JPH03215861A - パターンの形成方法 - Google Patents
パターンの形成方法Info
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- JPH03215861A JPH03215861A JP2011096A JP1109690A JPH03215861A JP H03215861 A JPH03215861 A JP H03215861A JP 2011096 A JP2011096 A JP 2011096A JP 1109690 A JP1109690 A JP 1109690A JP H03215861 A JPH03215861 A JP H03215861A
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- Japan
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- pattern
- patterns
- mask
- line
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
パターンの形成方法に関し、
転写側に形成されたパターン群を忠実度が劣化しないよ
うにして被転写側に転写することができるようにしてデ
ハイスの電気特性および歩留まりを向上することができ
るパターンの形成方法を提供することを目的とし、 マスクにパターンを形成する方法であって、前記マスク
に予めパターンを形成し、露光装置によって該パターン
を被マスクに転写した後、該被マスクの転写パターンと
マスクに形成されたパターンの形状をそれぞれ比較し、
転写パターンのうちマスクに形成されたパターンの形状
よりも所定の許容量を超えて形状の忠実度が劣化してい
るものに関し、該忠実度劣化に基づいてマスクのパター
ンを補正するように構成する。
うにして被転写側に転写することができるようにしてデ
ハイスの電気特性および歩留まりを向上することができ
るパターンの形成方法を提供することを目的とし、 マスクにパターンを形成する方法であって、前記マスク
に予めパターンを形成し、露光装置によって該パターン
を被マスクに転写した後、該被マスクの転写パターンと
マスクに形成されたパターンの形状をそれぞれ比較し、
転写パターンのうちマスクに形成されたパターンの形状
よりも所定の許容量を超えて形状の忠実度が劣化してい
るものに関し、該忠実度劣化に基づいてマスクのパター
ンを補正するように構成する。
本発明は、パターンの形成方法に関し、詳し《は、露光
装置の特性等に影響されることなくマスクに形成された
パターン群を被転写側に忠実に転写することができるパ
ターンの形成方法に関する。
装置の特性等に影響されることなくマスクに形成された
パターン群を被転写側に忠実に転写することができるパ
ターンの形成方法に関する。
近時、半導体デバイスの高集積化に伴いデザインルール
の微細化が要求されており、レジストプロセスの高解像
化、位相シフト等の技術が提案されている。
の微細化が要求されており、レジストプロセスの高解像
化、位相シフト等の技術が提案されている。
しかしながら、露光装置のレンズの収差等の特性により
マスク等の転写側に形成されたパターンを忠実度が劣化
することなしに、すなわち、パターン形状の変化を生じ
させることなしに被転写側であるウエハー上に転写させ
ることができない。
マスク等の転写側に形成されたパターンを忠実度が劣化
することなしに、すなわち、パターン形状の変化を生じ
させることなしに被転写側であるウエハー上に転写させ
ることができない。
このため、マスクに形成されたパターンを高解像力に見
合うだけのパターン忠実度（寸法特性）でウエハー上に
転写することが要求されている。
合うだけのパターン忠実度（寸法特性）でウエハー上に
転写することが要求されている。
以下、従来技術を図面に基づいて具体的に説明する。
第６図は従来のパターンの形成方法を示す図であり、転
写側であるマスクに形成されたパターンを示している。
写側であるマスクに形成されたパターンを示している。
従来のマスクのパターンの形成方法にあっては、第６図
（ａ）に示すようにマスクに四角形の開口部１およびク
ロム２ （遮光膜）からパターンを形成し、所定の解像
力に設定された露光装置によって該パターンを図示しな
いウエハー上のレジストに転写する。このため、ウエハ
ー上には開口部の形状に応じたパターンが形成される。
（ａ）に示すようにマスクに四角形の開口部１およびク
ロム２ （遮光膜）からパターンを形成し、所定の解像
