JPH03215834A - アクティブマトリクス基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は液晶等を用いた表示装置に用いられるアクティ
ブマトリクス基板に関し、特に付加容量を有するアクテ
ィブマトリクス基板に関する。

（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
が選択駆動され、画面上に表示パターンが形成される。

選択された絵素電極とこれに対向する対向電極との間に
電圧が印加され、その間に介在する表示媒体の光学的変
調が行われる。

この光学的変調が表示パターンとして視覚的に認識され
る。絵素電極の駆動方式として、個々の独＝２− 立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれに非
線形素子を連結して駆動するアクティブマトリクス駆動
方式が知られている。絵素電極を選択駆動する非線形素
子としては、ＴＰＴ　（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩ
Ｍ　（金属一絶縁層一金属）素子、ＭｏＳトランジスタ
素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に知られている
。

ＴＰＴを非線形素子として用いたアクティブマトリクス
基板では、走査線として機能するゲートバス配線と、信
号線として機能するソースバス配線とがＴＰＴを駆動す
るために設けられている。

ゲートバス配線にゲートオンの信号が印加され、ソース
バス配線からＴＰＴを通じて絵素電極に映像信号が印加
される。また、絵素電極に印加された映像信号を、次の
映像信号が印加されるまでの１周期の間保持するために
、絵素電極に対向して付加容量用電極がしばしば設けら
れる。各付加容量用電極は付加容量配線に接続され、各
付加容量配線は付加容量共通配線に接続されている。

第５図及び第６図に、ＴＰＴを非線形素子とし−３− て用いた従来のアクティブマトリクス基板の、ゲートバ
ス配線及び付加容量配線が設けられている様子を模式的
に示す。第５図の基板では、ゲートバス配線１が平行に
設けられ、ゲートバス配線１の間に付加容量配線２が平
行して設けられている。

付加容量配線２の絵素電極（図示せず）に対向する部分
が付加容量用電極として機能している。ゲートバス配線
１はその延設方向の一方の方向に引き出されて、その引
出し線の端部に接続端子１１が設けられる。付加容量配
線２はゲートバス配線１とは反対側に引き出され、付加
容量共通配線３に電気的に接続されている。

第６図のアクティブマトリクス基板では、ゲートバス配
線１はその延設方向の一方の方向に引き出されたゲート
バス配線１ａ，及び他方の方向に引き出されたゲートバ
ス配線１ｂからなる。付加容量配線２も同様に、その延
設方向の一方の方向に引き出された付加容量配線２ａ，
及び他方の方向に引き出された付加容量配線２ｂからな
る。付加容量配線２ａ及び２ｂの絵素電極（図示せず）
−４− に対向する部分が付加容量用電極として機能している。

ゲートバス配線１ａ及び１ｂには、それぞれの引出し側
の端部に接続端子１１ａ及びｌｌｂが設けられている。

同様に、付加容量配線２ａ及び２ｂには、それぞれの引
出し方向の端部に付加容量用端子１２ａ及び１２ｂが設
けられている。

従って、第６図の基板では第５図の基板とは異なり、ゲ
ートバス配線１及び付加容量配線２は、基板の両側から
引き出されている。尚、第５図及び第６図では省略され
ているが、これらの基板には更にソースバス配線等が形
成されている。

（発明が解決しようとする課題） このように付加容量を設けたアクティブマトリクス基板
を表示装置に用いると、付加容量配線が金属膜からなる
ため、表示装置の開口率が低下する。開口率の低下を低
減するために、付加容量配線はできる限り細く形成され
なければならない。

付加容量配線が細《なると、絵素電極に印加される映像
信号に対応して付加容量配線上に送られる信号に遅延が
生じ易くなる。この信号遅延により、−５− この基板を用いて表示装置を組み立てると、表示装置の
画像品位が低下することになる。また、付加容量配線が
細くなると、付加容量配線のパターン形成時に付加容量
配線に断線不良が生じ易くなる。付加容量配線の断線不
良が生じると、絵素電極に印加された映像信号の保持が
十分ではなくなり、表示装置の画像品位が低下すること
になる。

