ，酸化シリコン（ＳｉＯ
■）で作成する。図中の記号Ｒ，はミラーへのＳＲ光の
入射方向に対する横方向の曲率半径，Ｒ２ ミラーへの
ＳＲ光の入射方向に対する縦方向の曲率半径を示してい
る。
なお、ＳＲ光はこのトロイダルミラーによって短波長Ｘ
線成分が除去され、次に説明するベリリウム窓によって
長波長成分が除去されて、波長５〜１５人程度のＸ線が
放射光される。
線成分が除去され、次に説明するベリリウム窓によって
長波長成分が除去されて、波長５〜１５人程度のＸ線が
放射光される。
次に、具体的数値と放射Ｘ線の形状例を説明すると、第
３図（ａ）， （ｂ）はＸ線の形状を示す図で、同図（
ａ）はトロイダルミラーに照射する形状．同図（ｂ）は
ベリリウム窓に照射する形状（大気中に取り出す形状；
Ｘ線３の一定形状）である。そのための値を列記すると
、その値は Ｒ ， ＝ １６５ｍｍ， Ｒ ２＝ １１００
００ｍｍＰ ＝３０００ｍｍ， ＧＡ＝
３４ｍｒａｄＰｓｉ ＝ １．４ｍｒａｄ， ＰＨ１
＝３５ｍｒａｄＨ＝ １８．０６０８ｍｍ ここに、Ｇ＾はＳＲ光がトロイダルミラーに入る入射角 Ｈはベリリウム窓に照射されるＳＲ光の幅 とすると、第３図（ａ）のような形状のＳＲ光が得られ
て、第３図（ｂ）のような弓状のＸ線をベリリウム窓か
ら取り出すことができる。Ｚ − １００００ｍｍとす
ればそのＸ線３の弓状の幅は約３〜４ｍｍ・弓状全体を
含む方形の寸法は１４．８ｍｍＸ４０ｍｍとなる・従っ
て、弓状の幅が３〜４ｍｍに対してベリリウム窓を幅４
〜５＋ｎｎ＋程度の余裕をもった弓形状の窓にすれば良
い。
３図（ａ）， （ｂ）はＸ線の形状を示す図で、同図（
ａ）はトロイダルミラーに照射する形状．同図（ｂ）は
ベリリウム窓に照射する形状（大気中に取り出す形状；
Ｘ線３の一定形状）である。そのための値を列記すると
、その値は Ｒ ， ＝ １６５ｍｍ， Ｒ ２＝ １１００
００ｍｍＰ ＝３０００ｍｍ， ＧＡ＝
３４ｍｒａｄＰｓｉ ＝ １．４ｍｒａｄ， ＰＨ１
＝３５ｍｒａｄＨ＝ １８．０６０８ｍｍ ここに、Ｇ＾はＳＲ光がトロイダルミラーに入る入射角 Ｈはベリリウム窓に照射されるＳＲ光の幅 とすると、第３図（ａ）のような形状のＳＲ光が得られ
て、第３図（ｂ）のような弓状のＸ線をベリリウム窓か
ら取り出すことができる。Ｚ − １００００ｍｍとす
ればそのＸ線３の弓状の幅は約３〜４ｍｍ・弓状全体を
含む方形の寸法は１４．８ｍｍＸ４０ｍｍとなる・従っ
て、弓状の幅が３〜４ｍｍに対してベリリウム窓を幅４
〜５＋ｎｎ＋程度の余裕をもった弓形状の窓にすれば良
い。
第４図（ａ）， （ｂ）に本発明にかかるベリリウム窓
を示す図であり、同図（ａ）はベリリウム窓部分の側断
面図，同図（ｂ）はへリリウム窓の平面図で、真空ダク
トからなるビームラインｌ５に封止金属４によってヘリ
リウム窓５を電子ビーム溶着してあり、同図（ｂ）に示
すヘリリウム窓５以外の平面部分も封止金属４（例えば
、ステンレススチール）から構成させている。なお、第
４図（ｂ）においてへリリウム窓５は点線で囲んだ部分
を示し、その内に斜線で示しているのは一定形状のＸ線
３を示している。
を示す図であり、同図（ａ）はベリリウム窓部分の側断
面図，同図（ｂ）はへリリウム窓の平面図で、真空ダク
トからなるビームラインｌ５に封止金属４によってヘリ
リウム窓５を電子ビーム溶着してあり、同図（ｂ）に示
すヘリリウム窓５以外の平面部分も封止金属４（例えば
、ステンレススチール）から構成させている。なお、第
４図（ｂ）においてへリリウム窓５は点線で囲んだ部分
を示し、その内に斜線で示しているのは一定形状のＸ線
３を示している。
かくして、幅３〜４ｍｍの弓形のＸ線形状に対してやや
余裕をもった幅４〜５ＩＩＩＩｌ１の弓形のベリリウム
窓５を形成すると、ベリリウムの厚みを２５μｍ程度に
薄くできて、大気中に取り出すＸ線の減衰を少なくして
、強度の強いＸ線を取り出すことができる。この場合、
もしベリリウム窓の形杖を１４．８ｍｎ＋ Ｘ ４０ｍ
ｍの方形窓にすれば、ベリリウムの厚みを５０μｍ程度
に厚くしなければ内部応力を４５Ｋｇ／ｍｍ２以下にで
きず、そのような厚いベリリウムの厚みはＸ線強度を指
数函数的に減衰させることになる。
余裕をもった幅４〜５ＩＩＩＩｌ１の弓形のベリリウム
窓５を形成すると、ベリリウムの厚みを２５μｍ程度に
薄くできて、大気中に取り出すＸ線の減衰を少なくして
、強度の強いＸ線を取り出すことができる。この場合、
もしベリリウム窓の形杖を１４．８ｍｎ＋ Ｘ ４０ｍ
ｍの方形窓にすれば、ベリリウムの厚みを５０μｍ程度
に厚くしなければ内部応力を４５Ｋｇ／ｍｍ２以下にで
きず、そのような厚いベリリウムの厚みはＸ線強度を指
数函数的に減衰させることになる。
このようにして、一定形状（弓状）のＸ線を大気中に取
り出し、直ぐ近くに被露光基板を配置し、その被露光基
板をＸ線によってスキャンニングすると、強度の強いＸ
線のために所要の十分な露光量を与えて露光することが
でき、Ｘ線露光法におけるスループットを向上して、そ
の汎用化に大きく役立たせることができる。
り出し、直ぐ近くに被露光基板を配置し、その被露光基
板をＸ線によってスキャンニングすると、強度の強いＸ