力に設定された露光装置によって該パターンを図示しな
いウエハー上のレジストに転写する。このため、ウエハ
ー上には開口部の形状に応じたパターンが形成される。
ところが、実際には露光装置のレンズの収差によって開
口部１は四角形上にはならず、周縁部が転写されずに歪
な形状となってしまった。このため、第６図（ｂ）〜（
ｄ）に示すように予めマスクの開口部３〜５の周縁部に
補助パターン３ａ〜５ａを設けて、ウエハー上に転写さ
れる開口部の形状が第６図（ａ）に示す開口部１に対応
する四角形状となるように補正していた。このパターン
の形成方法はパターンの形状が予めウエハー上に転写さ
れたパターンの形状になるように補正するため、すなわ
ち、解像力を向上させるために開口部３〜５に補助パタ
ーン３ａ〜５ａを設けたものであり、しかも一点のパタ
ーンの解像力を向上させるミクロ的なパターン形成方法
である。
口部１は四角形上にはならず、周縁部が転写されずに歪
な形状となってしまった。このため、第６図（ｂ）〜（
ｄ）に示すように予めマスクの開口部３〜５の周縁部に
補助パターン３ａ〜５ａを設けて、ウエハー上に転写さ
れる開口部の形状が第６図（ａ）に示す開口部１に対応
する四角形状となるように補正していた。このパターン
の形成方法はパターンの形状が予めウエハー上に転写さ
れたパターンの形状になるように補正するため、すなわ
ち、解像力を向上させるために開口部３〜５に補助パタ
ーン３ａ〜５ａを設けたものであり、しかも一点のパタ
ーンの解像力を向上させるミクロ的なパターン形成方法
である。
一方、第５図に示すようにマスクに複数の遮光部分であ
るラインパターン６ａ〜６ｅおよびスペースパターン７
ａ〜７ｄから構成されるパターン群６が形成された、い
わゆるライン・アンド・スペースパターンが形成された
転写側マスク（第５図（ａ）参照）にあっては、露光装
置によって該パターンをウエハー上に転写すると、露光
装置のレンズの収差によって第５図（ｂ）に示すように
ウエハー上に転写されたラインパターン８ａ〜８ｅのう
ちの左側のラインパターン８ａがラインパターン６ａに
比べて小さく、また、右側のラインパターン８ｅがライ
ンパターン６ｅに比べて大キくなってしまった。すなわ
ち、予め転写マスクに形成されたラインパターン６ａ〜
６ｅをウエハー上に転写した後、ラインパターン６ａ〜
６ｅをラインパターン８ａ〜８ｅと比較すると、両側の
ラインパターン８ａ，８ｅの形状が所望するラインパタ
ーンの形状（破線ａ，ｂで示す）よりも所定の許容量（
例えば０．２μｍ）を超えて形状の忠実度（寸法特性）
が劣化してしまった。
るラインパターン６ａ〜６ｅおよびスペースパターン７
ａ〜７ｄから構成されるパターン群６が形成された、い
わゆるライン・アンド・スペースパターンが形成された
転写側マスク（第５図（ａ）参照）にあっては、露光装
置によって該パターンをウエハー上に転写すると、露光
装置のレンズの収差によって第５図（ｂ）に示すように
ウエハー上に転写されたラインパターン８ａ〜８ｅのう
ちの左側のラインパターン８ａがラインパターン６ａに
比べて小さく、また、右側のラインパターン８ｅがライ
ンパターン６ｅに比べて大キくなってしまった。すなわ
ち、予め転写マスクに形成されたラインパターン６ａ〜
６ｅをウエハー上に転写した後、ラインパターン６ａ〜
６ｅをラインパターン８ａ〜８ｅと比較すると、両側の
ラインパターン８ａ，８ｅの形状が所望するラインパタ
ーンの形状（破線ａ，ｂで示す）よりも所定の許容量（
例えば０．２μｍ）を超えて形状の忠実度（寸法特性）
が劣化してしまった。
上述したような従来の複数のパターン群６がマスクに形
成されたものにあっては、上述した第６図のパターン補
正に対応するようなパターン形成の方法がなかった。
成されたものにあっては、上述した第６図のパターン補
正に対応するようなパターン形成の方法がなかった。
そこで本発明は、転写側に複数のパターンから構成され
たパターン群を形成するに際し、転写側に形成されたパ
ターン群を忠実度（寸法特性）が劣化しないようにして
被転写側に転写することができるようにして、デハイス
の電気特性および歩留まりを向上ずることができるパタ
ーンの形成方法を提供することを目的としている。
たパターン群を形成するに際し、転写側に形成されたパ
ターン群を忠実度（寸法特性）が劣化しないようにして
被転写側に転写することができるようにして、デハイス
の電気特性および歩留まりを向上ずることができるパタ
ーンの形成方法を提供することを目的としている。
本発明によるパターンの形成方法は、上記目的を達成す