また、付加容量配線と絵素電極との間の絶縁を確実にす
るため、付加容量配線上には付加容量配線の上面を陽極
酸化して得られる陽極酸化膜がしばしば設けられる。上
述のように付加容量配線の断線が生じると、その断線部
から先の付加容量配線の部分には陽極酸化膜が形成され
ないことになる。陽極酸化膜が形成されない付加容量配
線の部分では絵素電極との間に絶縁不良が生じ易くなる
。

このような絶縁不良も表示装置の画像品位を低下させる
ので好ましくない。

更に、高精細な表示を行う表示装置に用いられるアクテ
ィブマトリクス基板では、ゲートバス配線及び付加容量
配線は膨大な数となり、ゲートバ−６− ス配線及び付加容量配線の端部に設けられる端子の間隔
は非常に小さくなる。そのため、基板上のこれらの端子
とフィルムキャリア上の端子とを接続する際に、接続さ
れるべき端子以外の端子との間でリーク電流が生じ易く
なる。

本発明は上述の問題点を解決するものであり、本発明の
目的は、付加容量配線上の信号遅延が生じないアクティ
ブマトリクス基板を提供することである。本発明の他の
目的は、付加容量配線に断線不良が生じても、表示装置
に用いた場合に画像品位が低下しないアクティブマトリ
クス基板を提供することである。本発明の更に他の目的
は、フィルムキャリア上の接続されるべき端子以外の端
子との間でリーク電流が生じないアクティブマトリクス
基板を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板と、
該絶縁性基板上に並行する走査線と、該走査線のそれぞ
れの間に並行して形成された付加容量配線と、を有し、
該走査線の延設方向の一方−７− の側に接続端子が設けられた該走査線と、他方の側に接
続端子が設けられた該走査線とが交互に設けられ、互い
に隣合う該付加容量配線のそれぞれが、該隣合う付加容
量配線の間の該走査線の該接続端子とは反対側で互いに
電気的に接続され、該接続された部分から引き出された
引出し線と、該引出し線の端部に設けられた付加容量用
端子とを有しており、そのことによって上記目的が達成
される。

また、前記走査線及び前記付加容量配線に交差し、該付
加容量配線のそれぞれに電気的に接続された付加容量共
通配線が形成され、該付加容量共通配線と該走査線とは
絶縁膜を介して交差している構成とすることもできる。

また、前記付加容量用端子が絶縁膜で覆われている構成
とすることもできる。

また、前記付加容量配線上に陽極酸化膜が形成されてい
る構成とすることもできる。

（作用） 本発明のアクティブマトリクス基板では、互い−８− の隣合う付加容量配線は互いに電気的に接続され、各付
加容量配線の両端の接続部から引出し線が設けられてい
るので、付加容量配線上の信号遅延は生じない。また、
付加容量配線上の１箇所に断線不良が生じても、この付
加容量配線は正常に機能し得る。また、陽極酸化の際に
付加容量配線上の１箇所に断線不良が生じていても、付
加容量配線上に陽極酸化膜が形成されない部分が生じる
こともない。従って、このアクティブマトリクス基板を
用いた表示装置では、画像品位の低下が生じない。

また、本発明のアクティブマトリクス基板では、付加容
量配線に接続された付加容量共通配線が設けられている
。絵素電極に印加された映像信号に対応して付加容量配
線に供給される信号は、付加容量共通配線によって供給
され得る。そして、付加容量配線の引出し線の端部に設
けられた付加容量用端子上には絶縁膜が形成された構成
ともし得る。この構成により、ゲートバス配線の端部に
設けられた接続端子に対応するフィルムキャリア上９ の端子と、付加容量用端子との間にリーク電流が生じる
ことはない。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第１図に本発
明のアクティブマトリクス基板の概略模式図を示す。第
１図ではゲートバス配線１ａ及びｌｂ，付加容量配線２
、並びに付加容量共通配線３ａ及び３ｂのみを示し、絵
素電極、ソースバス配線等の記載を省略してある。本実
施例のアクティブマトリクス基板では、ゲートバス配線
１ａ及び１ｂが平行に設けられ、ゲートバス配線１ａの
一方の端部から引出し線２１ａが延び、その終端部には
引出し線２１ａより幅の大きい接続端子１１ａが設けら
れている。同様に、ゲートバス配線１ｂの一方の端部か
ら引出し線２ｌｂが伸び、その終端部には引出し線２ｌ
ｂより幅の大きい接続端子１ｌｂが設けられている。引
出し線２１ａ及び２ｌｂは互いに反対側から引き出され
ている。