線のために所要の十分な露光量を与えて露光することが
でき、Ｘ線露光法におけるスループットを向上して、そ
の汎用化に大きく役立たせることができる。
且つ、上記例はトロイダルミラ−（環状面の鏡）を用い
た実施例で説明したが、その他にシリンドリカルミラ−
（円筒状面の鏡）を用い゜ζもほぼ同様の効果が得られ
て、本発明は上記のトロイダルミラーに限るものではな
い。
た実施例で説明したが、その他にシリンドリカルミラ−
（円筒状面の鏡）を用い゜ζもほぼ同様の効果が得られ
て、本発明は上記のトロイダルミラーに限るものではな
い。
〔発明の効果］
以上の説明から明らかなように・本発明“よれば十分な
強度をもったＸ線を光源として露光することができ、Ｘ
線露光の汎用化に大きく近づＧ）て、［、Ｓｌなど半導
体デバイスの性能向上に著しく寄与するものである。
強度をもったＸ線を光源として露光することができ、Ｘ
線露光の汎用化に大きく近づＧ）て、［、Ｓｌなど半導
体デバイスの性能向上に著しく寄与するものである。
第１図は本発明にかかる一定形状のＸ線を作成する要部
図、 第２図はトロイダルミラーの斜視図、 第３図（ａ）， （ｂ）はＸ線の形状を示す図、第４図
（ａ）． （ｂ）は本発明にがかるヘリリウム窓を示す
図、 第５図は電子蓄積リングの概要図である。 図において、 ｌはＳＲ光、 ２はトロイダルミラ− ３は一定形状のＸ線、 ５はベリリウム窓、 １１は蓄積リング、 ｌ５はビームライン １１１１才１［リ＞７ー 第 １ 図 トロイ７゛ルミラーｎヂ腎裡の Ｊ電｝蓄４ゾ上７・・の７ｕ芋ｍ 第５図
図、 第２図はトロイダルミラーの斜視図、 第３図（ａ）， （ｂ）はＸ線の形状を示す図、第４図
（ａ）． （ｂ）は本発明にがかるヘリリウム窓を示す
図、 第５図は電子蓄積リングの概要図である。 図において、 ｌはＳＲ光、 ２はトロイダルミラ− ３は一定形状のＸ線、 ５はベリリウム窓、 １１は蓄積リング、 ｌ５はビームライン １１１１才１［リ＞７ー 第 １ 図 トロイ７゛ルミラーｎヂ腎裡の Ｊ電｝蓄４ゾ上７・・の７ｕ芋ｍ 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シンクロトロン放射光を光源とするＸ線露光方法におい
て、 高真空中において前記シンクロトロン放射光をビームラ
インより取り出し、該シンクロトロン放射光の発散光を
トロイダルミラーあるいはシリンドリカルミラーによっ
て反射させて集光し、集光させて幅をもつた一定形状の
Ｘ線を同様形状のベリリウム窓を介して大気中に取り出
し、該一定形状のＸ線を照射光として利用して露光する
ようにしたことを特徴とするＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011129A JPH03215800A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011129A JPH03215800A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215800A true JPH03215800A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11769410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011129A Pending JPH03215800A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | Ｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215800A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05312998A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Hamamatsu Photonics Kk | イオン発生装置 |
| JP2009016120A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Ihi Corp | Ｘ線発生装置用のレーザ導入兼ｘ線取出機構 |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011129A patent/JPH03215800A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05312998A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Hamamatsu Photonics Kk | イオン発生装置 |
| JP2009016120A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Ihi Corp | Ｘ線発生装置用のレーザ導入兼ｘ線取出機構 |
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