るため、マスクにパターンを形成する方法であって、前
記マスクに予めパターンを形成し、露光装置によって該
パターンを被マスクに転写した後、該被マスクの転写パ
ターンとマスクに形成されたパターンの形状をそれぞれ
比較し、転写パターンのうちマスクに形成されたパター
ンの形状よりも所定の許容量を超えて形状の忠実度が劣
化しているものに関し、該忠実度劣化に基づいてマスク
のパターンを補正するものである。
るため、マスクにパターンを形成する方法であって、前
記マスクに予めパターンを形成し、露光装置によって該
パターンを被マスクに転写した後、該被マスクの転写パ
ターンとマスクに形成されたパターンの形状をそれぞれ
比較し、転写パターンのうちマスクに形成されたパター
ンの形状よりも所定の許容量を超えて形状の忠実度が劣
化しているものに関し、該忠実度劣化に基づいてマスク
のパターンを補正するものである。
第４図は、本発明の原理説明図である。
第４図（ａ）は転写側であるマスクに形成されたパター
ンであり、ｌｌａ〜１１．８は転写側であるマスクに形
成されたラインパターンを示し、該パターンｌｌａ〜ｌ
ｉｅはパターン群１１を形成している。
ンであり、ｌｌａ〜１１．８は転写側であるマスクに形
成されたラインパターンを示し、該パターンｌｌａ〜ｌ
ｉｅはパターン群１１を形成している。
第４図（ｂ）はラインパターンｌｌａ〜ｌｉｅを露光装
置によって被転写側であるウエハー上に転写した際のラ
インパターン１２ａ〜１２ｅであり、該パターン１２ａ
〜１２ｅとラインパターンｌｌａ〜１１ｅを比較すると
、露光装置のレンズの収差によって該パターン１２ａ〜
１２ｅのうち、左側のラインパターン１２ａの形状がラ
イシパターンＩ．１ａに比べて小さく、また右側のライ
ンパターン１．２８の形状がラインパターンｌ１ｅに比
べて大きくなり、この変形量が所定の許容量（例えば、
０．２μｍ）を超える忠実度（寸法特性）の劣化の場合
には、この忠実度の劣化に基づいてラインパターンｌｌ
ａ、ｌｉｅの形状を補正し、第４図（ａ）に示すように
ラインパターン１１．８を忠実度劣化分だけ大きく （
破線Ｃで示す）また、ラインパターンｌｌｅを忠実度劣
化分だけ小さく （破線ｄで示す）なるように形成する
。そして、ラインパターン１１．ａ〜１１ｅを露光装置
によってウエハー上に転写する。このため、第４図（Ｃ
）に示すようにウエハー上に所望する寸法（ラインパタ
ーンｌｌａおよび１１ｅと略同形状）のラインパターン
１３３〜１３ｅが転写される。
置によって被転写側であるウエハー上に転写した際のラ
インパターン１２ａ〜１２ｅであり、該パターン１２ａ
〜１２ｅとラインパターンｌｌａ〜１１ｅを比較すると
、露光装置のレンズの収差によって該パターン１２ａ〜
１２ｅのうち、左側のラインパターン１２ａの形状がラ
イシパターンＩ．１ａに比べて小さく、また右側のライ
ンパターン１．２８の形状がラインパターンｌ１ｅに比
べて大きくなり、この変形量が所定の許容量（例えば、
０．２μｍ）を超える忠実度（寸法特性）の劣化の場合
には、この忠実度の劣化に基づいてラインパターンｌｌ
ａ、ｌｉｅの形状を補正し、第４図（ａ）に示すように
ラインパターン１１．８を忠実度劣化分だけ大きく （
破線Ｃで示す）また、ラインパターンｌｌｅを忠実度劣
化分だけ小さく （破線ｄで示す）なるように形成する
。そして、ラインパターン１１．ａ〜１１ｅを露光装置
によってウエハー上に転写する。このため、第４図（Ｃ
）に示すようにウエハー上に所望する寸法（ラインパタ
ーンｌｌａおよび１１ｅと略同形状）のラインパターン
１３３〜１３ｅが転写される。
したがって、マスクに形成されたバクーン群１１が忠実
度（寸法特性）が劣化されることな《ウエハー上に転写
される。この結果、今後の高解像力プロセスに見合った
パターン群形成技術が得られるとともにデハイスの電気
特性および歩留まりが向上する。
度（寸法特性）が劣化されることな《ウエハー上に転写
される。この結果、今後の高解像力プロセスに見合った
パターン群形成技術が得られるとともにデハイスの電気
特性および歩留まりが向上する。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係るパターンの形成方法の第１実施例
を示す図であり、第１図（ａ）はそのラインパターンを
示す図、第１図（ｂ）はそのラインパターンを被転写側
であるウエハー上に転写した図である。なお、本実施例
は本発明をライン・アンド・スペースパターンに適用し
たものである。
を示す図であり、第１図（ａ）はそのラインパターンを
示す図、第１図（ｂ）はそのラインパターンを被転写側