ゲートバス配線１ａ及び１ｂの間には、付加容量配線２
が形成されている。互いに隣合う付加容−１０一 量配線２は、その間に位置するゲートバス配線１ａ及び
１ｂの引出し線２１ａ及び２ｌｂが設けられていない側
で、接続されている。そして、その接続部からは引出し
線２２ａ及び２２ｂが引き出され、その終端には引出し
線２２ａ及び２２ｂより幅の大きい付加容量用端子１２
ａ及び１２ｂが設けられている。引出し線２２ａ及び付
加容量用端子１２ａは、ゲートバス配線１ａの引出し線
２１ａ及び接続端子１１ａが設けられている側と同じ側
に設けられている。同様に、引出し線２２ｂ及び付加容
量用端子１２ｂは、ゲートバス配線１ｂの引出し線２ｌ
ｂ及び接続端子１ｌｂが設けられている側と同じ側に設
けられている。ゲートバス配線１ａ，ｌｂ，及び付加容
量配線２に直交して、付加容量共通配線３ａ，３ｂが形
成されている。付加容量共通配線３ａ、３ｂは付加容量
配線２のそれぞれと電気的に接続されている。また、付
加容量共通配線３ａｓ３ｂはゲートバス配線１ａ，ｌｂ
とは後述するＴａ２０５、ＳｉＮｘ膜、ａＳｉ半導体層
、ＳｉＮｘ膜及びｎ＋型ａ−Ｓｔ膜を−１１− 挾んで交差している。

第２図〜第４図に第１図のアクティブマトリクス基板の
製造工程を示す。ガラス基板上の全面にＴａ金属膜をス
パッタリングにより形成した。このＴａ金属膜をフォト
リングラフィ法及びエッチングにより、第２図の形状の
ゲートバス配線１ａ，１ｂ、付加容量配線２、引出し線
２１ａ，２ｌｂ，２２ａ，２２ｂ，接続端子１１ａ１　
１１ｂ１及び付加容量用端子１２ａ，１２ｂをパターン
形成した。次に、接続端子１１ａ、ｌｌｂ、及び付加容
量用端子１２ａ，１２ｂを用いて陽極酸化を行った。こ
の陽極酸化により、第２図の領域Ａの部分のゲートバス
配線１ａ、ｌｂ上、及び付加容量配線２上、並びに付加
容量共通配線３ａ及び３ｂが形成される領域Ｂの部分の
ゲートバス配線１ａ，ｌｂ上に陽極酸化膜を形成した。

各付加容量配線２には２つの付加容量用端子１２ａ及び
１２ｂが接続されているので、付加容量配線２上に１箇
所の断線が生じていても、付加容量配線２上に陽極酸化
膜が形成されない部分は生じない。

−１２一 次に、非線形素子であるＴＰＴ　（，図示せず）を形成
するために、ＳｉＮｘ膜、アモルファスＳｉ（以下では
「ａ−ＳｉＪと称す）の半導体層、及びＳｉＮ．膜を、
この基板上の全面に連続して堆積した。最上部のＳｉＮ
．膜のバターニングを行い、ＴＰＴの半導体層となる部
分の上面にエッチングストッパを形成した。次に、ｎ＋
型ａ−Ｓｉ膜をこの基板上の全面に堆積し、前述のａ−
Ｓｔ半導体層及びこのｎ＋型ａ−Ｓｉ膜をパターン形成
し、ＴＰＴの半導体層及びコンタクト層を形成した。ま
た、コンタクト層は後にＴＰＴのソース電極及びドレイ
ン電極の下方の２つの部分に分割される。