であるウエハー上に転写した図である。なお、本実施例
は本発明をライン・アンド・スペースパターンに適用し
たものである。
まず、構成を説明する。第１図（ａ）において、２１ａ
〜２１ｅは被転写側であるマスクに形成されたパターン
としてのラインパターン、２２ａ〜２２ｄはラインパタ
ーン２１ａ〜２１ｅの間に設けられたパターンとしての
スペースパターンであり、これらラインパターン２１ａ
〜２１ｅおよび２２ａ〜２２ｄはパタｑ ーン群２３を構成しているとともに、ラインパターン２
１ａ〜２１ｅおよびスペースパターン２２ａ〜２２ｄは
同一形状となるように構成されている。そして、このパ
ターン群２３を以下の露光条件（解像力）に基づいてウ
エハー上に転写した。
〜２１ｅは被転写側であるマスクに形成されたパターン
としてのラインパターン、２２ａ〜２２ｄはラインパタ
ーン２１ａ〜２１ｅの間に設けられたパターンとしての
スペースパターンであり、これらラインパターン２１ａ
〜２１ｅおよび２２ａ〜２２ｄはパタｑ ーン群２３を構成しているとともに、ラインパターン２
１ａ〜２１ｅおよびスペースパターン２２ａ〜２２ｄは
同一形状となるように構成されている。そして、このパ
ターン群２３を以下の露光条件（解像力）に基づいてウ
エハー上に転写した。
ラインパターン２１ａ〜２１ｄのライン幅のパターンサ
イズの設計値０．６５μｍ、０．６ μｍ、０．５５
μｍ、０．５μｍの４種類、露光装置の露光波長：ｉ線
３６５ ｒ＋ｎ＋、露光装置の投影レンズの開口数：
０．４５レジスト二ノボラック形樹脂（東京応化工業社
製ＴＳＭＲ３６５ ＩＲ）。
イズの設計値０．６５μｍ、０．６ μｍ、０．５５
μｍ、０．５μｍの４種類、露光装置の露光波長：ｉ線
３６５ ｒ＋ｎ＋、露光装置の投影レンズの開口数：
０．４５レジスト二ノボラック形樹脂（東京応化工業社
製ＴＳＭＲ３６５ ＩＲ）。
この結果、ウエハー上に第１図（ｂ）に示すような転写
パターンとしてのラインパターン２４ａ〜２４ｅが転写
された。そして、中央のラインパターン２４ｂ〜２４ｄ
は０．５μｍまで設計値の寸法が得られたのに対して、
ラインパターン２４ａおよびラインパターン２４ｅはラ
イン幅のパターンサイズに依存して以下の表に示すよう
な忠実度（寸法特性）の劣化があった。なお、ここで忠
実度劣化とは、予めマスクに形成されたパターン２１ａ
〜２１ｅを露】 ０ 光装置によってウエハー上に転写した後、マスクのパタ
ーン群２３の形状に対してウェハー上に転写されたパタ
ーン２４ａ〜２４ｅの形状が所定の許容範囲（例えば、
０．１２μｍ）を超えてしまい、所望する転写形状を得
られないことを言う。
パターンとしてのラインパターン２４ａ〜２４ｅが転写
された。そして、中央のラインパターン２４ｂ〜２４ｄ
は０．５μｍまで設計値の寸法が得られたのに対して、
ラインパターン２４ａおよびラインパターン２４ｅはラ
イン幅のパターンサイズに依存して以下の表に示すよう
な忠実度（寸法特性）の劣化があった。なお、ここで忠
実度劣化とは、予めマスクに形成されたパターン２１ａ
〜２１ｅを露】 ０ 光装置によってウエハー上に転写した後、マスクのパタ
ーン群２３の形状に対してウェハー上に転写されたパタ
ーン２４ａ〜２４ｅの形状が所定の許容範囲（例えば、
０．１２μｍ）を超えてしまい、所望する転写形状を得
られないことを言う。
（単位：μｍ）
この表から明らかなようにパターンサイズの依存性は線
型近似で充分補正可能な傾向を示している。そして、設
計値０．６におけるラインパターン２２ ａ ， ０．
５５μｍおよび０．５μｍにおけるラインパターン２２
ａ、２２ｅはラインパターン２１ａおよび２１ｅの所望
する設計値に対する忠実度の劣化が許容１１ 範囲（０． １２μｍ）を超えているので、該対応する
忠実度の劣化分をラインパターン２１ａおよび２１ｅに
補正する。そして、このパターン群が新たに形成された
マスク（図示略）を用いて露光を行えば、ウエハー上に
転写されるパターンは所望する寸法特性（設計値）を得
ることができる。
型近似で充分補正可能な傾向を示している。そして、設
計値０．６におけるラインパターン２２ ａ ， ０．
５５μｍおよび０．５μｍにおけるラインパターン２２
ａ、２２ｅはラインパターン２１ａおよび２１ｅの所望
する設計値に対する忠実度の劣化が許容１１ 範囲（０． １２μｍ）を超えているので、該対応する
忠実度の劣化分をラインパターン２１ａおよび２１ｅに
補正する。そして、このパターン群が新たに形成された
マスク（図示略）を用いて露光を行えば、ウエハー上に
転写されるパターンは所望する寸法特性（設計値）を得
ることができる。
このように本実施例では、マスクに複数のラインパター
ンから構成されたパターン群を形成するに際し、マスク
に形成されたパターン群を忠実度（寸法特性）が劣化し
ないようにしてウエハーに転写することができる。この
ため、デハイスの電気特性および歩留まりを向上するこ
とができる。
ンから構成されたパターン群を形成するに際し、マスク
に形成されたパターン群を忠実度（寸法特性）が劣化し
ないようにしてウエハーに転写することができる。この
ため、デハイスの電気特性および歩留まりを向上するこ
とができる。
第２図は本発明に係るパターンの形成方法の第２実施例
を示す図であり、本実施例はＳＲＡＭのトランジスタ特
性を決定する処理工程のメモリーパターン形状を示すも
のである。第２図（ａ）はマスクに形成された図示しな
いパターン群の一部であるライン幅０．５ μｍのライ
ンパターン３１２〜３１ｄを示し、第２図（ｂ）はライ
ンパターン３１ａ〜３１ｄを露光装置によってウエハー
上に転写した１２ ？インパターン３２ａ〜３２ｄを示している。なお、本
実施例ではレンズの収差によって忠実度の劣化が著しい
ものを抜き出して表している。本実施例にあっても、第
１実施例で示した露光条件に基づいてラインパターン３
１２〜３１ｄの補正を行った結果、設計値０．５ μｍ
に対して０．０４μｍの忠実度の劣化が生じ、電気特性
上問題となる値を示したのに対して、該忠実度をライン
パターン３１８〜３１’ｄに補正してラインパターンを
形成したもので露光を行った結果、忠実度の劣化が０．
０１μｍ以下とデバイスの電気特性上無視できる値にす
ることができた。
を示す図であり、本実施例はＳＲＡＭのトランジスタ特
性を決定する処理工程のメモリーパターン形状を示すも
のである。第２図（ａ）はマスクに形成された図示しな
いパターン群の一部であるライン幅０．５ μｍのライ
ンパターン３１２〜３１ｄを示し、第２図（ｂ）はライ
ンパターン３１ａ〜３１ｄを露光装置によってウエハー
上に転写した１２ ？インパターン３２ａ〜３２ｄを示している。なお、本
実施例ではレンズの収差によって忠実度の劣化が著しい
ものを抜き出して表している。本実施例にあっても、第
１実施例で示した露光条件に基づいてラインパターン３
１２〜３１ｄの補正を行った結果、設計値０．５ μｍ
に対して０．０４μｍの忠実度の劣化が生じ、電気特性
上問題となる値を示したのに対して、該忠実度をライン
パターン３１８〜３１’ｄに補正してラインパターンを
形成したもので露光を行った結果、忠実度の劣化が０．
０１μｍ以下とデバイスの電気特性上無視できる値にす
ることができた。
第３図は本発明に係るパターンの形成方法の第３実施例
のラインパターンである。第３図において、４工はメモ
リーセルの周辺にあるラインパターン６，〜Ｉｌ，，か
ら構成されるパターン群であり、このパターン群４１は
かなり長い領域に渡って蛇行Ｌこウエハー上に形成され
ている。本実施例にあ゛も、ウエハー上に転写されたパ
ターン群４１にお■るラインパターンｌ２〜Ａｎ−１の
ライン幅は１３ 設計値に対して問題とならない値であるので、ｌ７！７
を設計値に対して忠実度の劣化している分だけ補正すれ
ば、第１実施例と同様の効果を得ることができる。
のラインパターンである。第３図において、４工はメモ
リーセルの周辺にあるラインパターン６，〜Ｉｌ，，か
ら構成されるパターン群であり、このパターン群４１は
かなり長い領域に渡って蛇行Ｌこウエハー上に形成され
ている。本実施例にあ゛も、ウエハー上に転写されたパ
ターン群４１にお■るラインパターンｌ２〜Ａｎ−１の
ライン幅は１３ 設計値に対して問題とならない値であるので、ｌ７！７
を設計値に対して忠実度の劣化している分だけ補正すれ
ば、第１実施例と同様の効果を得ることができる。
本発明によれば、転写側に形成されたパターン群を忠実
度が劣化しないようにして被転写側に転写することがで
きるので、デバイスの電気特性および歩留まりを向上す
ることができる。
度が劣化しないようにして被転写側に転写することがで
きるので、デバイスの電気特性および歩留まりを向上す
ることができる。
第１図は本発明に係るパターンの形成方法の第１実施例
を説明する図、 第２図は本発明に係るパターンの形成方法の第２実施例
を説明する図、 第３図は本発明に係るパターンの形成方法の第３実施例
を説明する図、 第４図は本発明の基本原理を説明する図、第５図は転写
側に形成されたパターンと被転写１４ 側に形成されたパターンを示す図、 第６図は従来のパターンの形成方法を示す図である。 ２１２〜２１ｅ・・・・・・ラインパターン（パターン