次に、付加容量配線２と後に形成される付加容量共通配
線３ａ及び３ｂとの交差部分の上、及びゲートバス配線
１ａ及び１ｂに接続された接続端子１１ａ及びｌｌｂ上
のＳＩＮ．膜を除去した。次に、スパッタリングにより
Ｔｉ金属層を全面に形成し、付加容量共通配線３ａ、３
及びソースバス配線４ａ、４ｂをパターン形成した（第
３図）。

付加容量共通配線３ａ及び３ｂは、各付加容量配線２と
電気的に接続されて形成される。次に、ＩＴｏ膜をこの
基板上の全面に形成し、パターニングを行って絵素電極
（図示せず）を形成した。次に、保護膜５となるＳｉＮ
ｘ膜をこの基板上の全面に形成した。ゲートバス配線１
ａ，ｌｂに接続された接続端子１１ａ，ｌｌｂ上と、ソ
ースバス配線４ａ，４ｂの端部と、付加容量共通配線３
ａ、３ｂの端部との部分の上に形成された保護膜を除去
し、第４図に示すアクティブマトリクス基板を得た。

本実施例のアクティブマトリクス基板では、付加容量配
線２の両端部から、絵素電極に印加される映像信号に対
応する信号が、付加容量共通配線３ａ及び３ｂを通じて
供給されるので、付加容量配線２上の信号遅延は低減さ
ている。また、付加容量配線２上の１箇所に断線不良が
生じても、この付加容量配線２は正常に機能し得る。更
に、付加容量用端子１２ａＳ　１２ｂ上には保護膜が形
成されているので、ゲートバス配線１ａｓｌｂに接続さ
れた接続端子１１ａ及びｌｌｂと、フィルムキャリア上
の端子とを接続するに際して、付加容量用端子１２ａ，
１２ｂとフィルムキャリア上の端子とが接することはな
い。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス基板では、付加容量配線
上の信号遅延が低減されているので、この基板を表示装
置に用いれば高い画像品位を有する表示装置が得られる
。また、付加容量配線に断線部が生じても正常に機能し
得るので、表示装置の歩留りが向上する。更に、ゲート
バス配線の接続端子とフィルムキャリア上の端子との接
続が容易となるので、そのことによっても表示装置の歩
留りが向上する。

４．゛　　の．　な言■ 第１図は本発明のアクティブマトリクス基板の概略平面
図、第２図〜第４図は第１図のアクティブマトリクス基
板の製造工程を示す図、第５図及び第６図は従来のアク
ティブマトリクス基板を示す図である。

ｌａ，ｌｂ・・・ゲートバス配線、２・・・付加容量配
線、−１５− ３ａ，３ｂ・・・付加容量共通配線、４ａ，４．ｂ・・
・ソースバス配線、５・・・保護膜、ｌｌａ，ｌｌｂ・
・・接続端子、１　２　ａ，　　１　２　ｂ・・・付加
容量用端子、２１ａ，２ｌｂ，２２ａ，２２ｂ−引出し
線。

以 上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に並行する走査線と
   、該走査線のそれぞれの間に並行して形成された付加容
   量配線と、を有し、 該走査線の延設方向の一方の側に接続端子が設けられた
   該走査線と、他方の側に接続端子が設けられた該走査線
   とが交互に設けられ、互いに隣合う該付加容量配線のそ
   れぞれが、該隣合う付加容量配線の間の該走査線の該接
   続端子とは反対側で互いに電気的に接続され、該接続さ
   れた部分から引き出された引出し線と、該引出し線の端
   部に設けられた付加容量用端子とを有するアクティブマ
   トリクス基板。 ２、前記走査線及び前記付加容量配線に交差し、該付加
   容量配線のそれぞれに電気的に接続された付加容量共通
   配線が形成され、該付加容量共通配線と該走査線とは絶
   縁膜を介して交差している請求項１に記載のアクティブ
   マトリクス基板。 ３、前記付加容量用端子が絶縁膜で覆われている請求項
   ２に記載のアクティブマトリクス基板。 ４、前記付加容量配線上に陽極酸化膜が形成されている
   請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。