）、２２ａ〜２２ｄ・・・・・・ペースパターン（パタ
ーン）、２４ａ〜２４ｅ・・・・・・ラインパターン（
転写パターン）。 １５ 穴 裾 図 齢 第３実施例のパター２ 第 ３ 図 特開平 ３ ２１５８６１（７） １ （ａ） 第 ５ 図 （ｊ）） 従来のパターン形成方法を示す図 第 ６ 図
を説明する図、 第２図は本発明に係るパターンの形成方法の第２実施例
を説明する図、 第３図は本発明に係るパターンの形成方法の第３実施例
を説明する図、 第４図は本発明の基本原理を説明する図、第５図は転写
側に形成されたパターンと被転写１４ 側に形成されたパターンを示す図、 第６図は従来のパターンの形成方法を示す図である。 ２１２〜２１ｅ・・・・・・ラインパターン（パターン
）、２２ａ〜２２ｄ・・・・・・ペースパターン（パタ
ーン）、２４ａ〜２４ｅ・・・・・・ラインパターン（
転写パターン）。 １５ 穴 裾 図 齢 第３実施例のパター２ 第 ３ 図 特開平 ３ ２１５８６１（７） １ （ａ） 第 ５ 図 （ｊ）） 従来のパターン形成方法を示す図 第 ６ 図
Claims (1)
- マスクにパターンを形成する方法であって、前記マスク
に予めパターンを形成し、露光装置によって該パターン
を被マスクに転写した後、該被マスクの転写パターンと
マスクに形成されたパターンの形状をそれぞれ比較し、
転写パターンのうちマスクに形成されたパターンの形状
よりも所定の許容量を超えて形状の忠実度が劣化してい
るものに関し、該忠実度劣化に基づいてマスクのパター
ンを補正するようにしたことを特徴とするパターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011096A JPH03215861A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011096A JPH03215861A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215861A true JPH03215861A (ja) | 1991-09-20 |
Family
ID=11768473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011096A Pending JPH03215861A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215861A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5426007A (en) * | 1992-06-25 | 1995-06-20 | Seiko Epson Corporation | Photomask and process of making semiconductor device by the use of the photomask |
| US5436095A (en) * | 1991-07-11 | 1995-07-25 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device for a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor |
| JPH08339074A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-12-24 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 露光マスクの製造方法 |
| KR100346448B1 (ko) * | 1994-12-29 | 2002-11-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자용노광마스크 |
| US6548312B1 (en) | 1999-08-27 | 2003-04-15 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit devices and mask manufacturing methods |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP2011096A patent/JPH03215861A/ja active Pending
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